Микроэлектроника - основа инноваций
В АО «НИИМЭ» постоянно происходит развитие технологического портфеля и его освоение в производстве для обеспечения возможности изготовления новых типов микросхем.
Современные технологии будущего
АО «НИИМЭ» владеет рядом технологий, необходимых для производства аналоговых схем управления питанием, RFID-чипов, микропроцессоров и микроконтроллеров, а также других типов интегральных схем.
12.10.2017
Г.Я. Красников 10 октября принял участие в первом заседании Президиума РАН
10.10.2017
Минпромторг РФ подтвердил соответствие микросхемы MIK213ND отечественной продукции первого уровня
09.10.2017
Директор по коммуникациям АО «НИИМЭ» Алексей Дианов выступил с лекцией на фестивале "NAUKA 0+"

О КОМПАНИИ

АО «НИИМЭ» - ведущий научно-исследовательский центр «Группы НИИМЭ» в составе отраслевого холдинга ОАО «РТИ» (АФК «Система»), которые образуют единый крупнейший в России комплекс по проведению научно-технологических исследований в области микро- и наноэлектроники, разработке и производству полупроводниковых изделий. 

Работы ведутся с российскими и зарубежными партнерами в рамках программ по развитию элементной базы, по изготовлению кристаллов интегральных микросхем в режиме Foundry, а также по разработке и освоению серий интегральных микросхем и полупроводниковых приборов для аппаратуры спецназначения. 

Наши преимущества
Фундаментальные исследования
АО «НИИМЭ» занимается фундаментальными исследованиями в области физики полупроводников. Специалисты института разрабатывают технологии многолучевой электронной литографии для производства современных СБИС и СБИС следующих поколений, исследуют и моделируют элементы энергонезависимой, сегнетоэлектрической и магниторезистивной  памяти на новых физических принципах. В области функциональной электроники ученые НИИМЭ занимаются построением приборно-технологических моделей для базовых и перспективных технологий, наноэлектронных компонентов и эффектов радиационных воздействий, ведут исследования технологии МЭМС на основе гетероструктур кремний-сегнетоэлектрик для создания широкого спектра датчиков и акселерометров, разрабатывают технологии 3-D сборки для SiP-интеграции.
Разработка уникальных технологий
АО «НИИМЭ» осуществляет разработку семейств технологий с проектными нормами 65нм, 45нм и 28нм для широкого спектра приложений, а также технологии КНИ с проектными нормами 90-65 нм для интегральных схем, требующих повышенной стойкости, высокого быстродействия и малого энергопотребления, предназначенных для работы в экстремальных условиях, включая системы космического базирования. Также институт ведет разработку технологий на базе интеграции гетеропереходных SiGe БТ и КМОП для СБИС, работающих в СВЧ диапазоне и применяемых в приемо-передающих устройствах GPS/GLONASS, Bluetooth,Wi-Fi, WiMAX, LTE, оптоволоконных системах связи, цифровом телевидении, RFID, автомобильных радарах и пр.
Полный цикл разработки на отечественной схемотехнике
АО «НИИМЭ» обладает опытом в проектировании сложных цифровых, аналоговых и аналого-цифровых интегральных схем, микросхем памяти различных типов, интегральных схем управления питанием, RFID чипов, высоковольтных интегральных схем, а также программировании полузаказных интегральных схем. АО «НИИМЭ» владеет портфелем сложно-функциональных IP-блоков различного назначения собственной разработки, который включает библиотеки стандартных цифровых ячеек и элементов ввода-вывода, блоки памяти различного типа, аналоговые IP, IP интерфейсов, и т.д. Применение полностью отечественных IP-блоков обеспечивает необходимую информационно-технологическую безопасность при использовании элементной базы в доверенной технике.
Ведущая научная школа в области микроэлектроники
В НИИМЭ в разное время работали четыре академика и два член-корреспондента Академии Наук СССР и Российской Академии Наук, более 100 кандидатов и 40 докторов наук, более 50 лауреатов Государственной премии СССР, Совета Министров СССР и Премии правительства РФ, в том числе два Лауреата Ленинской премии. Всего за годы существования предприятия более 500 сотрудников были удостоены государственных наград. Сегодня исследованиями в области нано- и микроэлектроники занимаются более 400 специалистов, в том числе два академика РАН (Г.Я.Красников и А.С.Бугаёв), один член-корреспондент РАН (Б.Г.Грибов), 17 докторов наук и 48 кандидатов наук.
Подготовка научных кадров
АО «НИИМЭ» основало и поддерживает базовые кафедры в профильных учебных заведениях: Московском физико-техническом институте (МФТИ) и Национальном исследовательском университете «Московский институт электронной техники» (МИЭТ). Специалисты НИИМЭ осуществляют подготовку студентов, магистров и аспирантов по специальностям: микроэлектроника и твердотельная электроника и микросистемная техника; системы автоматизированного проектирования и технология и проектирование интегральных микросхем и др. Базовые кафедры в ведущих российских ВУЗах обеспечивают высокий кадровый потенциал института, что позволяет успешно развивать существующую продуктовую и технологическую линейку и осваивать принципиально новые направления микроэлектроники.
Базовые технологии производства
АО «НИИМЭ» владеет рядом технологий с использованием энергонезависимой памяти, необходимых для производства аналоговых схем управления питанием, RFID-чипов, микропроцессоров и микроконтроллеров, а также других типов интегральных схем. На АО «НИИМЭ» постоянно происходит развитие технологического портфеля и его освоение в производстве для обеспечения возможности изготовления новых типов микросхем.
Наши преимущества
Фундаментальные исследования
АО «НИИМЭ» занимается фундаментальными исследованиями в области физики полупроводников. Специалисты института разрабатывают технологии многолучевой электронной литографии для производства современных СБИС и СБИС следующих поколений, исследуют и моделируют элементы энергонезависимой, сегнетоэлектрической и магниторезистивной  памяти на новых физических принципах. В области функциональной электроники ученые НИИМЭ занимаются построением приборно-технологических моделей для базовых и перспективных технологий, наноэлектронных компонентов и эффектов радиационных воздействий, ведут исследования технологии МЭМС на основе гетероструктур кремний-сегнетоэлектрик для создания широкого спектра датчиков и акселерометров, разрабатывают технологии 3-D сборки для SiP-интеграции.
Разработка уникальных технологий
АО «НИИМЭ» осуществляет разработку семейств технологий с проектными нормами 65нм, 45нм и 28нм для широкого спектра приложений, а также технологии КНИ с проектными нормами 90-65 нм для интегральных схем, требующих повышенной стойкости, высокого быстродействия и малого энергопотребления, предназначенных для работы в экстремальных условиях, включая системы космического базирования. Также институт ведет разработку технологий на базе интеграции гетеропереходных SiGe БТ и КМОП для СБИС, работающих в СВЧ диапазоне и применяемых в приемо-передающих устройствах GPS/GLONASS, Bluetooth,Wi-Fi, WiMAX, LTE, оптоволоконных системах связи, цифровом телевидении, RFID, автомобильных радарах и пр.
Полный цикл разработки на отечественной схемотехнике
АО «НИИМЭ» обладает опытом в проектировании сложных цифровых, аналоговых и аналого-цифровых интегральных схем, микросхем памяти различных типов, интегральных схем управления питанием, RFID чипов, высоковольтных интегральных схем, а также программировании полузаказных интегральных схем. АО «НИИМЭ» владеет портфелем сложно-функциональных IP-блоков различного назначения собственной разработки, который включает библиотеки стандартных цифровых ячеек и элементов ввода-вывода, блоки памяти различного типа, аналоговые IP, IP интерфейсов, и т.д. Применение полностью отечественных IP-блоков обеспечивает необходимую информационно-технологическую безопасность при использовании элементной базы в доверенной технике.
Ведущая научная школа в области микроэлектроники
В НИИМЭ в разное время работали четыре академика и два член-корреспондента Академии Наук СССР и Российской Академии Наук, более 100 кандидатов и 40 докторов наук, более 50 лауреатов Государственной премии СССР, Совета Министров СССР и Премии правительства РФ, в том числе два Лауреата Ленинской премии. Всего за годы существования предприятия более 500 сотрудников были удостоены государственных наград. Сегодня исследованиями в области нано- и микроэлектроники занимаются более 400 специалистов, в том числе два академика РАН (Г.Я.Красников и А.С.Бугаёв), один член-корреспондент РАН (Б.Г.Грибов), 17 докторов наук и 48 кандидатов наук.
Подготовка научных кадров
АО «НИИМЭ» основало и поддерживает базовые кафедры в профильных учебных заведениях: Московском физико-техническом институте (МФТИ) и Национальном исследовательском университете «Московский институт электронной техники» (МИЭТ). Специалисты НИИМЭ осуществляют подготовку студентов, магистров и аспирантов по специальностям: микроэлектроника и твердотельная электроника и микросистемная техника; системы автоматизированного проектирования и технология и проектирование интегральных микросхем и др. Базовые кафедры в ведущих российских ВУЗах обеспечивают высокий кадровый потенциал института, что позволяет успешно развивать существующую продуктовую и технологическую линейку и осваивать принципиально новые направления микроэлектроники.
Базовые технологии производства
АО «НИИМЭ» владеет рядом технологий с использованием энергонезависимой памяти, необходимых для производства аналоговых схем управления питанием, RFID-чипов, микропроцессоров и микроконтроллеров, а также других типов интегральных схем. На АО «НИИМЭ» постоянно происходит развитие технологического портфеля и его освоение в производстве для обеспечения возможности изготовления новых типов микросхем.
Партнеры компании
ASML Holding N.V. (Велдховен, Нидерланды)
ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский Томский государственный университет» (Томск)
TOPPAN PHOTOMASK (Япония)
TSMC (Тайвань)
LAM RESEARCH (США)
SVCS Process Innovation s.r.o. (Брно, Чехия)