История

История

АО «НИИМЭ» - ведущий научно-исследовательский центр «Группы НИИМЭ» в составе отраслевого холдинга ОАО «РТИ» (АФК «Система»), которые образуют единый крупнейший в России комплекс по проведению научно-технологических исследований в области микро- и наноэлектроники, разработке и производству полупроводниковых изделий. 

2017
Разработанные в АО «НИИМЭ» интегральные микросхемы прошли сертификацию Министерства промышленности и торговли РФ на соответствие продукции промышленного производства первого уровня. Их применение в заграничных паспортах, универсальных электронных картах, водительских удостоверениях, картах платежной системы «МИР» и др. обеспечивают надежное хранение персональных данных, информационную безопасность граждан и технологическую независимость государства.

АО «НИИМЭ» стало полноправным членом Всемирной Полупроводниковой Ассоциации (The Global Semiconductor Alliance, GSA).
2016
Решением Президента РФ В.В.Путина генеральный директор АО «НИИМЭ» академик РАН Г.Я.Красников назначен руководителем приоритетного технологического направления по электронным технологиям. АО «НИИМЭ» стало головным предприятием приоритетного технологического направления по электронным технологиям. Это событие вывело деятельность компании на новый уровень, подчеркнуло значимость и высокий потенциал научных разработок: АО «НИИМЭ» стало головным предприятием электронной отрасли России.

В АО «НИИМЭ» создана одна из самых современных и лучших в мире технологий изготовления радиоционно-стойких интегральных схем для космической аппаратуры и приборов. Изделиями разработанными в институте укомплектована новая бортовая машина системы управления российских космических ракет-носителей «Малахит».

Разработаны передовые изделия и технологии проектирования, в том числе, первый отечественный САПР проектирования изделий на ПЛИС и получены первые образцы радиационно-стойкого ПЛИС емкостью 250 тысяч логических элементов.
2015
АО "НИИМЭ" разработало новый радиочастотный чип для применения в транспортных приложениях, который стал применяться во всех проездных билетах транспортной сети г.Москвы (наземный и подземный транспорт, пригородные электрички), а также банковский чип для Национальной Системы Платежных Карт «МИР».

В июне 2015 г. Президент РФ В.В. Путин вручил генеральному директору ОАО «НИИМЭ и Микрон», академику РАН Г.Я. Красникову Государственную премию Российской Федерации в области науки и технологий за 2014 год. Указом президента РФ десять сотрудников предприятия за заслуги по разработке и созданию специальной техники, укрепление обороноспособности страны и многолетнюю добросовестную работу были награждены медалью ордена «За заслуги перед Отечеством» II степени и орденом Дружбы. Семь сотрудников компании стали лауреатами премии Правительства РФ в области науки и техники.

В сентябре 2015 г. ОАО «НИИМЭ и Микрон» и АО «НИИМЭ» стали резидентами Особой экономической зоны «Зеленоград».
2014
В конце 2014 г. ОАО «НИИМЭ и Микрон» выпустил первые отечественные двухъядерные микропроцессоры «Эльбрус-2СМ», разработанные ЗАО «МЦСТ» по технологии 90 нм.
2013
ОАО «НИИМЭ и Микрон» начало поставки микросхем для паспортно-визовых документов нового поколения (заграничные биопаспорта). На предприятии проводилось около 40 НИОКР, в рамках которых отрабатывалось производство 91 нового изделия. В декабре ОАО «НИИМЭ и Микрон» завершило разработку собственной технологии создания интегральных схем по топологии 65нм, получив первые работающие транзисторы.
2012
В феврале запущена линия по производству микрочипов с топологическим уровнем 90нм. Запуск новой линии позволил нарастить производственную мощность группы компаний в два раза - до 36 тысяч пластин диаметром 200 мм в год. Совместно с ФУО «УЭК» разработан отечественный чип для «Универсальной Электронной Карты».
2011
1 июля 2011 года Совет директоров ОАО «НИИМЭ и Микрон» принял решение об учреждении открытого акционерного общества «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники» – ОАО «НИИМЭ». Решение о воссоздании «НИИМЭ» было принято в связи с необходимостью создания уникальных продуктов уровня 180-90нм на заводе «Микрон» и развития собственных отечественных технологий производства интегральных схем уровня 90-65-45 нм и менее. Генеральным директором «НИИМЭ» назначен академик РАН Г.Я. Красников. В июне 2011г. состоялось первое заседание Межведомственного совета главных конструкторов по электронной компонентной базе, созданного по поручению Правительства РФ под руководством академика Красникова.
2010
Подписано соглашение о передаче на «Микрон» технологии производства микросхем с технологическими нормами 90 нм от компании STMicroelectronics.
2009
ГК «РОСНАНО» и АФК «Система» подписали договор о создании на базе технологической площадки ОАО «НИИМЭ и Микрон» производства интегральных схем с проектными нормами 90 нм по технологии компании STMicroelectronics на пластинах 200 мм. ОАО «НИИМЭ и Микрон» подтвердило соответствие стандарту системы экологического менеджмента (СЭМ) ISO 14001:2004. Аудит проведен международной компанией Bureau Veritas Certification.
2008
Г.Я. Красников, генеральный директор ОАО «НИИМЭ и Микрон» был избран академиком Российской Академии Наук и вошел в состав Совета руководителей Глобального Полупроводникового альянса из стран Европы, Ближнего Востока и Африки (EMEA Leadership Council GSA). Предприятие первым из российских производителей микроэлектроники сертифицировалj производство по стандарту Системы экологического менеджмента ISO 14001.
2007
ОАО «НИИМЭ и Микрон» совместно с Ассоциацией менеджеров России провели 1-ю Международную конференцию по микроэлектронике. ОАО «НИИМЭ и Микрон» вступило в международную полупроводниковую торговую ассоциацию FSA, ныне преобразованную в GSA (Global Semiconductor Association). Было торжественно открыто производство интегральных схем с топологическим уровнем 180 нм EEPROM. Россия совершила мощный рывок, сократив десятилетия технологического отставания от передовых стран-производителей электроники. В числе первых разработок по 180 нм технологии стали СБИС для электронных паспортов и социальных карт, БИС для бесконтактных билетов.
2006
Подписано соглашение с компанией STMicroelectronics о передаче ОАО «НИИМЭ и Микрон» технологии производства интегральных схем с топологическим уровнем 180 нм и энергонезависимой памятью EEPROM. Открыто производство чип-модулей для контактных смарт-карт. В ноябре ОАО «НИИМЭ и Микрон» приступило к работе с правилами проектирования микросхем по технологии 180 нм EEPROM для российских дизайн-центров. В декабре начаты освоение полного цикла производства RFID-билетов для транспорта и поставки билетов для Московского Метрополитена.
2005
Предприятие удостоено общероссийской независимой премии «Золотой Чип». Открыт новый Центр проектирования и цех по сборке компонентов для жидкокристаллических мониторов. А также основана компания «Смарт Карты» (с 2007 - «СИТРОНИКС Смарт Технологии»), вошедшая в бизнес-направление «СИТРОНИКС Микроэлектроника».
2002
ОАО «НИИМЭ и Микрон» первым среди промышленных предприятий страны вышло на фондовый рынок. Позднее предприятие вошло в состав ОАО «СИТРОНИКС» (преобразованного из ОАО «Концерн «Научный Центр») как головное предприятие бизнес-направления «СИТРОНИКС Микроэлектронные решения» (в дальнейшем «СИТРОНИКС Микроэлектроника»).
2001
Постановлением Правительства РФ за достигнутые успехи ОАО «НИИМЭ и Микрон» присуждена премия Правительства РФ в области качества. На Первом Московском Международном салоне инноваций и инвестиций предприятие награждено двумя золотыми и двумя серебряными медалями за разработку новых технологических маршрутов. Разработана конструкция, технология изготовления и созданы первые образцы микромеханического волоконно-оптического переключателя.
2000
На базе Воронежского завода полупроводников создано ЗАО «ВЗПП-Микрон».
1999
Разработаны и освоены быстродействующие ЦАП и АЦП схемы серии 572. Освоено более 400 типов интегральных схем, ранее выпускавшихся на других предприятиях страны. Построена новая чистая комната, начато производство ИС на пластинах кремния диаметром 150 мм с проектными нормами 0,8мкм. Получен международный сертификат компании Bureau Veritas Quality International на соответствие системы управления качеством согласно нормам ISO 9000.
1997
В мае 1997 г. «НИИМЭ и Микрон» вошел в состав холдинга ОАО «Концерн «Научный Центр», начавшего консолидацию российских предприятий электронной отрасли.
1994
13 января 1994 г. Московская регистрационная палата зарегистрировала Акционерное Общество Открытого Типа «НИИ молекулярной электроники и завод «Микрон». Разработана технология БиКМОП, создана элементная база современных БиКМОП ИС с использованием самосовмещенной технологии (защищено 7 патентами РФ).
1996 - 1999
Завод «Микрон» возглавил Г.Я. Красников. Предприятие получило право самостоятельного выхода на зарубежные рынки. Начата серийная поставка кристаллов ИС для фирмы «Самсунг». Закончен монтаж чистой комнаты «ОЗОН-1» класса 10 на основе отечественных комплектующих.
1991
В мае «НИИМЭ и Микрон» вошел в состав холдинга ОАО «Концерн «Научный Центр», начавшего консолидацию российских предприятий электронной отрасли. В 1999г получен международный сертификат компании Bureau Veritas Quality International на соответствие системы управления качеством согласно нормам ISO 9000. В 2000г на базе Воронежского завода полупроводников создано ЗАО «ВЗПП-Микрон».
1986 - 1990
Выпущены первые ИС с программируемыми логическими матрицами серий 556 и 1556. Организован промышленный выпуск базового матричного кристалла БМК-И-300Б (быстродействие 0,35 нс на вентиль, 1500 вентилей на кристалле) в качестве элементной базы отечественных супер-ЭВМ. Разработана отечественная суперсовмещенная технология (ССТ) получения биполярных транзисторов с высокой степенью интеграции и быстродействием 0,15 нс на вентиль. Освоены первые схемы семейства PAL и телевизионные ИС.
1985
Разработан универсальный быстродействующий микропроцессорный набор серии 1802, предназначенный для построения высокопроизводительных ЭВМ и устройств радиоэлектронной аппаратуры, включая РЭА цифровой обработки сигналов. Осуществлены поставки интегральных микросхем для обеспечения программы «Марс-Венера». Начато производство КМОП запоминающих устройств с произвольной выборкой.
1983
12 апреля 1983 г. Указом Президиума Верховного Совета СССР ОАО НИИМЭ и завод «Микрон» награжден орденом Трудового Красного Знамени за успешное выполнение задания по разработке и созданию Единой системы ЭВМ.
1980
Сдан в эксплуатацию 17-этажный административно-лабораторный корпус предприятия. Создано производство на основе отечественных «чистых комнат». Начат выпуск ИС на пластинах диаметров 75-100мм. На заводе изготовлена 100-миллионная микросхема.
1977
Директором предприятия назначен А.Р.Назарьян. Под его руководством организован промышленный выпуск микросхем для комплектации ЭВМ для стран СЭВ, серии ЭВМ МС и зенитно-ракетной системы ПВО С-300. Первыми заказчиками интегральных схем и больших интегральных схем для цифровых систем стал Институт точной механики и вычислительной техники Академии Наук СССР. Работы велись при непосредственном участии академика В.С.Бурцева.
1972
Разработанным в НИИМЭ микросхемам серии 155 присвоен государственный «Знак качества». К этому моменту в стране появилась первая мощная САПР БИС на базе отечественных ЭВМ БЭСМ-6. Организован промышленный выпуск разработанных на предприятии логических цифровых ИС серий 100 и 500 с быстродействием 2 нс на вентиль, обеспечивших элементной базой:

• сверхбольшую ЭВМ «Эльбрус-2»;
• машины «Ряд», предназначенные для решения стратегических задач народного хозяйства;
• единую систему ЭВМ, используемую в народном хозяйстве стран СЭВ;
• ЭВМ «Булат».
1971
Сданы под монтаж все четыре секции завода «Микрон» площадью свыше 60 тыс. кв. м. Сорок сотрудников предприятия за успешное выполнение заданий 8-й пятилетки получили государственные награды. В том числе Орденом Трудового Красного Знамени был награжден будущий академик Академии Наук СССР К.А.Валиев.
1970
Изготовлено и поставлено предприятиям различных отраслей более 3,5 млн. микросхем. В работе института возникли новые направления, появились новые задачи. «НИИМЭ» вошло в число ведущих электронных фирм мира. В начале 1970-х гг. в «НИИМЭ» и на заводе «Микрон» работало около 8 тыс. человек.
1967
1 февраля 1967 г. приказом Министра электронной промышленности СССР при НИИ организован завод «Микрон». Ежегодно в «НИИМЭ» разрабатывалось около 25 типов ИС.
Впервые в стране были разработаны и созданы:

• эпитаксиально-планарная технология и комплект оборудования для производства ИС;
• цифровые (транзисторно-транзисторной логики) и аналоговые ИС массового применения;
• пластмассовый корпус ИС и пресс-композиция;
• технология изготовления кремниевых ИС на МОП транзисторах;
• кристаллы быстродействующих ИС эмиттерно-связанной логики (ЭСЛ);
• планарная технология арсенид-галлиевых микросхем;
• технологии проектирования и производства базовых матричных кристаллов СБИС.

Межведомственная комиссия под руководством академика АН СССР А.А.Дородницына принимает решение о разработке и организации массового производства ЭВМ для всех отраслей народного хозяйства. Разработка цифровых интегральных схем для них поручена НИИМЭ.
1966
Выпущенная «НИИМЭ» ИС на 2-х биполярных транзисторах стала первой зарегистрированной в реестре СССР микросхемой. В этом же году в НИИ был организован опытный цех по выпуску микросхем собственной разработки на пластинах кремния диаметром 25 мм. Объем производства транзисторов в первом квартале года достигал 100 000 штук.
1965
25 января 1965 г. директором предприятия назначен К.А. Валиев (впоследствии академик Академии Наук СССР). На начало 1965 года в НИИ работало 183 человека. Большинство сотрудников размещалось в общем зале завода «Элион». На площадях завода «Компонент» организована и запущена первая линейка по выпуску бескорпусного планарного биполярного n-p-n-транзистора. В конце года было закончено строительство и принято в эксплуатацию собственное здание «НИИМЭ» площадью 25 тыс. кв. м.
1964
АО «НИИМЭ» основан 9 марта 1964 года в соответствии с Приказом Госкомитета СССР по электронной технике. Основными задачами предприятия должны были стать разработка, опытное, а затем, серийное производство полупроводниковых интегральных микросхем. Открытое наименование «НИИ молекулярной электроники» («НИИМЭ») предприятие получило летом 1966 г.