Научный семинар "Фундаментальные проблемы энергонезависимой резистивной памяти для нейроморфных систем"

Научный семинар "Фундаментальные проблемы энергонезависимой резистивной памяти для нейроморфных систем"

10.06.2019
19 июня в ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН под председательством академика, члена Президиума РАН, генерального директора АО «НИИМЭ» Г.Я. Красникова состоится научный семинар «Фундаментальные проблемы энергонезависимой резистивной памяти для нейроморфных систем».

Семинар организован Отделением нанотехнологий и информационных технологий РАН (ОНИТ РАН), Научным советом РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания» совместно с Консорциумом «Перспективные материалы и элементная база информационных и вычислительных систем».

С докладами выступят представители ИПТМ РАН, МФТИ, НИУ МИЭТ и других организаций:

11:00    Академик РАН Геннадий Яковлевич Красников — открытие научного семинара
11:05    (1) д.т.н. Алексей Николаевич Белов (НИУ МИЭТ). Установление физико-химических механизмов резистивного переключения в полупроводниковых слоях для создания на их основе искусственных синаптических структур
11:35    (2) к.ф.-м.н. Андрей Михайлович Маркеев (МФТИ). Различные подходы к созданию оксидной резистивной памяти на основе филаментарных и нефиламентарных механизмов резистивного переключения
12:05    (3) к.ф.-м.н. Сергей Викторович Ковешников (ИПТМ РАН). Исследование механизма образования проводящего филамента и процессов переключения в элементах резистивной памяти на основе оксидов металлов
12:35    (4) д.ф.-м.н. Андрей Николаевич Алёшин (ИСВЧПЭ РАН). Исследование влияния физико-химического воздействия на воспроизводимость основных электрических параметров мемристорных структур
13:05    Обеденный перерыв
13:35    (5) д.ф.-м.н. Олег Алексеевич Новодворский (ИПЛИТ РАН – филиал ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН). Лазерный синтез мемристорных структур на основе оксидов переходных металлов V, Nb, Ta в кроссбар-геометрии и реализация основных аппаратных элементов нейроморфных систем нейристора и синаптора на их основе
14:05    (6) д.ф.-м.н. Вячеслав Александрович Тулин (ИПТМ РАН). Исследование и разработка функциональных свойств селенидов металлов в мемристорных структурах для применения в электронике
14:35    (7) к.ф.-м.н. Вячеслав Александрович Демин (НИЦ «Курчатовский институт»), д.ф.-м.н. Александр Викторович Ситников (Воронежский государственный технический университет). Многоуровневый мемристивный элемент на базе наногранулированного магнитного композита со встроенной оксидной прослойкой: механизмы переключения, роль атомарной фазы в изолирующей матрице
15:05    (8) к.ф.-м.н. Мария Александровна Морозова (МФТИ). Физико-технологические основы энергонезависимых элементов памяти с совмещением в одном чипе многофункциональных устройств на принципах сегнетоэлектричества и спинтроники для нейроморфных систем
15:35    (9) д.т.н. Евгений Сергеевич Горнев (АО «НИИМЭ»), Дмитрий Алексеевич Жевненко (МФТИ, АО «НИИМЭ»). Применение методов машинного обучения для создания высоконадежных мемристоров и нейроморфных систем на их основе
15:50    Подведение итогов научного семинара

Для прохода в ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН необходимо иметь паспорт и до 14 июня направить заявку на участие (ФИО полностью, место работы, должность, уч. степень, конт. тел., эл. почту) и проезд автомобиля (марку и гос. номер) ученым секретарям Совета: Тельминову О.А.: otelminov@niime.ru, (495) 229-74-97, (916) 693-08-14, Харченко Л.Ю.: kharchenko2009@mail.ru, (916) 566-34-76.

Другие события

10.06.2019
19 июня в ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН состоится научный семинар «Фундаментальные проблемы энергонезависимой резистивной памяти для нейроморфных систем»

01.03.2019
27 марта в РТУ МИРЭА состоится заседание Научного совета и научный семинар «Системы металлизации»




28.09.2018
Конференция ICMNE пройдет с 1 по 5 октября в подмосковном парк-отеле «Ершово» близ Звенигорода Московской области. Мероприятие включает в себя расширенную сессию «Квантовая информатика» (QI-2018)

14.03.2018

19 марта в Инновационном центре «Сколково» генеральный директор АО «НИИМЭ», доктор технических наук, профессор, академик РАН Г.Я. Красников примет участие в семинаре «Современная Электроника»