Родился 30 апреля 1958 г. в Тамбове.
В 1981 г. с отличием окончил физико-технический факультет Московского института электронной техники. В том же году пришел на работу в НИИ молекулярной электроники (НИИМЭ) с опытным заводом «Микрон». В 1990 году по окончании аспирантуры МИЭТ успешно защитил кандидатскую диссертацию.
Пройдя последовательно все должности (инженер, ведущий инженер, начальник модуля, начальник цеха, заместитель главного инженера, заместитель генерального директора), в начале августа 1991 года был назначен директором НИИ молекулярной электроники с опытным заводом «Микрон». В декабре того же года на альтернативных выборах был избран директором большинством голосов всего трудового коллектива (около 7000 человек).
В марте 1992 году министр промышленности Правительства России подтвердил приказом назначение Г.Я. Красникова директором предприятия. В 1994 году постановлением Правительства РФ Г.Я. Красников был назначен генеральным директором АООТ «НИИ молекулярной электроники и завод «Микрон» (позднее – ОАО «НИИМЭ и «Микрон») и сохранял эту должность до 2016 года.
В 1996 году Г.Я. Красников защитил докторскую диссертацию, а в 1997 году был избран член-корреспондентом РАН по Отделению информатики, вычислительной техники и автоматизации (вычислительная техника и элементная база). В 2008 году Г.Я. Красников был избран академиком РАН по Отделению нанотехнологий и информационных технологий (микро- и наноэлектроника). В 2017 году Г.Я. Красников был избран членом Президиума РАН. В 2021 году Г.Я. Красников был избран иностранным членом Национальной академии наук Беларуси.
С 2016 года Г.Я. Красников – генеральный директор АО «НИИМЭ» и председатель совета директоров АО «НИИТМ» (НИИ точной механики).
В 2016 году решением президента Российской Федерации В.В. Путина академик Г.Я. Красников наделен полномочиями руководителя приоритетного технологического направления по электронным технологиям.
20 сентября 2022 года академик РАН Г.Я. Красников был избран президентом Российской академии наук.
С июля 2023 года - научный руководитель АО "НИИМЭ".
Г.Я. Красников – крупный ученый с мировым именем в области физики полупроводников, диэлектриков и гетероструктур на их основе, технологий создания сверхбольших интегральных схем (СБИС) и обеспечения качества их разработки и промышленного производства. Академиком Красниковым созданы научные и технологические основы формирования полупроводниковых структур с управляемыми и стабильными электрофизическими параметрами на всем технологическом маршруте изготовления интегральных микросхем.
Автор более 460 научных работ в отечественных и зарубежных рецензируемых изданиях, четырех научных монографий и более 40 авторских свидетельств и патентов.
Академик Красников развивает научную школу по наноэлектронным транзисторным структурам и руководит разработкой микроэлектронных технологий, критически важных для обеспечения государственной безопасности и запрещенных к экспорту в Россию. Совместно с научными коллективами академических институтов и промышленных НИИ создал консорциум «Перспективные материалы и элементная база информационных и вычислительных систем», в рамках которого осуществляются фундаментальные исследования в области электронных технологий.
Научные достижения Г.Я. Красникова легли в основу создания более 200 типов микросхем, которые ранее выпускались за пределами РФ. Создан уникальный комплекс по разработке и промышленному производству интегральных микросхем уровня 180-90-65нм, на базе которых реализованы важнейшие государственные проекты в области информационных технологий, энергетики, транспорта, связи и финансового сектора.
Академик Красников - руководитель приоритетного технологического направления по электронным технологиям РФ, член Консультативного научного Совета Инновационного центра «Сколково», член НТС Военно-промышленной комиссии РФ, член Межведомственного совета по присуждению премий Правительства в области науки и техники, член Комиссии по кадровым вопросам Совета при Президенте Российской Федерации по науке и образованию, председатель научного Совета РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания», председатель научного Совета при президиуме РАН "Квантовые технологии", член Совета РАН по исследованиям в области обороны, член Научно-координационного совета РАН по проблемам прогнозирования и стратегического планирования в Российской Федерации, член Межакадемического совета по проблемам развития Союзного государства, член наблюдательного Совета Новосибирского национального исследовательского государственного университета и Национального исследовательского университета «МИЭТ», почетный доктор Санкт-Петербургского национального исследовательского Академического университета Российской академии наук.
Г.Я. Красников возглавляет базовую кафедру «Микро- и наноэлектроники» в Московском физико-техническом институте (МФТИ) и базовую кафедру «Субмикронная технология СБИС» в Национальном исследовательском университете «МИЭТ», руководит подготовкой специалистов высшей квалификации по актуальным и перспективным направлениям нано- и микроэлектроники.
Академик Красников является главным редактором журналов «Микроэлектроника», «Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника», «Интеллект&Технологии», членом редколлегии журналов «Известия высших учебных заведений. Электроника», «Электроника. Наука. Технология. Бизнес», «Нано- и микросистемная техника», «Труды МФТИ».
Лауреат государственной премии РФ в области науки и технологии (2014), трех премий Правительства РФ в области науки и техники (1999, 2009, 2019). Награжден орденом Почёта (1999), орденом «За заслуги перед Отечеством» IV степени (2008), орденом Дружбы (2014), орденом Александра Невского (2018), медалью "В память 850-летия Москвы" (1997). Лауреат премии Миноборонпрома России за работы в области науки, техники и технологий, ордена «Знак Почета» Миноборонпрома России. Лауреат Государственной премии республики Мордовия за выдающийся вклад в развитие научно-инновационного потенциала республики Мордовия и плодотворное сотрудничество, ордена Славы III степени республики Мордовия, награжден медалью «За заслуги» республики Мордовия. Награжден медалью ЮНЕСКО «За вклад в развитие нанонауки и нанотехнологий (2016). Отмечен личными благодарностями президента РФ, председателя Правительства РФ, мэра Москвы, руководителей федеральных органов исполнительной власти, губернаторов ряда регионов РФ.
