Главная - НИИМЭ
Микроэлектроника - основа инноваций
В АО «НИИМЭ» постоянно происходит развитие технологического портфеля и его освоение в производстве для обеспечения возможности изготовления новых типов микросхем.
Современные технологии будущего
АО «НИИМЭ» владеет рядом технологий, необходимых для производства аналоговых схем управления питанием, RFID-чипов, микропроцессоров и микроконтроллеров, а также других типов интегральных схем.
01.09.2017
С нового учебного года на базовой кафедре «Микро- и наноэлектроника» НИИМЭ по программе бакалавриата начнут обучение 13 студентов 4-го курса МФТИ.
31.08.2017
Генеральный директор АО «НИИМЭ», академик РАН Г.Я. Красников встретился с академиками Отделения сельскохозяйственных наук РАН
31.08.2017
31 августа Правительство РФ утвердило список кандидатов на пост президента Российской академии наук.

О КОМПАНИИ

АО «НИИМЭ» - ведущий научно-исследовательский центр «Группы НИИМЭ» в составе отраслевого холдинга ОАО «РТИ» (АФК «Система»), которые образуют единый крупнейший в России комплекс по проведению научно-технологических исследований в области микро- и наноэлектроники, разработке и производству полупроводниковых изделий. 

Работы ведутся с российскими и зарубежными партнерами в рамках программ по развитию элементной базы, по изготовлению кристаллов интегральных микросхем в режиме Foundry, а также по разработке и освоению серий интегральных микросхем и полупроводниковых приборов для аппаратуры спецназначения. 

Наши преимущества
Фундаментальные исследования
АО «НИИМЭ» занимается фундаментальными исследованиями в области физики полупроводников. Специалисты института разрабатывают технологии многолучевой электронной литографии для производства современных СБИС и СБИС следующих поколений, исследуют и моделируют элементы энергонезависимой, сегнетоэлектрической и магниторезистивной  памяти на новых физических принципах. В области функциональной электроники ученые НИИМЭ занимаются построением приборно-технологических моделей для базовых и перспективных технологий, наноэлектронных компонентов и эффектов радиационных воздействий, ведут исследования технологии МЭМС на основе гетероструктур кремний-сегнетоэлектрик для создания широкого спектра датчиков и акселерометров, разрабатывают технологии 3-D сборки для SiP-интеграции.
Разработка уникальных технологий
АО «НИИМЭ» осуществляет разработку семейств технологий с проектными нормами 65нм, 45нм и 28нм для широкого спектра приложений, а также технологии КНИ с проектными нормами 90-65 нм для интегральных схем, требующих повышенной стойкости, высокого быстродействия и малого энергопотребления, предназначенных для работы в экстремальных условиях, включая системы космического базирования. Также институт ведет разработку технологий на базе интеграции гетеропереходных SiGe БТ и КМОП для СБИС, работающих в СВЧ диапазоне и применяемых в приемо-передающих устройствах GPS/GLONASS, Bluetooth,Wi-Fi, WiMAX, LTE, оптоволоконных системах связи, цифровом телевидении, RFID, автомобильных радарах и пр.
Полный цикл разработки на отечественной схемотехнике
АО «НИИМЭ» обладает опытом в проектировании сложных цифровых, аналоговых и аналого-цифровых интегральных схем, микросхем памяти различных типов, интегральных схем управления питанием, RFID чипов, высоковольтных интегральных схем, а также программировании полузаказных интегральных схем. АО «НИИМЭ» владеет портфелем сложно-функциональных IP-блоков различного назначения собственной разработки, который включает библиотеки стандартных цифровых ячеек и элементов ввода-вывода, блоки памяти различного типа, аналоговые IP, IP интерфейсов, и т.д. Применение полностью отечественных IP-блоков обеспечивает необходимую информационно-технологическую безопасность при использовании элементной базы в доверенной технике.
Ведущая научная школа в области микроэлектроники
В НИИМЭ в разное время работали четыре академика и два член-корреспондента Академии Наук СССР и Российской Академии Наук, более 100 кандидатов и 40 докторов наук, более 50 лауреатов Государственной премии СССР, Совета Министров СССР и Премии правительства РФ, в том числе два Лауреата Ленинской премии. Всего за годы существования предприятия более 500 сотрудников были удостоены государственных наград. Сегодня исследованиями в области нано- и микроэлектроники занимаются более 400 специалистов, в том числе два академика РАН (Г.Я.Красников и А.С.Бугаёв), один член-корреспондент РАН (Б.Г.Грибов), 17 докторов наук и 48 кандидатов наук.
Подготовка научных кадров
АО «НИИМЭ» основало и поддерживает базовые кафедры в профильных учебных заведениях: Московском физико-техническом институте (МФТИ) и Национальном исследовательском университете «Московский институт электронной техники» (МИЭТ). Специалисты НИИМЭ осуществляют подготовку студентов, магистров и аспирантов по специальностям: микроэлектроника и твердотельная электроника и микросистемная техника; системы автоматизированного проектирования и технология и проектирование интегральных микросхем и др. Базовые кафедры в ведущих российских ВУЗах обеспечивают высокий кадровый потенциал института, что позволяет успешно развивать существующую продуктовую и технологическую линейку и осваивать принципиально новые направления микроэлектроники.
Базовые технологии производства
АО «НИИМЭ» владеет рядом технологий с использованием энергонезависимой памяти, необходимых для производства аналоговых схем управления питанием, RFID-чипов, микропроцессоров и микроконтроллеров, а также других типов интегральных схем. На АО «НИИМЭ» постоянно происходит развитие технологического портфеля и его освоение в производстве для обеспечения возможности изготовления новых типов микросхем.
Наши преимущества
Фундаментальные исследования
АО «НИИМЭ» занимается фундаментальными исследованиями в области физики полупроводников. Специалисты института разрабатывают технологии многолучевой электронной литографии для производства современных СБИС и СБИС следующих поколений, исследуют и моделируют элементы энергонезависимой, сегнетоэлектрической и магниторезистивной  памяти на новых физических принципах. В области функциональной электроники ученые НИИМЭ занимаются построением приборно-технологических моделей для базовых и перспективных технологий, наноэлектронных компонентов и эффектов радиационных воздействий, ведут исследования технологии МЭМС на основе гетероструктур кремний-сегнетоэлектрик для создания широкого спектра датчиков и акселерометров, разрабатывают технологии 3-D сборки для SiP-интеграции.
Разработка уникальных технологий
АО «НИИМЭ» осуществляет разработку семейств технологий с проектными нормами 65нм, 45нм и 28нм для широкого спектра приложений, а также технологии КНИ с проектными нормами 90-65 нм для интегральных схем, требующих повышенной стойкости, высокого быстродействия и малого энергопотребления, предназначенных для работы в экстремальных условиях, включая системы космического базирования. Также институт ведет разработку технологий на базе интеграции гетеропереходных SiGe БТ и КМОП для СБИС, работающих в СВЧ диапазоне и применяемых в приемо-передающих устройствах GPS/GLONASS, Bluetooth,Wi-Fi, WiMAX, LTE, оптоволоконных системах связи, цифровом телевидении, RFID, автомобильных радарах и пр.
Полный цикл разработки на отечественной схемотехнике
АО «НИИМЭ» обладает опытом в проектировании сложных цифровых, аналоговых и аналого-цифровых интегральных схем, микросхем памяти различных типов, интегральных схем управления питанием, RFID чипов, высоковольтных интегральных схем, а также программировании полузаказных интегральных схем. АО «НИИМЭ» владеет портфелем сложно-функциональных IP-блоков различного назначения собственной разработки, который включает библиотеки стандартных цифровых ячеек и элементов ввода-вывода, блоки памяти различного типа, аналоговые IP, IP интерфейсов, и т.д. Применение полностью отечественных IP-блоков обеспечивает необходимую информационно-технологическую безопасность при использовании элементной базы в доверенной технике.
Ведущая научная школа в области микроэлектроники
В НИИМЭ в разное время работали четыре академика и два член-корреспондента Академии Наук СССР и Российской Академии Наук, более 100 кандидатов и 40 докторов наук, более 50 лауреатов Государственной премии СССР, Совета Министров СССР и Премии правительства РФ, в том числе два Лауреата Ленинской премии. Всего за годы существования предприятия более 500 сотрудников были удостоены государственных наград. Сегодня исследованиями в области нано- и микроэлектроники занимаются более 400 специалистов, в том числе два академика РАН (Г.Я.Красников и А.С.Бугаёв), один член-корреспондент РАН (Б.Г.Грибов), 17 докторов наук и 48 кандидатов наук.
Подготовка научных кадров
АО «НИИМЭ» основало и поддерживает базовые кафедры в профильных учебных заведениях: Московском физико-техническом институте (МФТИ) и Национальном исследовательском университете «Московский институт электронной техники» (МИЭТ). Специалисты НИИМЭ осуществляют подготовку студентов, магистров и аспирантов по специальностям: микроэлектроника и твердотельная электроника и микросистемная техника; системы автоматизированного проектирования и технология и проектирование интегральных микросхем и др. Базовые кафедры в ведущих российских ВУЗах обеспечивают высокий кадровый потенциал института, что позволяет успешно развивать существующую продуктовую и технологическую линейку и осваивать принципиально новые направления микроэлектроники.
Базовые технологии производства
АО «НИИМЭ» владеет рядом технологий с использованием энергонезависимой памяти, необходимых для производства аналоговых схем управления питанием, RFID-чипов, микропроцессоров и микроконтроллеров, а также других типов интегральных схем. На АО «НИИМЭ» постоянно происходит развитие технологического портфеля и его освоение в производстве для обеспечения возможности изготовления новых типов микросхем.
Партнеры компании
ASML Holding N.V. (Велдховен, Нидерланды)
Произвольный текст, который дает понять посетителю сайта, какую информацию данный блок содержит и чем будет полезен. Данную область можно редактировать через систему управления сайтом.

Произвольный текст, который дает понять посетителю сайта, какую информацию данный блок содержит и чем будет полезен.
ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский Томский государственный университет» (Томск)
Произвольный текст, который дает понять посетителю сайта, какую информацию данный блок содержит и чем будет полезен. Данную область можно редактировать через систему управления сайтом.

Произвольный текст, который дает понять посетителю сайта, какую информацию данный блок содержит и чем будет полезен.
TOPPAN PHOTOMASK (Япония)
Произвольный текст, который дает понять посетителю сайта, какую информацию данный блок содержит и чем будет полезен. Данную область можно редактировать через систему управления сайтом.

Произвольный текст, который дает понять посетителю сайта, какую информацию данный блок содержит и чем будет полезен.
TSMC (Тайвань)
Произвольный текст, который дает понять посетителю сайта, какую информацию данный блок содержит и чем будет полезен. Данную область можно редактировать через систему управления сайтом.

Произвольный текст, который дает понять посетителю сайта, какую информацию данный блок содержит и чем будет полезен.
LAM RESEARCH (США)
Произвольный текст, который дает понять посетителю сайта, какую информацию данный блок содержит и чем будет полезен. Данную область можно редактировать через систему управления сайтом.

Произвольный текст, который дает понять посетителю сайта, какую информацию данный блок содержит и чем будет полезен.
SVCS Process Innovation s.r.o. (Брно, Чехия)
Произвольный текст, который дает понять посетителю сайта, какую информацию данный блок содержит и чем будет полезен. Данную область можно редактировать через систему управления сайтом.

Произвольный текст, который дает понять посетителю сайта, какую информацию данный блок содержит и чем будет полезен.