В ВЦ ФИЦ ИУ РАН состоится научный семинар «Математическое моделирование в материаловедении электронных наноструктур»

В ВЦ ФИЦ ИУ РАН состоится научный семинар «Математическое моделирование в материаловедении электронных наноструктур»

19.04.2018
17 мая в помещении Вычислительного центра им. А.А. Дородницына Федерального исследовательского центра «Информатика и управление» РАН Научный совет РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания» совместно с Консорциумом «Перспективные материалы и элементная база информационных и вычислительных систем» проведет научный семинар «Математическое моделирование в материаловедении электронных наноструктур». Научные руководители семинара: академики Ю.Г.Евтушенко и Ю.А.Рыжов.

В программе семинара будут заслушаны доклады:
Итальянцев А.Г., д.ф.-м.н., профессор, АО «НИИМЭ»: «Актуальные задачи моделирования в изделиях современной микроэлектроники»

Федоров Ю.В., ИСВЧПЭ РАН: «Математическое моделирование температурных зависимостей параметров СВЧ транзисторов и МИС на нитридных гетероструктурах»

Мордкович В.Н., д.ф.-м.н., профессор, ИПТМ РАН «Особенности характеристик управляемых полем элементов Холла на основе кремниевых тонкопленочных двухзатворных МОП транзисторов со встроенным каналом (результаты экспериментов и задачи математического моделирования)»

«Разработки схем нейроморфных вычислений, памяти, радиофотоники и цифро-аналоговой электроники» (кафедра Микро- и наноэлектроники МФТИ, базовая организация – АО «НИИМЭ»):
Константинов В.С., аспирант: «Размерные эффекты при формировании тонких плёнок оксида гафния»

Теплов Г.С., аспирант: «Модель аппаратной реализации искусственного нейрона с динамической функцией активации и бинарным множеством входных и выходных сигналов»

Баранов Г.В., аспирант: «Эффект сепарирования компонентов пар Френкеля при имплантации структуры SiO2-Si».


Начало семинара в 11:00. Регистрация в 10:30.
Место проведения - ФИЦ ИУ РАН, Москва, ул. Вавилова, д. 40, 3-й этаж, конференц-зал
Для прохода на территорию необходим паспорт.
Заявки на участие принимаются секретарем научного совета Олегом Тельминовым по электронной почте otelminov@niime.ru
Срок подачи заявки – не позднее 11 мая.

Другие события

24.08.2018
АО «НИИМЭ» традиционно участвует в форуме «Микроэлектроника»

29.05.2018
26 июня в ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН пройдет научный семинар  «Исследования в области спинтроники и перспективы создания элементной базы на ее основе»

23.05.2018
29 мая 2018 года АО «НИИМЭ» и ПАО «Микрон» проведут совместный семинар на  тему «Разработка «зашивок», заказ и применение базовых матричных кристаллов».

19.04.2018
17 мая в помещении Вычислительного центра им. А.А. Дородницына пройдет научный семинар «Математическое моделирование в материаловедении электронных наноструктур»