Научный семинар «Элементная база СБИС: транзисторные структуры»

Научный семинар «Элементная база СБИС: транзисторные структуры»

06.02.2019

27 февраля в здании Президиума РАН под председательством академика, члена Президиума РАН, генерального директора АО «НИИМЭ» Г.Я. Красникова состоится научный семинар «Элементная база СБИС: транзисторные структуры».

Семинар организован Научным советом РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания» совместно с Консорциумом «Перспективные материалы и элементная база информационных и вычислительных систем».

С докладами выступят представители организаций-членов Научного совета РАН и Консорциума:

1. к.ф.-м.н. Владимир Владимирович Вьюрков, чл.-корр. РАН Владимир Федорович Лукичев, д.ф.-м.н. Константин Васильевич Руденко (ФТИАН им. К.А. Валиева РАН). Перспективные транзисторы для КМОП УБИС с суб-10 нм критическими размерами. 

2. чл.-корр. РАН Александр Алексеевич Горбацевич (ФИАН), академик РАН Геннадий Яковлевич Красников (АО «НИИМЭ»), Николай Михайлович Шубин (НИУ МИЭТ). Квантовые интерференционные транзисторы со сверхнизким энергопотреблением.

3. д.ф.-м.н. Владимир Алексеевич Кукушкин (ИПФ РАН). Теоретический предел на максимальную рабочую частоту алмазных полевых транзисторов с дельта-допированными проводящими каналами.

4. д.ф.-м.н. Александр Александрович Шашкин (ИФТТ РАН). Сравнение сценариев перехода металл-диэлектрик в МОП-структурах кремния и кремний-германиевых квантовых ямах рекордной подвижности.

5. д.т.н. Константин Орестович Петросянц (НИУ ВШЭ, ИППМ РАН), Дмитрий Александрович Попов (НИУ ВШЭ). Оценка радиационной и температурной стойкости субмикронных МОП КНИ транзисторных структур с различной конфигурацией скрытого оксида.

6. асп. Александр Сергеевич Бенедиктов, д.т.н. Евгений Сергеевич Горнев, Павел Викторович Игнатов, Андрей Александрович Михайлов (АО «НИИМЭ»). Повышение температурной устойчивости КНИ МОП-транзисторов путем изменения режимов легирования полупроводника между стоком и истоком.

7. д.ф.-м.н. Виктор Наумович Мордкович (ИПТМ РАН), д.т.н. Михаил Александрович Королев (НИУ МИЭТ). Многофункциональные беспереходные КНИ планарные транзисторы.

Начало мероприятия в 11:00.

Место проведения: Москва, Ленинский проспект, 32а, корп. Г. 3 этаж, Зеленый зал.

Полученные заявки на доклады находятся на рассмотрении у редакционной группы Научного совета. По результатам рассмотрения будет сформирована и разослана программа семинара.

Для участия в семинаре просьба до 21 февраля сообщить ученым секретарям Тельминову Олегу Александровичу otelminov@niime.ru и Харченко Людмиле Юлиановне kharchenko2009@mail.ru

- полностью: ФИО, членство в РАН/ученую степень, должность, место работы, телефон, эл. почту;

- марку и госномер автомобиля (при необходимости парковки).

Материалы Научного совета представлены по ссылке:  http://www.niime.ru/press-center/nauchnyy-sovet-ran/

 

 

Другие события

06.02.2019
27 февраля в здании Президиума РАН под председательством академика, члена Президиума РАН, генерального директора АО «НИИМЭ» Г.Я. Красникова состоится научный семинар «Элементная база СБИС: транзисторные структуры».

23.01.2019
30 января в АО «НИИМЭ» состоится научный семинар «Коррекция оптической близости в литографии»

12.11.2018
26 ноября 2018 г. в помещении Президиума РАН  состоится научная сессия под руководством  академика, члена Президиума РАН, генерального директора АО «НИИМЭ» Г.Я. Красникова

28.09.2018
Конференция ICMNE пройдет с 1 по 5 октября в подмосковном парк-отеле «Ершово» близ Звенигорода Московской области. Мероприятие включает в себя расширенную сессию «Квантовая информатика» (QI-2018)