В НИИМЭ прошел научно-технический совет

   Очередной научно-технический совет прошел в НИИМЭ 19 января. Открывший заседание генеральный директор АО «НИИМЭ» академик РАН Г.Я. Красников отметил важность регулярных обсуждений хода выполнения научно-исследовательских, опытно-конструкторских работ и инновационных проектов при участии всех научных подразделений института.
В начале заседания НТС заместитель директора Института проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук (ИПТМ РАН) к.ф.-м.н. С.В. Ковешников выступил с докладом «Современное состояние и тенденции развития мировой микроэлектроники». В своем докладе он рассказал о состоявшемся в декабре 2017 года в Сан-Франциско Международном Форуме по Электронике IEDM-2017, на котором ведущими мировыми производителями поднимались проблемы, стоящие сейчас перед полупроводниковой индустрией, а также обозначил современные тенденции развития микроэлектроники в области новых технологий, приборов, и материалов.
Руководители научных подразделений НИИМЭ заслушали ряд докладов подразделений о результатах выполнения опытно-конструкторских работ, а также обсудили вопросы, связанные с внедрением на предприятии типовых маршрутов проектирования СБИС.
Завершил заседание отчет о работе представителей НИИМЭ на международной выставке оборудования для микроэлектронной отрасли Semicon Europe 2017.