Научный семинар «Элементная база СБИС: транзисторные структуры» прошел в ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН

Научный семинар «Элементная база СБИС: транзисторные структуры» прошел в ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН

01.03.2019
27 февраля Научный совет РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания» совместно с отделением нанотехнологий и информационных технологий РАН и Консорциумом «Перспективные материалы и элементная база информационных и вычислительных систем» под председательством заместителя председателя Научного совета член-корреспондента РАН, директора ФТИАН им. К.А. Валиева РАН В.Ф. Лукичева провел научный семинар по теме «Элементная база СБИС: транзисторные структуры».
Научный семинар состоялся в ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН.
Во вступительном слове В.Ф. Лукичев и член Научного совета, директор ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН С.А. Никитов подчеркнули важную роль поиска и реализации путей совершенствования транзисторных структур при создании элементной базы.
В работе семинара приняли участие 57 представителей из 22 ведущих профильных организаций и предприятий: ФТИАН им. К.А. Валиева РАН, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН, ИППМ РАН, ИПХФ РАН, ФИЦ ИУ РАН, ИСВЧПЭ РАН, ИФТТ РАН, НИУ ВШЭ, НИУ «МИЭТ», МФТИ, АО «НИИМЭ» и другие.
Были сделаны 7 докладов, в обсуждении которых приняло участие 30 человек:
1. К.ф.-м.н. Владимир Владимирович Вьюрков, член-корреспондент РАН Владимир Федорович Лукичев, д.ф.-м.н. Константин Васильевич Руденко (ФТИАН им. К.А. Валиева РАН). Перспективные транзисторы для КМОП УБИС с суб-10 нм критическими размерами.
2. Член-корреспондент РАН Александр Алексеевич Горбацевич (ФИАН, НИУ «МИЭТ»), академик РАН Геннадий Яковлевич Красников (АО «НИИМЭ»), Николай Михайлович Шубин (ФИАН, НИУ «МИЭТ»). Квантовые интерференционные транзисторы со сверхнизким энергопотреблением.
3. Д.ф.-м.н. Александр Александрович Шашкин (ИФТТ РАН). Сравнение сценариев перехода металл-диэлектрик в МОП-структурах кремния и кремний-германиевых квантовых ямах рекордной подвижности.
4. Д.т.н. Константин Орестович Петросянц (НИУ ВШЭ, ИППМ РАН), Дмитрий Александрович Попов (НИУ ВШЭ). Оценка радиационной и температурной стойкости субмикронных МОП КНИ транзисторных структур с различной конфигурацией скрытого оксида.
5. К.т.н. Ансар Ризаевич Сафин (ФГБОУ ВО «НИУ «МЭИ», ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН), член-корреспондент РАН Сергей Аполлонович Никитов (ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН). Генерация СВЧ и терагерцового излучения спинтронными структурами.
6. Д.ф.-м.н. Елена Дмитриевна Мишина, к.ф.-м.н. Сергей Дмитриевич Лавров, академик РАН Александр Сергеевич Сигов (РТУ МИРЭА). Транзисторы для СБИС на основе двумерных полупроводников.
7. К.т.н. Юрий Афанасьевич Степченков (ФИЦ ИУ РАН) Самосинхронная схемотехника на базе двухполярного источника питания и новых транзисторных структур.
Доклады отразили уровень проводимых исследований в области совершенствования транзисторных структур для создания элементной базы в России, что позволит составить объективные и научно-обоснованные планы развития российской микроэлектроники.

Присутствующие отметили важную роль развития перспективных отечественных подходов в области совершенствования транзисторных структур для создания элементной базы в развитии отечественных информационно-вычислительных и управляющих систем, а также для обеспечения технологической независимости России.

Авторам докладов А.Р. Сафину и Ю.А. Степченкову рекомендовано выступить на научной сессии Научного совета «Нейроморфные системы», запланированной на октябрь, и на Межведомственном совете главных конструкторов во II-III квартале с докладом о достижениях и проблемах в области самосинхронной схемотехники.

Доклады, сделанные на семинаре, рекомендованы к публикации в журнале «Микроэлектроника» и «Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника» под редакцией Г.Я. Красникова.

При подведении итогов заместитель председателя Научного совета, член-корреспондент РАН, директор ФТИАН им. К.А. Валиева РАН В.Ф. Лукичев отметил высокий научно-технический уровень доложенных результатов и выразил уверенность в усилении сотрудничества между организациями и предприятиями в области совершенствования транзисторных структур для создания элементной базы.