В РАН состоялось заседание Научного совета ОНИТ РАН «Развитие методов диагностики материалов и элементной базы - 2»

В РАН состоялось заседание Научного совета ОНИТ РАН «Развитие методов диагностики материалов и элементной базы - 2»

17.12.2021

9 декабря состоялось второе и заключительное заседание Научного Совета ОНИТ РАН по теме «Развитие методов диагностики материалов и элементной базы - 2».

Заседание прошло в смешанном формате – очно и онлайн. Провел заседание председатель Научного совета, академик-секретарь Отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН, академик РАН Г.Я. Красников.

Во вступительном слове при открытии заседания Председатель Совета, академик РАН Г.Я. Красников почтил минутой молчания память советского и российского химика, специалиста в области создания специальных материалов для электронной техники, д.х.н., профессора, член-корр. РАН, заместителя председателя Совета, советника генерального директора АО «НИИМЭ» Бориса Георгиевича Грибова (07.04.1935 – 05.12.2021 г.).

Геннадий Яковлевич отметил существенную роль методов диагностики в интересах развития современной электронной компонентной базы и материалов для ее создания.

В заседании приняли участие 19 из 44 членов Совета, а также 100 ученых и специалистов из 50 организаций, из которых 24 человека приняли участие в обсуждении.

В рамках Научного совета 119 участников заслушали 12 докладов:

1.      профессор РАН, д.ф.-м.н. Моргунов Роман Борисович (ИПХФ РАН). Оптимизация частотного диапазона магнитной релаксации при диагностике одно-ионных и одномолекулярных магнитов в ферромагнитном композите.

2.      к.ф.-м.н. Бабунц Роман Андреевич, д.ф.-м.н. Баранов Павел Георгиевич (ФТИ им. А.Ф. Иоффе). Диагностический комплекс на основе линейки высокочастотных спектрометров ЭПР/ОДМР.

3.      д.т.н. Быков Виктор Александрович (ООО «НТ-МДТ С.И.»). Современные возможности сканирующей зондовой микроскопии и спектроскопии высокого разрешения для диагностики материалов и элементной базы Наноэлектроники - возможности проведения разработок и производства в России.

4.      д.ф.-м.н. Светухин Вячеслав Викторович (НПК «Технологический центр»). Функциональный контроль и диагностика магниторезистивных наноструктур и элементов МЭМС в процессе разработки и производства новой компонентной базы.

5.      профессор РАН, д.ф.-м.н. Кузнецова Ирен Евгеньевна (ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН), д.ф.-м.н. Зайцев Борис Давыдович, к.ф.-м.н. Теплых Андрей Алексеевич (СФ ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН). Определение акустических и электрических свойств пленок из новых материалов при помощи пьезоэлектрических резонаторов различного типа.

6.      к.ф.-м.н. Юнин Павел Андреевич, к.ф.-м.н. Дроздов Михаил Николаевич, к.ф.-м.н. Новиков Алексей Витальевич (ИФМ РАН - филиал ИПФ РАН). Новые подходы по использованию ВИМС и рентгеновского дифракционного анализа для исследования материалов электроники.

7.      д.т.н. Крылов Владимир Павлович, д.т.н. Татмышевский Константин Вадимович, Богачев Алексей Михайлович (ВлГУ). Емкостная релаксационная спектроскопия глубоких уровней в задачах контроля полупроводниковых структур, приборов и интегральных микросхем.

8.      к.ф.-м.н. Иржак Дмитрий Вадимович, к.ф.-м.н. Иржак Артемий Вадимович, Пундиков Кирилл Сергеевич (ИПТМ РАН). Применение метода главных компонент для анализа экспериментальных спектров комбинационного рассеяния света при исследовании материалов акустоэлектроники.

9.      д.ф.-м.н. Ходос Игорь Иванович, к.ф.-м.н. Матвеев Виктор Николаевич
(ИПТМ РАН). Электронная микроскопия графеноподобных структур, получаемых каталитическим синтезом, и их физические свойства.

10. к.т.н. Мазилкин Андрей Александрович (ИФТТ РАН). Методы просвечивающей электронной микроскопии в материаловедении.

11. к.ф.-м.н. Кузьмин Алексей Васильевич (ИФТТ РАН). Структурная характеризация функциональных органических кристаллов.

12. д.ф.-м.н. Чуев Михаил Александрович (ФТИАН им. К.А. Валиева РАН).
Магнитная динамика и гамма-резонансная спектроскопия наночастиц разной магнитной природы в биологических исследованиях.

В заключительном слове председатель Совета, академик РАН Г.Я. Красников поблагодарил авторов за высокий научный уровень докладов и выразил уверенность в интеграции усилий в части развития методов диагностики материалов для микро- и наноэлектроники и элементной базы между организациями, представленными членами Совета, приглашенными учеными и специалистами.