Консорциум «Перспективные материалы и элементная база информационных и вычислительных систем» расширяется
15.11.2017
На прошедшем в АО «НИИМЭ» заседании научно-производственного Консорциума «Перспективные материалы и элементная база информационных и вычислительных систем» в его состав были приняты еще семь организаций: Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН), Институт радиотехники и электроники им. Котельникова РАН (ИРЭ РАН), Федеральный исследовательский центр «Информатика и Управление» РАН (ФИЦ ИУ РАН), Институт физики твердого тела РАН (ИФТТ РАН), «Экспериментальный завод научного приборостроения со Специальным конструкторским бюро» РАН (ФГУП ЭЗАН), «Научно-исследовательский институт точного машиностроения» (НИИТМ) и «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» (МИЭТ).
Участники заседания также обсудили возможные направления деятельности Консорциума в области нано- и микроэлектроники: создание технологического оборудования для формирования изображения на пластине и аналитического оборудования, формирование элементов памяти на новых принципах с использованием новых материалов, исследования разработок для проектирования и создания микро- наносистемной техники, исследования в области опто- и акустоэлектроники.
Научно-производственный Консорциум «Перспективные материалы и элементная база информационных и вычислительных систем» был создан в 2015 году на базе АО «НИИ молекулярной электроники» и ряда институтов РАН для решения актуальных задач современной и перспективной микроэлектроники, формирования единого научно–практического подхода создания перспективной элементной базы информационных и вычислительных систем, совершенствования имеющихся и разработка новых технологических процессов для создания перспективного поколения информационных и вычислительных систем, в том числе на новых принципах и применении новых материалов. Из числа академических институтов в качестве действующих членов консорциума вошли Институт проблем технологии и особочистых материалов (ИПТМ РАН), Физико-технологический институт академии наук (ФТИАН РАН), Институт СВЧ полупроводниковой электроники (ИСВЧПЭ РАН), а также в качестве ассоциированных участников – Институт физики полупроводников (ИФП СО РАН) и Национальный исследовательский университет МИЭТ.
В 2016 году была разработана стартовая Программа работы Консорциума, включающая восемь направлений в следующих областях: низкоразмерные транзисторные структуры и структуры энергонезависимой памяти в составе СБИС кремниевой и гетероинтегрированной электроники; элементная база радиофотоники и плазмоники; преобразователи физических и химических воздействий; сосредоточенные и распределенные сенсорные структуры для создания «умных обшивок».
Участники заседания также обсудили возможные направления деятельности Консорциума в области нано- и микроэлектроники: создание технологического оборудования для формирования изображения на пластине и аналитического оборудования, формирование элементов памяти на новых принципах с использованием новых материалов, исследования разработок для проектирования и создания микро- наносистемной техники, исследования в области опто- и акустоэлектроники.
Научно-производственный Консорциум «Перспективные материалы и элементная база информационных и вычислительных систем» был создан в 2015 году на базе АО «НИИ молекулярной электроники» и ряда институтов РАН для решения актуальных задач современной и перспективной микроэлектроники, формирования единого научно–практического подхода создания перспективной элементной базы информационных и вычислительных систем, совершенствования имеющихся и разработка новых технологических процессов для создания перспективного поколения информационных и вычислительных систем, в том числе на новых принципах и применении новых материалов. Из числа академических институтов в качестве действующих членов консорциума вошли Институт проблем технологии и особочистых материалов (ИПТМ РАН), Физико-технологический институт академии наук (ФТИАН РАН), Институт СВЧ полупроводниковой электроники (ИСВЧПЭ РАН), а также в качестве ассоциированных участников – Институт физики полупроводников (ИФП СО РАН) и Национальный исследовательский университет МИЭТ.
В 2016 году была разработана стартовая Программа работы Консорциума, включающая восемь направлений в следующих областях: низкоразмерные транзисторные структуры и структуры энергонезависимой памяти в составе СБИС кремниевой и гетероинтегрированной электроники; элементная база радиофотоники и плазмоники; преобразователи физических и химических воздействий; сосредоточенные и распределенные сенсорные структуры для создания «умных обшивок».