Array
(
    [ID] => 12
    [~ID] => 12
    [TIMESTAMP_X] => 27.07.2016 14:50:09
    [~TIMESTAMP_X] => 27.07.2016 14:50:09
    [IBLOCK_TYPE_ID] => press_center
    [~IBLOCK_TYPE_ID] => press_center
    [LID] => s2
    [~LID] => s2
    [CODE] => novosti
    [~CODE] => novosti
    [NAME] => Новости
    [~NAME] => Новости
    [ACTIVE] => Y
    [~ACTIVE] => Y
    [SORT] => 100
    [~SORT] => 100
    [LIST_PAGE_URL] => /press_center/novosti/
    [~LIST_PAGE_URL] => /press_center/novosti/
    [DETAIL_PAGE_URL] => /press_center/novosti/#ELEMENT_ID#/
    [~DETAIL_PAGE_URL] => /press_center/novosti/#ELEMENT_ID#/
    [SECTION_PAGE_URL] => /press_center/novosti/
    [~SECTION_PAGE_URL] => /press_center/novosti/
    [CANONICAL_PAGE_URL] => 
    [~CANONICAL_PAGE_URL] => 
    [PICTURE] => 
    [~PICTURE] => 
    [DESCRIPTION] => 
    [~DESCRIPTION] => 
    [DESCRIPTION_TYPE] => text
    [~DESCRIPTION_TYPE] => text
    [RSS_TTL] => 24
    [~RSS_TTL] => 24
    [RSS_ACTIVE] => Y
    [~RSS_ACTIVE] => Y
    [RSS_FILE_ACTIVE] => N
    [~RSS_FILE_ACTIVE] => N
    [RSS_FILE_LIMIT] => 
    [~RSS_FILE_LIMIT] => 
    [RSS_FILE_DAYS] => 
    [~RSS_FILE_DAYS] => 
    [RSS_YANDEX_ACTIVE] => N
    [~RSS_YANDEX_ACTIVE] => N
    [XML_ID] => 
    [~XML_ID] => 
    [TMP_ID] => 
    [~TMP_ID] => 
    [INDEX_ELEMENT] => Y
    [~INDEX_ELEMENT] => Y
    [INDEX_SECTION] => Y
    [~INDEX_SECTION] => Y
    [WORKFLOW] => N
    [~WORKFLOW] => N
    [BIZPROC] => N
    [~BIZPROC] => N
    [SECTION_CHOOSER] => L
    [~SECTION_CHOOSER] => L
    [LIST_MODE] => 
    [~LIST_MODE] => 
    [RIGHTS_MODE] => S
    [~RIGHTS_MODE] => S
    [SECTION_PROPERTY] => N
    [~SECTION_PROPERTY] => N
    [PROPERTY_INDEX] => N
    [~PROPERTY_INDEX] => N
    [VERSION] => 1
    [~VERSION] => 1
    [LAST_CONV_ELEMENT] => 0
    [~LAST_CONV_ELEMENT] => 0
    [SOCNET_GROUP_ID] => 
    [~SOCNET_GROUP_ID] => 
    [EDIT_FILE_BEFORE] => 
    [~EDIT_FILE_BEFORE] => 
    [EDIT_FILE_AFTER] => 
    [~EDIT_FILE_AFTER] => 
    [SECTIONS_NAME] => Разделы
    [~SECTIONS_NAME] => Разделы
    [SECTION_NAME] => Раздел
    [~SECTION_NAME] => Раздел
    [ELEMENTS_NAME] => Новости
    [~ELEMENTS_NAME] => Новости
    [ELEMENT_NAME] => Новость
    [~ELEMENT_NAME] => Новость
    [EXTERNAL_ID] => 
    [~EXTERNAL_ID] => 
    [LANG_DIR] => /en/
    [~LANG_DIR] => /en/
    [SERVER_NAME] => niime-semi.com
    [~SERVER_NAME] => niime-semi.com
    [USER_HAVE_ACCESS] => 1
    [SECTION] => 
    [ITEMS] => Array
        (
            [0] => Array
                (
                    [ID] => 407
                    [~ID] => 407
                    [IBLOCK_ID] => 12
                    [~IBLOCK_ID] => 12
                    [IBLOCK_SECTION_ID] => 
                    [~IBLOCK_SECTION_ID] => 
                    [NAME] => Вышел новый выпуск номер журнала «Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника»
                    [~NAME] => Вышел новый выпуск номер журнала «Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника»
                    [ACTIVE_FROM] => 14.08.2017
                    [~ACTIVE_FROM] => 14.08.2017
                    [TIMESTAMP_X] => 18.08.2017 16:47:59
                    [~TIMESTAMP_X] => 18.08.2017 16:47:59
                    [DETAIL_PAGE_URL] => /press_center/novosti/407/
                    [~DETAIL_PAGE_URL] => /press_center/novosti/407/
                    [LIST_PAGE_URL] => /press_center/novosti/
                    [~LIST_PAGE_URL] => /press_center/novosti/
                    [DETAIL_TEXT] => 

В издательстве РИЦ «ТЕХНОСФЕРА» вышел очередной номер научно-технического журнала «Электронная техника. Серия 3 Микроэлектроника», который выпускается под редакцией АО «НИИМЭ». Главный редактор журнала – генеральный директор АО «НИИМЭ», академик РАН Г.Я. Красников.

В выпуске №2 (166) опубликованы статьи:

- Особенности перераспределения атомов As в Si при ионной имплантации структур SiO2-Si (Г.В. Баранов, А. Г. Итальянцев, Ш.Г Песков).

- Влияние расположения контактов к карманам в инверторе на возникновение тиристорного эффекта, вызванного воздействием тяжелых заряженных частиц (К.А. Панышев).

- Эффект локального отсутствия силицида кобальта в КМОП-технологии (Р.А. Арилин, С.Н. Котекина, И.А. Коротова, А.Н. Поляков, А.А. Горбатов).

- Исследование и разработка технологии создания микромодулей на гибкой коммутационной плате (Ю. Г. Долговых, А. И. Погалов, Г. А. Блинов).

- К научному приборостроению для нанотехнологии: сканирующая зондовая микроскопия (В.А. Быков, В.В. Поляков, А.С. Калинин, А.В. Шелаев).

- Влияние структуры и термоупругих характеристик компонентов на средние напряжения в анодном оксиде алюминия с нитевидными порами, заполненными поливинилиденфторидом (Г.Я. Красников, В.В. Бардушкин, Д.А. Карташов, Ю.И. Шиляева, В.Б. Яковлев).

- Физико-технологические особенности формирования системы Si-SiO2 с нанотонкими слоями диоксида кремния (Н.А. Зайцев, Г.Я. Красников, Ю.И. Плотников).

- Транспортные свойства органических полупроводников на основе ветвящихся молекул транс-полиацетилена (М.Н. Журавлев, Т.С. Катаева).

Главная цель издания – комплексно освещать современные достижения и проблемы микро- и наноэлектроники во всех сферах научной и производственной деятельности от технологии до экономики. Учитывая сложившийся авторитет журнала, работу в нём высококвалифицированных специалистов, Всероссийская аттестационная комиссия (ВАК) включила журнал «Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника» в число изданий, рекомендованных для публикации статей соискателей учёных степеней кандидата и доктора наук №1969 от 29.05.2017 г. по следующим отраслям:

- физико-математические науки (01.00.00)

- химические науки (02.00.00)

- технические науки (05.00.00)

Ознакомиться с аннотациями статей можно на нашем сайте.


[~DETAIL_TEXT] =>

В издательстве РИЦ «ТЕХНОСФЕРА» вышел очередной номер научно-технического журнала «Электронная техника. Серия 3 Микроэлектроника», который выпускается под редакцией АО «НИИМЭ». Главный редактор журнала – генеральный директор АО «НИИМЭ», академик РАН Г.Я. Красников.

В выпуске №2 (166) опубликованы статьи:

- Особенности перераспределения атомов As в Si при ионной имплантации структур SiO2-Si (Г.В. Баранов, А. Г. Итальянцев, Ш.Г Песков).

- Влияние расположения контактов к карманам в инверторе на возникновение тиристорного эффекта, вызванного воздействием тяжелых заряженных частиц (К.А. Панышев).

- Эффект локального отсутствия силицида кобальта в КМОП-технологии (Р.А. Арилин, С.Н. Котекина, И.А. Коротова, А.Н. Поляков, А.А. Горбатов).

- Исследование и разработка технологии создания микромодулей на гибкой коммутационной плате (Ю. Г. Долговых, А. И. Погалов, Г. А. Блинов).

- К научному приборостроению для нанотехнологии: сканирующая зондовая микроскопия (В.А. Быков, В.В. Поляков, А.С. Калинин, А.В. Шелаев).

- Влияние структуры и термоупругих характеристик компонентов на средние напряжения в анодном оксиде алюминия с нитевидными порами, заполненными поливинилиденфторидом (Г.Я. Красников, В.В. Бардушкин, Д.А. Карташов, Ю.И. Шиляева, В.Б. Яковлев).

- Физико-технологические особенности формирования системы Si-SiO2 с нанотонкими слоями диоксида кремния (Н.А. Зайцев, Г.Я. Красников, Ю.И. Плотников).

- Транспортные свойства органических полупроводников на основе ветвящихся молекул транс-полиацетилена (М.Н. Журавлев, Т.С. Катаева).

Главная цель издания – комплексно освещать современные достижения и проблемы микро- и наноэлектроники во всех сферах научной и производственной деятельности от технологии до экономики. Учитывая сложившийся авторитет журнала, работу в нём высококвалифицированных специалистов, Всероссийская аттестационная комиссия (ВАК) включила журнал «Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника» в число изданий, рекомендованных для публикации статей соискателей учёных степеней кандидата и доктора наук №1969 от 29.05.2017 г. по следующим отраслям:

- физико-математические науки (01.00.00)

- химические науки (02.00.00)

- технические науки (05.00.00)

Ознакомиться с аннотациями статей можно на нашем сайте.


[DETAIL_TEXT_TYPE] => html [~DETAIL_TEXT_TYPE] => html [PREVIEW_TEXT] => В издательстве РИЦ «ТЕХНОСФЕРА» вышел очередной номер научно-технического журнала «Электронная техника. Серия 3 Микроэлектроника», который выпускается под редакцией АО «НИИМЭ». Главный редактор журнала – генеральный директор АО «НИИМЭ», академик РАН Г.Я. Красников. [~PREVIEW_TEXT] => В издательстве РИЦ «ТЕХНОСФЕРА» вышел очередной номер научно-технического журнала «Электронная техника. Серия 3 Микроэлектроника», который выпускается под редакцией АО «НИИМЭ». Главный редактор журнала – генеральный директор АО «НИИМЭ», академик РАН Г.Я. Красников. [PREVIEW_TEXT_TYPE] => text [~PREVIEW_TEXT_TYPE] => text [PREVIEW_PICTURE] => Array ( [ID] => 495 [TIMESTAMP_X] => 18.08.2017 16:46:31 [MODULE_ID] => iblock [HEIGHT] => 448 [WIDTH] => 317 [FILE_SIZE] => 22334 [CONTENT_TYPE] => image/jpeg [SUBDIR] => iblock/6dc [FILE_NAME] => 6dcfc6824253773c410a28aaec73f355.jpeg [ORIGINAL_NAME] => Журнал Микроэлектроника для новости.jpeg [DESCRIPTION] => [HANDLER_ID] => [EXTERNAL_ID] => 3987399291814a6eb56b2924a0c48671 [~src] => [SRC] => /upload/iblock/6dc/6dcfc6824253773c410a28aaec73f355.jpeg [UNSAFE_SRC] => /upload/iblock/6dc/6dcfc6824253773c410a28aaec73f355.jpeg [ALT] => Вышел новый выпуск номер журнала «Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника» [TITLE] => Вышел новый выпуск номер журнала «Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника» ) [~PREVIEW_PICTURE] => 495 [LANG_DIR] => /en/ [~LANG_DIR] => /en/ [SORT] => 500 [~SORT] => 500 [CODE] => vyshel-novyy-vypusk-nomer-zhurnala-elektronnaya-tekhnika-seriya-3-mikroelektronika [~CODE] => vyshel-novyy-vypusk-nomer-zhurnala-elektronnaya-tekhnika-seriya-3-mikroelektronika [EXTERNAL_ID] => 407 [~EXTERNAL_ID] => 407 [IBLOCK_TYPE_ID] => press_center [~IBLOCK_TYPE_ID] => press_center [IBLOCK_CODE] => novosti [~IBLOCK_CODE] => novosti [IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [~IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [LID] => s2 [~LID] => s2 [EDIT_LINK] => [DELETE_LINK] => [DISPLAY_ACTIVE_FROM] => 14.08.2017 [IPROPERTY_VALUES] => Array ( ) [FIELDS] => Array ( ) [DISPLAY_PROPERTIES] => Array ( ) ) [1] => Array ( [ID] => 401 [~ID] => 401 [IBLOCK_ID] => 12 [~IBLOCK_ID] => 12 [IBLOCK_SECTION_ID] => [~IBLOCK_SECTION_ID] => [NAME] => НИИМЭ и "Микрон" посетили студенты Технического Университета Эйндховена [~NAME] => НИИМЭ и "Микрон" посетили студенты Технического Университета Эйндховена [ACTIVE_FROM] => 19.07.2017 [~ACTIVE_FROM] => 19.07.2017 [TIMESTAMP_X] => 21.07.2017 17:19:10 [~TIMESTAMP_X] => 21.07.2017 17:19:10 [DETAIL_PAGE_URL] => /press_center/novosti/401/ [~DETAIL_PAGE_URL] => /press_center/novosti/401/ [LIST_PAGE_URL] => /press_center/novosti/ [~LIST_PAGE_URL] => /press_center/novosti/ [DETAIL_TEXT] =>

Развивая связи с зарубежными исследовательскими и образовательными учреждениями АО «НИИМЭ» организовало визит на предприятие студентов Технического Университета Эйндховена (Technische Universiteit Eindhoven, Нидерланды), которые совершают образовательный тур по высокотехнологичным предприятиям и научным организациям России и Южной Кореи. Голландские студенты из университетской ассоциации Thor, объединяющей будущих инженеров в области электротехники и автомобильной промышленности, уже посетили Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (ИТМО), Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Московский государственный университет, Московский энергетический институт и Сколковский институт науки и технологий. 

В сопровождении директора по коммуникациям АО «НИИМЭ» Алексея Дианова и начальника отдела отраслевого сотрудничества  Алексея Федонина гости осмотрели «чистые комнаты» «Микрона» и цех по производству готовой RFID-продукции. Специалисты НИИМЭ рассказали о применяемых технологиях производства полупроводниковых изделий, а также о широком спектре микроэлектронной продукции российской разработки и производства, используемой в государственных и коммерческих проектах: микрочипах для транспортных, банковских и идентификационных приложений, микроконтроллерах и микропроцессорах, чипах памяти, дискретных полупроводниковых приборах, силовых компонентах и микросхемах управления питанием.

Технический университет Эйндховена был основан в 1956 году и стал вторым техническим университетом Нидерландов после Делфтского.  Университет расположен в регионе Брэйнпорт, где находятся  многие всемирно известные технологичные компании: Philips, NXP Semiconductors, ASML, FEI, OCE, DAF и другие.

В университете обучается около 7500 студентов, 600 аспирантов, преподают 250 профессоров и работают еще более 3000 других сотрудников. Обучение в университете организовано по одиннадцати специальностям в бакалавриате и девятнадцати — в магистратуре.

[~DETAIL_TEXT] =>

Развивая связи с зарубежными исследовательскими и образовательными учреждениями АО «НИИМЭ» организовало визит на предприятие студентов Технического Университета Эйндховена (Technische Universiteit Eindhoven, Нидерланды), которые совершают образовательный тур по высокотехнологичным предприятиям и научным организациям России и Южной Кореи. Голландские студенты из университетской ассоциации Thor, объединяющей будущих инженеров в области электротехники и автомобильной промышленности, уже посетили Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (ИТМО), Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Московский государственный университет, Московский энергетический институт и Сколковский институт науки и технологий. 

В сопровождении директора по коммуникациям АО «НИИМЭ» Алексея Дианова и начальника отдела отраслевого сотрудничества  Алексея Федонина гости осмотрели «чистые комнаты» «Микрона» и цех по производству готовой RFID-продукции. Специалисты НИИМЭ рассказали о применяемых технологиях производства полупроводниковых изделий, а также о широком спектре микроэлектронной продукции российской разработки и производства, используемой в государственных и коммерческих проектах: микрочипах для транспортных, банковских и идентификационных приложений, микроконтроллерах и микропроцессорах, чипах памяти, дискретных полупроводниковых приборах, силовых компонентах и микросхемах управления питанием.

Технический университет Эйндховена был основан в 1956 году и стал вторым техническим университетом Нидерландов после Делфтского.  Университет расположен в регионе Брэйнпорт, где находятся  многие всемирно известные технологичные компании: Philips, NXP Semiconductors, ASML, FEI, OCE, DAF и другие.

В университете обучается около 7500 студентов, 600 аспирантов, преподают 250 профессоров и работают еще более 3000 других сотрудников. Обучение в университете организовано по одиннадцати специальностям в бакалавриате и девятнадцати — в магистратуре.

[DETAIL_TEXT_TYPE] => html [~DETAIL_TEXT_TYPE] => html [PREVIEW_TEXT] => АО «НИИМЭ» организовало визит на предприятие студентов Технического Университета Эйндховена (Technische Universiteit Eindhoven, Нидерланды) [~PREVIEW_TEXT] => АО «НИИМЭ» организовало визит на предприятие студентов Технического Университета Эйндховена (Technische Universiteit Eindhoven, Нидерланды) [PREVIEW_TEXT_TYPE] => text [~PREVIEW_TEXT_TYPE] => text [PREVIEW_PICTURE] => Array ( [ID] => 492 [TIMESTAMP_X] => 21.07.2017 17:16:53 [MODULE_ID] => iblock [HEIGHT] => 225 [WIDTH] => 300 [FILE_SIZE] => 18089 [CONTENT_TYPE] => image/jpeg [SUBDIR] => iblock/e90 [FILE_NAME] => e908e7164342eb0d49d67ab6f63b20b8.JPG [ORIGINAL_NAME] => студенты_фото_башня.JPG [DESCRIPTION] => [HANDLER_ID] => [EXTERNAL_ID] => 5e383caacb90a742e7ee3895331b35f7 [~src] => [SRC] => /upload/iblock/e90/e908e7164342eb0d49d67ab6f63b20b8.JPG [UNSAFE_SRC] => /upload/iblock/e90/e908e7164342eb0d49d67ab6f63b20b8.JPG [ALT] => НИИМЭ и "Микрон" посетили студенты Технического Университета Эйндховена [TITLE] => НИИМЭ и "Микрон" посетили студенты Технического Университета Эйндховена ) [~PREVIEW_PICTURE] => 492 [LANG_DIR] => /en/ [~LANG_DIR] => /en/ [SORT] => 500 [~SORT] => 500 [CODE] => niime-i-mikron-posetili-studenty-tekhnicheskogo-universiteta-eyndkhovena- [~CODE] => niime-i-mikron-posetili-studenty-tekhnicheskogo-universiteta-eyndkhovena- [EXTERNAL_ID] => 401 [~EXTERNAL_ID] => 401 [IBLOCK_TYPE_ID] => press_center [~IBLOCK_TYPE_ID] => press_center [IBLOCK_CODE] => novosti [~IBLOCK_CODE] => novosti [IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [~IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [LID] => s2 [~LID] => s2 [EDIT_LINK] => [DELETE_LINK] => [DISPLAY_ACTIVE_FROM] => 19.07.2017 [IPROPERTY_VALUES] => Array ( ) [FIELDS] => Array ( ) [DISPLAY_PROPERTIES] => Array ( ) ) [2] => Array ( [ID] => 399 [~ID] => 399 [IBLOCK_ID] => 12 [~IBLOCK_ID] => 12 [IBLOCK_SECTION_ID] => [~IBLOCK_SECTION_ID] => [NAME] => Дальневосточное отделение РАН выдвинуло Г.Я.Красникова на пост президента Российской академии наук [~NAME] => Дальневосточное отделение РАН выдвинуло Г.Я.Красникова на пост президента Российской академии наук [ACTIVE_FROM] => 19.07.2017 [~ACTIVE_FROM] => 19.07.2017 [TIMESTAMP_X] => 19.07.2017 15:59:46 [~TIMESTAMP_X] => 19.07.2017 15:59:46 [DETAIL_PAGE_URL] => /press_center/novosti/399/ [~DETAIL_PAGE_URL] => /press_center/novosti/399/ [LIST_PAGE_URL] => /press_center/novosti/ [~LIST_PAGE_URL] => /press_center/novosti/ [DETAIL_TEXT] =>

Президиум Дальневосточного отделения Российской академии наук (ДВО РАН) выдвинул генерального директора АО «НИИМЭ», академика РАН Геннадия Яковлевича Красникова в качестве кандидата на пост президента Российской академии наук.

В результате тайного голосования Геннадий Красников набрал 16 голосов из 17. Решение отделения будет представлено в президиум РАН вместе с позицией других подразделений Академии наук.

Тремя неделями ранее, 29 июня, академик РАН Г.Я.Красников был выдвинут на пост президента РАН Президиумом ФГБУ «Сибирское отделение Российской академии наук».

Выборы президента РАН назначены на 25 сентября. 


[~DETAIL_TEXT] =>

Президиум Дальневосточного отделения Российской академии наук (ДВО РАН) выдвинул генерального директора АО «НИИМЭ», академика РАН Геннадия Яковлевича Красникова в качестве кандидата на пост президента Российской академии наук.

В результате тайного голосования Геннадий Красников набрал 16 голосов из 17. Решение отделения будет представлено в президиум РАН вместе с позицией других подразделений Академии наук.

Тремя неделями ранее, 29 июня, академик РАН Г.Я.Красников был выдвинут на пост президента РАН Президиумом ФГБУ «Сибирское отделение Российской академии наук».

Выборы президента РАН назначены на 25 сентября. 


[DETAIL_TEXT_TYPE] => html [~DETAIL_TEXT_TYPE] => html [PREVIEW_TEXT] => Президиум Дальневосточного отделения Российской академии наук (ДВО РАН) выдвинул генерального директора АО «НИИМЭ», академика РАН Геннадия Яковлевича Красникова в качестве кандидата на пост президента Российской академии наук. [~PREVIEW_TEXT] => Президиум Дальневосточного отделения Российской академии наук (ДВО РАН) выдвинул генерального директора АО «НИИМЭ», академика РАН Геннадия Яковлевича Красникова в качестве кандидата на пост президента Российской академии наук. [PREVIEW_TEXT_TYPE] => text [~PREVIEW_TEXT_TYPE] => text [PREVIEW_PICTURE] => Array ( [ID] => 487 [TIMESTAMP_X] => 19.07.2017 15:58:50 [MODULE_ID] => iblock [HEIGHT] => 225 [WIDTH] => 404 [FILE_SIZE] => 9605 [CONTENT_TYPE] => image/jpeg [SUBDIR] => iblock/712 [FILE_NAME] => 7120716132aa166a659954387f07d3de.jpg [ORIGINAL_NAME] => 1_35.jpg [DESCRIPTION] => [HANDLER_ID] => [EXTERNAL_ID] => e76d29170670dec9b90b9533c5d786f6 [~src] => [SRC] => /upload/iblock/712/7120716132aa166a659954387f07d3de.jpg [UNSAFE_SRC] => /upload/iblock/712/7120716132aa166a659954387f07d3de.jpg [ALT] => Дальневосточное отделение РАН выдвинуло Г.Я.Красникова на пост президента Российской академии наук [TITLE] => Дальневосточное отделение РАН выдвинуло Г.Я.Красникова на пост президента Российской академии наук ) [~PREVIEW_PICTURE] => 487 [LANG_DIR] => /en/ [~LANG_DIR] => /en/ [SORT] => 500 [~SORT] => 500 [CODE] => dalnevostochnoe-otdelenie-ran-vydvinulo-g-ya-krasnikova-na-post-prezidenta-rossiyskoy-akademii-nauk [~CODE] => dalnevostochnoe-otdelenie-ran-vydvinulo-g-ya-krasnikova-na-post-prezidenta-rossiyskoy-akademii-nauk [EXTERNAL_ID] => 399 [~EXTERNAL_ID] => 399 [IBLOCK_TYPE_ID] => press_center [~IBLOCK_TYPE_ID] => press_center [IBLOCK_CODE] => novosti [~IBLOCK_CODE] => novosti [IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [~IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [LID] => s2 [~LID] => s2 [EDIT_LINK] => [DELETE_LINK] => [DISPLAY_ACTIVE_FROM] => 19.07.2017 [IPROPERTY_VALUES] => Array ( ) [FIELDS] => Array ( ) [DISPLAY_PROPERTIES] => Array ( ) ) ) [ELEMENTS] => Array ( [0] => 407 [1] => 401 [2] => 399 ) [NAV_STRING] => [NAV_CACHED_DATA] => [NAV_RESULT] => CIBlockResult Object ( [arIBlockMultProps] => Array ( ) [arIBlockConvProps] => [arIBlockAllProps] => Array ( ) [arIBlockNumProps] => Array ( ) [arIBlockLongProps] => [nInitialSize] => [table_id] => [strDetailUrl] => [strSectionUrl] => [strListUrl] => [arSectionContext] => [bIBlockSection] => [nameTemplate] => [_LAST_IBLOCK_ID] => 12 [_FILTER_IBLOCK_ID] => Array ( [12] => 1 ) [result] => Resource id #21 [arResult] => Array ( [0] => Array ( [ID] => 407 [IBLOCK_ID] => 12 [IBLOCK_SECTION_ID] => [NAME] => Вышел новый выпуск номер журнала «Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника» [ACTIVE_FROM] => 14.08.2017 [TIMESTAMP_X] => 18.08.2017 16:47:59 [DETAIL_PAGE_URL] => /press_center/novosti/#ELEMENT_ID#/ [LIST_PAGE_URL] => /press_center/novosti/ [DETAIL_TEXT] =>

В издательстве РИЦ «ТЕХНОСФЕРА» вышел очередной номер научно-технического журнала «Электронная техника. Серия 3 Микроэлектроника», который выпускается под редакцией АО «НИИМЭ». Главный редактор журнала – генеральный директор АО «НИИМЭ», академик РАН Г.Я. Красников.

В выпуске №2 (166) опубликованы статьи:

- Особенности перераспределения атомов As в Si при ионной имплантации структур SiO2-Si (Г.В. Баранов, А. Г. Итальянцев, Ш.Г Песков).

- Влияние расположения контактов к карманам в инверторе на возникновение тиристорного эффекта, вызванного воздействием тяжелых заряженных частиц (К.А. Панышев).

- Эффект локального отсутствия силицида кобальта в КМОП-технологии (Р.А. Арилин, С.Н. Котекина, И.А. Коротова, А.Н. Поляков, А.А. Горбатов).

- Исследование и разработка технологии создания микромодулей на гибкой коммутационной плате (Ю. Г. Долговых, А. И. Погалов, Г. А. Блинов).

- К научному приборостроению для нанотехнологии: сканирующая зондовая микроскопия (В.А. Быков, В.В. Поляков, А.С. Калинин, А.В. Шелаев).

- Влияние структуры и термоупругих характеристик компонентов на средние напряжения в анодном оксиде алюминия с нитевидными порами, заполненными поливинилиденфторидом (Г.Я. Красников, В.В. Бардушкин, Д.А. Карташов, Ю.И. Шиляева, В.Б. Яковлев).

- Физико-технологические особенности формирования системы Si-SiO2 с нанотонкими слоями диоксида кремния (Н.А. Зайцев, Г.Я. Красников, Ю.И. Плотников).

- Транспортные свойства органических полупроводников на основе ветвящихся молекул транс-полиацетилена (М.Н. Журавлев, Т.С. Катаева).

Главная цель издания – комплексно освещать современные достижения и проблемы микро- и наноэлектроники во всех сферах научной и производственной деятельности от технологии до экономики. Учитывая сложившийся авторитет журнала, работу в нём высококвалифицированных специалистов, Всероссийская аттестационная комиссия (ВАК) включила журнал «Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника» в число изданий, рекомендованных для публикации статей соискателей учёных степеней кандидата и доктора наук №1969 от 29.05.2017 г. по следующим отраслям:

- физико-математические науки (01.00.00)

- химические науки (02.00.00)

- технические науки (05.00.00)

Ознакомиться с аннотациями статей можно на нашем сайте.


[DETAIL_TEXT_TYPE] => html [PREVIEW_TEXT] => В издательстве РИЦ «ТЕХНОСФЕРА» вышел очередной номер научно-технического журнала «Электронная техника. Серия 3 Микроэлектроника», который выпускается под редакцией АО «НИИМЭ». Главный редактор журнала – генеральный директор АО «НИИМЭ», академик РАН Г.Я. Красников. [PREVIEW_TEXT_TYPE] => text [PREVIEW_PICTURE] => 495 [LANG_DIR] => /en/ [SORT] => 500 [CODE] => vyshel-novyy-vypusk-nomer-zhurnala-elektronnaya-tekhnika-seriya-3-mikroelektronika [EXTERNAL_ID] => 407 [IBLOCK_TYPE_ID] => press_center [IBLOCK_CODE] => novosti [IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [LID] => s2 ) [1] => Array ( [ID] => 401 [IBLOCK_ID] => 12 [IBLOCK_SECTION_ID] => [NAME] => НИИМЭ и "Микрон" посетили студенты Технического Университета Эйндховена [ACTIVE_FROM] => 19.07.2017 [TIMESTAMP_X] => 21.07.2017 17:19:10 [DETAIL_PAGE_URL] => /press_center/novosti/#ELEMENT_ID#/ [LIST_PAGE_URL] => /press_center/novosti/ [DETAIL_TEXT] =>

Развивая связи с зарубежными исследовательскими и образовательными учреждениями АО «НИИМЭ» организовало визит на предприятие студентов Технического Университета Эйндховена (Technische Universiteit Eindhoven, Нидерланды), которые совершают образовательный тур по высокотехнологичным предприятиям и научным организациям России и Южной Кореи. Голландские студенты из университетской ассоциации Thor, объединяющей будущих инженеров в области электротехники и автомобильной промышленности, уже посетили Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (ИТМО), Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Московский государственный университет, Московский энергетический институт и Сколковский институт науки и технологий. 

В сопровождении директора по коммуникациям АО «НИИМЭ» Алексея Дианова и начальника отдела отраслевого сотрудничества  Алексея Федонина гости осмотрели «чистые комнаты» «Микрона» и цех по производству готовой RFID-продукции. Специалисты НИИМЭ рассказали о применяемых технологиях производства полупроводниковых изделий, а также о широком спектре микроэлектронной продукции российской разработки и производства, используемой в государственных и коммерческих проектах: микрочипах для транспортных, банковских и идентификационных приложений, микроконтроллерах и микропроцессорах, чипах памяти, дискретных полупроводниковых приборах, силовых компонентах и микросхемах управления питанием.

Технический университет Эйндховена был основан в 1956 году и стал вторым техническим университетом Нидерландов после Делфтского.  Университет расположен в регионе Брэйнпорт, где находятся  многие всемирно известные технологичные компании: Philips, NXP Semiconductors, ASML, FEI, OCE, DAF и другие.

В университете обучается около 7500 студентов, 600 аспирантов, преподают 250 профессоров и работают еще более 3000 других сотрудников. Обучение в университете организовано по одиннадцати специальностям в бакалавриате и девятнадцати — в магистратуре.

[DETAIL_TEXT_TYPE] => html [PREVIEW_TEXT] => АО «НИИМЭ» организовало визит на предприятие студентов Технического Университета Эйндховена (Technische Universiteit Eindhoven, Нидерланды) [PREVIEW_TEXT_TYPE] => text [PREVIEW_PICTURE] => 492 [LANG_DIR] => /en/ [SORT] => 500 [CODE] => niime-i-mikron-posetili-studenty-tekhnicheskogo-universiteta-eyndkhovena- [EXTERNAL_ID] => 401 [IBLOCK_TYPE_ID] => press_center [IBLOCK_CODE] => novosti [IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [LID] => s2 ) [2] => Array ( [ID] => 399 [IBLOCK_ID] => 12 [IBLOCK_SECTION_ID] => [NAME] => Дальневосточное отделение РАН выдвинуло Г.Я.Красникова на пост президента Российской академии наук [ACTIVE_FROM] => 19.07.2017 [TIMESTAMP_X] => 19.07.2017 15:59:46 [DETAIL_PAGE_URL] => /press_center/novosti/#ELEMENT_ID#/ [LIST_PAGE_URL] => /press_center/novosti/ [DETAIL_TEXT] =>

Президиум Дальневосточного отделения Российской академии наук (ДВО РАН) выдвинул генерального директора АО «НИИМЭ», академика РАН Геннадия Яковлевича Красникова в качестве кандидата на пост президента Российской академии наук.

В результате тайного голосования Геннадий Красников набрал 16 голосов из 17. Решение отделения будет представлено в президиум РАН вместе с позицией других подразделений Академии наук.

Тремя неделями ранее, 29 июня, академик РАН Г.Я.Красников был выдвинут на пост президента РАН Президиумом ФГБУ «Сибирское отделение Российской академии наук».

Выборы президента РАН назначены на 25 сентября. 


[DETAIL_TEXT_TYPE] => html [PREVIEW_TEXT] => Президиум Дальневосточного отделения Российской академии наук (ДВО РАН) выдвинул генерального директора АО «НИИМЭ», академика РАН Геннадия Яковлевича Красникова в качестве кандидата на пост президента Российской академии наук. [PREVIEW_TEXT_TYPE] => text [PREVIEW_PICTURE] => 487 [LANG_DIR] => /en/ [SORT] => 500 [CODE] => dalnevostochnoe-otdelenie-ran-vydvinulo-g-ya-krasnikova-na-post-prezidenta-rossiyskoy-akademii-nauk [EXTERNAL_ID] => 399 [IBLOCK_TYPE_ID] => press_center [IBLOCK_CODE] => novosti [IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [LID] => s2 ) ) [arReplacedAliases] => [arResultAdd] => [bNavStart] => 1 [bShowAll] => [NavNum] => 2 [NavPageCount] => 21 [NavPageNomer] => 1 [NavPageSize] => 3 [NavShowAll] => [NavRecordCount] => 61 [bFirstPrintNav] => 1 [PAGEN] => 1 [SIZEN] => 3 [SESS_SIZEN] => [SESS_ALL] => [SESS_PAGEN] => [add_anchor] => [bPostNavigation] => [bFromArray] => [bFromLimited] => 1 [sSessInitAdd] => [nPageWindow] => 5 [nSelectedCount] => 61 [arGetNextCache] => Array ( [ID] => [IBLOCK_ID] => [IBLOCK_SECTION_ID] => [NAME] => [ACTIVE_FROM] => [TIMESTAMP_X] => [DETAIL_PAGE_URL] => [LIST_PAGE_URL] => [DETAIL_TEXT] => 1 [DETAIL_TEXT_TYPE] => [PREVIEW_TEXT] => 1 [PREVIEW_TEXT_TYPE] => [PREVIEW_PICTURE] => [LANG_DIR] => [SORT] => [CODE] => [EXTERNAL_ID] => [IBLOCK_TYPE_ID] => [IBLOCK_CODE] => [IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [LID] => ) [bDescPageNumbering] => [arUserFields] => [usedUserFields] => [SqlTraceIndex] => [DB] => CDatabase Object ( [version] => [escL] => ` [escR] => ` [alias_length] => 256 [DBName] => niimeru_bitrix [DBHost] => niimeru.mysql [DBLogin] => niimeru_bitrix [DBPassword] => M/WXMf9x [bConnected] => 1 [db_Conn] => Resource id #2 [debug] => [DebugToFile] => [ShowSqlStat] => [db_Error] => [db_ErrorSQL] => [result] => [type] => MYSQL [column_cache] => Array ( [b_captcha] => Array ( [DATE_CREATE] => Array ( [NAME] => DATE_CREATE [TYPE] => datetime ) [IP] => Array ( [NAME] => IP [TYPE] => string ) [CODE] => Array ( [NAME] => CODE [TYPE] => string ) [ID] => Array ( [NAME] => ID [TYPE] => string ) ) ) [bModuleConnection] => [bNodeConnection] => [node_id] => [obSlave] => [cntQuery] => 0 [timeQuery] => 0 [arQueryDebug] => Array ( ) [sqlTracker] => ) [NavRecordCountChangeDisable] => [is_filtered] => [nStartPage] => 1 [nEndPage] => 5 [resultObject] => ) [NAV_PARAM] => Array ( ) )

Новости

Архив

© АО НИИМЭ 2016 -2017