За несколько лет с момента своего образования в 1964 году, перехватив инициативу у других предприятий, НИИМЭ стал общепризнанным головным предприятием отрасли по разработке и производству твердотельных микросхем. Коллектив института взял на себя ответственность за развитие и создание производства массовых серий интегральных схем по всем известным на то время технологическим направлениям: микромощные схемы, токовые ключи, микросхемы диодно-транзисторной и транзисторно-транзисторной логики, линейные и МОП схемы. В 1965–1975 годах НИИМЭ ежегодно разрабатывал примерно 50 новых интегральных схем и столько же перепроектировал или улучшал выпускаемых.
В НИИМЭ впервые в отрасли был разработан базовый планарно-эпитаксиальный технологический процесс и начат выпуск логических и линейных микросхем, созданы научные принципы формирования полупроводниковых структур А3В5 и разработана планарная технология арсенид-галлиевых микросхем, внедрены плазмохимические процессы в технологии изготовления интегральных схем, изготовлены первые отечественные цифровые и аналоговые микросхемы массового применения, микропроцессорные БИС ТТЛ с диодами Шоттки. Были разработаны и организован выпуск цифровых ИМС (серия 6500), 256 Кбит и 8-битовый микропроцессорный комплект. ИМС этого типа имеют высокое быстродействие и широко применялись в аппаратуре связи, системах передачи информации и многих других. Свыше 30 предприятий, создающих радиоэлектронную аппаратуру для специальной техники, являлись потребителями таких микросхем. Созданные в НИИМЭ технологические комплексы изготовления сверхскоростных транзисторов и твердотельных приборов микроэлектроники, а также интегральных схем на их основе, были выполнены на уровне мировых достижений, что позволяло обеспечивать высокий авторитет отечественных научных исследований в области физики твердотельных наноструктур.
За время своей деятельности НИИМЭ исполнял важнейшие государственные задания в области создания и освоения в производстве передовой микроэлектронной продукции, нашедшей широкое применение в отечественной вычислительной технике, радиоэлектронных устройствах и системах связи. Разработанные в НИИМЭ микросхемы были основной элементной базой электронных вычислительных машин и вычислительных комплексов, работавших в разных отраслях народного хозяйства . Многие разработки использовались в системах межпланетных космических аппаратов, в бортовом оборудовании космических кораблей и средств выведения на орбиту.
За выдающиеся научные разработки в области проектирования интегральных схем и создания цифровых интегральных схем широкого применения многие сотрудники НИИМЭ были удостоен государственных премий, а за разработку элементной базы для Единой системы электронных вычислительных машин (ЕС ЭВМ) институт в 1984 году был отмечен государственной наградой - орденом Трудового Красного Знамени.
В НИИМЭ были созданы и развиты научные основы промышленной технологии производства сверхбольших интегральных схем (СБИС) с субмикронными размерами, построена и обоснована комплексная многоуровневая система, включающая в себя технологические процессы, оборудование, методы и средства моделирования проектирования, диагностики, контроля и условия производства конкурентоспособных отечественных СБИС, что особенно актуально для сохранения и развития достигнутых в свое время отечественных приоритетов в области микроэлектроники.
Учеными и инженерами АО «НИИМЭ» сформирована научно - производственная база для проектирования СБИС высокой функциональной сложности с топологическими размерами 180–90-65 нм для обеспечения отечественной промышленности современными микроэлектронными компонентами.
С целью расширения технологических возможностей производства разработан ряд базовых технологий изготовления СБИС с технологическим уровнем 180 нм и набор сложных функциональных блоков (IP-блоков) для высокопроизводительных микропроцессоров, схем памяти, программируемой логики, микросхем «систем на кристалле», применяемых в перспективных электронных системах.
Разработаны и запущены в серийное производство первый отечественный микроконтроллер с проектными нормами 180 нм с собственным системным программным обеспечением, выпущены экспериментальные образцы микросхем статического ОЗУ емкостью 16 Мбит по технологии 90 нм.
Созданные в АО «НИИМЭ» технологии и элементная база СБИС с энергонезависимой памятью стали основой для разработки и производства отечественных средств радиочастотной идентификации (RFID-технологии). Кристалл для карт общественного транспорта признан в 2013г. IEEE (международный Институт инженеров по электротехнике и электронике - мировой законодатель стандартов по радиоэлектронике и электротехнике) наиболее экономически эффективным. Разработчиками института выпущена и получила сертификат ФСБ Российской Федерации операционная система для электронных загранпаспортов.
В рамках этого проекта решены сложные инженерные задачи по обеспечению работы микросхемы по радио-интерфейсу, поддержке международных и отечественных криптографических алгоритмов, обеспечению высокого уровня безопасности микросхемы (СКЗИ класса KB1), разработке файловой системы и системы разграничения доступа. Гарантированное высокое качество СБИС в сочетании с высокой экономической эффективностью по сравнению с зарубежными производителями обеспечили победу в международном тендере на поставку чипов для биометрических паспортов. Чип-модуль для универсальной электронной карты (УЭК) с кристаллом собственной разработки, являющийся одновременно идентификационным документом и банковской картой, в качестве платежного документа прошел все этапы сертификации в государственных органах Российской Федерации и в международных лабораториях на соответствие требованиям безопасности и функциональности, в т.ч. и на соответствие требованиям международной платежной системы Master Card.
Научный коллектив АО «НИИМЭ» разработал оригинальное программное обеспечение для банковских и идентификационных смарт-карт, не имеющее аналогов в стране. В 2012 году реализована и сертифицирована виртуальная машина JavaCard для использования в УЭК и разработана оригинальная технология верификации владельца карты по биометрической информации в паспорте. Смарт-карты, разработанные АО «НИИМЭ» с собственным программным обеспечением на равных конкурируют с аналогичными продуктами ведущих мировых производителей, что подтверждается полученными международными сертификатами. В частности, созданная в АО «НИИМЭ» смарт-карта была первой и остается единственной отечественной смарт-картой, одобренной сертификационным органом международных платежных систем EMVCo для использования в качестве банковской карты наряду с продуктами лишь семи других компаний в мире.
В АО «НИИМЭ» впервые в отечественной микроэлектронике разработан промышленный базовый технологический процесс изготовления кремний - германиевых СВЧ интегральных схем по БиКМОП технологии, что позволяет создать собственную электронную компонентную базу для проектирования и производства радиопередающих и принимающих систем нового поколения в устройствах связи и навигации.
В 2016 году генеральный директор НИИМЭ, руководитель межведомственного Совета главных конструкторов России по электронной компонентной базе академик РАН Г.Я. Красников решением Президента Российской Федерации В.В. Путина был назначен руководителем приоритетного технологического направления по электронным технологиям РФ, а НИИ молекулярной электроники постановлением Правительства РФ было определено головным предприятием приоритетного технологического направления. В этом статусе НИИМЭ осуществляет координацию деятельности научных и производственных учреждений микроэлектронной отрасли РФ по разработке и применению отечественной элементной базы в электронных изделиях российского производства.
В 2017 году разработанные в АО «НИИМЭ» интегральные микросхемы прошли сертификацию Министерства промышленности и торговли РФ на соответствие продукции промышленного производства первого уровня. Их применение в заграничных паспортах, универсальных электронных картах, водительских удостоверениях, картах платежной системы «МИР» и др. обеспечивают надежное хранение персональных данных, информационную безопасность граждан и технологическую независимость государства.
АО «НИИМЭ» стало полноправным членом Всемирной Полупроводниковой Ассоциации (The Global Semiconductor Alliance, GSA).
В 2018 году АО «НИИМЭ» за счет применения новых технологических и схемотехнических решений разработало новую конструкцию ячейки энергонезависимой памяти для применения в серийно выпускаемых микросхемах отечественного производства I уровня. На основе новой ячейки был спроектирован блок энергонезависимой памяти EEPROM (Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory) увеличенного объема для применения в крипто-защищенных микропроцессорах комплексных систем с повышенными требованиями к безопасности и защите данных, таких как государственные системы электронной идентификации личности, включая удостоверения личности, водительские удостоверения, биометрические паспорта, виды на жительство или полисы медицинского страхования. Также инженерами НИИМЭ была разработана новая операционная система, которая позволит заменить линейку ранее использовавшихся микроконтроллеров различного назначения универсальным чипом с увеличенным объемом памяти.
Разработанный АО «НИИМЭ» микроконтроллер MIK51AD144D для электронных документов и смарт-карт был отмечен наградой отраслевой премии «Золотой чип-2018» в номинации «Лучшее изделие ЭКБ 2017-2018 г.»
АО «НИИМЭ» заняло лидирующую позицию по объему выручки от осуществления научной деятельности (1,9 млрд. руб.) в рейтинге организаций радиоэлектронной отрасли России, составленном ЦНИИ «Электроника».
В 2019 году Национальная система платежных карт (НСПК) сертифицировала разработанный АО «НИИМЭ» дуальный банковский чип MIKPay.MTD.D6 для совершения бесконтактных платежей в платежной системе «МИР».
Разработка АО «НИИМЭ» – микроконтроллер для банковских карт MIK51BC16D - одержала победу в номинации «Импортозамещение» отраслевой премии «Золотой Чип».
5 ноября 2019 г. на Общем собрании Российской академии наук генеральный директор АО «НИИМЭ», академик Г.Я. Красников был утвержден на должность академика-секретаря Отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН (ОНИТ).
За разработки в области электронной компонентной базы распоряжением председателя Правительства РФ Д. А. Медведева "О присуждении премий Правительства Российской Федерации 2019 года в области науки и техники" четверо сотрудников АО "НИИМЭ" во главе с генеральным директором АО «НИИМЭ», академиком Г.Я. Красниковым были удостоены звания "Лауреат премии Правительства Российской Федерации в области науки и техники" за 2019 год.
21 октября 2019 года заместитель руководителя приоритетного технологического направления «Электронные технологии» РФ д.т.н., профессор, член-корреспондент РАН Е.С. Горнев Указом Президента Российской Федерации был награжден знаком отличия «За наставничество».
В 2020 году НИИМЭ возглавил ТОП-35 организаций радиоэлектронной промышленности России по выручке от научной деятельности, разработки и конструирования продукции или ее составных частей, заняв первое место с показателем 2,9 млрд. руб. выручки. В рейтинге участвовало 69 организаций.
За разработки в области электронной компонентной базы распоряжением председателя Правительства РФ М.В. Мишустина "О присуждении премий Правительства Российской Федерации 2020 года в области науки и техники" четверо сотрудников АО "НИИМЭ" во главе с генеральным директором, академиком РАН Г.Я. Красниковым были удостоены звания "Лауреат премии Правительства Российской Федерации в области науки и техники" за 2020 год.
Специалисты НИИМЭ разработали 64-разрядный микроконтроллер на базе 64-битного ядра NE64RV и прототип универсального 32-разрядного микроконтроллера с RISC-V ядром для серийно выпускаемых устройств. Новые микроконтроллеры эффективно заменят импортные микросхемы в широком спектре встраиваемых систем, в том числе на объектах критической инфраструктуры.
В 2021 году АО «НИИМЭ» признано одним из лучших работодателей России по версии крупнейшего российского HR-портала HeadHunter. Компания вошла в рейтинг ТОП-100 «Лучших работодателей России» среди компаний средней численности, а в разделе рейтинга «Наука и образование» НИИМЭ занял второе место. Всего в рейтинге приняло участие более 900 российских компаний.
НИИМЭ стал лауреатом премии «ТехноХод 2021» с проектом «Вход в профессию» в номинации «ТехноПрофи», в которой были представлены наиболее яркие HR проекты и инициативы резидентов Особой Экономической Зоны «Технополис Москва».
НИИМЭ стал лауреатом первой независимой бизнес-премии Electronica в рамках 23-й международной выставки электронных компонентов, модулей и комплектующих «ExpoElectronica 2021» и занял первое место в номинации «За вклад в развитие технологий производства микро и наноэлектроники» в категории «Микро- и наноэлектроника».
Сотрудники отдела разработки интегральных микросхем и отдела энергонезависимой памяти АО «НИИМЭ» победили в конкурсе на соискание премии Правительства Москвы молодым ученым за 2021 год. Проект «Развитие направления энергонезависимой полупроводниковой памяти в РФ, разработка и внедрение в серийное производство широкой номенклатуры микросхем на ее основе» одержал победу в номинации «Электроника и средства связи».
Министерством труда и социальной защиты Российской Федерации утверждены новые стандарты в области наноиндустрии: «Оператор прецизионной фотолитографии изделий микроэлектроники», «Оператор прецизионного травления изделий микроэлектроники», «Оператор элионных процессов изделий микроэлектроники» - в разработке которых приняло участие АО «НИИМЭ».
Специалисты АО «НИИМЭ» разработали программно-аппаратный комплекс (ПАК) «Звезда» для криптографической защиты информации в устройствах Интернета вещей. Микросхема представляет собой защищенный микроконтроллер для смарт-карт MIK51BC16D с операционной системой Trust 3.30i и интегрированными приложениями «Элемент безопасности конечного устройства (ЭБ)» и «Элемент безопасности криптосервера (ЭБКС)».
НИИМЭ создал единственную в России физико-химическую аналитическую лабораторию мирового уровня для проведения исследований в области контроля качества технологических сред. Лаборатория размещается в чистых производственных помещениях с классами чистоты 5-7 ИСО и оснащена всей необходимой инфраструктурой и современным аналитическим оборудованием: масс-спектрометром с индуктивно связанной плазмой, атомно-абсорбционным спектрометром с графитовым амортизатором, ионными хроматографами, автоматическими титраторами, хроматомасс-спектрометрами, системой очистки кислот, установкой доочистки деионизованной воды и др.
20 сентября 2022 года генеральный директор АО «НИИМЭ» академик РАН Геннадий Яковлевич Красников был избран президентом Российской академии наук.
Целевой поисковой лабораторией исследования нейроморфных систем АО «НИИМЭ» разработана платформа активного экзоскелета руки с нейросетевым мышечным управлением для решения медицинских, индустриальных, спасательных и специальных задач.
В 2022 году АО «НИИМЭ» заняло первое место в первой Народной премии портала «Зеленоград.ру» в номинации «Работодатель года». Учебный центр «НИИМЭ» вошел в рейтинг ТОП-10 номинации «Образовательный проект года».
В 2023 году НИИМЭ разработал отечественную операционную систему для SIM-карт, содержащую криптографические приложения для использования в устройствах Интернета вещей и реализующую технологию Мобильной Усиленной Квалифицированной Электронной Подписи.
НИИМЭ стал лауреатом премии ТехноХод-2023 в номинации «ТехноКоманда», в которой были представлены наиболее яркие корпоративные мероприятия и инициативы резидентов Особой Экономической Зоны «Технополис Москва».
В 2023 году в НИИМЭ были разработаны и внедрены в серийное производство технологии изготовления интерпозеров и 3D-конденсаторов на пластинах кремния, не имеющие аналогов в России.
25 декабря в Министерстве науки и высшего образования Российской Федерации прошла торжественная церемония вручения дипломов лауреатам премий Правительства Российской Федерации 2023 года в области науки и техники. Награды вручал заместитель Министра науки и высшего образования РФ Денис Секиринский. В этом году награду получили 15 коллективов исследователей и еще 5 - в категории «Молодые ученые».
За разработку и производство интегральных микросхем для экстремальных условий эксплуатации на базе отечественных субмикронных технологий три сотрудника АО "НИИМЭ" во главе с генеральным директором АО «НИИМЭ» А.С. Кравцовым были удостоены звания "Лауреат премии Правительства Российской Федерации в области науки и техники" за 2023 год.
За большой вклад в развитие отечественной науки, многолетнюю плодотворную деятельность и в связи с 300-летием со дня основания Российской академии наук заместитель руководителя приоритетного технологического направления АО «НИИМЭ» член-корреспондент РАН Е.С. Горнев удостоен Ордена Почёта.
Сотрудники НИИМЭ — лауреаты премий
Государственная премия Российской Федерации
Красников Г.Я.
Ленинская премия
Валиев К.А.
Ковалёв Р.А.
Государственная премия СССР
Авдеев Е.В.
Баталов Б.В.
Горнев Е.С.
Грибов Б.Г.
Дубов Ю.Н.
Дьяков Ю.Н.
Еремеев М.П.
Журавлёв Ю.Д.
Казеннов Г.Г.
Контарёв В.Я.
Котко А.П.
Крамаренко О.Л.
Любимов Е.С.
Назарьян А.Р. (дважды)
Неклюдов В.А.
Попов В.И.
Плехов В.И.
Сафронов А.Я.
Стороженко Г.И.
Терентьев С.П.
Федоренко Ю.С.
Худяков К.И.
Щавлев Н.И.
Щемелинин В.М.
Щетинин Ю.И.
Премия Правительства Российской Федерации
Волк Ч.П.
Горнев Е.С. (дважды)
Игнатов П.В.
Кравцов А.С. (дважды)
Кравченко Л.Н.
Красников Г.Я. (трижды)
Лавренов А.Ю.
Мытник К.Я.
Озерин Ю.В.
Панасенко П.В.
Панасюк В.Н.
Плотников Ю.И.
Ранчин С.О.
Смирнов А.Н.
Сапельников А.Н.
Селецкий А.В.
Шелепин Н.А. (трижды)
Шелепов В.В.
Шипицын Д.С.
Щербаков Н.А.
Эннс В.И.
Премия Совета Министров СССР
Гончар В.К.
Евдокимов В.Л.
Литвак В.Н.
Просий А.Д.
Сулимин А.Д.
Фатькин А.А.
Хрусталев В.А.
Ячменев В.В.
Премия Ленинского комсомола
Беляков Ю.Н.
Винокуров Н.И.
Гусаков В.М.
Дракин К.А.
Дольников С.С.
Дягилев В.Н.
Лебедев В.В.
Луканов Н.М.
Матюхин Л.М.
Немудров В.Г.
Одиноков А.И.
Перервин В.Н.
Самойлов В.Б.
Самсонов Н.С.
Сидоренко В.С.