Междисциплинарный научно-практический семинар «Математическое моделирование в материаловедении электронных наноструктур»

Междисциплинарный научно-практический семинар «Математическое моделирование в материаловедении электронных наноструктур»

25.05.2018
17 мая в ВЦ РАН имени А.А.Дородницына состоялся научный семинар «Математическое моделирование в материаловедении электронных наноструктур». Семинар был организован Отделением нанотехнологий и информационных технологий Российской академии наук (ОНИТ РАН) совместно с Научным советом РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания», консорциумом «Перспективные материалы и элементная база информационных и вычислительных систем», и ВЦ РАН имени А.А.Дородницына ФИЦ ИУ РАН.
Открывая семинар, директор-координатор НОЦ «Инновации и технологии создания наноматериалов», заведующая отделом ВЦ ФИЦ ИУ РАН кандидат физико-математических наук К.К. Абгарян подчеркнула важную роль математического моделирования в изучении современных и проектировании перспективных электронных наноструктур.

В ходе семинара были заслушаны доклады:
1. Федоров Ю.В.: «Математическое моделирование температурных зависимостей параметров СВЧ транзисторов и МИС на нитридных гетероструктурах» (ИСВЧПЭ РАН).
2. Мордкович В.Н., д.ф.-м.н., профессор: «Особенности характеристик управляемых полем элементов Холла на основе кремниевых тонкопленочных двухзатворных  МОП транзисторов со встроенным каналом (результаты экспериментов и задачи математического моделирования)» (ИПТМ РАН).
3. Итальянцев А.Г., д.ф.-м.н., профессор: «Актуальные задачи моделирования в изделиях современной микроэлектроники»  (АО «НИИМЭ»).
4.Разработки схем нейроморфных вычислений, памяти, радиофотоники и цифро-аналоговой электроники. МФТИ, кафедра Микро- и наноэлектроники (базовая организация АО НИИМЭ)
4.1 «Размерные эффекты при формировании тонких плёнок оксида гафния» - аспирант Константинов В. С.
4.2 «Модель аппаратной реализации искусственного нейрона с динамической функцией активации и бинарным множеством входных и выходных сигналов» - аспирант Теплов Г. С.  
4.3 «Эффект сепарирования компонентов пар Френкеля при имплантации структуры SiO2-Si» -  аспирант Баранов Г. В.  

Участники научного семинара обсудили вопросы перспектив развития микроэлектроники в научном и производственном разрезах, обработки результатов практических экспериментов, методологии и инструментов математического моделирования. Докладчики-аспиранты получили рекомендации по дальнейшему развитию своих работ.
В заключение научного семинара К.К. Абгарян поблагодарила спикеров за информативные выступления и выразила надежду на укрепление сотрудничества между организациями и предприятиями, представленными участниками.  
Другие новости

10.10.2018
С 24 по 28 сентября в Кранцберге (Германия) прошел ежегодный технологический семинар, организованный компаниями Disco и SPTS


04.10.2018
НИИМЭ стимулирует научную деятельность сотрудников

03.10.2018
НИИМЭ - cоорганизатор международной конференции «Микро и нано-электроника – 2018» (ICMNE)

02.10.2018
 НИИМЭ – лидер радиоэлектронной отрасли России по выручке от научной деятельности