Научный семинар «Коррекция эффектов оптической близости в литографии»
07.02.2019
30 января НИИМЭ, Научный совет РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания» совместно с отделением нанотехнологий и информационных технологий РАН и Консорциумом «Перспективные материалы и элементная база информационных и вычислительных систем» под председательством руководителя приоритетного технологического направления по электронным технологиям, генерального директора АО «НИИМЭ», академика, члена Президиума РАН Г.Я. Красникова провели научный семинар по теме «Коррекция эффектов оптической близости в литографии». Во вступительном слове Г.Я. Красников подчеркнул важную роль поиска и реализации путей улучшения разрешающей способности в литографии при создании элементной базы. В работе семинара приняли участие 67 представителей из 16 ведущих профильных организаций и предприятий: ИПТМ РАН, ИФМ РАН, ИФТТ РАН, ФИАН, АО «НИИМЭ», ПАО «Микрон», МФТИ, НИУ «МИЭТ», ОАО НИИТМ, АО «Швабе», РТУ МИРЭА, ФГУП ЭЗАН, АО НИИ ЭСТО, НОЦ «Технологический центр», ООО НПЦ «Лазеры и аппаратура ТМ», ООО «Интерфейс». Были сделаны 9 докладов, в обсуждении которых приняло участие 43 человека:
1. Академик РАН Г.Я. Красников, Д.В. Синюков (АО «НИИМЭ») «Проблемы и перспективы развития методов коррекции оптической близости для современных уровней технологии».
2. Член-корреспондент РАН Н.Н. Салащенко, д.ф.-м.н. Н.И. Чхало (ИФМ РАН) «Оптика дифракционного качества для коротковолнового диапазона: проблемы, состояние, перспективы».
3. В.В. Иванов, к.т.н. О.А. Тельминов (АО «НИИМЭ») «Подготовка управляющей информации для изготовления фотошаблонов: перспективные методы и автоматизация».
4. Д.ф.-м.н. А.Г. Витухновский (МФТИ, ФИАН), к.ф.-м.н. Д.А. Чубич, Р.Д. Звагельский, Д.А. Колымагин (МФТИ), Б.В. Катанчиев (НИУ «МИЭТ») «Новые возможности двухфотонной нанолитографии при использовании прямого лазерного письма (DLW) в сочетании с подавлением спонтанного испускания (STED)».
5. А.В. Кузовков (АО «НИИМЭ») «Использование методов коррекции оптической близости в современной технологии».
6. Д.ф.-м.н. С.И. Зайцев, к.ф.-м.н. А.А. Свинцов (ИПТМ РАН), к.ф.-м.н. Б.Н. Гайфуллин (ООО «Интерфейс») «Коррекция эффекта близости как метод кардинального увеличения производительности электронной литографии (30 лет эксплуатации)».
7. К.А. Медведев, А.В. Кузовков, В.В. Иванов (АО «НИИМЭ») «Алгоритм и методика повышения эффективности рецепта коррекции эффектов оптической близости».
8. Е.Л. Харченко (АО «НИИМЭ») «Моделирование и оптимизация источника освещения произвольной конфигурации в фотолитографии».
9. Д.т.н. Е.С. Горнев, Е.С. Шамин (АО «НИИМЭ») «Разработка средства расстановки вспомогательных непечатаемых структур для технологии 90 нм».
Доклады отразили уровень проводимых исследований в области улучшения разрешающей способности литографии при создании элементной базы в России, что поможет составить объективные и научно-обоснованные планы развития российской микроэлектроники.
Присутствующие отметили важную роль развития отечественного математического, программного и метрологического обеспечения в области улучшения разрешающей способности литографии для создания элементной базы в развитии отечественных информационно-вычислительных и управляющих систем, а также для обеспечения технологической независимости России.
Рекомендовано создать в АО «НИИМЭ» постоянно действующую отечественную школу по улучшению разрешающей способности литографии с привлечением выпускников МФТИ и НИУ «МИЭТ» с целью поддержки импортозамещения и повышения производительности работы программного обеспечения в условиях снижения топологических норм и минимизации ошибок.
Доклады, сделанные на семинаре, будут опубликованы в журнале «Микроэлектроника» и «Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника» под редакцией Г.Я. Красникова
При подведении итогов председатель Совета, руководитель приоритетного технологического направления по электронным технологиям, генеральный директор АО «НИИМЭ», академик РАН Г.Я. Красников отметил высокий научно-технический уровень доложенных результатов и выразил уверенность в усилении сотрудничества между организациями и предприятиями в области улучшения разрешающей способности литографии для создания элементной базы.
1. Академик РАН Г.Я. Красников, Д.В. Синюков (АО «НИИМЭ») «Проблемы и перспективы развития методов коррекции оптической близости для современных уровней технологии».
2. Член-корреспондент РАН Н.Н. Салащенко, д.ф.-м.н. Н.И. Чхало (ИФМ РАН) «Оптика дифракционного качества для коротковолнового диапазона: проблемы, состояние, перспективы».
3. В.В. Иванов, к.т.н. О.А. Тельминов (АО «НИИМЭ») «Подготовка управляющей информации для изготовления фотошаблонов: перспективные методы и автоматизация».
4. Д.ф.-м.н. А.Г. Витухновский (МФТИ, ФИАН), к.ф.-м.н. Д.А. Чубич, Р.Д. Звагельский, Д.А. Колымагин (МФТИ), Б.В. Катанчиев (НИУ «МИЭТ») «Новые возможности двухфотонной нанолитографии при использовании прямого лазерного письма (DLW) в сочетании с подавлением спонтанного испускания (STED)».
5. А.В. Кузовков (АО «НИИМЭ») «Использование методов коррекции оптической близости в современной технологии».
6. Д.ф.-м.н. С.И. Зайцев, к.ф.-м.н. А.А. Свинцов (ИПТМ РАН), к.ф.-м.н. Б.Н. Гайфуллин (ООО «Интерфейс») «Коррекция эффекта близости как метод кардинального увеличения производительности электронной литографии (30 лет эксплуатации)».
7. К.А. Медведев, А.В. Кузовков, В.В. Иванов (АО «НИИМЭ») «Алгоритм и методика повышения эффективности рецепта коррекции эффектов оптической близости».
8. Е.Л. Харченко (АО «НИИМЭ») «Моделирование и оптимизация источника освещения произвольной конфигурации в фотолитографии».
9. Д.т.н. Е.С. Горнев, Е.С. Шамин (АО «НИИМЭ») «Разработка средства расстановки вспомогательных непечатаемых структур для технологии 90 нм».
Доклады отразили уровень проводимых исследований в области улучшения разрешающей способности литографии при создании элементной базы в России, что поможет составить объективные и научно-обоснованные планы развития российской микроэлектроники.
Присутствующие отметили важную роль развития отечественного математического, программного и метрологического обеспечения в области улучшения разрешающей способности литографии для создания элементной базы в развитии отечественных информационно-вычислительных и управляющих систем, а также для обеспечения технологической независимости России.
Рекомендовано создать в АО «НИИМЭ» постоянно действующую отечественную школу по улучшению разрешающей способности литографии с привлечением выпускников МФТИ и НИУ «МИЭТ» с целью поддержки импортозамещения и повышения производительности работы программного обеспечения в условиях снижения топологических норм и минимизации ошибок.
Доклады, сделанные на семинаре, будут опубликованы в журнале «Микроэлектроника» и «Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника» под редакцией Г.Я. Красникова
При подведении итогов председатель Совета, руководитель приоритетного технологического направления по электронным технологиям, генеральный директор АО «НИИМЭ», академик РАН Г.Я. Красников отметил высокий научно-технический уровень доложенных результатов и выразил уверенность в усилении сотрудничества между организациями и предприятиями в области улучшения разрешающей способности литографии для создания элементной базы.