Ученый НИИМЭ Аскар Резванов награжден медалью РАН за научное исследование
31.05.2019
Инженер-технолог отдела разработки технологических процессов АО «НИИМЭ» Аскар Резванов постановлением Президиума Российской академии наук награжден медалью РАН и премией для молодых ученых за работу «Исследование и разработка технологии интеграции межслойной изоляции для производства СБИС».
Исследовательская работа Аскара Резванова была представлена в 2018 году на ежегодном конкурсе РАН для молодых ученых по направлению «Разработка или создание приборов, методик, технологий, и новой научно-технической продукции научного и прикладного значения». Всего на участие в конкурсе РАН молодыми учеными в 2018 году было подано более 700 работ.
Работа Аскара Резванова направлена на повышение быстродействия интегральных схем с топологией 14 нм и менее за счет использования определенных металлов и пористых диэлектриков, а также применения различных способов обработки материалов, направленных на снижение степени их повреждения в процессах травления и термического воздействия.
Аскар начал проводить исследования по этой теме направлении несколько лет назад в рамках своей дипломной работы бакалавра. За время выполнения исследований он вместе со своими руководителями О.П. Гущиным (1943-2018) и Е.С. Горневым провел много работы по внедрению высокопористых диэлектриков для производства СБИС, в частности, создания новых подходов в области интеграции подобных материалов и разработки клеточно-автоматной модели воздействия кислородной плазмы на свойства диэлектрика. По словам автора, эта проблематика стала особенно актуальной в последнее время, когда с уменьшением размеров элементов интегральных схем требуется повышать их производительность.
Результаты исследований были представлены более чем в 10 докладах на всероссийских и международных конференциях, а также на научной сессии РАН «Новые материалы с заданными функциями и высокочистые наноматериалы для создания элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем»
Все работы были проведены в тесном сотрудничестве с коллегами из НИИМЭ, ФТИАН РАН, МИРЭА, МГУ.
Основные публикации по теме:
1) Резванов А.А., Гущин О.П., Горнев Е.С., Красников Г.Я., Могильников К.П., Чанг Л., де Марнефф Ж.-Ф., Дюссаррат К., Бакланов М.Р. Изобары адсорбции фторуглеродных соединений, выбранных для криогенного плазменного травления low-k диэлектриков // Электронная техника, серия 3, микроэлектроника. – 2015. – Т. 1. – № 157. – С. 49.
2) Rezvanov A., Matyushkin I.V., Gushchin O.P., Gornev E.S. Modelling the dynamics of the integral dielectric permittivity of a porous low-k organosilicate film during the dry etching of a Photoresist in O2 Plasma // Russian Microelectronics. – 2018. – V. 47. – № 6. – P. 415 – 426.
3) Rezvanov A., Miakonkikh A.V., Vischnevskiy A.S., Rudenko K.V., Baklanov M.R. Cryogenic etching of porous low-k dielectrics in CF3Br and CF4 plasmas // Journal of Vacuum Science & Technology B. – 2017. – V. 35. – № 2. – P. 021204.
4) Rezvanov A., Zhang L., Watanabe M., Krishtab M.B, Zhang L., Hacker N., Verdonck P., Armini S., Marneffe J.-F. Pore surface grafting of porous low-k dielectrics by selective polymers // Journal of Vacuum Science & Technology B. – 2017. – V. 35. – № 2. – P. 021211.
Исследовательская работа Аскара Резванова была представлена в 2018 году на ежегодном конкурсе РАН для молодых ученых по направлению «Разработка или создание приборов, методик, технологий, и новой научно-технической продукции научного и прикладного значения». Всего на участие в конкурсе РАН молодыми учеными в 2018 году было подано более 700 работ.
Работа Аскара Резванова направлена на повышение быстродействия интегральных схем с топологией 14 нм и менее за счет использования определенных металлов и пористых диэлектриков, а также применения различных способов обработки материалов, направленных на снижение степени их повреждения в процессах травления и термического воздействия.
Аскар начал проводить исследования по этой теме направлении несколько лет назад в рамках своей дипломной работы бакалавра. За время выполнения исследований он вместе со своими руководителями О.П. Гущиным (1943-2018) и Е.С. Горневым провел много работы по внедрению высокопористых диэлектриков для производства СБИС, в частности, создания новых подходов в области интеграции подобных материалов и разработки клеточно-автоматной модели воздействия кислородной плазмы на свойства диэлектрика. По словам автора, эта проблематика стала особенно актуальной в последнее время, когда с уменьшением размеров элементов интегральных схем требуется повышать их производительность.
Результаты исследований были представлены более чем в 10 докладах на всероссийских и международных конференциях, а также на научной сессии РАН «Новые материалы с заданными функциями и высокочистые наноматериалы для создания элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем»
Все работы были проведены в тесном сотрудничестве с коллегами из НИИМЭ, ФТИАН РАН, МИРЭА, МГУ.
Основные публикации по теме:
1) Резванов А.А., Гущин О.П., Горнев Е.С., Красников Г.Я., Могильников К.П., Чанг Л., де Марнефф Ж.-Ф., Дюссаррат К., Бакланов М.Р. Изобары адсорбции фторуглеродных соединений, выбранных для криогенного плазменного травления low-k диэлектриков // Электронная техника, серия 3, микроэлектроника. – 2015. – Т. 1. – № 157. – С. 49.
2) Rezvanov A., Matyushkin I.V., Gushchin O.P., Gornev E.S. Modelling the dynamics of the integral dielectric permittivity of a porous low-k organosilicate film during the dry etching of a Photoresist in O2 Plasma // Russian Microelectronics. – 2018. – V. 47. – № 6. – P. 415 – 426.
3) Rezvanov A., Miakonkikh A.V., Vischnevskiy A.S., Rudenko K.V., Baklanov M.R. Cryogenic etching of porous low-k dielectrics in CF3Br and CF4 plasmas // Journal of Vacuum Science & Technology B. – 2017. – V. 35. – № 2. – P. 021204.
4) Rezvanov A., Zhang L., Watanabe M., Krishtab M.B, Zhang L., Hacker N., Verdonck P., Armini S., Marneffe J.-F. Pore surface grafting of porous low-k dielectrics by selective polymers // Journal of Vacuum Science & Technology B. – 2017. – V. 35. – № 2. – P. 021211.