Достижения

За несколько лет с момента своего образования в 1964 году, перехватив инициативу у других предприятий, НИИМЭ стал общепризнанным головным предприятием отрасли по разработке и производству твердотельных микросхем. Коллектив института взял на себя ответственность за развитие и создание производства массовых серий интегральных схем по всем известным на то время технологическим направлениям: микромощные схемы, токовые ключи, микросхемы диодно-транзисторной и транзисторно-транзисторной логики, линейные и МОП схемы. В 1965–1975 годах НИИМЭ ежегодно разрабатывал примерно 50 новых интегральных схем и столько же перепроектировал или улучшал выпускаемых.

В НИИМЭ впервые в отрасли был разработан базовый планарно-эпитаксиальный технологический процесс и начат выпуск логических и линейных микросхем, созданы научные принципы формирования полупроводниковых структур А3В5 и разработана планарная технология арсенид-галлиевых микросхем, внедрены плазмохимические процессы в технологии изготовления интегральных схем, изготовлены первые отечественные цифровые и аналоговые микросхемы массового применения, микропроцессорные БИС ТТЛ с диодами Шоттки. Были разработаны и организован выпуск цифровых ИМС (серия 6500), 256 Кбит и 8-битовый микропроцессорный комплект. ИМС этого типа имеют высокое быстродействие и широко применялись в аппаратуре связи, системах передачи информации и многих других. Свыше 30 предприятий, создающих радиоэлектронную аппаратуру для специальной техники, являлись потребителями таких микросхем. Созданные в НИИМЭ технологические комплексы изготовления сверхскоростных транзисторов и твердотельных приборов микроэлектроники, а также интегральных схем на их основе, были выполнены на уровне мировых достижений, что позволяло обеспечивать высокий авторитет отечественных научных исследований в области физики твердотельных наноструктур.

За время своей деятельности НИИМЭ исполнял важнейшие государственные задания в области создания и освоения в производстве передовой микроэлектронной продукции, нашедшей широкое применение в отечественной вычислительной технике, радиоэлектронных устройствах и системах связи. Разработанные в НИИМЭ микросхемы были основной элементной базой электронных вычислительных машин и вычислительных комплексов, работавших в разных отраслях народного хозяйства и обеспечения безопасности страны. Многие разработки использовались в системах межпланетных космических аппаратов, в бортовом оборудовании космических кораблей и средств выведения на орбиту.

За выдающиеся научные разработки в области проектирования интегральных схем и создания цифровых интегральных схем широкого применения многие сотрудники НИИМЭ были удостоен государственных премий, а за разработку элементной базы для Единой системы электронных вычислительных машин (ЕС ЭВМ) институт в 1984 году был отмечен государственной наградой - орденом Трудового Красного Знамени.

В НИИМЭ были созданы и развиты научные основы промышленной технологии производства сверхбольших интегральных схем (СБИС) с субмикронными размерами, построена и обоснована комплексная многоуровневая система, включающая в себя технологические процессы, оборудование, методы и средства моделирования проектирования, диагностики, контроля и условия производства конкурентоспособных отечественных СБИС, что особенно актуально для сохранения и развития достигнутых в свое время отечественных приоритетов в области микроэлектроники.

Учеными и инженерами АО «НИИМЭ» сформирована научно - производственная база для проектирования СБИС высокой функциональной сложности с топологическими размерами 180–90-65 нм для обеспечения отечественной промышленности современными микроэлектронными компонентами.

С целью расширения технологических возможностей производства разработан ряд базовых технологий изготовления СБИС с технологическим уровнем 180 нм и набор сложных функциональных блоков (IP-блоков) для высокопроизводительных микропроцессоров, схем памяти, программируемой логики, микросхем «систем на кристалле», применяемых в перспективных электронных системах.

Разработаны и запущены в серийное производство первый отечественный микроконтроллер с проектными нормами 180 нм с собственным системным программным обеспечением, выпущены экспериментальные образцы микросхем статического ОЗУ емкостью 16 Мбит по технологии 90 нм.

Созданные в АО «НИИМЭ» технологии и элементная база СБИС с энергонезависимой памятью стали основой для разработки и производства отечественных средств радиочастотной идентификации (RFID-технологии). Кристалл для карт общественного транспорта признан в 2013г. IEEE (международный Институт инженеров по электротехнике и электронике - мировой законодатель стандартов по радиоэлектронике и электротехнике) наиболее экономически эффективным. Разработчиками института выпущена и получила сертификат ФСБ Российской Федерации операционная система для электронных загранпаспортов.

В рамках этого проекта решены сложные инженерные задачи по обеспечению работы микросхемы по радио-интерфейсу, поддержке международных и отечественных криптографических алгоритмов, обеспечению высокого уровня безопасности микросхемы (СКЗИ класса KB1), разработке файловой системы и системы разграничения доступа. Гарантированное высокое качество СБИС в сочетании с высокой экономической эффективностью по сравнению с зарубежными производителями обеспечили победу в международном тендере на поставку чипов для биометрических паспортов. Чип-модуль для универсальной электронной карты (УЭК) с кристаллом собственной разработки, являющийся одновременно идентификационным документом и банковской картой, в качестве платежного документа прошел все этапы сертификации в государственных органах Российской Федерации и в международных лабораториях на соответствие требованиям безопасности и функциональности, в т.ч. и на соответствие требованиям международной платежной системы Master Card.

Научный коллектив АО «НИИМЭ» разработал оригинальное программное обеспечение для банковских и идентификационных смарт-карт, не имеющее аналогов в стране. В 2012 году реализована и сертифицирована виртуальная машина JavaCard для использования в УЭК и разработана оригинальная технология верификации владельца карты по биометрической информации в паспорте. Смарт-карты, разработанные АО «НИИМЭ» с собственным программным обеспечением на равных конкурируют с аналогичными продуктами ведущих мировых производителей, что подтверждается полученными международными сертификатами. В частности, созданная в АО «НИИМЭ» смарт-карта была первой и остается единственной отечественной смарт-картой, одобренной сертификационным органом международных платежных систем EMVCo для использования в качестве банковской карты наряду с продуктами лишь семи других компаний в мире.

В АО «НИИМЭ» впервые в отечественной микроэлектронике разработан промышленный базовый технологический процесс изготовления кремний - германиевых СВЧ интегральных схем по БиКМОП технологии, что позволяет создать собственную электронную компонентную базу для проектирования и производства радиопередающих и принимающих систем нового поколения в устройствах связи и навигации.

В 2016 году генеральный директор НИИМЭ, руководитель межведомственного Совета главных конструкторов России по электронной компонентной базе академик РАН Г.Я. Красников решением Президента Российской Федерации В.В. Путина был назначен руководителем приоритетного технологического направления по электронным технологиям РФ, а НИИ молекулярной электроники постановлением Правительства РФ было определено головным предприятием приоритетного технологического направления. В этом статусе НИИМЭ осуществляет координацию деятельности научных и производственных учреждений микроэлектронной отрасли РФ по разработке и применению отечественной элементной базы в электронных изделиях российского производства.

Сотрудники НИИМЭ — лауреаты Государственных премий

Государственная премия Российской Федерации

Красников Г.Я.


Ленинская премия

Валиев К.А.

Ковалёв Р.А.


Государственная премия СССР

Авдеев Е.В.

Баталов Б.В.

Горнев Е.С.

Грибов Б.Г.

Дубов Ю.Н.

Дьяков Ю.Н.

Еремеев М.П.

Журавлёв Ю.Д.

Казеннов Г.Г.

Контарёв В.Я.

Котко А.П.

Крамаренко О.Л.

Любимов Е.С.

Назарьян А.Р. (дважды)

Неклюдов В.А.

Попов В.И.

Плехов В.И.

Сафронов А.Я.

Стороженко Г.И.

Терентьев С.П.

Федоренко Ю.С.

Худяков К.И.

Щавлев Н.И.

Щемелинин В.М.

Щетинин Ю.И.


Премия Правительства Российской Федерации

Волк Ч.П.

Горнев Е.С.

Игнатов П.В.

Кравцов А.С.

Кравченко Л.Н.

Красников Г.Я. (дважды)

Мытник К.Я.

Озерин Ю.В.

Панасенко П.В.

Панасюк В.Н.

Плотников Ю.И.

Ранчин С.О.

Сапельников А.Н.

Шелепин Н.А. (трижды)

Шелепов В.В.

Щербаков Н.А.

Премия Совета Министров СССР

Гончар В.К.

Евдокимов В.Л.

Литвак В.Н.

Просий А.Д.

Сулимин А.Д.

Фатькин А.А.

Хрусталев В.А.

Ячменев В.В.


Премия Ленинского комсомола

Беляков Ю.Н.

Винокуров Н.И.

Гусаков В.М.

Дракин К.А.

Дольников С.С.

Дягилев В.Н.

Лебедев В.В.

Луканов Н.М.

Матюхин Л.М.

Немудров В.Г.

Одиноков А.И.

Перервин В.Н.

Самойлов В.Б.

Самсонов Н.С.

Сидоренко В.С.