Научный семинар «Элементная база СБИС: транзисторные структуры»

Научный семинар «Элементная база СБИС: транзисторные структуры»

06.02.2019

27 февраля в ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН под председательством академика, члена Президиума РАН, генерального директора АО «НИИМЭ» Г.Я. Красникова состоится научный семинар «Элементная база СБИС: транзисторные структуры».

Семинар организован Научным советом РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания» совместно с Консорциумом «Перспективные материалы и элементная база информационных и вычислительных систем».

С докладами выступят представители организаций-членов Научного совета РАН и Консорциума:

1. к.ф.-м.н. Владимир Владимирович Вьюрков, чл.-корр. РАН Владимир Федорович Лукичев, д.ф.-м.н. Константин Васильевич Руденко (ФТИАН им. К.А. Валиева РАН). Перспективные транзисторы для КМОП УБИС с суб-10 нм критическими размерами. 

2. чл.-корр. РАН Александр Алексеевич Горбацевич (ФИАН), академик РАН Геннадий Яковлевич Красников (АО «НИИМЭ»), Николай Михайлович Шубин (НИУ МИЭТ). Квантовые интерференционные транзисторы со сверхнизким энергопотреблением.

3. д.ф.-м.н. Владимир Алексеевич Кукушкин (ИПФ РАН). Теоретический предел на максимальную рабочую частоту алмазных полевых транзисторов с дельта-допированными проводящими каналами.

4. д.ф.-м.н. Александр Александрович Шашкин (ИФТТ РАН). Сравнение сценариев перехода металл-диэлектрик в МОП-структурах кремния и кремний-германиевых квантовых ямах рекордной подвижности.

5. д.т.н. Константин Орестович Петросянц (НИУ ВШЭ, ИППМ РАН), Дмитрий Александрович Попов (НИУ ВШЭ). Оценка радиационной и температурной стойкости субмикронных МОП КНИ транзисторных структур с различной конфигурацией скрытого оксида.

6. к.т.н. Ансар Ризаевич Сафин (ФГБОУ ВО «НИУ «МЭИ»), член-корреспондент РАН Сергей Аполлонович Никитов. Генерация СВЧ и терагерцового излучения спинтронными структурами.

7. д.ф.-м.н. Виктор Наумович Мордкович (ИПТМ РАН), д.т.н. Михаил Александрович Королев (НИУ МИЭТ). Многофункциональные беспереходные КНИ планарные транзисторы.

8. д.ф.-м.н. Елена Дмитриевна Мишина, к.ф.-м.н. Сергей Дмитриевич Лавров, академик РАН Александр Сергеевич Сигов (РТУ МИРЭА). Транзисторы для СБИС на основе двумерных полупроводников.

9. к.т.н. Юрий Афанасьевич Степченков (ИПИ РАН) Самосинхронная схемотехника на базе двухполярного источника питания и новых транзисторных структур.

Начало мероприятия в 11:00.

Место проведения: ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН (Москва, Моховая, 11, корп. 7, 3-й этаж, конференц-зал).

Полученные заявки на доклады находятся на рассмотрении у редакционной группы Научного совета. По результатам рассмотрения будет сформирована и разослана программа семинара.

Для участия в семинаре просьба до 21 февраля сообщить ученым секретарям Тельминову Олегу Александровичу otelminov@niime.ru и Харченко Людмиле Юлиановне kharchenko2009@mail.ru

- полностью: ФИО, членство в РАН/ученую степень, должность, место работы, телефон, эл. почту;

- марку и госномер автомобиля (при необходимости парковки).

Материалы Научного совета представлены по ссылке:  http://www.niime.ru/press-center/nauchnyy-sovet-ran/

 

 

Другие события

01.03.2019
27 марта в РТУ МИРЭА состоится заседание Научного совета и научный семинар «Системы металлизации»




06.02.2019
27 февраля в ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН под председательством академика, члена Президиума РАН, генерального директора АО «НИИМЭ» Г.Я. Красникова состоится научный семинар «Элементная база СБИС: транзисторные структуры».

23.01.2019
30 января в АО «НИИМЭ» состоится научный семинар «Коррекция оптической близости в литографии»

12.11.2018
26 ноября 2018 г. в помещении Президиума РАН  состоится научная сессия под руководством  академика, члена Президиума РАН, генерального директора АО «НИИМЭ» Г.Я. Красникова