Инструмент определения и реализации правил размещения SRAF для технологии 90нм

2019 г.
Шамин Е.С. Харченко Е.Л. Кузовков А.В. Иванов В.В.
В сборнике тезисов 26-ой Всероссийской межвузовской научно-технической конференции студентов и аспирантов Микроэлектроника и информатика-2019 (МИЭТ, Зеленоград, Россия, 18-19 апреля), с. 102

Нестабильность характеристик мемристивного элемента при циклировании как феномен нелинейной динамики

2019 г.
Матюшкин И.В. Орлов О.М.
Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов. ММMЭК-2019. 21–23 октября 2019 г., Москва :Материалы I международной конференции. – Москва : МАКС Пресс 2019. – 168 с.: ил с.30-33

Research of features bipolar resistive switching characteristics in Si3N4 based structur

2019 г.
O. Orlov, V.Gritsenko
NES2019, NEW TRENDS INNONEQUILIBRIUM STOCHASTIC MULTISTABLE SYSTEMS AND MEMRISTORS, c.31-32

Fea-tures of the improving of the HFO2 ReRAM cells characteristics reproducibility

2019 г.
O. Orlov, V.Murashel, A.Lebedev, V.Orlov, S.Ivanov
2019 IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering (EIConRus)c.2087-2089

СВЧ-рефлектометрия n-МОП КНИ-транзисторов

2019 г.
Тимошенков В. П. Хлыбов А. И. Родионов Д. В. Шелепин Н. А. Селецкий А. В.
В сборнике тезисов 5-й Международной научной конференции Электронная компонентная база и микро электронные модули форума Микроэлектроника-2019 Республика Крым, г. Алушта, 30 сентября – 05 октября 2019 г. С. 359-363

Процессоры, память и программное обеспечение для эффективной реализации нейронных сетей

2019 г.
Тельминов О.А. Горнев Е.С. Теплов Г.С.
В сборнике тезисов 5-й Международной научной конференции Электронная компонентная база и микро электронные модули форума Микроэлектроника-2019 Республика Крым, г. Алушта, 30 сентября – 05 октября 2019 г.С. 573-577

Радиационная стойкость современных СБИС с глубоко субмикронными проектными нормами

2019 г.
Ключников А.С. Селецкий А.В. Шелепин Н.А.
В сборнике тезисов 5-й Международной научной конференции Электронная компонентная база и микро электронные модули форума Микроэлектроника-2019 Республика Крым, г. Алушта, 30 сентября – 05 октября 2019 г.С.239-241

Разработка SPICE –модели МДП - варактора

2019 г.
Шипицин Д.С. Потупчик А.Г. Шемякин А.В.
В сборнике тезисов 5-й Международной научной конференции Электронная компонентная база и микро электронные модули форума Микроэлектроника-2019 Республика Крым, г. Алушта, 30 сентября – 05 октября 2019 г. С.295-297

Комплект СБИС для построения бортовых сетей SpaceWire

2019 г.
Эннс В.И., Эннс А.В., Дымов Д.В., Казайкин Д.С., Полищук В.В., Андреев А.С., Леонова А.В.
В сборнике тезисов 5-й Международной научной конференцииЭлектронная компонентная база и микро электронные модули форума Микроэлектроника-2019 Республика Крым, г. Алушта, 30 сентября – 05 октября 2019 г.С.221-225

Использование нейросетевых алгоритмов в задачах вычислительной литографии

2019 г.
Балан Н. Н.Березин А. А.Горнев Е. С.Иванов В.В. Ипатова Е. В.Кузовков А. В.Шканакина М. Д.
В сборнике тезисов 5-й Международной научной конференцииЭлектронная компонентная база и микро электронные модули форума Микроэлектроника-2019 Республика Крым, г. Алушта, 30 сентября – 05 октября 2019 г.С. 546-549

Пленарный доклад.

2019 г.
Шелепин Н.А. Игнатов П.В. Красников Г.Я. Шипицин Д.С.
В сборнике тезисов 5-й Международной научной конференции Электронная компонентная база и микро электронные модули форума Микроэлектроника-2019 Республика Крым, г. Алушта, 30 сентября – 05 октября 2019 г.С.45-47

Исследование процесса миниатюризации антенных элементов для малоразмерных АФАР методом электромагнитного моделирования

2019 г.
Булатов Н. О. Скуратов И.Д. Соболев А.С.
В сборнике тезисов 5-й Международной научной конференции Электронная компонентная база и микро электронные модули форума Микроэлектроника-2019 Республика Крым, г. Алушта, 30 сентября – 05 октября 2019 г.С.263-265

Конструкция и технология изготовления квазимонолитного приемо-передающего модуля на основе Si-интерпозера.

2019 г.
В сборнике тезисов 5-й Международной научной конференции Электронная компонентная база и микро электронные модули форума Микроэлектроника-2019 Республика Крым, г. Алушта, 30 сентября – 05 октября 2019 г.С.325-327

Разработка методов регрессионного тестирования конструкторско-технологических ограничений

2019 г.
Девятков Ю.Г.,Загидуллина О.Р.,Надин А.С., ШипициД. С.
В сборнике тезисов 5-й Международной научной конференции Электронная компонентная база и микро электронные модули форума Микроэлектроника-2019 Республика Крым, г. Алушта, 30 сентября – 05 октября 2019 г..289-293

Исследование и разработка IBIS-моделей для библиотек ячеек ввода-вывода

2019 г.
Ласточкин О.В., Новиков А.А.,Шипицин Д.С
В сборнике тезисов 5-й Международной научной конференции Электронная компонентная база и микро электронные модули форума Микроэлектроника-2019 Республика Крым, г. Алушта, 30 сентября – 05 октября 2019 г.С.312-314

Миниатюрные пьезоэлектрические преобразователи и перспективы их применения в изделиях электроники

2019 г.
Шульга Ю. В., Итальянцев А. Г.
В сборнике тезисов 5-й Международной научной конференции Электронная компонентная база и микро электронные модули форума Микроэлектроника-2019 Республика Крым, г. Алушта, 30 сентября – 05 октября 2019 г. С. 466-468

Эффективность отражения ограниченных субволновых кремниевых дифракционных решеток

2019 г.
Р.Т.Миннуллин, М.Э.Макаров, М.Ю.Барабаненков, А.Г.Итальянцев.
В сборнике тезисов 5-й Международной научной конференции Электронная компонентная база и микро электронные модули форума Микроэлектроника-2019 Республика Крым, г.

Особенности конструкции и технологии трехмерных многофункциональных гибридных сборок в микроэлектронике

2019 г.
Итальянцев А.Г.,Захаров П. С.Каландадзе Д.И.
В сборнике тезисов 5-й Международной научной конференции Электронная компонентная база и микро электронные модули форума Микроэлектроника-2019 Республика Крым, г. Алушта, 30 сентября – 05 октября 2019 г. С.410-

КНИ магниточувствительный двухзатворный МОП транзистор

2019 г.
Нагнойный В. А.,Итальянцев А.Г, Леонов А. В., Мордкович В. Н
В сборнике тезисов 5-й Международной научной конференции Электронная компонентная база и микро электронные модули форума Микроэлектроника-2019 Республика Крым, г. Алушта, 30 сентября – 05 октября 2019 г.С.167-168

Машинное обучение для анализа побочных каналов криптографических микросхем.

2019 г.
Благодатов В.В.,Нуйкин А.В., Кравцов А.С.
В сборнике тезисов 5-й Международной научной конференции Электронная компонентная база и микро электронные модули форума Микроэлектроника-2019 Республика Крым, г. Алушта, 30 сентября – 05 октября 2019 г.. 528

Автоматизация топологического проектирования СБИС Учебное пособие

2019 г.
Ильин С.А., Рыжова Д.И., Щемелинин В.М.
М: МИЭТ, 2019. – 148 с.:ил. ISBN 978-5-7256-0918-9

Оптический компаратор на основе цепочки наночастиц

2019 г.
Сапегин А.А., Барабаненков М.Ю., Итальянцев А.Г., Макаров М.Э.
В сборнике тезисов конференции ХХI Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике С.99

Formation of the new elements for the nonvolatile optical memory based on waveguides with switchable transparencyof PCM materials

2019 г.
Конарев А.А., Варламов Д.А., Barabanenkov M.Yu., Italyantsev A.G
Тезисы доклада Конференция New Trends in Nonequilibrium Stochastic Multistable Systems and Memristors, NES-2019, p.26

Аналитическая модель аспектной зависимости скорости глубокого криогенного травления кремния в плазме SF6/O2

2019 г.
Резванов А.А., Мирошкин Я.В., Жевненко Д., Матюшкин И.В.
В сборнике тезисов 1-й Международной конференции Математическое моделирование в материаловедении электроники

Расчет термодинамических потенциалов орторомбической фазы в оксиде гафния в зависимости от температуры и давления

2019 г.
Итальянцев А.Г., Константинов В.С.
Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника № 3 2019г.c.43-50

Исследование формирования орторомбической фазы в оксиде гафния методом математического моделирования

2019 г.
Итальянцев А.Г., Константинов В.С.
В сборнике тезисов 1 Международной конференции Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов с.62-64

Моделирование искусственного нейрона в среде Cadence

2019 г.
Теплов Г.С.
В сборнике тезисов докладов школы молодых ученых ШМУ-2019 в рамках форума Микроэлектроника-2019 с. 257-258

Миниатюризация приемо-передающих модулей СВЧ диапазона, реализованных методами *3D кремниевой технологии

2019 г.
Пяточкин М.Д., Котляров Е.Ю., Мелекесцев В.С.
В сборнике тезисов докладов школы молодых ученых ШМУ-2019 в рамках форума Микроэлектроника-2019 с. 205-211

Silicon oxide compatible etching process for oxynitride and silicon nitride (тезисы)

2019 г.
Кирюшина И.В .Исляйкин А.М. Озерин Ю.В.
45th International Conference on Micro and Nano Engineering, MNE2019, PB08

Научно-исследовательский институт молекулярной электроники: от выполнения НИОКР к электронным технологиям мирового уровня

2019 г.
Грибов Б.Г., Горнев Е.С., Плотников Ю.И., О.А.Тельминов
Известия вузов. Электроника-2019, Т.24, №3, с. 317-321

Управление процессами СМК компании при корпоративных изменениях.

2019 г.
Панасюк В.Н., Королева А.Н
Избранные научные труды 18-й Международной научно-практической конференции Управление качеством, 14-15 марта 2019г./ ФГБОУ ВО Московский авиационный институт(национальный исследовательский университет).-М.: 2000,2019.-416с., с.239-244

Средства автоматизированного тестирования и верификации PDK

2019 г.
Девятков Ю.Г.Загидуллина О.Р.Надин А.С.Трифанихина И.Е.Шипицин Д.С.

Исследование и разработка метода автоматизированной генерации квалификационных ячеек для контроля конструктивно-технологических

2019 г.
Золотухин Ф.С., Надин, А.С.Трифанихина И.Е.

The process of low-temperature etching of porous low-k dielectrics in C2F4Br2 plasma

2019 г.
Miakonkikh A. Rezvanov A. Vishnevskiy A. Rudenko K.

A Novel Volatile Film for Dielectric Plasma Damage Protection

2019 г.
F. de Marneffe Rezvanov A. Fujikawa M. Yamaguchi T. Nozawa S.Kikuchi Y.Maekawa K.Kawasaki .H.Sato N.

Исследование низкотемпературного травления пористых low-k диэлектриков

2019 г.
Орлов А.А.,Резванов А.А., Мяконьких А.В., Горнев Е.С.
Вiennial conference Insulating Films of Semiconductors

Метод коррекции параллельного АЦП с использованием метода цифрового усреднения

2019 г.
Моленкамп К.М., Эннс А.В.
В сборнике тезисов докладов школы молодых ученых ШМУ-2019 в рамках форума Микроэлектроника-2019 С.43-50

Разработка IP-блока цифрового DLL для полузаказных микросхем серии 5540TH014

2019 г.
Горчакова М.А.
В сборнике тезисов докладов школы молодых ученых ШМУ-2019 в рамках форума Микроэлектроника-2019С.57-61

Сравнительный анализ модуляторов ИК СВЧ сигналов

2019 г.
Макаров М.Э., Барабаненков М.Ю., Итальянцев А.Г
В сборнике тезисов докладов школы молодых ученых ШМУ-2019 в рамках форума Микроэлектроника-2019 С.185-192

Квантово-химические расчеты фазовых переходов в системах с полифазной диаграммой состояния

2019 г.
Итальянцев А.Г., Константинов В.С
В сборнике тезисов докладов школы молодых ученых ШМУ-2019 в рамках форума Микроэлектроника-2019с. 326-331

Место фазосдвигающих фотошаблонов в современной полупроводниковой технологии

2019 г.
Балан Н.Н., Иванов В.В., Кузовков А.В., Шамин Е.С.
Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника № 2(174) 2019г., с.53-62

Технология микроэлектроники

2019 г.
Горнев Е.С.
Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника № 2(174) 2019г., с.41-52

Генерация Rele-based SRAF для двумерных топологических структур с учетом правил MRC: проблемы и решения.

2019 г.
Шамин Е.С., Ипатова Е.В., Кузовков А.В., Иванов В.В., Балан Н.Н.
Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника № 2(174) 2019г., с.35-40

Исследование паарметров транзисторов, изготовленных по технологии КМОП КНИ, рефлектометрическим методом

2019 г.
Тимошенков В.П., Хлыбов А.И., Родионов Д.В., Шелепин Н.А., Селецкий, А.В.
Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника № 2(174) 2019г., с.29-34

Perspective directions of non-volatile memory FeRAM and ReRAM based on thin HfOx layers and their features

2019 г.
O.Orlov, G.Krasnikov
1V International conference on Modern problems in physics of surfaces and nanostructures, Book of abstracts, Yaroslavs, Russia, 26-29 august,2019, c.18

Особенности экстракции SPICE моделей транзисторов для технологии КНИ глубокого субмикронного уровня

2019 г.
Нуштаев А.В., Потупчик А.Г.
В сборнике тезисов докладов школы молодых ученых ШМУ-2019 в рамках форума Микроэлектроника-2019 С. 278-284

Моделирование вычислительной литографии для суб-100 нм технологий: проблемы и решения

2019 г.
Кузовков А.В.,Балан Н.Н., Иванов В.В.
В сборнике тезисов докладов школы молодых ученых ШМУ-2019 в рамках форума Микроэлектроника-2019 с. 129-134

Структурные особенности Систем – на – Кристалле применяемых в изделиях по технологии IoT. Использование IP-блоков нейровычислений

2019 г.
Елин А.Ю., Шокарев Б.А.
В сборнике тезисов докладов школы молодых ученых ШМУ-2019 в рамках форума Микроэлектроника-2019 С.259-264

Разработка методики оценки стабильности ОРС – решения

2019 г.
Ипатова Е.В., Иванов В.В., Шамин Е.С.
В сборнике тезисов докладов школы молодых ученых ШМУ-2019 в рамках форума Микроэлектроника-2019г. С.154-158

Алгоритм расчета окон процесса фотолитографии на основе модели резиста с постоянным порогом

2019 г.
Мамин Е.С., Харченко Е.Л.
В сборнике тезисов докладов школы молодых ученых ШМУ-2019 в рамках форума Микроэлектроника-2019 с. 159-163

Универсальный модуль управления СВЧ ППМ

2019 г.
Макаров А.Ю., Тишин А.С.
В сборнике тезисов докладов школы молодых ученых ШМУ-2019 в рамках форума Микроэлектроника-2019 С.212-214

Моделирование мелкозалегающих легированных слоев р-типа

2019 г.
Ганыкина Е.А., Горнев Е.С., Ключников А.С.
В сборнике тезисов докладов школы молодых ученых ШМУ-2019 в рамках форума Микроэлектроника-2019 С.293-296

Разработка и исследование формирователей питания для выходных усилителей мощности

2019 г.
Ромодин М.С., Тишин А.С
В сборнике тезисов докладов школы молодых ученых ШМУ-2019 в рамках форума Микроэлектроника-2019 С.201-205

Исследование LDE эффектов и методов аттестации файлов DRC для субмикронных технологий 90-28нм

2019 г.
Загидуллина О.Р., Надин А.С.
В сборнике тезисов докладов школы молодых ученых ШМУ-2019 в рамках форума Микроэлектроника-2019 с. 309-315

Разработка эквивалентной схемы, методологии экстракции SPICE-параметров МДП-варактора

2019 г.
Шипицин Д.С. Потупчик А.Г.Шемякин А.В.
В сборнике тезисов ХVIII Российская конференция Электроника, микро- и наноэлектроника г.Суздаль с 24 по 27 июня 2019г. с.23-24

Spatial reflected and transmitted field pattern at resonant scattering of an electromagnetic plane wave on ID diffraction gratings and photonic crystals

2019 г.
R.Minnullin, M. Barabanenkov, A.Italyantsev
В сборнике тезисов конференции Photonics North 2019 в IEEE Xplore Digital Librari doi: 10.1109/ PN.2019.8819543/ International conference on Nano-photonics and Nano-optoelectronics 2019.

ЭФФЕКТИВНЫЙ ИНТЕРФЕРЕНЦИОННЫЙ МЕХАНИЗМ УПРАВЛЕНИЯ ПРОВОДИМОСТЬЮ ЭЛЕМЕНТОВ МОЛЕКУЛЯРНОЙ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ

2019 г.
Горбацевич А.А., Красников Г.Я., Шубин Н.М.
Российские нанотехнологии. 2019. Т. 14. № 9-10. С. 101-107.
Версии:*EFFECTIVE INTERFERENCE MECHANISM FOR CONDUCTIVITY CONTROL IN MOLECULAR ELECTRONICS
Gorbatsevich A.A., Shubin N.M., Krasnikov G.Y.
Nanotechnologies in Russia. 2019. Т. 14. № 9-10. С. 504-510.

ЭФФЕКТ ПОРООБРАЗОВАНИЯ ПРИ ТЕРМИЧЕСКОМ РОСТЕ СИЛИЦИДОВ МЕТАЛЛОВ НА ПОВЕРХНОСТИ ОБЪЕМНЫХ НАНОРАЗМЕРНЫХ SI-СТРУКТУР

2019 г.
Четвериков В.А., Баранов Г.В., Итальянцев А.Г., Ключников А.С.
Наноиндустрия. 2019. № S (89). С. 231.

ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМАЯ ПАМЯТЬ НА ОСНОВЕ ФАЗОВОГО ПЕРЕХОДА С ОПТИЧЕСКИМ УПРАВЛЕНИЕМ: ТЕКУЩЕЕ СОСТОЯНИЕ И ПЕРСПЕКТИВЫ

2019 г.
Сапегин А.А., Барабаненков М.Ю., Макаров М.Э., Итальянцев А.Г.
В книге: Международный форум Микроэлектроника-2019 Школа молодых ученых. Сбоник тезисов. 2019. С. 243-248.

ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИЙ СИНТЕЗ КОНЦЕНТРАТА ТЕТРАМЕТИЛАММОНИЯ ГИДРОКСИДА

2019 г.
Конарев А.А., Ранчин С.О., Варламов Д.А.
Наноиндустрия. 2019. № S (89). С. 234-236.

ЭЛЕКТРИЧЕСКИ ОДНОКРАТНО ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМАЯ ПАМЯТЬ НА ОСНОВЕ СТАНДАРТНОЙ КМОП-ТЕХНОЛОГИИ

2019 г.
Ермаков И.В., Лосевский А.Ю., Нуйкин А.В.
В книге: Международный форум Микроэлектроника-2019 5-я Международная научная конференция Электронная компонентная база и микроэлектронные модули. В сборнике тезисов. 2019. С. 205-208.

ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ СТАБИЛИЗАЦИИ ПАРАМЕТРОВ VSET И ROFF ДЛЯ ЯЧЕЕК ПАМЯТИ RERAM НА ОСНОВЕ ОКСИДА ГАФНИЯ

2019 г.
Лебедев А.О., Иванов С.В., Орлов О.М.
Наноиндустрия. 2019. № S (89). С. 248-249.

ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЙ ПАРАМЕТРИЧЕСКИЙ ПОДХОД К СИНТЕЗУ ЭЛЕКТРОННЫХ СИСТЕМ

2019 г.
Колдаев И.М.
В книге: Международный форум Микроэлектроника-2019 5-я Международная научная конференция Электронная компонентная база и микроэлектронные модули. В сборнике тезисов. 2019. С. 274-278.

ФОРМИРОВАНИЕ КРИСТАЛЛОВ ГИДРАТОВ ФОСФОНИЕВЫХ СОЕДИНЕНИЙ ПРИ АНИЗОТРОПНОМ ТРАВЛЕНИИ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ В ГАЛОГЕНСОДЕРЖАЩЕЙ ПЛАЗМЕ

2019 г.
Янович С.И.
Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. 2019. № 3 (175). С. 38-42.

ФОРМА ОСВЕТИТЕЛЯ КАК КЛЮЧЕВОЙ ФАКТОР ПРИ РАЗРАБОТКЕ МЕТОДИК ДИФРАКЦИОННОЙ КОРРЕКЦИИ ИЗОБРАЖЕНИЯ В ПРОЕКЦИОННОЙ ФОТОЛИТОГРАФИИ ДЛЯ ТЕХНОЛОГИЙ УРОВНЯ 65 НМ И МЕНЕЕ

2019 г.
Балан Н.Н., Иванов В.В., Кузовков А.В.
В книге: . Тезисы докладов XVI международной конференции по голографии и прикладным оптическим технологиям. 2019. С. 233-241.

ФИЗИЧЕСКИЙ ДАТЧИК СЛУЧАЙНЫХ ЧИСЕЛ

2019 г.
Кравцов А.С., Нуйкин А.В., Тимошин С.А.
Топология интегральной микросхемы RU 2019630206, 08.11.2019. Заявка № 2019630209 от 23.10.2019.

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ

2019 г.
Горнев Е.С., Плотникова Н.И., Плотников Ю.И.
Москва, 2019.

УЛЬТРАСЛЕДОВОЙ АНАЛИЗ СВЕРХЧИСТОЙ ДЕИОНИЗОВАННОЙ ВОДЫ НА УРОВНЯХ 5 НГ/Л (PPT) И НИЖЕ

2019 г.
Кузьмина Е.А., Кимрова А.П., Глинский А.С.
В сборнике: Метрология физико-химических измерений. Материалы III Международной научно-технической конференции. 2019. С. 152-158.

ТРУДЫ НАУЧНОГО СОВЕТА РАН

2019 г.
2019. Том 3 (1)

ТОПОЛОГИЯ БАЗОВОЙ МАКРО ЯЧЕЙКИ ПАМЯТИ ОЗУ, ПРЕДНАЗНАЧЕННОЙ ДЛЯ ВЫПОЛНЕНИЯ ФУНКЦИЙ ЭЛЕКТРОННОЙ СХЕМЫ В СОСТАВЕ ИНТЕГРАЛЬНОЙ МИКРОСХЕМЫ, РАЗРАБОТАННАЯ ПО ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ТЕХНОЛОГИИ КНИ 90 НМ НА ОСНОВЕ СХЕМОТЕХНИКИ DICE, В БАЗИСЕ ТРАНЗИСТОРОВ A-ТИПА И H1-Т

2019 г.
Ласточкин О.В., Шипицин Д.С.
Топология интегральной микросхемы RU 2019630122, 25.06.2019. Заявка № 2019630116 от 13.06.2019.

ТОПОЛОГИЧЕСКОЕ ПРОЕКТИРОВАНИЕ КРЕМНИЕВОГО ИНТЕРПОЗЕРА В САПР CADENCE

2019 г.
Тишин А.С., Россов А.С.
В книге: Международный форум Микроэлектроника-2019 5-я Международная научная конференция Электронная компонентная база и микроэлектронные модули. В сборнике тезисов. 2019. С. 364-365.

СУБВОЛНОВОЙ ИНТЕРФЕРОМЕТР ФАБРИ-ПЕРО НА ОСНОВЕ ЦЕПОЧКИ НАНОЧАСТИЦ

2019 г.
Сапегин А.А., Итальянцев А.Г., Барабаненков М.Ю.
В книге: Международный форум Микроэлектроника-2019 5-я Международная научная конференция Электронная компонентная база и микроэлектронные модули. В сборнике тезисов. 2019. С. 458-461.

СПОСОБ КОЛИЧЕСТВЕННОГО ОПРЕДЕЛЕНИЯ ХЛОРИДОВ КОНЦЕНТРАТЕ ТЕТРАМЕТИЛАММОНИЯ ГИДРОКСИДА

2019 г.
Красников Г.Я., Ранчин С.О., Варламов Д.А., Конарев А.А.
Патент на изобретение RU 2707580 C1, 28.11.2019. Заявка № 2018122686 от 10.08.2018.

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ, ВЫСТУПАЮЩЕЙ ИЗ МОНОЛИТНОГО КРЕМНИЕВОГО ТЕЛА

2019 г.
Красников Г.Я., Тадевосян С.Г.
Патент на изобретение RU 2698574 C1, 28.08.2019. Заявка № 2018141918 от 28.11.2018.

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЕРТИКАЛЬНОГО НИЗКОВОЛЬТНОГО ОГРАНИЧИТЕЛЯ НАПРЯЖЕНИЯ

2019 г.
Красников Г.Я., Стаценко В.Н., Щербаков Н.А., Падерин А.Ю., Шварц К.Г.М., Соколов Е.М., Деменьтьев В.Б., Люблин В.В., Гальцев В.П., Фролова О.В., Черемисинов М.Ю.
Патент на изобретение RU 2698741 C1, 29.08.2019. Заявка № 2019102594 от 30.01.2019.

СПЕЦИАЛИЗИРОВАННОЕ ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ ДЛЯ АВТОМАТИЗИРОВАННОГО ТЕСТИРОВАНИЯ И ВЕРИФИКАЦИИ PDK

2019 г.
Загидуллина О.Р., Надин А.С., Трифанихина И.Е., Шипицин Д.С.
Труды научно-исследовательского института системных исследований Российской академии наук. 2019. Т. 9. № 4. С. 80-84.

СВЕРХБЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЙ ДВУХКАНАЛЬНЫЙ СТРОБИРУЕМЫЙ КОМПАРАТОР НАПРЯЖЕНИЯ С Р-ЭСЛ ВЫХОДАМИ

2019 г.
Дик П.А., Кучерский В.Р., Калинина Т.М., Ванюшкин А.В.
Топология интегральной микросхемы RU 2019630256, 25.12.2019. Заявка № 2019630254 от 12.12.2019.

РОЛЬ И ПРОБЛЕМЫ СТАНДАРТИЗАЦИИ В УПРАВЛЕНИИ РИСКАМИ ПРИ ВЗАИМОДЕЙСТВИИ РАЗРАБОТЧИКОВ И ИЗГОТОВИТЕЛЕЙ ЭКБ

2019 г.
Панасюк В.Н., Лукошко Г.К., Королева А.Н.
В сборнике: Российская научно-техническая конференция с международным участием. Информатика и технологии. Инновационные технологии в промышленности и информатике. В сборнике докладов конференции. 2019. С. 440-445.

РЕШЕНИЕ ОСНОВНЫХ ПРОБЛЕМ ЭВРИСТИЧЕСКИХ АЛГОРИТМОВ I- РАССТАНОВКИ КРИСТАЛЛОВ ПОЛЕ ФОТОШАБЛОНА ДЛЯ ПРАКТИЧЕСКОГО ИСПОЛЬЗОВАНИЯ

2019 г.
Еерезин А.А., Шканакина М.Д., Иванов В.В., Кузовков А.В.
В книге: Международный форум Микроэлектроника-2019 Школа молодых ученых. Сбоник тезисов. 2019. С. 145-149.

РАСЧЕТ ФОРМ ОСВЕТИТЕЛЯ ДЛЯ ЛИТОГРАФИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ ТЕХНОЛОГИИ УРОВНЯ 65 НМ

2019 г.
Балан Н.Н., Иванов В.В., Кузовков А.В., Харченко Е.Л.
В сборнике: IX Международная конференция по фотонике и информационной оптике. В сборнике научных трудов. 2019. С. 237-238.

РАСЧЕТ ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИХ ПОТЕНЦИАЛОВ ОРТОРОМБИЧЕСКОЙ ФАЗЫ В ОКСИДЕ ГАФНИЯ В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ И ДАВЛЕНИЯ

2019 г.
Итальянцев А.Г., Константинов В.С.
Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. 2019. № 3 (175). С. 43-50.

РАЗРАБОТКА СТРАТЕГИИ УПРАВЛЕНИЯ ПЕРСОНАЛОМ ПРЕДПРИЯТИЯ

2019 г.
Лизавенко М.В.
Science Time. 2019. № 12 (72). С. 48-51.

РАЗРАБОТКА СРЕДСТВА РАССТАНОВКИ ВСПОМОГАТЕЛЬНЫХ НЕПЕЧАТАЕМЫХ СТРУКТУР ДЛЯ ТЕХНОЛОГИИ 90 НМ

2019 г.
Горнев Е.С., Шамин Е.С.
В сборнике: Труды научного совета РАН. 2019. С. 140-145.

РАЗРАБОТКА ПРОТОТИПА ПРОГРАММНОГО МОДУЛЯ АВТОМАТИЗИРОВАННОЙ ГЕНЕРАЦИИ КВАЛИФИКАЦИОННЫХ ЯЧЕЕК КОНТРОЛЯ ПРАВИЛ ПРОЕКТИРОВАНИЯЧ ИС

2019 г.
Золотухин Ф.С., Надин А.С., Трифанихина И.Е.
В книге: Международный форум Микроэлектроника-2019 Школа молодых ученых. Сбоник тезисов. 2019. С. 316-321.

РАЗРАБОТКА МЕТОДА РЕГРЕССИВНОГО ТЕСТИРОВАНИЯ КОНСТРУКТОРСКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ОГРАНИЧЕНИЙ

2019 г.
Девятков Ю.Г., Загидуллина О.Р., Надин А.С., Шипицин Д.С.
В книге: Международный форум Микроэлектроника-2019 5-я Международная научная конференция Электронная компонентная база и микроэлектронные модули. В сборнике тезисов. 2019. С. 289-293.

РАЗРАБОТКА И ПРИМЕНЕНИЕ ЭКСПРЕСС-МЕТОДА ДЛЯ УВЕЛИЧЕНИЯ ОКНА ЛИТОГРАФИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА

2019 г.
Харченко Е.Л., Шамин Е.С., Кузовков А.В., Иванов В.В.
В книге: Международный форум Микроэлектроника-2019 Школа молодых ученых. Сбоник тезисов. 2019. С. 134-139.

РАЗРАБОТКА И ИССЛЕДОВАНИЕ СВЕТОДИОДНОГО ДРАЙВЕРА

2019 г.
Климов О.Д., Игнатьев И.В., Ермаков И.В.
В книге: Международный форум Микроэлектроника-2019 Школа молодых ученых. Сбоник тезисов. 2019. С. 51-57.

РАЗРАБОТКА БАЗОВОГО ТЕХПРОЦЕССА АТОМНО-СЛОЕВОГО ОСАЖДЕНИЯ ПЛЁНОК И ИХ ИССЛЕДОВАНИЕ

2019 г.
Зюзин С.С., Горнев Е.С., Патюков С.И., Гвоздев В.А., Панин В.В.
В книге: Международный форум Микроэлектроника-2019 Школа молодых ученых. Сбоник тезисов. 2019. С. 102-106.

РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ ОТКАЗОУСТОЙЧИВАЯ СБИС КОНТРОЛЛЕРА ИНФОРМАЦИОННО-УПРАВЛЯЮЩЕГО ИНТЕРФЕЙСА СО ВСТРОЕННЫМИ АППАРАТНЫМИ СФ-БЛОКАМИ ДЕКОДЕРА ПАКЕТНЫХ ТЕЛЕКОМАНД, ФОРМИРОВАТЕЛЯ ПАКЕТНОЙ ТЕЛЕМЕТРИИ И ПОМЕХОУСТОЙЧИВОГО КОДИРОВАНИЯ

2019 г.
Эннс А.В.
Топология интегральной микросхемы RU 2019630125, 04.07.2019. Заявка № 2019630121 от 20.06.2019.

ПРОЦЕССЫ КРИОГЕННО ТРАВЛЕНИЯ КРЕМНИЯ ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ СТРУКТУР НАНОЭЛЕКТРОНИКИ, МИКРОМЕХАНИКИ И ПРЕЛОМЛЯЮЩНЙ РЕНТГЕНОВСКОЙ ОПТИКИ

2019 г.
Мяконьких А.В., Руденко К.В., Куваев К.Ю., Лукичев В.Ф., Гущин О.П., Мицин Н.Г., Юнкин В.А., Снегирёа А.А.
В книге: Международный форум Микроэлектроника-2019 5-я Международная научная конференция Электронная компонентная база и микроэлектронные модули. В сборнике тезисов. 2019. С. 200-203.

ПРОМЫШЛЕННАЯ ТЕХНОЛОГИЯ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ

2019 г.
Горнев Е.С.
Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. 2019. № 2 (174). С. 42-53.

ПРОГРАММА ФОРМИРОВАНИЯ ТОПОЛОГИЧЕСКОГО СЛОЯ ПРОГРАММИРОВАНИЯ И ТЕСТОВ ФУНКЦИОНАЛЬНОГО КОНТРОЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ МАСОЧНЫХ ПОСТОЯННЫХ ЗУ СЕРИИ 1662: РЕ1Т, РЕ2Т, РЕ3У, РЕ4У, РЕ5Т, РЕ6У, РЕ7У

2019 г.
Алферов В.А., Иванов С.А., Игнатьев С.М.
Свидетельство о регистрации программы для ЭВМ RU 2019611669, 31.01.2019. Заявка № 2019610405 от 17.01.2019.

ПРОБЛЕМЫ ПОСТРОЕНИЯ И ОБЕСПЕЧЕНИЯ ЭФФЕКТИВНОСТИ НОВОЙ СЕТИ БИЗНЕС-ПРОЦЕССОВ ПРИ РЕСТРУКТУРИЗАЦИИ КОМПАНИЙ

2019 г.
Панасюк В.Н., Королева А.Н.
В сборнике: Опыт и проблемы реформирования системы менеджмента на современном предприятии: тактика и стратегия. В сборнике статей XVIII Международной научно-практической конференции. 2019. С. 36-42.

ПРОБЛЕМЫ И ЗАДАЧИ РАЗВИТИЯ СИСТЕМЫ МЕНЕДЖМЕНТА КАЧЕСТВА ПРОЦЕССОВ ПРОЕКТИРОВАНИЯ СБИС

2019 г.
Панасюк В.Н., Шипицин Д.С., Панкратов А.Л., Королева А.Н.
Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. 2019. № 3 (175). С. 61-66.

ПРИНЦИПЫ ПОСТРОЕНИЯ ФОТОННЫХ АЦП И ПЕРСПЕКТИВЫ ИХ РЕАЛИЗАЦИИ В ИНТЕГРАЛЬНОМ ИСПОЛНЕНИИ

2019 г.
Сапегин А.А., Барабаненков М.Ю., Итальянцев А.Г., Макаров М.Э.
Наноиндустрия. 2019. № S (89). С. 299-300.

ПРИНЦИПЫ ПОСТРОЕНИЯ ФОТОННЫХ АЦП И ПЕРСПЕКТИВЫ ИХ РЕАЛИЗАЦИИ В ИНТЕГРАЛЬНОМ ИСПОЛНЕНИИ

2019 г.
Сапегин А.А., Барабаненков М.Ю., Итальянцев А.Г., Макаров М.Э.
В книге: Международный форум Микроэлектроника-2019 5-я Международная научная конференция Электронная компонентная база и микроэлектронные модули. В сборнике тезисов. 2019. С. 299-300.

ПОЛУЧЕНИЕ КОНЦЕНТРАТА ТЕТРАМЕТИЛАММОНИЯ ГИДРОКСИДА МЕМБРАННЫМ ЭЛЕКТРОЛИЗОМ РАСТВОРА ХЛОРИДА ТЕТРАМЕТИЛАММОНИЯ

2019 г.
Конарев А.А., Варламов Д.А., Грибов Б.Г.
Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. 2019. № 3 (175). С. 25-37.

ПОДГОТОВКА УПРАВЛЯЮЩЕЙ ИНФОРМАЦИИ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОШАБЛОНОВ: ПЕРСПЕКТИВНЫЕ МЕТОДЫ И АВТОМАТИЗАЦИЯ

2019 г.
Иванов В.В., Тельминов О.А.
В сборнике: Труды научного совета РАН. 2019. С. 23-39.

ПЛАНАРНЫЙ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИЙ МАГНИТОГИДРОДИНАМИЧЕСКИЙ АКСЕЛЕРОМЕТР

2019 г.
Дудкин П.В., Жевненко Д.А., Горнев Е.С., Криштоп Т.В., Криштоп В.Г.
В книге: Международный форум Микроэлектроника-2019 5-я Международная научная конференция Электронная компонентная база и микроэлектронные модули. В сборнике тезисов. 2019. С. 396-399.

ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ УНИВЕРСАЛЬНОЙ ЗАЩИЩЕННОЙ ПРОГРАММНО-АППАРАТНОЙ ПЛАТФОРМЫ СО СВЕРХНИЗКИМ ПОТРЕБЛЕНИЕМ ДЛЯ УСТРОЙСТВ ИНТЕРНЕТА ВЕЩЕЙ

2019 г.
Нуйкин А.В., Кравцов А.С., Мытник К.Я.
Наноиндустрия. 2019. № S (89). С. 328-329.

ОЦЕНКА СТОЙКОСТИ СОВРЕМЕННЫХ МИКРОСХЕМ К ИНЖЕНЕРНЫМ АТАКАМ

2019 г.
Благодатов В.В., Кравцов А.С., Рудницкии А.С., Нуикин А.В.
Наноиндустрия. 2019. № S (89). С. 330.

ОСОБЕННОСТИ ТЕХНОЛОГИИ, КОМПОНЕНТОВ И БИБЛИОТЕК УРОВНЯ 28 НМ

2019 г.
Игнатов П.В., Красников Г.Я., Шелепин Н.А., Шипицин Д.С.
В книге: Международный форум Микроэлектроника-2019 5-я Международная научная конференция Электронная компонентная база и микроэлектронные модули. В сборнике тезисов. 2019. С. 45-47.

ОСОБЕННОСТИ ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ КОММУТАЦИОННЫХ ПЛАТ ДЛЯ СВЧ-МОДУЛЕЙ

2019 г.
Волосов А.В., Клычников М.И., Красников Г.Я., Нефедьев С.В., Нефедьев П.В., Щербаков Н.А., Пяточкин М.Д.
Наноиндустрия. 2019. № S (89). С. 415-416.

ОСНОВНЫЕ ПОДХОДЫ К МОДЕЛИРОВАНИЮ ФОРМИРОВАНИЯ ФОТОРЕЗИСТИВНОЙ МАСКИ ВЫЧИСЛИТЕЛЬНОЙ ЛИТОГРАФИИ

2019 г.
Балан Н.Н., Иванов В.В., Кузовков А.В., Шамин Е.С.
В сборнике: Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов. материалы I международной конференции. 2019. С. 89-90.

ОПТИМИЗАЦИЯ РЕЖИМОВ ФОРМИРОВАНИЯ ОРТОРОМБИЧЕСКОЙ ФАЗЫ HFO2

2019 г.
Итальянцев А.Г., Константинов В.С.
В книге: Международный форум Микроэлектроника-2019 5-я Международная научная конференция Электронная компонентная база и микроэлектронные модули. В сборнике тезисов. 2019. С. 155-157.

ОПТИМИЗАЦИЯ РАЗМЕЩЕНИЯ SRAF ДЛЯ УВЕЛИЧЕНИЯ РАЗРЕШАЮЩЕЙ СПОСОБНОСТИ ФОТОЛИТОГРАФИИ

2019 г.
Харченко Е.Л., Кузовков А.В., Иванов В.В.
Наноиндустрия. 2019. № S (89). С. 216-218.

ОПТИМИЗАЦИЯ ПАРАМЕТРОВ ПЛАНАРНЫХ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ

2019 г.
Жевненко Д.А., Горнев Е.С., Криштоп, Т.В., Криштоп В.Г.
В книге: Международный форум Микроэлектроника-2019 5-я Международная научная конференция Электронная компонентная база и микроэлектронные модули. В сборнике тезисов. 2019. С. 407-410.

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ОПТИМАЛЬНЫХ ПАРАМЕТРОВ ЛИТОГРАФИЧЕСКОГО СТЕКА И ОСВЕТИТЕЛЯ ПРИ РАЗРАБОТКЕ ОРС РЕШЕНИЙ ДЛЯ СЛОЕВ МЕТАЛЛИЗАЦИИ В ПЕРСПЕКТИВНОМ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОМ ПРОЦЕССЕ 28 НМ

2019 г.
Балан Н.Н., Кузовков А.В., Иванов В.В.
В книге: Международный форум Микроэлектроника-2019 Школа молодых ученых. Сбоник тезисов. 2019. С. 116-122.

ОПЕРАЦИОННАЯ СИСТЕМА TRUST 3.10В С ИНТЕГРИРОВАННЫМ ПЛАТЕЖНЫМ ПРИЛОЖЕНИЕМ МИР ДЛЯ ПЛАТЕЖНЫХ СМАРТ-КАРТ

2019 г.
Мытник К.Я., Белоус Д.Ю., Самойлов А.А., Сергеев В.Л., Степанов А.Ю.
Свидетельство о регистрации программы для ЭВМ RU 2019611930, 07.02.2019. Заявка № 2019610642 от 24.01.2019.

ОБЗОР ОБЛАСТЕЙ ПРИМЕНЕНИЯ TSV ТЕХНОЛОГИИ

2019 г.
Четвериков В.А., Баранов Г.В., Панасенко П.В., Горнев Е.С.
В книге: Международный форум Микроэлектроника-2019 Школа молодых ученых. Сбоник тезисов. 2019. С. 84-86.

НЕЙРОННАЯ СЕТЬ ДЛЯ SCA BLINDED KEY RSA РЕАЛИЗАЦИИ

2019 г.
Благодатов В.В., Кравцов А.С., Нуйкин А.В.
Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. 2019. № 3 (175). С. 21-24.

МОДЕЛЬ ПРОЦЕССА САМОСБОРКИ В ЛИТОГРАФИЧЕСКОМ МЕТОДЕ DSA С ПРИМЕНЕНИЕМ КЛЕТОЧНЫХ АВТОМАТОВ

2019 г.
Литаврин М.В., Матюшкин И.В., Горнев Е.С.
В книге: Международный форум Микроэлектроника-2019 Школа молодых ученых. Сбоник тезисов. 2019. С. 139-144.

МОДЕЛЬ НА ЯЗЫКЕ VERILOG-AA МНОГОУРОВНЕВОГО БИПОЛЯРНОГО МЕМРИСТОРА С УЧЕТОМ ДЕВИАЦИЙ ПАРАМЕТРОВ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ

2019 г.
Теплов Г.С., Горнев Е.С., Тельминов О.А.
В книге: Международный форум Микроэлектроника-2019 5-я Международная научная конференция Электронная компонентная база и микроэлектронные модули. В сборнике тезисов. 2019. С. 577-581.

МОДЕЛЬ НА ЯЗЫКЕ VERILOG-A МНОГОУРОВНЕВОГО БИПОЛЯРНОГО МЕМРИСТОРА С УЧЕТОМ ДЕВИАЦИЙ ПАРАМЕТРОВ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ

2019 г.
Теплов Г.С., Горнев Е.С.
Микроэлектроника. 2019. Т. 48. № 3. С. 163-175.
Версии:*MULTILEVEL BIPOLAR MEMRISTOR MODEL CONSIDERING DEVIATIONS OF SWITCHING PARAMETERS IN THE VERILOG-A LANGUAGE Teplov G.S., Gornev E.S. Russian Microelectronics. 2019. Т. 48. № 3. С. 131-142.

МОДЕЛИРОВАНИЕ ИНТЕГРАЛЬНОГО ФАЗОВОГО МОДУЛЯТОРА С ФАЗОВРАЩАТЕЛЕМ НА ОСНОВЕ U-ОБРАЗНОГО PN-ПЕРЕХОДА

2019 г.
Макаров М.Э., Итальянцев А.Г., Барабаненков М.Ю.
Электроника и микроэлектроника СВЧ. 2019. Т. 1. № 1. С. 420-425.

МНОГОСЛОЙНЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ НАНОСТРУКТУРЫ КАК МИКРОМОЩНЫЕ ИСТОЧНИКИ ЭНЕРГИИ

2019 г.
Грибов Б.Г., Зиновьев К.В., Калашник О.Н., Дорофеев С.Г., Кононов Н.Н., Герасименко Н.Н., Смирнов Д.И., Суханов В.Н., Суханова Л.С., Четвериков В.А., Шерметова М.А.
Наноиндустрия. 2019. Т. 12. № 1 (87). С. 16-22.

МИНИАТЮРНЫЕ ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ И ПЕРСПЕКТИВЫ ИХ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ИЗДЕЛИЯХ ЭЛЕКТРОНИКИ

2019 г.
Итальянцев А.Г., Шульга Ю.В.
В книге: Международный форум Микроэлектроника-2019 5-я Международная научная конференция Электронная компонентная база и микроэлектронные модули. В сборнике тезисов. 2019. С. 466-468.

МЕТОДЫ ПОВЫШЕНИЯ РАЗРЕШАЮЩЕЙ СПОСОБНОСТИ ПРОЕКЦИОННОЙ ОПТИЧЕСКОЙ ЛИТОГРАФИИ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТЕХНОЛОГИЯХ СОВРЕМЕННЫХ ПРОЕКТНЫХ НОРМ

2019 г.
Балан Н.Н., Иванов В.В., Кузовков А.В., Харченко Е.Л.
В сборнике: IX Международная конференция по фотонике и информационной оптике. В сборнике научных трудов. 2019. С. 575-576.

МЕТОДИКИ АТТЕСТАЦИИ КОМАНДНЫХ ФАЙЛОВ ФИЗИЧЕСКОЙ ВЕРИФИКАЦИИ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ КВАЛИФИКАЦИОННЫХ ЯЧЕЕК

2019 г.
Трифанихина И.Е., Надин А.С.
В книге: Международный форум Микроэлектроника-2019 Школа молодых ученых. Сбоник тезисов. 2019. С. 321-325.

МЕТОДИКА ИЗМЕРЕНИЯ ПОТЕРЬ РАСПРОСТРАНЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛН В СЛОИСТЫХ СТРУКТУРАХ С ПЛЕНКАМИ ПЕРЕМЕННОЙ ТОЛЩИНЫ

2019 г.
Анисимкин В.И., Воронова Н.В., Осипенко В.А., Воронова Н.В.
Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. 2019. № 1 (173). С. 38-43.

МЕТОД РАССТАНОВКИ КРИСТАЛЛОВ MPW В УСЛОВИЯХ МЕЛКОСЕРИЙНОГО ПРОИЗВОДСТВА

2019 г.
Кузовков А.В., Иванов В.В.
Наноиндустрия. 2019. № S (89). С. 189-191.

МЕТОД НАПРАВЛЕННОЙ САМОСБОРКИ В ЛИТОГРАФИИ ПРОЕКТНЫХ НОРМ МЕНЕЕ 22 НМ

2019 г.
Литаврин М.В., Матюшкин И.В., Гущин О.П.
В сборнике: МИКРО- И НАНОТЕХНОЛОГИИ В ЭЛЕКТРОНИКЕ. Материалы XI Международной научно-технической конференции. 2019. С. 388-392.

МЕТОД КОРРЕКЦИИ НЕЛИНЕЙНОСТИ НА ОСНОВЕ УСРЕДНЕНИЯ ДЛЯ ПАРАЛЛЕЛЬНОГО АНАЛОГО-ЦИФРОВОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ

2019 г.
Белоусов Е.О., Кочетков Д.В., Моленкамп К.М., Эннс А.В.
Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. 2019. № 4 (176). С. 36-44

МЕСТО ФАЗОСДВИГАЮЩИХ ФОТОШАБЛОНОВ СОВРЕМЕННОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ТЕХНОЛОГИИ

2019 г.
Балан Н.Н., Иванов В.В., Кузовков А.В., Шамин Е.С.
Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. 2019. № 2 (174). С. 54-63. *1

МАШИННОЕ ОЬБУЧЕНИЕ ДЛЯ АНАЛИЗА ПОБОЧНЫХ КАНАЛОВ КРИПТОГРАФИЧЕСКИХ СИСТЕМ

2019 г.
Благодатов . В.В., Кравцов А.С., Нуйкин А.В.
В книге: Международный форум Микроэлектроника-2019 5-я Международная научная конференция Электронная компонентная база и микроэлектронные модули. В сборнике тезисов. 2019. С. 528.

МАРШРУТ ТОПОЛОГИЧЕСКОГО СИНТЕЗА ДЛЯ РЕКОНФИГУРИРУЕМЫХ СИСТЕМ НА КРИСТАЛЛЕ СПЕЦИАЛЬНОГО НАЗНАЧЕНИЯ

2019 г.
Гаврилов С.В., Железников Д.А., Заплетина М.А., Хватов В.М., Чочаев Р.Ж., Эннс В.И.
Микроэлектроника. 2019. Т. 48. № 3. С. 211-223.
Версии:*LAYOUT SYNTHESIS DESIGN FLOW FOR SPECIAL-PURPOSE RECONFIGURABLE SYSTEMS-ON-A-CHIP Gavrilov S.V., Zheleznikov D.A., Zapletina M.A., Khvatov V.M., Chochaev R.Z., Enns V.I. Russian Microelectronics. 2019. Т. 48. № 3. С. 176-186.

КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛЕВЫХ НАНОТРАНЗИСТОРАХ НА ОСНОВЕ УГЛЕРОДНЫХ НАНОТРУБОК

2019 г.
Шарапов А.А.
В книге: Международный форум Микроэлектроника-2019 Школа молодых ученых. Сбоник тезисов. 2019. С. 369-374.

КОНСТРУКЦИЯ И ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КВАЗИМОНОЛИТНОГО ПРИЕМОПЕРЕДАЮЩЕГО МОДУЛЯ НА ОСНОВЕ SI-ИНТЕРПОЗЕРА

2019 г.
Волосов А.В., Красников Г.Я., Панасенко П.В.
В книге: Международный форум Микроэлектроника-2019 5-я Международная научная конференция Электронная компонентная база и микроэлектронные модули. В сборнике тезисов. 2019. С. 325-327.

КОНСТРУКТОРСКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКАЯ ПЛАТФОРМА ПРОЕКТИРОВАНИЯ РАДИАЦИОННО-СТОЙКИХ СБИС НА БАЗЕ ОТЕЧЕСТВЕННОЙ ТЕХНОЛОГИИ КМОП 90 НМ НА ОСНОВЕ RHBD-МЕТОДОЛОГИИ

2019 г.
Ильин С.А., Ласточкин О.В., Надин А.С., Новиков А.А., Шипицин Д.С.
Наноиндустрия. 2019. № S (89). С. 254-257.

КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ УЛУЧШЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК РАДИАЦИОННО-СТОЙКИХ МИКРОСХЕМ В УСЛОВИЯХ СЕРИЙНОГО ПРОИЗВОДСТВА

2019 г.
Соловьев А.В.
В книге: Международный форум Микроэлектроника-2019 Школа молодых ученых. Сбоник тезисов. 2019. С. 356-363.

КОМПЬЮТЕРНЫЙ РАСЧЕТ РАССЕЯНИЯ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ВОЛН НА ОДНОМЕРНЫХ ДИФРАКЦИОННЫХ РЕШЕТКАХ МЕТОДОМ МАТРИЧНОГО УРАВНЕНИЯ РИККАТИ

2019 г.
Миннуллин Р.Т., Барабаненков М.Ю., Итальянцев А.Г.
Труды Московского физико-технического института. 2019. Т. 11. № 1 (41). С. 130-139.

КОМПАРАТОР ДВОИЧНЫХ ЧИСЕЛ

2019 г.
Игнатьев С.М.
Патент на полезную модель RU 189024 U1, 06.05.2019. Заявка № 2019108408 от 22.03.2019. *1

КОМПАРАТОР ДВОИЧНЫХ ЧИСЕЛ

2019 г.
Игнатьев С.М.
Патент на полезную модель RU 194455 U1, 11.12.2019. Заявка № 2019116181 от 27.05.2019.

КНИ МАГНИТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ДВУХЗАТВОРНЫЙ МОП-ТРАНЗИСТОР

2019 г.
Нагнойный В.А., Итальянцев А.Г., Леонов А.В., Мордкович В.Н.
В книге: Международный форум Микроэлектроника-2019 5-я Международная научная конференция Электронная компонентная база и микроэлектронные модули. В сборнике тезисов. 2019. С. 167-168.

КЛЕТОЧНО-АВТОМАТНЫЕ АЛГОРИТМЫ ПЕРМУТАЦИИ МАТРИЦ

2019 г.
Матюшкин И.В., Кожевников В.С.
Труды Московского физико-технического института. 2019. Т. 11. № 1 (41). С. 39-52. *1

КВАНТОВО-ХИМИЧЕСКИЕ РАСЧЁТЫ ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИХ СТИМУЛЫ МЕЖФАЗНЫХ ПЕРЕХОДОВ СИСТЕМАХ С ПОЛИФАЗНОЙ ДИАГРАММОЙ СОСТОЯНИЯ

2019 г.
Итальянцев А.Г., Константинов В.С.
В книге: Международный форум Микроэлектроника-2019 Школа молодых ученых. Сбоник тезисов. 2019. С. 327-331.

ИСТОЧНИК ОПОРНОГО НАПРЯЖЕНИЯ С ШИРОКИМ ДИАПАЗОНОМ ВОЗМОЖНЫХ ЗНАЧЕНИЙ

2019 г.
Игнатьев С.М.
Патент на полезную модель RU 192191 U1, 06.09.2019. Заявка № 2019110854 от 11.04.2019.

ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЙ ЧАСТИ ПЕРЕДАТОЧНОЙ ФУНКЦИИ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ

2019 г.
Жевненко Д.А., Горнев Е.С., Кузьменко В.О., Кохановскии С.В., Дудкин П.В., Жабин С.Н., Криштоп В.Г.
Наноиндустрия. 2019. № S (89). С. 599-603. *3

ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ И РАЗРАБОТКА ОБОРУДОВАНИЯ ДЛЯ ГЛУБОКОГО ТРАВЛЕНИЯ КРЕМНИЯ НА ПЛАСТИНАХ ДИАМЕТРОМ ДО 200 ММ

2019 г.
Долгополов В.М., Одиноков В.В., Иракин П.А., Варакин В.М., Шубников А.В., Мицын Н.Г.
Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. 2019. № 1 (173). С. 49-54.

ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОГО ТРАВЛЕНИЯ ПОРИСТЫХ LOW-K ДИЭЛЕКТРИКОВ

2019 г.
Орлов А.А., Резванов А.А., Мяконьких А.В., Горнев Е.С.
В сборнике: Микроэлектроника и информатика - 2019. Материалы научно-технической конференции: В сборнике статей . 2019. С. 105-109.

ИССЛЕДОВАНИЕ ПАРАМЕТРОВ ТРАНЗИСТОРОВ, ИЗГОТОВЛЕННЫХ ПО ТЕХНОЛОГИИ КМОП КНИ, РЕФЛЕКТОМЕТРИЧЕСКИМ МЕТОДОМ

2019 г.
Тимошенков В.П., Хлыбов А.И., Родионов Д.В., Шелепин Н.А., Селецкий А.В.
Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. 2019. № 2 (174). С. 30-35.

ИССЛЕДОВАНИЕ МЕХАНИЗМОВ ФОРМИРОВАНИЯ ПРОФИЛЯ СЛОЕВ ОКСИДА КРЕМНИЯ, ОСАЖДАЕМЫХ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ

2019 г.
Евдокимов В.Л.
Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. 2019. № 4 (176). С. 70-76.

ИССЛЕДОВАНИЕ МЕМРИСТОРНЫХ УСТРОЙСТВ НА ОСНОВЕ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ SIOX (X≈1), ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ

2019 г.
Дмитриева А.В., Мутаев А.И., Лебединский Ю.Ю., Горнев Е.С., Красников Г.Я., Зенкевич А.В.
В книге: Международный форум Микроэлектроника-2019 5-я Международная научная конференция Электронная компонентная база и микроэлектронные модули. В сборнике тезисов. 2019. С. 531-533.

ИССЛЕДОВАНИЕ И РАХРАОТКА IBIS-МОДЕЛЕЙ ДЛЯ БИБЛИОТЕК ЯЧЕЕК ВВОДА-ВЫВОДА

2019 г.
Ильин С.А., Ласточкин О.В., Новиков А.А., Шипицин Д.С.
В книге: Международный форум Микроэлектроника-2019 5-я Международная научная конференция Электронная компонентная база и микроэлектронные модули. В сборнике тезисов. 2019. С. 312-314.

ИССЛЕДОВАНИЕ И РАЗРАБОТКА МЕТОДА АВТОМАТИЗИРОВАННОЙ ГЕНЕРАЦИИ КВАЛИФИКАЦИОННЫХ ЯЧЕЕК ДЛЯ КОНТРОЛЯ КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ОГРАНИЧЕНИЙ ИС

2019 г.
Золотухин Ф.С., Надин А.С., Трифанихина И.Е.
В сборнике: Микроэлектроника и информатика - 2019. Материалы научно-технической конференции: В сборнике статей . 2019. С. 48-53. *4

ИССЛЕДОВАНИЕ IN SITU ПРОЦЕССА ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЁНОК

2019 г.
Волосов А.В.
В книге: Международный форум Микроэлектроника-2019 5-я Международная научная конференция Электронная компонентная база и микроэлектронные модули. В сборнике тезисов. 2019. С. 150-152.

ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТНЫХ СВОЙСТВ МАТЕРИАЛОВ МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ

2019 г.
Бокарев В.П., Красников Г.Я., Горнев Е.С.
В книге: Международный форум Микроэлектроника-2019 5-я Международная научная конференция Электронная компонентная база и микроэлектронные модули. В сборнике тезисов. 2019. С. 148-150.

ИСПОЛЬЗОВАНИЕ НЕЙРОСЕТЕВЫХ АЛГОРИТМОВ ЗАДАЧАХ ВЫЧИСЛИТЕЛЬНОЙ ЛИТОГРАФИИ

2019 г.
Балан Н.И., Березин А.А., Горнев Е.С., Иванов В.В., Ипатова Е.В., Кузовков Е.В., Шканакина М.Д.
В книге: Международный форум Микроэлектроника-2019 5-я Международная научная конференция Электронная компонентная база и микроэлектронные модули. В сборнике тезисов. 2019. С. 546-549.

ИСПОЛЬЗОВАНИЕ МЕТОДОВ КОРРЕКЦИИ ОПТИЧЕСКОЙ БЛИЗОСТИ В СОВРЕМЕННОЙ ТЕХНОЛОГИИ

2019 г.
Кузовков А.В.
В сборнике: Труды научного совета РАН. 2019. С. 61-82.

ИНСТРУМЕНТ РАСЧЁТА ОКОН ПРОЦЕССА ФОТОЛИТОГРАФИИ НА ОСНОВЕ МОДЕЛИ РЕЗИСТА С ПОСТОЯННЫМ ПОРОГОМ CTPWIZARD

2019 г.
Шамин Е.С.
Свидетельство о регистрации программы для ЭВМ RU 2019667727, 26.12.2019. Заявка № 2019663178 от 23.10.2019.

ИНСТРУМЕНТ РАСЧЁТА ОКОН ПРОЦЕССА ФОТОЛИТОГРАФИИ НА ОСНОВЕ МОДЕЛИ РЕЗИСТА С ПОСТОЯННЫМ ПОРОГОМ CTPWIZARD

2019 г.
Шамин Е.С.
Свидетельство о регистрации программы для ЭВМ RU 2019667727, 26.12.2019. Заявка № 2019663178 от 23.10.2019.

ИНСТРУМЕНТ ОПРЕДЕЛЕНИЯ И РЕАЛИЗАЦИИ ПРАВИЛ РАССТАНОВКИ RULE-BASED SRAF

2019 г.
Шамин Е.С., Кузовков А.В.
Свидетельство о регистрации программы для ЭВМ RU 2019665698, 28.11.2019. Заявка № 2019663156 от 23.10.2019.

ИНСТРУМЕНТ ГЕНЕРАЦИИ И АНАЛИЗА СХЕМ РАЗМЕЩЕНИЯ ИЗДЕЛИЙ В КАДРЕ ФОТОШАБЛОНА

2019 г.
Кузовков А.В., Березин А.А.
Свидетельство о регистрации программы для ЭВМ RU 2019617250, 05.06.2019. Заявка № 2019616085 от 27.05.2019.

ИЗМЕРЕНИЕ МОДУЛЯ ЮНГА МЕТИЛ-МОДИФИЦИРОВАННЫХ СИЛИКАТОВ МЕТОДОМ АТОМНО-СИЛОВОЙ МИКРОСКОПИИ

2019 г.
Овчинников И.С., Серегин Д.С., Воротилов К.А., Резванов А.А.
В сборнике: Российская научно-техническая конференция с международным участием. Информатика и технологии. Инновационные технологии в промышленности и информатике. В сборнике докладов конференции. 2019. С. 155-160.

ГЕНЕРАЦИЯ ТОПОЛОГИИ СЛУЧАЙНОЙ КОНФИГУРАЦИИ ДЛЯ ОТРАБОТКИ OPC-МОДЕЛИ

2019 г.
Ипатова Е.В., Харченко Е.Л.
Наноиндустрия. 2019. № S (89). С. 250-253.

ГЕНЕРАЦИЯ RULE-BASED SRAF ДЛЯ ДВУМЕРНЫХ ТОПОЛОГИЧЕСКИХ СТРУКТУР С УЧЕТОМ ПРАВИЛ MRC: ПРОБЛЕМЫ И РЕШЕНИЯ

2019 г.
Шамин Е.С., Ипатова Е.В., Кузовков А.В., Иванов В.В., Балан Н.Н.
Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. 2019. № 2 (174). С. 36-41.

ГАЗОДИНАМИЧЕСКАЯ ЗАЩИТА ПРОЦЕССОВ И ОБЪЕКТОВ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ ОТ ВНЕШНИХ КОНТАМИНАЦИЙ

2019 г.
Веденеев В.В., Решмин А.И., Тепловодский С.Х., Зайко Ю.С., Трифонов В.В., Маркин А.В.
Наноиндустрия. 2019. № S (89). С. 637-646.

ГАЗОДИНАМИЧЕСКАЯ ЗАЩИТА ПРОЦЕССОВ И ОБЪЕКТОВ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ ОТ ВНЕШНИХ КОНТАМИНАЦИЙ

2019 г.
Маркин А.В., Веденеев В.В.
В сборнике: Метрология физико-химических измерений. Материалы III Международной научно-технической конференции. 2019. С. 281-287.

ВЫСОКОТОЧНЫЙ ГИДРОФОН НА ОСНОВЕ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ДАВЛЕНИЯ

2019 г.
Криштоп Т.В., Кохановский С.В., Дудкин П.В., Жевненко Д.А., Злобин А.С., Беляев А.Ю., Криштоп В.Г.
Наноиндустрия. 2019. № S (89). С. 582-585. *1

ВОДА ДЛЯ УЛЬТРАСЛЕДОВЫХ ЛАБОРАТОРНЫХ АНАЛИЗОВ

2019 г.
Глинский А.С., Кузьмина Е.А., Просий А.Д., Кимрова А.П.
В сборнике: Метрология физико-химических измерений. Материалы III Международной научно-технической конференции. 2019. С. 147-151.

ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРОМИГРАЦИИ НА КОЭФФИЦИЕНТ НЕЛИНЕЙНЫХ ИСКАЖЕНИЙ ПЛАНАРНЫХ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ

2019 г.
Жевненко Д.А., Горнев Е.С., Кузьменко В.О., Дудкин П.В., Жабин С.Н., Криштоп Т.В., Криштоп В.Г.
Наноиндустрия. 2019. № S (89). С. 591-595. *1

ВЛИЯНИЕ УГЛЕРОДНЫХ НАНОТРУБОК НА КРИСТАЛЛИЗАЦИЮ И СВОЙСТВА НАНОРАЗМЕРНОГО ГИДРОКСИАПАТИТА КАЛЬЦИЯ

2019 г.
Захаров Н.А., Бокарев В.П., Горнев Е.С., Нечипоренко А.П.
Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. 2019. № 1 (173). С. 55-60.

ВЛИЯНИЕ ТИПОВ СТРУКТУР ДЛЯ СОВМЕЩЕНИЯ И ИЗМЕРЕНИЯ КОНТРОЛИРУЕМЫХ РАЗМЕРОВ НА ДОСТОВЕРНОСТЬ АТТЕСТАЦИИ ФОТОШАБЛОНОВ

2019 г.
Колобов А.В., Панкратов А.Л., Иванов В.В.
В книге: Международный форум Микроэлектроника-2019 Школа молодых ученых. Сбоник тезисов. 2019. С. 149-154.

ВЛИЯНИЕ ДОПОЛНИТЕЛЬНЫХ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЛОЕВ И ЗАЗЕМЛЕЕННОГО ЭКРАНА НА СВЧ-ХАРАКТЕРИСТИКИ GAAS-МИКРОСХЕМ И ИХ ЭЛЕМЕНТОВ 3D-ИНТЕГРИРОВАННЫХ МОДУЛЯХ

2019 г.
Бабак Л.И., Панасенко П.В., Волосов А.В., Голенева Н.В., Коколов А.А., Черкашин М.В., Шеерман Ф.И.
В книге: Международный форум Микроэлектроника-2019 5-я Международная научная конференция Электронная компонентная база и микроэлектронные модули. В сборнике тезисов. 2019. С. 319-324.

ВЗАИМОСВЯЗЬ ФИЗИЧЕСКОЙ И ИНФОРМАЦИОННОЙ ЭНТРОПИЙ В ТЕОРИИ НАДЕЖНОСТИ ДЛЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ

2019 г.
Кожевников В.С., Матюшкин И.В., Черняев Н.В., Жукова Т.Д.
Известия высших учебных заведений. Электроника. 2019. Т. 24. № 6. С. 589-600.

БЛОК ЭЛЕКТРИЧЕСКИ ОДНОКРАТНО ПРОГРАММИРУЕМОГО ПЗУ 32 БИТА

2019 г.
Ермаков И.В., Ролдугина Ж.И., Нуйкин А.В., Кравцов А.С.
Топология интегральной микросхемы RU 2019630121, 25.06.2019. Заявка № 2019630115 от 13.06.2019.

ВЛИЯНИЕ ДОПОЛНИТЕЛЬНЫХ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЛОЕВ И ЗАЗЕМЛЕЕННОГО ЭКРАНА НА СВЧ-ХАРАКТЕРИСТИКИ GAAS-МИКРОСХЕМ И ИХ ЭЛЕМЕНТОВ 3D-ИНТЕГРИРОВАННЫХ МОДУЛЯХ

2019 г.
Бабак Л.И., Панасенко П.В., Волосов А.В., Голенева Н.В., Коколов А.А., Черкашин М.В., Шеерман Ф.И.
В книге: Международный форум Микроэлектроника-2019 5-я Международная научная конференция Электронная компонентная база и микроэлектронные модули. В сборнике тезисов. 2019. С. 319-324.

ВЗАИМОСВЯЗЬ ФИЗИЧЕСКОЙ И ИНФОРМАЦИОННОЙ ЭНТРОПИЙ В ТЕОРИИ НАДЕЖНОСТИ ДЛЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ

2019 г.
Кожевников В.С., Матюшкин И.В., Черняев Н.В., Жукова Т.Д.
Известия высших учебных заведений. Электроника. 2019. Т. 24. № 6. С. 589-600.

БЛОК ЭЛЕКТРИЧЕСКИ ОДНОКРАТНО ПРОГРАММИРУЕМОГО ПЗУ 32 БИТА

2019 г.
Ермаков И.В., Ролдугина Ж.И., Нуйкин А.В., Кравцов А.С.
Топология интегральной микросхемы RU 2019630121, 25.06.2019. Заявка № 2019630115 от 13.06.2019.

АНИЗОТРОПИЯ ПОВЕРХНОСТНЫХ СВОЙСТВ КРИСТАЛЛОВ И ЕЕ РОЛЬ В ТЕХНОЛОГИИ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ

2019 г.
Бокарев В.П., Красников Г.Я., Горнев Е.С.
Наноиндустрия. 2019. № S (89). С. 175-179.

АНАЛИЗ ФАКТОРОВОЗДЕЙСТВИЯ НА ШЕРОХОВАТОСТЬ ТОПОЛОГИЧЕСКИХ СТРУКТУР SI МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ

2019 г.
Шарапов А.А., Баранов Г.В.
Наноиндустрия. 2019. № S (89). С. 232-233.

АНАЛИЗ СОВРЕМЕННЫХ ДАТЧИКОВ МАГНИТНОГО ПОЛЯ НА ОСНОВЕ ЭФФЕКТА ХОЛЛА И ИХ ПЕРСПЕКТИВНЫХ КОНСТРУКЦИЙ

2019 г.
Нагнойный В.А.
Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. 2019. № 4 (176). С. 65-69.

АНАЛИЗ ПРИБОРНЫХ ТРЕБОВАНИЙ К ЭПИТАКСИАЛЬНЫМ СТРУКТУРАМ CAN НА SI ДЛЯ СИЛОВЫХ И СВЧ-ПРИЛОЖЕНИЙ

2019 г.
Баранов Г.В., Дорофеев А.А., Красников Г.Я., Леонеиков Е.И., Панасенко П.В.
В книге: Международный форум Микроэлектроника-2019 5-я Международная научная конференция Электронная компонентная база и микроэлектронные модули. В сборнике тезисов. 2019. С. 147-148.

АНАЛИЗ МЕТОДОВ РАЗРАБОТКИ ПАРАМЕТРИЗИРОВАННЫХ ТОПОЛОГИЧЕСКИХ ПРЕДСТАВЛЕНИЙ БАЗОВЫХ АНАЛОГОВЫХ ПРИМИТИВОВ СРЕДЕ ПРОЕКТИРОВАНИЯ СБИС

2019 г.
Тюрин А.В., Надин А.С., Кириллов М.А., Шипицин Д.С.
В книге: Международный форум Микроэлектроника-2019 5-я Международная научная конференция Электронная компонентная база и микроэлектронные модули. В сборнике тезисов. 2019. С. 301-305.

АНАЛИЗ МЕТОДОВ МАТЕМАТИЧЕСКОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ МЕМРИСТОРОВ

2019 г.
Кожевников В.С., Горнев Е.С., Мещанинов Ф.П., Жевненко Д.А.
В книге: Международный форум Микроэлектроника-2019 5-я Международная научная конференция Электронная компонентная база и микроэлектронные модули. В сборнике тезисов. 2019. С. 556-568.

АЛГОРИТМ КОМПРЕССИИ И ДЕКОМПРЕССИИ ПОТОКА КОНФИГУРАЦИОННЫХ ДАННЫХ ПЛИС

2019 г.
Кузьминов И.В., Лосев В.В., Новожилов И.С., Чаплыгин Ю.А.
Известия высших учебных заведений. Электроника. 2019. Т. 24. № 6. С. 610-618.

АЛГОРИТМ И МЕТОДИКА ПОВЫШЕНИЯ ЭФФЕКТИВНОСТИ РЕЦЕПТА КОРРЕКЦИИ ЭФФЕКТОВ ОПТИЧЕСКОЙ БЛИЗОСТИ

2019 г.
Медведев К.А., Кузовков А.В., Иванов В.В.
В сборнике: Труды научного совета РАН. 2019. С. 122-130.

АЛГОРИТМ И МЕТОДИКА ПОВЫШЕНИЯ ЭФФЕКТИВНОСТИ OPC-РЕЦЕПТА

2019 г.
Медведев К.А., Кузовков А.В., Иванов В.В.
Наноиндустрия. 2019. № S (89). С. 368-372.

АЛГОРИТМ ВЫБОРА КОМПЛЕКСА ЧИСТОГО ПРОИЗВОДСТВЕННОГО ПОМЕЩЕНИЯ, ОПТИМАЛЬНОГО ДЛЯ СОДАВАЕМОГО МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОННОГО ПРОИЗВОДСТВА

2019 г.
Маркин А.В., Просий А.Д.
В книге: Международный форум Микроэлектроника-2019 5-я Международная научная конференция Электронная компонентная база и микроэлектронные модули. В сборнике тезисов. 2019. С. 490-497.

АКТУАЛЬНЫЕ ЗАДАЧИ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ: ТЕХНОЛОГИИ И МИКРОСХЕМЫ

2019 г.
Научные результаты НИИ Молекулярной электроники за 2018 год / Под редакцией Академика Г.Я. Красникова, Акционерное общество Научно-исследовательский институт молекулярной электроники. Москва, Зеленоград, 2019.

*АВТОМАТИЗАЦИЯ ПРОИЗВОЛЬНЫХ ИЕРАРХИЧЕСКИХ МАРШРУТОВ , ПРИМЕНЯЕМЫХ ПРИ ПРОЕКТИРОВАНИИ ФОТОШАБЛОНОВ

2019 г.
Медведев К.А., Иванов А.А.
В книге: Международный форум Микроэлектроника-2019 Школа молодых ученых. Сбоник тезисов. 2019. С. 122-128.

VERILOG-A МОДЕЛЬ МНОГОУРОВНЕВОГО БИПОЛЯРНОГО МЕМРИСТОРАС УЧЕТОМ ДЕВИАЦИЙ ПАРАМЕТРОВ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ

2019 г.
Теплов Г.С., Горнев Е.С., Тельминов О.А.
В сборнике: Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов. материалы I международной конференции. 2019. С. 131-136. *1

55 ЛЕТ НИИМЭ. НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ МОЛЕКУЛЯРНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ: ОТ ВЫПОЛНЕНИЯ НИОКР К ЭЛЕКТРОННЫМ ТЕХНОЛОГИЯМ МИРОВОГО УРОВНЯ

2019 г.
Грибов Б.Г., Горнев Е.С., Плотников Ю.И., Тельминов О.А.
Известия высших учебных заведений. Электроника. 2019. Т. 24. № 3. С. 317-321.

*3D МНОГОФУНКЦИОНАЛЬНАЯ ГИБРИДНАЯ СБОРКА С МАГНИТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫМ ДАТЧИКОМ ДЛЯ НАВИГАЦИИ В МАГНИТНОМ ПОЛЕ ЗЕМЛИ

2019 г.
Итальянцев А.Г., Захаров П.С., Нагнойный В.А.
В книге: Навигация по гравитационному и магнитному полям Земли. Новые технологии. Тезисы докладов II научно-технической конференции. 2019. С. 46.

*TOTAL REFLECTION OF NEAR INFRARED RANGE WAVE FROM SUBWAVELENGTH SILICON 1D PHOTONIC CRYSTAL WITH SMALL PACKING DENSITY

2019 г.
Minnullin R.T., Barabanenkov M.Yu., Italyantsev A.G.
В сборнике: Journal of Physics: Conference Series. 2019. С. 012127.

*NATURE OF THE CHARGE TRAP AND EVOLUTION OF THEIR DENSITY DURING ENDURANCE OF FERROELECTRIC HFT>2:LA THIN FILMS

2019 г.
lslamov D.R., Orlov O.M., Gritsenko V.A., Perevalov T.V., Krasnikov G.Ya.
В сборнике: INFOS 2019

*NATURE OF THE CHARGE TRAP AND EVOLUTION OF THEIR DENSITY DURING ENDURANCE OF FERROE-LECTRIC HFO2:LA THIN FILM

2019 г.
Islamov D.R., Orlov O.M., Gritsenko V.A., P1erevalov, V., Krasnikov G.Ya.
В сборнике: INFOS 2019

*AREA SELECTIVE GRAFTING OF SILOXANE MOLECULES ON LOW-K DIELECTRIC WITH RESPECT TO COPPER SURFACE

2019 г.
Rezvanov A., de Marneffe J.F., Armini S., Gornev E.S
Applied Surface Science. 2019. Т. 476. С. 317-324.

SPATIAL REFLECTED AND TRANSMITTED FIELD PATTERN AT RESONANT SCATTERING OF AN ELECTROMAGNETIC PLANE WAVE ON 1D DIFFRACTION GRATINGS AND PHOTONIC CRYSTALS

2019 г.
Minnullin R., Barabanenkov M., Italyantsev A.
В сборнике: 2019 Photonics North, PN 2019. С. 8819543.

*INFLUENCE OF THE ELECTROMIGRATION ON THE CHARACTERISTICS OF ELECTROCHEMICAL MICROSYSTEMS

2019 г.
Zhevnenko D.A., Gornev E.S., Kuzmenko V.O., Dudkin P.V., Zhabin S.N., Krishtop T.V., Krishtop V.G.
В сборнике: Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. 2019. С. 1102211.

IDENTIFICATION OF THE NATURE OF TRAPS INVOLVED IN THE FIELD CYCLING OF HF 0.5 ZR 0.5 O 2 -BASED FERROELECTRIC THIN FILMS

2019 г.
Islamov D.R., Gritsenko V.A., Perevalov T.V., Pustovarov V.A., Orlov O.M., Krasnikov G.Y., Chernikova A.G., Markeev A.M., Slesazeck S., Schroeder U., Mikolajick T.
Acta Materialia. 2019. Т. 166. С. 47-55.

*CE ULTRA-LOW FREQUENCY HYDROPHONE

2019 г.
Krishtop T.V., Zhevnenko D.A., Kokhanovsky S.V., Dudkin P.V., Krishtop V.G., Zlobin A.S., Belyaev A.Y.
В сборнике: Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. 2019. С. 1102210. *2

*CELLULAR AUTOMATA METHOD FOR DIRECTED SELF-ASSEMBLY MODELING

2019 г.
Gornev E., Litavrin M., Matyushkin I., Gushin O
В сборнике: Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. 2019. С. 110221N.

МЕТОД ОЦЕНКИ ФУНКЦИИ НАДЁЖНОСТИ НАНОРАЗМЕРНЫХ ПРИБОРОВ С ПРИМЕНЕНИЕ АНАЛОГА УРАВНЕНИЯ НЕПРЕРЫВНОСТИ

2018 г.
Кожевников В.С., Матюшкин И.В., Черняев Н.В.
В сборнике: Электроника, фотоника и молекулярная физика. Труды 61-й Всероссийской научной конференции МФТИ. 2018. С. 238-239

РАЗРАБОТКА МЕТОДИКИ РАСЧЕТА ГЕОМЕТРИИ И ХАРАКТЕРИСТИК ОПТИЧЕСКОГО СВЧ МОДУЛЯТОРА, ВЫПОЛНЕННОГО ПО ТЕХНОЛОГИИ КНИ

2018 г.
Скуратов И.Д.
В сборнике: Электроника, фотоника и молекулярная физика. Труды 61-й Всероссийской научной конференции МФТИ. 2018. С. 238-239

ИССЛЕДОВАНИЕ МЕХАНИЗМОВ ОБРАЗОВАНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И СТРУКТУРНЫХ СВОЙСТВ ПРОВОДЯЩЕГО ФИЛАМЕНТА В МЕМРИСТОРНЫХ СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ ОКИСЛОВ МЕТАЛЛОВ

2018 г.
Фалалеев И.М.
В сборнике: Электроника, фотоника и молекулярная физика. Труды 61-й Всероссийской научной конференции МФТИ. 2018. С. 238-239

EXPRIMENTAL RESEARCH OF ITERATED DYNAMICS FOR THE COMPLEX EXPONENTIALS WITH LINEAR TERM

2018 г.
I.V. Matyushkin, M.A. Zapletina
European Conference – Workshop «Nonlinear Maps and Application» in Journal of Physics, Conference Series. – V.990. 2018.- p. 012008

РОЛЬ ЭКОНОМИКИ В ПРОЦЕССЕ ПОДГОТОВКИ ИНЖЕНЕРНО-ТЕХНИЧЕСКИХ КАДРОВ

2018 г.
Лизавенко М.В.
Фундаментальные основы инновационного развития науки и образования: Сборник статей II международной научно-практической конференции в 3 ч. Ч 3, - Пенза: МЦНС «наука и просвещению – 2018, с. 58-

AREA-SELECTIVE GRAFTING OF SILOXANE MOLECULES JN LOW-K DIELECTRIC FILMS

2018 г.
Rezvanov A.A., Zuylkov I., Gornev E.S., G-F.de Mariev, Armini C Applied Surface Science Грибов Б., Зиновьев К., Калашников О Герасименко Н., Смирнов Д., Суханов В., Суханова Л., Четвериков В.
Получение водорода для топливных элементов с использованием тонкодисперсного кремния Наноиндустрия . Т. 11, №5 (84). 2018, с. 371-378.

АДАПТАЦИЯ МЕТОДА МОДЕЛИРОВАНИЯ ОТЖИГА ДЛЯ РАЗМЕЩЕНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ В БАЗЕ РЕКОНФИГУРИРУЕМЫХ СИТЕМ НА КРИСТАЛЛЕ

2018 г.
Эннс В.И., Гаврилов С.В., Железников Д.А., Чочаев Р.Ж.
Электронная техника. Серия 3 Микроэлектроника. №4(172) 2018. 55-61

ПРОБЛЕМЫ РАЗРАБОТКИ И ПРИМЕНЕНИЯ ПРОГРАММИРУЕМЫХ И ПОЛУЗАКАЗНЫХ ИС

2018 г.
Эннс В.И.
Сборник докладов конференции Электронная компонентная база космических систм-2018

Theory and numerical modelling of nanoresonators? discrete waveguides, and modulators of planar radio-photonic assembliesю

2018 г.
В сборнике Micro- and Nanoelectronics - 2018. Сборник тезисов. Под ред. В.Ф. Лукичева, К.В. Руденко. Составитель В.П. Кудря. 2018. С. 47.

ТЕОРИЯ ЧИСЛЕННОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ НАНОРЕЗОНАТОРОВ, ДИСКРЕТНЫХ ВОЛНОВОДНЫХ МОДУЛЯТОРОВ ПЛАНАРНЫХ РАДИОФОТОННЫХ ЭЛЕМЕНТОВ

2018 г.
Барабаненков М.Ю., Итальянцев А.Г., Макаров М.Э., Сапегин А.А., Миннуллин Р.Т.

РАЗРАБОТКА МАРШРУТА ХАРАКТЕРИЗАЦИИ СПЕЦИАЛИЗИРОВАННЫХ ЛОГИЧЕСКИХ ВЕНТИЛЕЙ ДЛЯ ПОВЫШЕНИЯ ТОЧНОСТИ ОЦЕНКИ БЫСТОДЕЙСТВИЯ В РЕКОНФИГУРИРУЕМЫХ ПЛИС*(Заочный доклад).

2018 г.
С.А. Ильин.
Сборник докладов 3-й Международной научной конференции «Электронная компонентная база и электронные модули». М.: Наноиндустрия. Спецвыпуск, 2018. – №82. –С. 294 – 295.

ГАЗОДИНАМИЧЕСКАЯ ЗАЩИТА ПРОЦЕССОВ И ОБЪЕКТОВ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ ОТ ВНЕШНИХ КОНТАМИНАЦИЙ

2018 г.
Маркин А.В., Веденеев В.В., Решмин А.И., Тепловодский С.Х., Зайко Ю.С.
Чистые помещения и технологические среды. Т.68, №4, 2018г., стр.54-62

EXPERIMENTAL RESEARCH OF ITERATED DYNAMICS FOR THE COMPLEX EXPONENTIALS WITH LINEAR TERM

2018 г.
I.V. Matyushkin, M.A. Zapletina
European Conference – Workshop «Nonlinear Maps and Application» in Journal of Physics Conference Series. – V.990. 2018.- p. 012008

ПОЛУЧЕНИЕ ВОДОРОДА ДЛЯ ТОПЛИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ТОНКОДИСПЕРСНОГО КРЕМНИЯ

2018 г.
Грибов Б., Зиновьев К., Калашников О Герасименко Н., Смирнов Д., Суханов В., Суханова Л., Четвериков В.
Наноиндустрия . Т. 11, №5 (84). 2018, с. 371-378.

ПРОЦЕССЫ АТОМНО-СЛОЕВОГО ОСАЖДЕНИЯ ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ СЛОЕВ ЗАТВОРНОГО HKMG-СТЕКА С МИНИМАЛЬНЫМ ТОПОЛОГИЧЕСКИМ РАЗМЕРОМ 32 НМ

2018 г.
РУДЕНКО К.В., Мяконьких А.В., Рогожин А.Е., Гущин О.П., Гвоздев А.П.
Микроэлектроника. 2018, т.47, №1. с.3-13

ФОРМИРОВАНИЕ SI-ПЛАВНИКОВ FINFET МИНИМАЛЬНЫХ РАЗМЕРОВ НЕЛИТОГРАФИЧЕСКИМ МЕТОДОМ

2018 г.
Четвериков В.А., Баранов Г.В., Итальянцев А.Г.
Наноиндустрия. 2018. № S (82). С. 282-283. 0

ПРИЕМО-ПЕРЕДАЮЩИЙ МОДУЛЬ Х-ДИАПАЗОНА НА КРЕМНИЕВОЙ КОММУТАЦИОННОЙ ПЛАТЕ

2018 г.
Бавижев М.Д., Волосов А.В., Котляров Е.Ю., Панасенко П.В.
В сборнике: Международный форум "Микроэлектроника-2018", 4-я Международная научная конференция "Электронная компонентная база и микро электронные модули". Сборник тезисов. 2018. С. 441. 0

ОЦЕНКА НАДЕЖНОСТИ КНИ МОП-ТРАНЗИСТОРОВ С НОРМАМИ 0,18 МКМ ПРИ ПОВЫШЕННЫХ ТЕМПЕРАТУРАХ

2018 г.
Потупчик А.Г., Михайлов А.А., Игнатов П.В., Бенедиктов А.С.
Микроэлектроника. 2018. Т. 47. № 5. С. 38-43. 1

МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕПЛОВЫХ ПРОЦЕССОВ В СВЧ-МОДУЛЯХ С РАЗЛИЧНЫМИ ОСНОВАНИЯМИ

2018 г.
Волосов А.В., Панасенко П.В., Пяточкин М.Д.
Наноиндустрия. 2018. № S (82). С. 443-444. 0

МЕТОД ФОРМИРОВАНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИИ FINFET

2018 г.
Нагнойный В.А., Баранов Г.В.
Наноиндустрия. 2018. № S (82). С. 251. 0

47. КОНСТРУКТОРСКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКАЯ ПЛАТФОРМА ПРОЕКТИРОВАНИЯ СБИС НА БАЗЕ ОТЕЧЕСТВЕННОЙ ТЕХНОЛОГИИ КНИ 90 НМ

2018 г.
Ильин С.А., Кочанов С.К., Ласточкин О.В., Надин А.С., Новиков А.А., Шипицин Д.С.
Наноиндустрия. 2018. № S (82). С. 365-368. 0

ИССЛЕДОВАНИЕ СБОЕУСТОЙЧИВОСТИ СОЗУ С ФУНКЦИЕЙ ИСПРАВЛЕНИЯ ОДИНОЧНЫХ СБОЕВ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ТЗЧ

2018 г.
Красников Г.Я., Лушников А.С., Мещанов В.Д., Рыбалко Е.С., Фомичева Н.Н., Шелепин Н.А.
Наноиндустрия. 2018. № S (82). С. 327-329. 0

ИССЛЕДОВАНИЕ СБОЕУСТОЙЧИВОСТИ СОЗУ С ФУНКЦИЕЙ ИСПРАВЛЕНИЯ ОДИНОЧНЫХ СБОЕВ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ТЗЧ

2018 г.
Красников Г.Я., Лушников А.С., Мещанов В.Д., Рыбалко Е.С., Фомичева Н.Н., Шелепин Н.А.
Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. 2018. № 1 (169). С. 68-76. 2

ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ КОСМИЧЕСКОГО НАЗНАЧЕНИЯ. КОНЦЕПЦИЯ РАЗВИТИЯ

2018 г.
Эннс В.И.
Сборник докладов конференции Электронная компонентная база космических систем-2018

ПРОЦЕССЫ АТОМНО-СЛОЕВОГО ОСАЖДЕНИЯ ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ СЛОЕВ

2018 г.
РУДЕНКО К.В., Мяконьких А.В., Рогожин А.Е., Гущин О.П., Гвоздев А.П.
Микроэлектроника. 2018, т.47, №1. с.3-13

THE EFFECT OF FRENKEL PAIRS COMPONENTS SEPARATION DURING ION IMPLANTATION INTO SIO2-SI STRUCTURE

2018 г.
Baranov G.
Сборник тезисов Proceedings of the 26 th Int. Symp, «Nfnostructures: Physics and Technology» 2018. p.146

CORRELATION BETWEEN THE CHARGE TRAP DENSITY AND FRAM FATIGUE INERROELECRIC HFZRO*E-MRS

2018 г.
SPRING MEETING Strasbourg, Nanomaterials- electronics & -photonics. Poster Session I. K.PI.48

RESEARCH OF CHARGE TRANSPORT AND STRESS INDUCED LEAKAGE CURRENT IN THERMAL OXIDE ON SILICOn*E-MRS

2018 г.
SPRING MEETING Strasbourg, Nanomaterials- electronics & -photonics. Poster Session I. K.PI.47

ИНТЕГРИРОВАННЫЕ В СТРУКТУРЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ ВОЛНОВОДЫ НА ДИСКРЕТНЫХ НАНОРАЗМЕРНЫХ ЭЛЕМЕНТАХ

2018 г.
А.А. Сапегин, М.Ю. Барабаненков, А.Г. Итальянцев
Сборник докладов 3-й Международной научной конференции «Электронная компонентная база и электронные модули. М.: Наноиндустрия. Спецвыпуск, 2018. – №82. –С.252 – 256.

РАЗРАБОТКА И ПРИМЕНЕНИЕ IBIS – МОДЕЛЕЙ ДЛЯ ОПИСАНИЯ ЯЧЕЕК ВВОДА-ВЫВОДА.

2018 г.
Ильин С.А., Шипицин Д.С.
Труды 61-й Всероссийской научной конференции МФТИ. 19–25 ноября 2018 года. Электроника, фотоника и молекулярная физика. — М.: МФТИ, 2018. – c. 223-225

УЛЬТРАСЛЕДОВОЙ АНАЛИЗ СВЕРХЧИСТОЙ ДЕИОНИЗИРОВАННОЙ ВОДЫ НА УРОВНЯХ 5 НГ/Л (ppt) и ниже

2018 г.
Е.А., Кузьмина, А.С. Глинский, А.П. Кимрова
Международной метрологической конференции Физико-химические исследования, 2018, октябрь, Московская обл. Морозовка, Чистые помещения и технологические среды, №4 (68) 2018г, стр.27-32

ВОДА ДЛЯ УЛЬТРАСЛЕДОВЫХ ЛАБОРАТОРНЫХ АНАЛИЗОВ

2018 г.
А.С. Глинский, Е.А., Кузьмина, А.Д. Просий, А.П. Кимрова
Тезисы Международной метрологической конференции Физико-химические исследования - 2018, октябрь, Московская обл. Морозовка, Чистые помещения и технологические среды. №4 (68) 2018г, стр.23-26

EFFECT OF TERMINAL METHYL GROUP CONCENTRATION ON PLASMA RESISTANCE OF SPIN-ON LOW-K DIELECTRIC FILMS

2018 г.
A. Rezvanov, A.V. Miakonkikh, A.S. Vishnevskiy, D.S. Seregin, U. Baislamova, K.A. Vorotilov, K.V. Rudenko, M.R. Baklanov
Сборник тезисов конференции IC-MNE2018, October 1-5, 2018, Moscow-Zvenigorod, Russia, p/131 (03-13)

МЕТОД КЛЕТОЧНЫХ АВТОМАТОВ ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ САМОСБОРКИ DSA

2018 г.
Горнев Е.С., Литаврин М.В., Матюшкин И.В., Гущин О.П
SELLULAR AUTOMATA METHOD FOR DIRECTED SELF-ASSEMBLY MODELINE.Gornev, M.Litavrin, I.Matyushkin, O. Gushin. ICME-2018Book of Abstracts. Ed. by V.F.Lukichev,K.V Rudenko. Compiler. V.P.Kudrya Мoscow: MAKS Press, 2018. – р.47.

ЛАБОРАТОРНЫЙ ПРАКТИКУМ ПО КУРСУ «ЛИНГВИСТИЧЕСКИЕ СРЕДСТВА САПР

2018 г.
Ильин С.А., Коршунов А.В., Тельпухов Д.В.
издательство НИУ М.:МИЭТ, 2018.-60с.: ил.

МЕТОД ОЦЕНКИ ФУНКЦИИ НАДЁЖНОСТИ НАНОРАЗМЕРНЫХ ПРИБОРОВ С ПРИМЕНЕНИЕ АНАЛОГА УРАВНЕНИЯ НЕПРЕРЫВНОСТИ

2018 г.
Кожевников В.С., Матюшкин И.В.,Черняев Н.В.
В сборнике: Электроника, фотоника и молекулярная физика. Труды 61-й Всероссийской научной конференции МФТИ. 2018. С. 238-239

РАЗРАБОТКА МЕТОДИКИ РАСЧЕТА ГЕОМЕТРИИ И ХАРАКТЕРИСТИК ОПТИЧЕСКОГО СВЧ МОДУЛЯТОРА, ВЫПОЛНЕННОГО ПО ТЕХНОЛОГИИ КНИ

2018 г.
Скуратов И.Д.
В сборнике: Электроника, фотоника и молекулярная физика. Труды 61-й Всероссийской научной конференции МФТИ. 2018. С. 238-239

ИССЛЕДОВАНИЕ МЕХАНИЗМОВ ОБРАЗОВАНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И СТРУКТУРНЫХ СВОЙСТВ ПРОВОДЯЩЕГО ФИЛАМЕНТА В ЕМРИСТОРНЫХ СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ ОКИСЛОВ МЕТАЛЛОВВ

2018 г.
В сборнике: Электроника, фотоника и молекулярная физика. Фалалеев И.М. Труды 61-й Всероссийской научной конференции МФТИ. 2018. С. 238-239

РОЛЬ ЭКОНОМИКИ В ПРОЦЕССЕ ПОДГОТОВКИ ИНЖЕНЕРНО-ТЕХНИЧЕСКИХ КАДРОВ

2018 г.
Лизавенко М. В.
Фундаментальные основы инновационного развития науки и образования: Сборник статей II международной научно-практической конференции в 3 ч. Ч 3, - Пенза: МЦНС «наука и просвещению – 2018, с. 58-60

Area-selective grafting of siloxane molecules jn low-k dielectric films

2018 г.
Rezvanov A.A., Zuylkov I., Gornev E.S.

АДАПТАЦИЯ МЕТОДА МОДЕЛИРОВАНИЯ ОТЖИГА ДЛЯ РАЗМЕЩЕНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ В БАЗЕ РЕКОНФИГУРИРУЕМЫХ СИСТЕМ НА КРИСТАЛЛЕ

2018 г.
Эннс В.И., Гаврилов С.В., Железников Д.А., Чочаев Р.Ж.
Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника. №4(172) 2018. 55-61

ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ КОСМИЧЕСКОГО НАЗНАЧЕНИЯ. КОНЦЕПЦИЯ РАЗВИТИЯ.

2018 г.
Эннс В.И.
Сборник докладов конференции Электронная компонентная база космических систем-2018

ПРОБЛЕМЫ РАЗРАБОТКИ И ПРИМЕНЕНИЯ ПРОГРАММИРУЕМЫХ И ПОЛУЗАКАЗНЫХ ИС

2018 г.
Эннс В.И.
Сборник докладов конференции Электронная компонентная база космических систем-2018

THEORY AND NUMERICAL MODELLING OF NANORESONATORS, DISCRETE WAVEGUIDES, AND MODULATORS OF PLANAR RADIO-PHOTONIC ASSEMBLIES

2018 г.
В сборнике Micro- and Nanoelectronics – 2018. ??????. Сборник тезисов. Под ред. В.Ф. Лукичева, К.В. Руденко. Составитель В.П. Кудря. 2018. С. 47. 1

ТЕОРИЯ ЧИСЛЕННОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ НАНОРЕЗОНАТОРОВ, ДИСКРЕТНЫХ ВОЛНОВОДНЫХ МОДУЛЯТОРОВ ПЛАНАРНЫХ РАДИОФОТОННЫХ ЭЛЕМЕНТОВ

2018 г.
БАРАБАНЕНКОВ М.Ю., Итальянцев А.Г., Макаров М.Э., Сапегин А.А., Миннуллин

THE EFFECT OF FRENKEL PAIRS COMPONENTS SEPARATION DURING ION IMPLANTATION INTO SIO2-SI STRUCTURE

2018 г.
Baranov G.V.
Сборник тезисов Proceedings of the 26 th Int. Symp, «Nfnostructures: Physics and Technology» 2018. p.146

ЯЧЕЙКА СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПАМЯТИ

2018 г.
Красников Г.Я., Орлов О.М., Воронов Д.Д., Иванов С.В., Итальянцев А.Г.
Патент на изобретение RU 2649622 C1, 04.04.2018. Заявка № 2016150882 от 23.12.2016. 0

ЭФФЕКТИВНЫЕ УПРУГИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ АНОДНОГО ОКСИДА АЛЮМИНИЯ С НИТЕВИДНЫМИ ПОРАМИ, ЗАПОЛНЕННЫМИ ПОЛИВИНИЛИДЕНФТОРИДОМ

2018 г.
Красников Г.Я., Бардушкин В.В., Карташов Д.А., Кочетыгов А.А., Шиляева Ю.И., Яковлев В.Б.
Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. 2018. № 1 (169). С. 59-63. 0

ЭФФЕКТ РАЗДЕЛЕНИЯ КОМПОНЕНТОВ ПАР ФРЕНКЕЛЯ ПРИ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ СТРУКТУР SIO2-SI

2018 г.
Баранов Г.В., Итальянцев А.Г., Щербачев К.Д.
Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. 2018. № 3 (171). С. 23-28. 0

ЭФФЕКТ ПОРООБРАЗОВАНИЯ ПРИ ТЕРМИЧЕСКОМ РОСТЕ СИЛИЦИДОВ МЕТАЛЛОВ НА ПОВЕРХНОСТИ ОБЪЕМНЫХ НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР

2018 г.
Четвериков В.А., Баранов Г.В., Итальянцев И.Г., Ключников А.С.
В книге: Международный форум "Микроэлектроника-2018", 4-я Международная научная конференция "Электронная компонентная база и микро электронные модули". Сборник тезисов. 2018. С. 204-205. 0

ЭФФЕКТ ЗАТОРМОЖЕННОЙ ДИФФУЗИИ СВ ПРИ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ СТРУКТУРЫ SIO2-SI

2018 г.
Баранов Г.В., Итальянцев А.Г., Симакин С.Г.
В книге: Международный форум "Микроэлектроника-2018", 4-я Международная научная конференция "Электронная компонентная база и микро электронные модули". Сборник тезисов. 2018. С. 75. 0

ЭФФЕКТ ЗАМОРОЖЕННОЙ ДИФФУЗИИ ПРИ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ СТРУКТУРЫ SIO2-SI

2018 г.
Баранов О.В., Итальянцев А.Г., Симакин С.Г.
В книге: Кремний - 2018. тезисы докладов XII Конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе. под редакцией Б.Б. Страумала. 2018. С. 75. 0

ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИЙ СИНТЕЗ КОНЦЕНТРАТА ТЕТРАМЕТИЛАММОНИЯ ГИДРОКСИДА

2018 г.
Конарев А.А., Ранчин С.О., Варламов Д.А.
В книге: Международный форум "Микроэлектроника-2018", 4-я Международная научная конференция "Электронная компонентная база и микро электронные модули". Сборник тезисов. 2018. С. 208-211. 0

ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ МЕТОЛЫ СТАБИЛИЗАЦИИ ПАРАМЕТРОВ VSET И ROFF ДЛЯ ЯЧЕЕК ПАМЯТИ RERAM НА ОСНОВЕ ОКСИДА ГАФНИЯ

2018 г.
Лебедев А.О., Иванов С.В., Орлов О.М.
В книге: Международный форум "Микроэлектроника-2018", 4-я Международная научная конференция "Электронная компонентная база и микро электронные модули". Сборник тезисов. 2018. С. 178-180. 0

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ЛОКАЛЬНЫХ СУБМИКРОННЫХ ИОННО-ИМПЛАНТИРОВАННЫХ ОБЛАСТЕЙ

2018 г.
Баранов Г., Итальянцев А., Герасименко Н., Селецкий А.
Наноиндустрия. 2018. Т. 11. № 6 (85). С. 426-433. 0

ТОПОЛОГИЯ БАЗОВОЙ ЯЧЕЙКИ ПАМЯТИ ОЗУ ПЕРВОГО ТИПА, РАЗРАБОТАННАЯ ПО ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ТЕХНОЛОГИИ КНИ 90 НМ НА ОСНОВЕ ТРАНЗИСТОРОВ A-ТИПА И H1-ТИПА С НАПРЯЖЕНИЕМ ПИТАНИЯ 1.2 В

2018 г.
Ласточкин О.В., Шипицин Д.С.
Топология интегральной микросхемы RU 2018630088, 21.06.2018. Заявка № 2018630046 от 27.04.2018. 0

ТОПОЛОГИЯ БАЗОВОЙ ЯЧЕЙКИ ПАМЯТИ ОЗУ ВТОРОГО ТИПА, РАЗРАБОТАННАЯ ПО ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ТЕХНОЛОГИИ КНИ 90 НМ НА ОСНОВЕ ТРАНЗИСТОРОВ A-ТИПА И H1-ТИПА С НАПРЯЖЕНИЕМ ПИТАНИЯ 1.2 В

2018 г.
Ласточкин О.В., Шипицин Д.С.
Топология интегральной микросхемы RU 2018630089, 21.06.2018. Заявка № 2018630047 от 27.04.2018. 0

ТЕРМОСТАБИЛЬНЫЙ ГЕНЕРАТОР С ПОДАВЛЕНИЕМ ТЕМПЕРАТУРНЫХ ЭФФЕКТОВ ПЕРВОГО И ВТОРОГО ПОРЯДКА

2018 г.
Белоусов Е.О., Кочетков Д.В., Моленкамп К.М., Эннс А.В.
Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. 2018. № 4 (172). С. 24-30.

ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ ТЕХНОЛОГИИ СЛОЖНО ФУНКЦИОНАЛЬНОЙ ГЕТЕРОИНТЕГРИРОВАННОЙ ЭКБ

2018 г.
Красников Г.Я., Панасенко П.В., Волосов В.А., Щербаков Н.А.
В сборнике: Международный форум "Микроэлектроника-2018", 4-я Международная научная конференция "Электронная компонентная база и микро электронные модули". Сборник тезисов. 2018. С. 341-344. 0

СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ПАРАМЕТРОВ ШЕРОХОВАТОСТИ ЭЛЕКТРОННЫХ РЕЗИСТОВ ПРИ ПРОЯВЛЕНИИ СТРУКТУР SI МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ

2018 г.
Шарапов А.А., Баранов Г.В.
В сборнике: Электроника, фотоника и молекулярная физика. Труды 61-й Всероссийской научной конференции МФТИ. 2018. С. 243-244. 0

СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ МЕТОДИК ОЦЕНКИКОЛИЧЕСТВЕННЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ШЕРОХОВАТОСТИ НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР

2018 г.
Шарапов А.А., Баранов Г.В.
Труды Московского физико-технического института. 2018. Т. 10. № 2 (38). С. 72-79. 3

СПОСОБ ПОВЫШЕНИЯ ПЛОТНОСТИ ТОКА И ДЕГРАДАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ АВТОЭМИССИОННЫХ КАТОДОВ НА КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИНАХ

2018 г.
Красников Г.Я., Горнев Е.С., Орлов С.Н., Яфаров Р.К., Яфаров А.Р., Тимошенков С.П., Тимошенков В.П.
Патент на изобретение RU 2654522 C1, 21.05.2018. Заявка № 2016124771 от 22.06.2016. 0

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ КМОП КНИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ

2018 г.
Бенедиктов А.С., Шелепин Н.А., Игнатов П.В.
Патент на изобретение RU 2643938 C1, 06.02.2018. Заявка № 2016150880 от 23.12.2016. 1

СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ И ПРОБЛЕМЫ ЭЛЕКТРОННОГО МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЯ

2018 г.
Грибов Б.Г.
В сборнике: Материалы Всероссийской научной конференции с международным участием "III Байкальский материаловедческий форум". Ответственный редактор Е. Г. Хайкина. 2018. С. 9. 0

СЕМИНАР "ИССЛЕДОВАНИЯ В ОБЛАСТИ СПИНТРОНИКИ И ПЕРСПЕКТИВЫ СОЗДАНИЯ ЭЛЕМЕНТНОЙ БАЗЫ НА ЕЕ ОСНОВЕ"

2018 г.
Красников Г.Я., Тельминов О.А.
Радиоэлектроника. Наносистемы. Информационные технологии. 2018. Т. 10. № 3. С. 425-426. 0

РАСЧЁТНО-ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ОЦЕНКА НАДЁЖНОСТИ ГЛУБОКОСУБМИКРОННЫХ КНИ МОП-ТРАНЗИСТОРОВ ПРИ ВЫСОКИХ ТЕМПЕРАТУРАХ

2018 г.
Бенедиктов А.С., Шелепин Н.А., Игнатов П.В.
Микроэлектроника. 2018. Т. 47. № 3. С. 244-248. 0

РАСЧЕТ ХАРАКТЕРИСТИК ПРИБОРОВ НА ОСНОВЕ ПЛАНАРНЫХ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ

2018 г.
Жевненко Д.А., Горнев Е.С., Дудкин П.В., Криштоп В.Г.
В сборнике: Электроника, фотоника и молекулярная физика. Труды 61-й Всероссийской научной конференции МФТИ. 2018. С. 232-233. 0

РАЗРАБОТКА ОСНОВ КМОП-СОВМЕСТИМЫХ ТЕХНОЛОГИЙ РЕЗИСТИВНОЙ И СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПАМЯТИ (RERAM И FERAM)

2018 г.
Красников Г.Я., Горнев Е.С., Орлов О.М., Маркеев А.М., Черникова А.Г., Козодаев М.Г., Егоров К.В., Кузьмичев Д.С., Негров Д.В., Зенкевич А.В., Гриценко В.А., Перевалов Т.В., Hwang C.S.
В сборнике: Труды научного совета РАН. 2018. С. 70-84. 0

РАЗРАБОТКА МИС БУФЕРНОГО УСИЛИТЕЛЯ Х-ДИАПАЗОНА НА ОСНОВЕ ОТЕЧЕСТВЕННОЙ 90 НМ КМОП ТЕХНОЛОГИИ

2018 г.
Бабак Л.И., Волосов А.В., Гусев С.С., Коколов А.А., Панасенко П.В., Помазанов А.В., Россов А.В., Шеерман Ф.И., Дмитриев В.А., Коряковцев А.С.
В книге: Международный форум "Микроэлектроника-2018", 4-я Международная научная конференция "Электронная компонентная база и микро электронные модули". Сборник тезисов. 2018. С. 378-381. 0

РАЗРАБОТКА И ОСОБЕННОСТИ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ АППАРАТНОГО ГЕНЕРАТОРА СЛУЧАЙНЫХ ЧИСЕЛ В СОСТАВЕ ЗАЩИЩЕННЫХ СИСТЕМ НА КРИСТАЛЛЕ

2018 г.
Тимошин С.А., Нуйкин А.В., Ролдугина Ж.И.
Наноиндустрия. 2018. № S (82). С. 321-326. 0

ПРОГРАММНЫЙ КОМПЛЕКС MASKFLOW ДЛЯ АВТОМАТИЗАЦИИ ПРОЦЕССА ПОДГОТОВКИ УПРАВЛЯЮЩЕЙ ИНФОРМАЦИИ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОШАБЛОНОВ

2018 г.
Иванов В.В., Медведев К.А., Тельминов О.А.
Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. 2018. № 4 (172). С. 68-77.

ПРОБЛЕМЫ И ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ МЕТОДОВ КОРРЕКЦИИ ОПТИЧЕСКОЙ БЛИЗОСТИ ДЛЯ СОВРЕМЕННЫХ УРОВНЕЙ ТЕХНОЛОГИИ

2018 г.
Красников Г.Я., Синюков Д.В.
В сборнике: Труды научного совета РАН. 2018. С. 17-22. 0

ПРОБЛЕМЫ И ЗАДАЧИ ЭЛЕКТРОННОГО МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЯ НА СОВРЕМЕННОМ ЭТАПЕ РАЗВИТИЯ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ

2018 г.
Грибов Б.Г.
В книге: Международный форум "Микроэлектроника-2018", 4-я Международная научная конференция "Электронная компонентная база и микро электронные модули". Сборник тезисов. 2018. С. 28. 0

ПРИНЦИПЫ ПОСТРОЕНИЯ ФОТОННЫХ АЦП И ПЕРСПЕКТИВЫ ИХ РЕАЛИЗАЦИИ В ИНТЕГРАЛЬНОМ ИСПОЛНЕНИИ

2018 г.
Сапегин А.А., Барабаненков М.Ю., Итальянцев А.Г., Макаров Е.Г.
В книге: Международный форум "Микроэлектроника-2018", 4-я Международная научная конференция "Электронная компонентная база и микро электронные модули". Сборник тезисов. 2018. С. 261-262. 0

ПРИЕМОПЕРЕДАЮЩИЙ МОДУЛЬ Х-ДИАПАЗОНА НА КРЕМНИЕВОЙ КОММУТАЦИОННОЙ ПЛАТЕ

2018 г.
Волосов А.В., Бавижев М.Д., Котляров Е.Ю., Панасенко П.В.
Наноиндустрия. 2018. № S (82). С. 441-442. 0

ПОЛУЧЕНИЕ ВОДОРОДА ДЛЯ ТОПЛИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ТОНКОДИСПЕРСНОГО КРЕМНИЯ

2018 г.
Грибов Б., Зиновьев К., Калашник О., Герасименко Ф.И.Р.Им.П.Н.Л., Смирнов Ф.И.Р.Им.П.Н.Л., Суханов В., Суханова Л., Четвериков В.
Наноиндустрия. 2018. Т. 11. № 5 (84). С. 370-378. 0

ПОЛЕВАЯ ЭМИССИЯ ЭЛЕКТРОНОВ МНОГООСТРИЙНЫХ КРЕМНИЕВЫХ КАТОДНЫХ МАТРИЦ

2018 г.
Красников Г.Я., Горнев Е.С., Орлов С.Н., Яфаров Р.К., Яфаров А.Р., Тимошенков С.П., Тимошенков В.П.
Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. 2018. № 2 (170). С. 38-42.

ПОВЕРХНОСТЬ И ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ

2018 г.
Бокарев В.П.
Москва, 2018. 3

ПЛАНАРНЫЙ КНИ БЕСПЕРЕХОДНОЙ МОП-ТРАНЗИСТОР

2018 г.
Королев М.А., Чаплыгин Ю.А., Ключников А.С., Ефимова Д.И.
Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. 2018. № 1 (169). С. 5-14. 2

ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ УНИВЕРСАЛЬНОЙ ЗАЩИЩЁННОЙ ПРОГРАММНО-АППАРАТНОЙ ПЛАТФОРМЫ СО СВЕРХНИЗКИМ ПОТРЕБЛЕНИЕМ ДЛЯ УСТРОЙСТВ ИНТЕРНЕТА ВЕЩЕЙ

2018 г.
Нуйкин А.В., Кравцов А.С., Мытник К.Я.
В книге: Международный форум "Микроэлектроника-2018", 4-я Международная научная конференция "Электронная компонентная база и микро электронные модули". Сборник тезисов. 2018. С. 286-287. 0

ОЦЕНКА СТОЙКОСТИ СОВРЕМЕННЫХ МИКРОСХЕМ К ИНЖЕНЕРНЫМ АТАКАМ

2018 г.
Благодатов В.В., Кравцов А.С., Рудницкий А.С., Нуйкин А.В.
В книге: Международный форум "Микроэлектроника-2018", 4-я Международная научная конференция "Электронная компонентная база и микро электронные модули". Сборник тезисов. 2018. С. 288-289. 0

ОСОБЕННОСТИ ЭЛЕМЕНТНОЙ БАЗЫ СБИС НА ОСНОВЕ ТЕХНОЛОГИИ КМОП КНИ С ПОЛНЫМ ОБЕДНЕНИЕМ

2018 г.
Шелепин Н.А.
Наноиндустрия. 2018. № S (82). С. 46-48. 0

ОСОБЕННОСТИ ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ КОММУТАЦИОННЫХ ПЛАТ ДЛЯ СВЧ МОДУЛЕЙ

2018 г.
Волосов А.В., Клычников М.И., Красников Г.Я., Нефедьев С.В., Панасенко П.В., Щербаков Н.И., Пяточкин М.Д.
В книге: Международный форум "Микроэлектроника-2018", 4-я Международная научная конференция "Электронная компонентная база и микро электронные модули". Сборник тезисов. 2018. С. 346-347. 0

КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ МЕТОДЫ УСИЛЕНИЯ РАЗРЕШЕНИЯ ОПТИЧЕСКОЙ ЛИТОГРАФИИ

2018 г.
Красников Г.Я., Гущин О.П., Литаврин М.В., Горнев Е.С.
Наноиндустрия. 2018. № S (82). С. 236-237. 1

ИСТОЧНИК ТОКА, СТАБИЛИЗИРОВАННЫЙ В ШИРОКОМ ДИАПАЗОНЕ НАПРЯЖЕНИЯ ПИТАНИЯ

2018 г.
Игнатьев С.М.
Патент на полезную модель RU 181942 U1, 30.07.2018. Заявка № 2018113328 от 12.04.2018. 0

ИСТОЧНИК ОПОРНОГО НАПРЯЖЕНИЯ

2018 г.
Игнатьев С.М.
Патент на изобретение RU 2673243 C1, 23.11.2018. Заявка № 2018102644 от 24.01.2018. 0

ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЙ ЧАСТИ ПЕРЕДАТОЧНОЙ ФУНКЦИИ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ

2018 г.
Дудкин П.В., Жевненко Д.А., Горнев Е.С., Кузьменко В.О., Кохановский С.В., Жабин С.Н., Криштоп В.Г.
В книге: Международный форум "Микроэлектроника-2018", 4-я Международная научная конференция "Электронная компонентная база и микро электронные модули". Сборник тезисов. 2018. С. 505-506. 1

ИССЛЕДОВАНИЕ РАЗМЕРОВ ЗЕРЕН КРЕМНИЕВОГО НАНОПОРОШКА

2018 г.
Шерметова М.А., Четвериков В.А.
В сборнике: Наноматериалы и нанотехнологии: проблемы и перспективы. Сборник материалов VII Международной научной конференции для молодых ученых. 2018. С. 41-45. 0

АНИЗОТРОПИЯМ ПОВЕРХНОСТНЫХ СВОЙСТВ КРИСТАЛЛОВ И ЕЁ РОЛЬ В ТЕХНОЛОГИИ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ

2018 г.
Бокарев В.П., Красников Г.Я., Горнев Е.С.
В книге: Международный форум "Микроэлектроника-2018", 4-я Международная научная конференция "Электронная компонентная база и микро электронные модули". Сборник тезисов. 2018. С. 161-162. 0

ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА СКВОЗНОГО ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ HKMG СТЕКА НАНОТРАНЗИСТОРА С КРИТИЧЕСКИМ РАЗМЕРОМ 32 НМ

2018 г.
Куваев К.Ю., Татаринцев А.А., Орликовский Н.А., Руденко К.В., Гущин О.П., Горнев Е.С., Мяконьких А.В.
Микроэлектроника. 2018. Т. 47. № 5. С. 44-50. 0

ИССЛЕДОВАНИЕ ДИНАМИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ КНИ КМОП СБИС

2018 г.
Бенедиктов А.С., Шелепин Н.А., Игнатов П.В., Михайлов А.А., Потупчик А.Г.
Микроэлектроника. 2018. Т. 47. № 3. С. 222-225. 3

ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ КОНСТРУКЦИИ И МЕТОДОВ ФОРМИРОВАНИЯ НА N-КАНАЛЬНЫЙ LDMOS -ТРАНЗИСТОР

2018 г.
Ганыкина Е.А., Игнатов П.В., Горнев Е.С.
В сборнике: Электроника, фотоника и молекулярная физика. Труды 61-й Всероссийской научной конференции МФТИ. 2018. С. 240-241. 0

ИСПОЛЬЗОВАНИЕ RFID-ТЕХНОЛОГИИ В ЭКОСИСТЕМЕ ИНТЕРНЕТА ВЕЩЕЙ

2018 г.
Нуйкин А.В., Кравцов А.С.
Наноиндустрия. 2018. № S (82). С. 313. 0

ОСОБЕННОСТИ РАЗРАБОТКИ ТЕХНОЛОГИИ И СРЕДСТВ ПРОЕКТИРОВАНИЯ ВЫСОКОНАДЕЖНЫХ МИКРОСХЕМ С ТЕХНОЛОГИЧЕСКИМ УРОВНЕМ 90 НМ

2018 г.
Шелепин Н.А.
В книге: Международный форум "Микроэлектроника-2018", 4-я Международная научная конференция "Электронная компонентная база и микро электронные модули". Сборник тезисов. 2018. С. 223-226. 0

ОСОБЕННОСТИ РАЗРАБОТКИ STD/IO НА ОСНОВЕ MCML СХЕМОТЕХНИКИ В БАЗИСЕ ТЕХНОЛОГИИ КМОП 90 НМ И ОЦЕНКА ПЕРСПЕКТИВ ИХ ПРИМЕНЕНИЯ ПРИ ПРОЕКТИРОВАНИИ СБИС

2018 г.
Ильин С.А., Кочанов С.К., Ласточкин О.В., Новиков А.А., Шипицин Д.С.
Наноиндустрия. 2018. № S (82). С. 361-364. 0

РАЗМЕЩЕНИЯ SRAF ДЛЯ УВЕЛИЧЕНИЯ РАЗРЕШАЮЩЕЙ СПОСОБНОСТИ ФОТОЛИТОГРАФИИ

2018 г.
Харченко Е.Л., Кузовков А.В., Иванов В.В.
В книге: Международный форум "Микроэлектроника-2018", 4-я Международная ОПТИМИЗАЦИЯ научная конференция "Электронная компонентная база и микро электронные модули". Сборник тезисов. 2018. С. 172-175. 0

ОБЩАЯ ТЕОРИЯ ТЕХНОЛОГИИ И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА: ЧАСТЬ 3. УРОВЕНЬ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЙ ОПЕРАЦИИ

2018 г.
Красников Г.Я., Горнев Е.С., Матюшкин И.В.
Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. 2018. № 3 (171). С. 63-93. 4

ОБЗОР МЕТОДОВ ПОДАВЛЕНИЯ КОРОТКОКАНАЛЬНЫХ ЭФФЕКТОВ В ГЛУБОКОСУБМИКРОННОМ МОП-ТРАНЗИСТОРЕ

2018 г.
Красников Г.Я., Горнев Е.С., Игнатов П.В., Мизгинов Д.С.
Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. 2018. № 2 (170). С. 17-19. 2

НЕКОТОРЫЕ АСПЕКТЫ САМОСОВМЕЩЕННОГО ПАТТЕРНИРОВАНИЯ В ИММЕРСИОННОЙ ЛИТОГРАФИИ

2018 г.
Красников Г.Я., Гущин О.П., Литаврин М.В., Горнев Е.С.
Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. 2018. № 1 (169). С. 42-53. 0

МОДУЛЯТОР ИНТЕНСИВНОСТИ НА ОСНОВЕ ПОЛОСКОВОГО SI ВОЛНОВОДА КНИ СТРУКТУРЫ, НАГРУЖЕННОГО БРЭГГОВСКИМ ЗЕРКАЛОМ

2018 г.
Макаров М.Э., Барабаненков М.Ю., Итальянцев А.Г.
Электроника и микроэлектроника СВЧ. 2018. Т. 1. С. 534-538. 0

МОДЕЛИРОВАНИЕ МЕТОДОМ МОНТЕ-КАРЛО ОБРАЗОВАНИЯ ВТОРИЧНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ В КРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИ

2018 г.
Кузнецова Е.В.
Труды Московского физико-технического института. 2018. Т. 10. № 1 (37). С. 33-40. 0

МОДЕЛИРОВАНИЕ ДИНАМИКИ ИНТЕГРАЛЬНОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ LOW-K ОРГАНОСИЛИКАТНОЙ ПЛЕНКИ ПРИ СУХОМ ТРАВЛЕНИИ ФОТОРЕЗИСТА В O2-ПЛАЗМЕ

2018 г.
Резванов А.А., Горнев Е.С., Гущин О.П., Матюшкин И.В.
Микроэлектроника. 2018. Т. 47. № 6. С. 451-459. Версии: MODELING THE DYNAMICS OF THE INTEGRAL DIELECTRIC PERMITTIVITY OF A POROUS LOW-K ORGANOSILICATE FILM DURING THE DRY ETCHING OF A PHOTORESIST IN O 2 PLASMA Rezvanov A.A., Gornev E.S., Matyushkin I.V., Gushchin O.P. Russian Microelectronics. 2018. Т. 47. № 6. С. 415-426. 3

МИКРОЭЛЕКТРОНИКА В РОССИИ: ПРОБЛЕМЫ И ПУТИ РЕШЕНИЯ

2018 г.
Горнев Е.С.
Горнев Е.С. В книге: Кремний-2018. Тезисы докладов XII Конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе. Под ред. Б.Б. Страумала. 2018. С. 4-7. 0

МЕТОДИКА ИЗМЕНЕНИЯ OPC-РЕЦЕПТА ДЛЯ H-ТРАНЗИСТОРОВ

2018 г.
Харченко Е.Л., Кузовков А.В., Иванов В.В.
В сборнике: Электроника, фотоника и молекулярная физика. Труды 61-й Всероссийской научной конференции МФТИ. 2018. С. 225-226. 0

МЕТОД РАССТАНОВКИ КРИСТАЛЛОВ В МPW В УСЛОВИЯХ МЕЛКОСЕРИЙНОГО ПРОИЗВОДСТВА

2018 г.
Кузовков А.В., Иванов В.В.
В книге: Международный форум "Микроэлектроника-2018", 4-я Международная научная конференция "Электронная компонентная база и микро электронные модули". Сборник тезисов. 2018. С. 164-166. 0

МЕТОД ОПТИМИЗАЦИИ ИСТОЧНИКА ОСВЕЩЕНИЯ В ПРОЕКЦИОННОЙ ФОТОЛИТОГРАФИИ

2018 г.
Харченко Е.Л., Иванов В.В., Кузовков А.В.
Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. 2018. № 2 (170). С. 32-37.

МЕТОД АВТОМАТИЧЕСКОЙ РАССТАНОВКИ КРИСТАЛЛОВ В ПОЛЕ ФОТОШАБЛОНА С УЧЕТОМ ОГРАНИЧЕНИЙ ТЕХНОЛОГИИ

2018 г.
Кузовков А.В., Иванов В.В., Шипицин Д.С.
Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. 2018. № 4 (172). С. 18-23. 2ячеек

МАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ КОНЕЧНОГО АВТОМАТА АБСТРАКТНОГО НЕЙРОНА И СЕТЕЙ НА ЕГО ОСНОВЕ

2018 г.
Горнев Е.С., Теплов Г.С.
Нано- и микросистемная техника. 2018. Т. 20. № 7. С. 434-448. 0

КОНСТРУКТОРСКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКАЯ ПЛАТФОРМА ПРОЕКТИРОВАНИЯ РАДИАЦИОННО-СТОЙКИХ СБИСБ НА БАЗЕ ОТЕЧЕСТВЕННОЙ ТЕХНОЛОГИИ КМОП 90 НМ НА ОСНОВЕ RHBD МЕТОДОЛОГИИ

2018 г.
Ильин С.А., Ласточкин О.В., Надин А.С., Новиков А.А., Шипицин Д.С.
В книге: Международный форум "Микроэлектроника-2018", 4-я Международная научная конференция "Электронная компонентная база и микро электронные модули". Сборник тезисов. 2018. С. 226-228. 1

КОМПЬЮТЕРНЫЙ РАСЧЕТ МНОГОКРАТНОГО РАССЕЯНИЯ ТЕ ПОЛЯРИЗОВАННЫХ ВОЛН НА ОДНОМЕРНЫХ ДИФРАКЦИОННЫХ РЕШЕТКАХ МЕТОДОМ МАТРИЧНОГО УРАВНЕНИЯ РИККАТИ

2018 г.
Миннуллин Р.Т., Барабаненков М.Ю., Итальянцев А.Г.
В сборнике: Электроника, фотоника и молекулярная физика. Труды 61-й Всероссийской научной конференции МФТИ. 2018. С. 226-228. 0

ИОННО-ЛУЧЕВЫЕ МЕТОДЫ В МИКРОФОТОНИКЕ

2018 г.
Красников Г.Я., Гущин О.П., Литаврин М.В., Горнев Е.С.
Наноиндустрия. 2018. № S (82). С. 236-237. 1

КОМПЬЮТЕРНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ГОЛОМОРФНОЙ ДИНАМИКИ ЭКСПОНЕНЦИАЛЬНОГО И ЛИНЕЙНО-ЭКСПОНЕНЦИАЛЬНОГО ОТОБРАЖЕНИЙ

2018 г.
Матюшкин И.В., Заплетина М.А.
Компьютерные исследования и моделирование. 2018. Т. 10. № 4. С. 383-405. 1

ИНТЕГРАЛЬНАЯ МИКРОСХЕМА MIK51AB144D - ОДНОКРИСТАЛЬНЫЙ МИКРОКОНТРОЛЛЕР ДЛЯ ПЕРСОНАЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОННОЙ КАРТЫ ВОЕННОСЛУЖАЩЕГО

2018 г.
Нуйкин А.В., Кравцов А.С., Тимошин С.А.
Топология интегральной микросхемы RU 2018630029, 07.02.2018. Заявка № 2017630183 от 15.12.2017. 0

ЗОНДОВОЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ КОНТРОЛЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ КРИСТАЛЛОВ МИКРОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ НА ПЛАСТИНЕ

2018 г.
Игнатьев С.М., Шишкина О.А.
Патент на полезную модель RU 178895 U1, 23.04.2018. Заявка № 2017144080 от 15.12.2017. 0

ГЕНЕРАЦИЯ ТОПОЛОГИИ СЛУЧАЙНОЙ КОНФИГУРАЦИИ ДЛЯ ОТРАБОТКИ ОРС-МОДЕЛИ

2018 г.
Харченко Е.Л., Ипатова Е.В.
В книге: Международный форум "Микроэлектроника-2018", 4-я Международная научная конференция "Электронная компонентная база и микро электронные модули". Сборник тезисов. 2018. С. 201-204. 0

ГАЗОДИНАМИЧЕСКАЯ ЗАЩИТА ПРОЦЕССОВ И ОБЪЕКТОВ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ ОТ ВНЕШНИХ КОНТАМИНАЦИЙ

2018 г.
Веденеев В.В., Решмин А.И., Тепловодский С.Х., Зайко Ю.С., Маркин А.В.
В книге: Международный форум "Микроэлектроника-2018", 4-я Международная научная конференция "Электронная компонентная база и микро электронные модули". Сборник тезисов. 2018. С. 561-564. 0

ВЫСОКОТОЧНЫЙ ГИДРОФОН НА ОСНОВЕ ПЛАНАРНОГО ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ

2018 г.
Криштоп Т.В., Жевненко Д.А., Кохановский С.В., Дудкин П.В., Злобин А.С., Беляев А., Криштоп В.Г.
В книге: Международный форум "Микроэлектроника-2018", 4-я Международная научная конференция "Электронная компонентная база и микро электронные модули". Сборник тезисов. 2018. С. 470-471. 0

ВОЗДЕЙСТВИЕ ГАММА-ИЗЛУЧЕНИЯ НА ПАРАМЕТРЫ СЧЕТНОГО ТРИГГЕРА

2018 г.
Богатырев Ю.В., Ластовский С.Б., Огородников Д.А., Чеховский В.А., Темирбулатов М.С., Эннс В.И., Шмигельский В.Н.
Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2018. № 2. С. 25-30. 0

ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРОМИГРАЦИИ НА КОЭФФИЦИЕНТ НЕЛИНЕЙНЫХ ИСКАЖЕНИЙ ПЛАНАРНЫХ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ

2018 г.
Жевненко Д.А., Горнев Е.С., Кузьменко В.О., Дудкин П.В., Жабин С.Н., Криштоп Т.В., Криштоп В.Г.
В книге: Международный форум "Микроэлектроника-2018", 4-я Международная научная конференция "Электронная компонентная база и микро электронные модули". Сборник тезисов. 2018. С. 498-500. 1

БЛОК ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ ПАМЯТИ ЭСППЗУ 640 БИТ

2018 г.
Нуйкин А.В., Тимошин С.А., Кравцов А.С., Зубов И.А.
Топология интегральной микросхемы RU 2018630031, 09.02.2018. Заявка № 2017630180 от 15.12.2017. 0

БЛОК ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ ПАМЯТИ ЭСППЗУ 64 КБАЙТ

2018 г.
Нуйкии А.В., Тимошин С.А., Кравцов А.С., Зубов И.А.
Топология интегральной микросхемы RU 2018630027, 07.02.2018. Заявка № 2017630185 от 15.12.2017. 0

БЛОК ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ ПАМЯТИ ЭСППЗУ 144 КБАЙТ

2018 г.
Нуйкин А.В., Тимошин С.А., Кравцов А.С., Зубов И.А.
Топология интегральной микросхемы RU 2018630028, 07.02.2018. Заявка № 2017630184 от 15.12.2017. 0

БЛОК ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ ПАМЯТИ ЭСППЗУ 128 КБАЙТ

2018 г.
Нуйкин А.В., Тимошин С.А., Кравцов А.С., Зубов И.А.
Топология интегральной микросхемы RU 2018630032, 09.02.2018. Заявка № 2017630178 от 15.12.2017. 0

БЛОК ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ ПАМЯТИ ЭСППЗУ 1 КБАЙТ

2018 г.
Нуйкин А.В., Тимошин С.А., Кравцов А.С., Зубов И.А.
Топология интегральной микросхемы RU 2018630030, 09.02.2018. Заявка № 2017630182 от 15.12.2017. 0

19. АНИЗОТРОПИЯМ ПОВЕРХНОСТНЫХ СВОЙСТВ КРИСТАЛЛОВ И ЕЁ РОЛЬ В ТЕХНОЛОГИИ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ

2018 г.
Бокарев В.П., Красников Г.Я., Горнев Е.С.
В книге: Международный форум "Микроэлектроника-2018", 4-я Международная научная конференция "Электронная компонентная база и микро электронные модули". Сборник тезисов. 2018. С. 161-162. 0

АНАЛИЗ ФАКТОРОВ ВОЗДЕЙСТВИЯ НА ШЕРОХОВАТОСТЬ ТОПОЛОГИЧЕСКИХ СТРУКТУР SI МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ

2018 г.
Шарапов А.А., Баранов Г.В.
В книге: Международный форум "Микроэлектроника-2018", 4-я Международная научная конференция "Электронная компонентная база и микро электронные модули". Сборник тезисов. 2018. С. 205-207. 0

АНАЛИЗ МОДЕЛЕЙ ПРОБОЯ ПОДЗАТВОРНОГО ДИЭЛЕКТРИКА

2018 г.
Красников Г.Я., Горнев Е.С., Игнатов П.В., Мизгинов Д.С.
Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. 2018. № 2 (170). С. 5-7.

АЛГОРИТМ ПОСТРОЕНИЯ И ОЦЕНКИ СТРУКТУРЫ КОММУТАЦИОННЫХ БЛОКОВ ПЛИС С ЗАДАННЫМ КОЛИЧЕСТВОМ СВЯЗЕЙ

2018 г.
Кузьминов И.В., Новожилов И.С., Лосев В.В.
Известия высших учебных заведений. Электроника. 2018. Т. 23. № 5. С. 526-530. 0

АЛГОРИТМ И МЕТОДИКА ПОВЫШЕНИЯ ЭФФЕКТИВНОСТИ ОРС-РЕЦЕПТА

2018 г.
Медведев К.А., Кузовков А.В., Иванов В.В.
В книге: Международный форум "Микроэлектроника-2018", 4-я Международная научная конференция "Электронная компонентная база и микро электронные модули". Сборник тезисов. 2018. С. 187-190. 0

HIGHLY SENSITIVE ULTRA-LOW FREQUENCY HYDROPHONE

2018 г.
Krishtop T.V., Zhevnenko D.A., Kokhanovsky S.V., Dudkin P.V., Zlobin A.S., Belyaev A.Y., Krishtop V.G.
В книге: Micro- and Nanoelectronics - 2018. Сборник тезисов. Под ред. В.Ф. Лукичева, К.В. Руденко. Составитель В.П. Кудря. 2018. С. 203. 0

АДАПТАЦИЯ МЕТОДА МОДЕЛИРОВАНИЯ ОТЖИГА ДЛЯ РАЗМЕЩЕНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ В БАЗИСЕ РЕКОНФИГУРИРУЕМЫХ СИСТЕМ НА КРИСТАЛЛЕ

2018 г.
Гаврилов С.В., Железников Д.А., Чочаев Р.Ж., Эннс В.И.
Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. 2018. № 4 (172). С. 55-61. 0

STABILIZATION METODS OF VSET AND ROFF IN CYCLING PROCESS FOR RERAM BASED ON HAFNIUM OXIDE

2018 г.
Lebedev A.O., Orlov O.M.
В книге: Micro- and Nanoelectronics - 2018. Сборник тезисов. Под ред. В.Ф. Лукичева, К.В. Руденко. Составитель В.П. Кудря. 2018. С. 80. 0

PT -SYMMETRIC INTERFERENCE TRANSISTOR

2018 г.
Gorbatsevich A.A., Shubin N.M., Krasnikov G.Y.
Scientific Reports. 2018. Т. 8. № 1. С. 15780. 7

PROMISING MATERIALS OF NONVOLATILE MEMORY BASED ON HFOX AND ACHIEVEMENT OF DEVICE PARAMETERS IN THE TIN/HF0.5ZR0,5O2/TIN/SIO2/SI AND TIN/HFXAL1-X/PT/ SIO2/SI TEST STRUCTURES OBTAINED ON THE NATIONAL TECHNOLOGICAL BASISPROMISING MATERIALS OF NONVOLATILE ME

2018 г.
Orlov O.M.
В сборнике: The Fourth Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials (ASCO-NANOMAT 2018). Proceedings. 2018. С. 157-158. 0

THE TECHNIQUE OF FAST POWER ANALYSIS FOR FINFET STANDARD CELLS

2018 г.
Korshunov A.V., Ilin S.A.
В сборнике: Proceedings of 2018 IEEE East-West Design and Test Symposium, EWDTS 2018. electronic publication. 2018. С. 8524810. 0

QUANTUM INTERFERENCE MOLECULAR INVERTER

2018 г.
Gorbatsevich A.A., Krasnikov G.Ya., Shubin N.M.
В книге: Micro- and Nanoelectronics - 2018. Сборник тезисов. Под ред. В.Ф. Лукичева, К.В. Руденко. Составитель В.П. Кудря. 2018. С. 57. 0

MODEL OF COORDINATION MELTING OF CRYSTALS AND ANISOTROPY OF PHYSICAL AND CHEMICAL PROPERTIES OF THE SURFACE

2018 г.
Bokarev V.P., Krasnikov G.Y.
Surface Science. 2018. Т. 668. С. 73-79. 5

LOW-K PROTECTION FROM F RADICALS AND VUV PHOTONS USING A MULTILAYER PORE GRAFTING APPROACH

2018 г.
Zotovich A., Kurchikov K., Zyryanov S.M., Lopaev D., Rezvanov A., Clemente I., Gornev E., Chanson R., Zhang L., Hacker N., Klimin S., Miakonkikh A., Maslakov K.
Journal of Physics D: Applied Physics. 2018. Т. 51. № 32. С. 325202. 4

INFLUENCE OF THE ELECTROMIGRATION ON THE CHARACTERISTICS OF ELECTROCHEMICAL MICROSYSTEMS

2018 г.
Zhevnenko D.A., Gornev E.S., Kuzmenko V.O., Dudkin P.V., Zhabin S.N., Krishtop T.V., Krishtop V.G.
В книге: Micro- and Nanoelectronics - 2018. Сборник тезисов. Под ред. В.Ф. Лукичева, К.В. Руденко. Составитель В.П. Кудря. 2018. С. 204. 0

EXPERIMENTAL RESEARCH OF ITERATED DYNAMICS FOR THE COMPLEX EXPONENTIALS WITH LINEAR TERM

2018 г.
Matyushkin I.V., Zapletina M.A.
В сборнике: Journal of Physics: Conference Series. 6. Сер. "European Conference - Workshop "Nonlinear Maps and Applications"" 2018. С. 012008. 0

COMPARATIVE ANALYSIS OF STANDARD CELLS PERFORMANCE FOR 7NM FINFET AND 28NM CMOS TECHNOLOGIES WITH CONSIDERING FOR PARASITIC ELEMENTS

2018 г.
Ilin S., Ryzhova D., Korshunov A.
В сборнике: Proceedings of the 2018 IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering, ElConRus 2018. 2018. С. 1360-1363. 0

CELLULAR AUTOMATA METHOD FOR DIRECTED SELF-ASSEMBLY MODELING

2018 г.
Gornev E.S., Litavrin M., Matyushkin I., Gushin O.P.
В сбicорнике: Micro- and Nanoelectronics - 2018. Сборник тезисов. Под ред. В.Ф. Лукичева, К.В. Руденко. Составитель В.П. Кудря. 2018. С. 47. 1

ALTERNATIVE BEOL APPROACH: GAP FILLNG WITH CSD LOV-K DIELEKTRIC

2018 г.
Seregin D., Kuznezov D., Valleev A.S., Vorotilov K., Krasnikov G.Ja., Sigov A.
В книге: Micro- and Nanoelectronics - 2018. Сборник тезисов. Под ред. В.Ф. Лукичева, К.В. Руденко. Составитель В.П. Кудря. 2018. С. 25. 0

«Индукционные токи утечки и механизм транспорта заряда в термическом оксиде кремния»

2017 г.
Авторы: Д.Р. Измайлов, Гриценко В.А., Перевалов Т.В., Орлов О.М., Красников Г.Я.
Материалы ХIV Международной конференции «Физика диэлектриков» (Диэлектрики-2017), 29 мая-2 июня 2017г., Санкт-Петербург, том 1, с.66-68

«Исследование особенностей интеграции элементов энергонезависимой памяти FRAM с КМОП технологией»

2017 г.
Авторы: О.М. Орлов, Д.Д. Воронов, Р.А. Измайлов, Г.Я. Красников
Журнал - «Микроэлектроника»,2017, том 46, №5, с. 380-385

«1Т-1С-ячейки и массивы сегнетоэлектрической памяти на основе оксида гафния»

2017 г.
Авторы: Черникова А.Г., Красников Г.Я., Горнев Е.С., Козодаев М.Г., Маркеев А.М., Негров Д.В., Орлов О.М., Зенкевич А.В., Маркеев А.М.
Сборник тезисов и докладов 3-ей Международной научно-технической конференции «Микроэлектроника-2017», 02-07.10. 2017г.,Республика Крым, Алушта, Москва: ТЕХНОСФЕРА, 2017.- 496 с., стр. 170.

«Сравнение элементов флеш-памяти с использованием материалов на основе графена»

2017 г.
И.В. Антонова, И.А. Котин, О.М. Орлов, С.Ф. Девятова
Журнал - Письма в ЖТФ, 2017г, том 43, вып.19, с.43-50

«Общая теория технологии и микроэлектроника: Часть 2. Вопросы метода и класификации»

2017 г.
Авторы: Красников Г. Я., Горнев Е. С, Матюшкин И. В.
Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника», выпуск № 4, 2017г., с. 16-41

«Модель адаптивного нейрона и его аппаратная реализация на ПЛИС»

2017 г.
Авторы: Матюшкин И. В., Соловьев Р. А.
Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника», выпуск № 3, 2017г., с. 53-61

«Электрохимические процессы в технологии формирования матричной структуры выводов микросборок»

2017 г.
Авторы: Красников Г. Я., Горнев Е. С., Рощин В. М. Яковлев В. Б., Петухов И. Н.
Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника», выпуск № 3, 2017г., с. 22-27

«Физико-технологические особенности формирования системы Si–SiO2 с нанотонкими слоями диоксида кремния»

2017 г.
Авторы: Зайцев Н. А., Красников Г. Я., Плотников Ю. И.
Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника», выпуск № 2, 2017г., с. 51-55

«Влияние расположения контактов к карманам в инверторе на возникновение тиристорного эффекта, вызванного воздействием тяжелых заряженных частиц»

2017 г.
Автор: Панышев К. А.
Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника», выпуск № 2, 2017г., с. 11-18

«Особенности перераспределения атомов As в Si при ионной имплантации структур SiO2–Si»

2017 г.
Авторы: Баранов Г. В., Итальянцев А. Г., Песков Ш.Г.
Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника», выпуск № 2, 2017г., с. 4-10

«Общая теория технологии и микроэлектроника: Часть 1. Уровни описания технологии»

2017 г.
Авторы: Красников Г. Я., Горнев Е. С, Матюшкин И. В.
Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника», выпуск № 1, 2017г., с. 51-69

«Исследования возможностей отечественной технологии КМОП КНИ 180 нм для создания радиочастотных приемо-передающих БИС космического назначения»

2017 г.
Авторы: Усачев Н.А., Елесин В.В., Назарова Г.Н., Сотсков Д.И., Никифоров А.Ю., Чуков Г.В., Метелкин И.О., Жидков Н.М., Дмитриев В.А., Селецкий А.В., Шелепин Н.А.
Журнал «Известия высших учебных заведений ЭЛЕКТРОНИКА» т.22 №6, 2017г. с. 546-558

«Конструктивно-технологические методы реализации транзисторов, ориентированных на высокое напряжение питания»

2017 г.
Авторы: Красников Г.Я., Горнев Е.С., Игнатов П.В., Мизгинов Д.С.
Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника», выпуск № 4 , 2017г. с. 12-15

«Сравнительный анализ методов измерения количественных характеристик шероховатости наноразмерных структур»

2017 г.
Авторы: Шарапов А.А., Баранов Г.В.
Сборник трудов 60-й Всероссийской научной конференции МФТИ-60, 20-26 ноября 2017г, стр. 254-255

«Исследование технологических параметров современных электронных резистов»

2017 г.
Авторы: Красников Г.Я., Гущин О.П., Шишлянников А.В., Горнев Е.С., Орликовский Н.А., Татаринцев А.А.
Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника», выпуск № 3, 2017г., с.33-52

«Исследование сбоеустойчивости СОЗУ с функцией исправления одиночных сбоев при воздействии ТЗЧ»

2017 г.
Авторы: Красников Г.Я., Лушников А.С., Мещанов В.Д., Рыбалко Е.С., Фомичева Н.Н., Шелепин Н.А.
Сборник тезисов и докладов 3-ей Международной научно-технической конференции «Микроэлектроника-2017», 02-07.10. 2017г.,Республика Крым, Алушта, Москва: ТЕХНОСФЕРА, 2017.- 496 с., стр.288-293

«Особенности разработки STD/IO библиотек на основе MCML схемотехники в базисе технологии КМОП 90 нм и оценки перспектив их применения при проектировании СБИС»

2017 г.
Авторы: Ильин С.А., Кочанов С.К., Ласточкин О.В., Новиков А.А., Шипицин Д.С.
Сборник тезисов и докладов 3-ей Международной научно-технической конференции «Микроэлектроника-2017», 02-07.10. 2017г.,Республика Крым, Алушта, Москва: ТЕХНОСФЕРА, 2017.- 496 с., стр. 283-287.

«Конструкторско-технологическая платформа проектирования СБИС на базе отечественной технологии КНИ 90 нм».

2017 г.
Авторы: Ильин С.А., Кочанов С.К., Ласточкин О.В., Надин А.С., Новиков А.А., Шипицин Д.С.
Сборник тезисов и докладов 3-ей Международной научно-технической конференции «Микроэлектроника-2017», 02-07.10. 2017г.,Республика Крым, Алушта, Москва: ТЕХНОСФЕРА, 2017.- 496 с., стр. 293-296.

«Формирование Si плавников FinFET минимальных размеров нелитографическим методом»

2017 г.
Авторы: Четвериков В.А., Баранов Г.В., Итальянцев А.Г.
Сборник тезисов докладов конференции «Микроэлектроника-2017», 02-07.10. 2017г., Алушта, стр.180-181

«Интегрированные в структуры микроэлектроники волноводы на дискретных наноразмерных элементах»

2017 г.
Авторы: Сапегин А.А., Барабаненков М.Ю., Итальянцев А.Г.
Сборник тезисов докладов конференции «Микроэлектроника-2017», Алушта, стр.217-221

«Разработка и особенности использования генератора случайных чисел в составе защищенных систем на кристалле»

2017 г.
Авторы: Тимошин С.А., Нуйкин А.В., Ролдугина Ж.И.
Сборник тезисов докладов конференции «Микроэлектроника-2017», 02-07.10. 2017г., Алушта, стр.281-283

«Использование RFID технологии в экосистеме Интернета вещей»

2017 г.
Авторы: Нуйкин А.В., Кравцов А.С.
Сборник тезисов докладов конференции «Микроэлектроника-2017», Алушта, 02-07.10. 2017г., Алушта, стр.279-281

«Метод формирования диэлектрической изоляции FinFET»

2017 г.
Авторы: Нагнойный В.А., Баранов Г.В.
Сборник тезисов докладов конференции «Микроэлектроника-2017», Алушта Москва: ТЕХНОСФЕРА, 2017.- 496 с., стр. 212-214.

«Комлементарные методы усиления разрешения оптической литографии»

2017 г.
Авторы: Красников Г.Я., Гущин О.П., Литаврин М.В., Горнев Е.С.
Сборник тезисов докладов конференции «Микроэлектроника-2017», Алушта, Москва: ТЕХНОСФЕРА, 2017.- 496 с., стр. 203-206

«Исследование проблем повторяемости и воспроизводимости характеристик ячейки резистивной памяти на основе оксида гафния»

2017 г.
Авторы: Лебедев А.О., Иванов С.В., Воронов Д.Д., Орлов О.М.
Сборник тезисов докладов конференции «Микроэлектроника-2017», Алушта, Москва: ТЕХНОСФЕРА, 2017.- 496 с., стр. 191-193

«Разработка маршрута характеризации специализированных логических вентилей для повышения точности оценки быстодействия в реконфигурируемых ПЛИС»

2017 г.
Автор: Ильин С.А.
Сборник тезисов и докладов 3-ей Международной научно-технической конференции «Микроэлектроника-2017», 02-07.10. 2017г.,Республика Крым, Алушта, Москва: ТЕХНОСФЕРА, 2017.- 496 с., стр. 315-319.

«Процессы атомно-слоевого осаждения для формирования слоев затворного HkMG-стека с минимальным топологическим размером 32 нм»

2017 г.
Авторы: Руденко К.В., Мяконьких А.В., Рогожин А.Е., Гущин О.П., Гвоздев А.В.
Сборник тезисов докладов конференции «Микроэлектроника-2017», Алушта Москва: ТЕХНОСФЕРА, 2017.- 496 с., стр. 179-180.

«Моделирование тепловых процессов в СВЧ модулях с различными основаниями»

2017 г.
Авторы: Панасенко П.В., Волосов А.В., Пяточкин М.Д.
Сборник тезисов докладов конференции «Микроэлектроника-2017», Алушта, Москва: ТЕХНОСФЕРА, 2017.- 496 с., стр. 384-387.

«Приемо-передающий модуль Х-диапазона на кремниевой коммутационной плате»

2017 г.
Авторы: Бавижев М.Д., Волосов А.В., Котляров Е.Ю., Панасенко П.В.
Сборник тезисов докладов конференции «Микроэлектроника-2017», Алушта, Москва: ТЕХНОСФЕРА, 2017.- 496 с., стр. 414-415.

«Оценка надежности КНИ МОП-транзисторов с нормами 0,18 мкм при повышенных температурах»

2017 г.
Авторы: Бенедиктов А.С., Лебедев С.В., Игнатов П.В.
Сборник тезисов докладов конференции «Микроэлектроника-2017», Алушта, 02-07.10. 2017г., стр. 221-223

«Автоматизация работы с дизайн центрами при заказе пластин на российской фаундри»

2017 г.
Авторы: Панкратов А.Л., Иванов В.В., Рябинин А.Д.
Сборник тезисов докладов конференции «Микроэлектроника-2017», Алушта, Москва: ТЕХНОСФЕРА, 2017.- 496 с., стр. 296-298.

«Основы характеризации библиотечных элементов с использованием Synopsys SiliconSmart»

2017 г.
Авторы: Ильин С.А., Коршунов А.В., Рыжова Д.И.
Учебное пособие для вузов издательство НИУ МИЭТ, 2017.-56с.: ил ISBN 978-5-7256-0814-4

«Эффект локального отсутствия силицида кобальта в КМОП технологии»

2017 г.
Авторы: Арилин Р.А., Котекина С.Н.

«Влияние структуры и термоупругих характеристик компонентов на среднее напряжение в анодном оксиде алюминия с нитевидными порами, заполненными поливинилиденфторидом»

2017 г.
Авторы: Красников Г.Я., Карташов Д.А., Бардушкин В.В., Шиляева Ю.И., Яковлев В.Б.
Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника», выпуск № 2, 2017г, с. 45-50

«Влияние времени моделирования на статистическое распределение выходных значений сигнала аппаратного генератора случайного числа»

2017 г.
Авторы: Ролдугина Ж.И., Нуйкин А.В.
Сборник материалов МНТК «Микроэлектроника и информатика-2017»,сборник статей –М.: МИЭТ, 2017, с.170-176

«Особенности понятия "кратность воздухообмена" применительно к чистым помещениям производственного назначения»

2017 г.
Автор: Маркин А. В.
Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника», выпуск № 1, 2017г, с. 70-78

«Частотное ограничение интегрального фазового модулятора на основе кремневого p-i-n диода в субнаносекундном импульсном режиме»

2017 г.
Авторы: Макаров М.Э., Барабаненков М.Ю., Итальянцев А.Г.

«Методика разработки и применения ЕСО ячеек в общем маршруте проектирования СнК»

2017 г.
Автор: Ильин С.А.
Сборник тезисов конференции «Микроэлектроника и информатика – 2017», Москва: ТЕХНОСФЕРА, 2017.- 496 с., стр. 67

«Методика разработки быстродействующих STD библиотек в базе КМОП технологии 90 нм на основе применения CML логики»

2017 г.
Автор: Новиков А.А.
Сборник тезисов конференции «Микроэлектроника и информатика – 2017», Москва: ТЕХНОСФЕРА, 2017.- 496 с., стр. 80.

«DSA – комплементарный метод усиления разрешения иммерсионной литографии»

2017 г.
Авторы: Красников Г.Я., Гущин О.П., Литаврин М.В., Горнев Е.С.
Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника», выпуск 1 (165) 2017г. c.4-17

«Анализ и сравнение современных решений в области высокоплотной энергонезависимой памяти»

2017 г.
Автор: Измайлов Р.А.
Сборник тезисов 7-й Всероссийской конференции молодых ученых «Микро-, нанотехнологии и их применение имени Ю.В. Дубровского, 6-9 февраля 2017, стр. 13

«Новые подходы в интеграции Low-k диэлектриков»

2017 г.
Авторы: Резванов А.А., Горнев Е.С., Бакланов М.Р.
Сборник тезисов 7-й Всероссийской конференции молодых ученых «Микро-, нанотехнологии и их применение имени Ю.В. Дубровского, 6-9 февраля 2017, стр.14

«Постлитографический метод уменьшения топологических размеров объемных Si структур»

2017 г.
Авторы: Четвериков В.А., Итальянцев А.Г., Баранов Г.В.
Сборник тезисов 7-й Всероссийской конференции молодых ученых «Микро-, нанотехнологии и их применение имени Ю.В. Дубровского, 6-9 февраля 2017, стр. 12

«Повышение эффективности моделирования переходных процессов в КМОП-микросхемах с учетом одиночных радиационных эффектов»

2017 г.
Авторы: В.С. Кононов, Н.А. Шелепин
Изв. вузов. Электроника. - 2017. - Т. 22. - № 4. - С. 361-368

«Перспективные направления дальнейшего развития отечественной микроэлектроники с учетом зарубежного опыта»

2016 г.
Авторы: Авдонин Б.Н., Макушин М.В., Мартынов В.В., Орлов О.М., Стяжкин А.Н., Фомина А.В.
Журнал Радиопромышленность,2016, № 3 вып.1 с.131-142

«Флэш память основанная на мультиграфене»

2016 г.
Авторы: Новиков Ю.Н., Гриценко В.А., Красников Г.Я., Орлов О.М.
Журнал «Микроэлектроника»-2016, т.45, №1, с.66-71

«Интеграция функциональных элементов энергонезависимой памяти топологии 1Т-1R»

2016 г.
Авторы: Негров Д.В., Киртаев Р.В., Киселева И.В., Кондратюк Е.В., Маркеев А.М., Шадрин А.В., Зенкевич А.В., Орлов О.М., Горнев Е.С., Красников Г.Я.
Журнал «Микроэлектроника»-2016, т.45, №6, с.421-433

«Формирование электрической изоляции Tri-gate транзистора»

2016 г.
Авторы: Нагнойный В.А., Баранов Г.В.
Сборник тезисов 59 конференции МФТИ

«Транспорт заряда в тонких слоях сигнетоэлектрического Hf 0,5Zr 0,5O2»

2016 г.
Авторы: Орлов О.М., Исламов Д.Р., Черникова А.Г., Козодаев М.Г., Маркеев А.М., Перевалов Т.В., Гриценко В.А., Красников Г.Я.
Журнал –Микроэлектроника, 2016, том 45, №5 с.379-385

«Исследование характеристик и особенностей изготовления элементов энергонезависимой памяти FRAM, полученных с использованием процессов атомно-слоевого осаждения»

2016 г.
Авторы: Орлов О.М., Маркеев А.М., Зенкевич А.В., Черникова А.Г., Спиридонов М.В., Измайлов Р.А., Горнев Е.С.
Журнал –Микроэлектроника, 2016, том 45, №4 с.1-9

«Применение клеточных автоматов для описания прохождения электрического тока в межсоединениях сверхбольших интегральных схем».

2016 г.
Авторы: Заплетина М.А., Матюшкин И.В.
XVII Всероссийская конференция молодых учёных по математическому моделированию и информационным технологиям. Тезисы докладов. - Новосибирск. - 2016. - С.39.

«Численное исследование параметрических свойств решений некоторого уравнения типа Штурма–Лиувилля»

2016 г.
Авторы: И. В. Матюшкин, Г. Я. Красников, Н. В. Черняев, Е. С. Горнев, Н. В. Евстратов.
Журнал -ТРУДЫ МФТИ. 2016. Том 8, № 4, c.71-92

«Вычислимость в клеточных автоматах»

2016 г.
Авторы: Гаврилов С.В., Матюшкин И.В., Стемпковский А.Л.

«Перспективы развития современного рынка 3D энергонезависимой памяти»

2016 г.
Автор: Измайлов Р.А.
Тезисы доклада 59 научной конференции МФТИ 21-26 ноября 2016г.

«Модель поляризации сегнетокерамики на основе представлений неоднородных сред».

2016 г.
Авторы: Красников Г.Я., Бардушкин В.В., Румянцева., Е.Н., Яковлев В.Б.
Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника» № 4 (164), 2016г., стр.57-61

«Асинхронный клеточный автомат, моделирующий абстрактную бимолекулярную реакцию на сфере»

2016 г.
Авторы: Горнев Е. С., Матюшкин И. В., Вильданов Р. Р., Коробов С. В
Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника» № 4 (164), 2016г., стр.38-56

«Моделирование процессов переноса массы и заряда в планарных электрохимических преобразователях».

2016 г.
Авторы:Жевненко Д.А., Вергелес С. С., Криштоп Т. В., Терешонок Д. В., Горнев Е.С., Криштоп В. Г.
Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника» № 4 (164), 2016г., стр.31-37

«Анизотропия физико-химических свойств монокристаллических поверхностей»

2016 г.
Авторы: Бокарев В.П., Красников Г.Я.
Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника» № 4 (164), 2016г., стр.25-30

«Разработка OPC модели для технологии уровня 65 нм

2016 г.
Авторы: Колобов А.В., Иванов В.В., Кузовков А.В., Арилин Р.А.
Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника» № 4 (164), 2016г., стр.4-9

«Эффект радиационно-индуцированной защелки в 90 нм КМОП –технологии в зависимости от угла и места падения тяжелой заряженной частицы»

2016 г.
Авторы: Панышев К.А., Ключников А.С.
Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника» № 3 (163), 2016г., стр.4-9

«Оптимизация процесса электронной литографии для периодических структур методом комбинированной модификации формы и дозы элементов структур»

2016 г.
Авторы: Зайцев С.А., Кузнецова Е.В., Гущин О.П., Красников Г.Я., Горнев Е.С.
Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника» № 3 (163), 2016г., стр.53-57

«Размерные эффекты поляризации в тонких пленках легированного оксида гафния»

2016 г.
Авторы: Итальянцев А.Г., Константинов В.С.
Тезисы доклада 59 научной конференции МФТИ 21-26 ноября 2016г.

«Твердофазный тримминг при формировании структур кремниевой микроэлектроники»

2016 г.
Авторы: Четвериков В.А., Итальянцев А.Г., Баранов Г.В.
Тезисы доклада 59 научной конференции МФТИ 21-26 ноября 2016г.

«Физические и конструктивно-технологические особенности перспективных транзисторных структур в кремниевой микроэлектронике»

2016 г.
Автор: Орлов О.М
XI Конференция и X Школа молодых ученых «КРЕМНИЙ-2016» 12-15 сентября 2016 г., Новосибирск, Тезисы докладов, стр.176

«Механизм транспорта электрически-индуцированных токов утечки и природа электронных ловушек в термическом оксиде кремния»

2016 г.
Авторы: Исламов Д.Р., Гриценко В.А., Перевалов Т.В., Орлов О.М., Красников Г.Я.
XI Конференция и X Школа молодых ученых «КРЕМНИЙ-2016» 12-15 сентября 2016 г., Новосибирск, Тезисы докладов, стр.110

«Разработка энергонезависимой памяти FRAM на основе использования многокомпонентного оксида Hf0,5Zr0,5O2»

2016 г.
Авторы: Орлов О.М., Красников Г.Я., Измайлов Р.А., Воронов Д.Д., Горнев Е.С.
XI Конференция и X Школа молодых ученых «КРЕМНИЙ-2016» 12-15 сентября 2016 г., Новосибирск, Тезисы докладов, стр.98

«Механизм транспорта токов утечки в пленках аморфных и сегнетоэлектрических пленках Hf 0,5Zr 0,5 O2»

2016 г.
Авторы: Исламов Д.Р., Черникова А.Г., Козодаев М.Г., Маркеев А.М., Перевалов Т.В., Гриценко В.А., Орлов О.М., Красников Г.Я.
XI Конференция и X Школа молодых ученых «КРЕМНИЙ-2016» 12-15 сентября 2016 г., Новосибирск, Тезисы докладов, стр.54

«Национальные особенности импортозамещения электронной компонентной базы или проблемы унификации ЭКБ»

2016 г.
Автор: Горнев Е.С.
Журнал «Эксперт+», 2016г, стр. 33-46

«Исследование уменьшения деградации Low-k диэлектрика путем селективного осаждения защитного полимера на стенки пор»

2016 г.
Авторы: Резванов А, Чанг Л., Ж.-Ф. де Марнефф, Криштаб М., Хакер Н., Чанг Л., Бакланов М.Р.
Тезисы доклада 59 научной конференции МФТИ 21-26 ноября 2016г.

«Малогабаритный приемопередающий субмодуль х-диапазона»

2016 г.
Авторы: Тишин А.С., Котляров Е.Ю.
Сборник материалов конференции «Минцевские чтения»

«Сверхвысокочастотные характеристики транзисторов, изготовленных по технологии кремний на изоляторе с длиной канала 180 нанометров»

2016 г.
Авторы: Андреев Д.А., Копцев Д.А., Ковалева О.С.
Статья в научный журнал «Наноиндустрия» №7,2016г, стр.94

«Конструкция и моделирование работы транзистора GAA FET с монокристаллическим кремниевым каналом

2016 г.
Авторы: Орлов С.Н., Горнев Е.С., Ключников А.С., Тимошенков В.П., Гущин О.П., Бобовников П.Г.
Тезисы доклада международной конференции «Микро- и наноэлектроника-2016» (ICMNE-2016), 3-7 октября 2016г., Звенигород, Моск.обл., стр. 176

«Конструктивно-технологические принципы создания СВЧ элементной базы нового поколения на основе объемных технологий современной кремниевой микроэлектроники»

2016 г.
Авторы: Красников Г.Я., Панасенко П.В., Волосов А.В.,
Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника» № 3 (163), 2016г., стр.10-22

«Приемопередающий субмодуль Х-диапазона частот»

2016 г.
Авторы: Красников Г.Я., Панасенко П.В., Волосов А.В., Котляров Е.Ю., Тишин А.С.
Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника» № 3 (163), 2016г., стр.23-29

«Использование ультрафиолетового излучения в технологии микро - и наноэлектроники»

2016 г.
Авторы: Бокарев В.П., Красников Г.Я.
Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника» № 3 (163), 2016г., стр.58-62

«Концентрация напряжений и деформаций в анодном оксиде алюминия с нитевидными порами, заполненными поливинилиденфторидом»

2016 г.
Авторы: Красников Г.Я., Бардушкин В.В., Силибин М.В., Шиляева Ю.И., Яковлев В.Б.
Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника» №2 (162), 2016г., стр. 46-55

«Проектирование и разработка элементов КМОП СБИС , предназначенных для функционирования в условиях воздействия космических ионизирующих излучений»

2016 г.
Авторы: Селецкий А.В., Шелепин Н.А.
Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника» №2 (162), 2016г., стр. 39-45

«Исследование возможности создания памяти большой емкости с использованием ячейки памяти на основе сегнетоэлектрического переключения»

2016 г.
Авторы: Измайлов Р.А., Воронов Д.Д., Орлов О.М.
Тезисы доклада на конференцию «Микроэлектроника-2016», Алушта, 26-30.09.2016г., стр.196-199

«Технологические особенности формирования и перспективные конструкторские решения 3D энергонезависимой памяти»

2016 г.
Авторы: Измайлов Р.А., Воронов Д.Д., Орлов О.М.
Тезисы доклада на конференцию «Микроэлектроника-2016», Алушта, 26-30.09.2016г., стр.185-186

«Моделирование конструкций теплоотвода для 3D – сборки различных устройств микроэлектроники»

2016 г.
Авторы: Баранов Г.В., Кульков Д.С., Макеев В.В.
Тезисы доклада на конференцию «Микроэлектроника-2016», Алушта, 26-30.09.2016г., стр.188-190

«Физические особенности использования Poly-Si затвора в Tri-gate транзисторе»

2016 г.
Авторы: Баранов Г.В., Ключников А.С.
Тезисы доклада на конференцию «Микроэлектроника-2016», Алушта, 26-30.09.2016г., стр. 186-187

«Программный комплекс для автоматизации процесса подготовки управляющей информации для изготовления фотошаблонов»

2016 г.
Авторы: Иванов В.В., Медведев К.А.
Тезисы доклада на конференцию «Микроэлектроника-2016», Алушта, 26-30.09.2016г., стр.292-294

«Библиотека КМОП СВЧ элементов и блоков»

2016 г.
Авторы: Андреев Д.А., Атамась Д.А., Копцев Д.А., Ковалева О.С.
Тезисы доклада на конференцию «Микроэлектроника-2016», Алушта, 26-30.09.2016г., с. 408-411

«Библиотека кремниевых КМОП СВЧ элементов и сложно-функциональных блоков для построения приемо-передающих модулей».

2016 г.
Автор: Андреев Д.А., Атамась Д.А., Копцев Д.А., Ковалева О.С.
Статья в журнал Наноиндустрия № 5 (67), 2016г., стр. 46-57

«Гетероинтегрированные многокристальные микромодули на основе кремния для СВЧ применений»

2016 г.
Авторы: Красников Г.Я., Панасенко П.В., Волосов А.В.
Тезисы доклада на конференцию «Микроэлектроника-2016», Алушта, 26-30.09.2016г. с. 404-408

«Микроминиатюризация приемопередающих субмодулей см-диапазона»

2016 г.
Авторы: Красников Г.Я., Панасенко П.В., Волосов А.В., Котляров Е.Ю., Тишин А.С.
Тезисы доклада на конференцию «Микроэлектроника-2016», Алушта, 26-30.09.2016г. с. 379-384

«Клеточно-автоматная модель воздействия О₂ плазмы на интегральные свойства SIOCH low-k диэлектрика»

2016 г.
Авторы: Резванов А.А., Матюшкин И.В., Гущин О.П.
Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника», № 3 (163), Стр.63-78

«Клеточно-автоматная модель взаимодействия атомов кислорода с пористым low-k диэлектриком»

2016 г.
Авторы: Резванов А.А., Матюшкин И.В., Гущин О.П.
Тезисы доклада на конференцию «ISC MNE-2016,Звенигород, Россия, 3-7 октября 2016г., стр.137

«Пассивация стенок пор low-k диэлектрика выбранными полимерами»

2016 г.
Авторы: Резванов А., Чанг Л., Ватанабе М., Криштаб М., де Марнефф Ж.-Ф., Вердонк П., Армини С., Хакер Н., Бакланов М.Р., Гущин О.П.
Сборник Тезисов Международного форума «Микроэлектроника-2016», Алушта, 26-30.09.2016г. стр.200-203

«Проблемы возникающие при формировании многоуровневой медной металлизации СБИС и способы их решения»

2016 г.
Авторы: Гвоздев В.А., Валеев А.С., Кузнецов П.И.
Тезисы доклада на конференцию «Микроэлектроника-2016», Алушта, 26-30.09.2016г., стр.157-158

«Формирования топологии в толстых полимерных пленках бензоциклобутена (ВСВ)»

2016 г.
Авторы: Кузнецов П.И., Гущин О.П., Красников Г.Я., Рубинас О.Р., Горнев Е.С., Каширин П.А., Колобова Л.А., Руденко К.В., Мяконьких А.В., Есенкин К.С.
Тезисы доклада на конференцию «Микроэлектроника-2016», Алушта, 26-30.09.2016г., с.155

«Исследование особенностей функционирования МОП - транзисторов на основе структур КНИ и объемного кремния при температурах 125°С»

2016 г.
Авторы: Бенедиктов А.С., Игнатов П.В.
Сборник Тезисов Международного форума «Микроэлектроника-2016», Алушта, 26-30.09.2016г. стр.203-204

«Методика разработки заказных буферов ввода-вывода на основе библиотек специализированных цифровых элементов»

2016 г.
Авторы: Ильин С.А., Кочанов С.К., Ласточкин О.В., Новиков А.А.
Сборник Тезисов Международного форума «Микроэлектроника-2016», Алушта, 26-30.09.2016г. стр. 317-321

«Методика проектирования и верификации библиотек стандартных цифровых элементов и элементов ввода-вывода»

2016 г.
Авторы: Ильин С.А., Кочанов С.К., Ласточкин О.В., Новиков А.А.
Сборник Тезисов Международного форума «Микроэлектроника-2016», Алушта, 26-30.09.2016г. стр. 312-316

«Смарт-карты на основе отечественных микросхем. Разработка, производство, применение»

2016 г.
Автор: Шелепин Н.А.
Пленарный доклад на форуме «Микроэлектроника-2016», стр.18-22

«Физико-технологические особенности формирования сегнетоэлектрической пленки для ячейки запоминающих устройств»

2016 г.
Авторы: Красников Г.Я., Зайцев Н.А., Бокарев В.П., Плотников Ю.И.,
Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника», №1 (161), стр. 42-46

«Проблема переосаждения кобальта при формировании спейсера»

2016 г.
Авторы: Красников Г.Я., Кирюшина И.В., Егоров А.А., Ранчин С.О., Горнев Е.С.
Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника», №1 (161), стр. 36-41

«Разработка и внедрение кристаллов для смарт-карт на российском и международном рынках на основе решений АО «НИИМЭ»

2016 г.
Авторы: Нуйкин А.В., Кравцов А.С.
Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника», №1 (161), стр. 4-8

«Исследование и разработка элементов энергонезависимой памяти ReRAM, FRAM на основе использования процессов АLD»

2016 г.
Авторы: Орлов О.М., Маркеев А.М., Зенкевич А.В., Измайлов Р.А., Воронов Д.Д., Егоров К.В., Черникова А.Г.
Тезисы доклада конференции: «Микроэлектроника-2015» Интегральные схемы и микроэлектронные модули – проектирование, производство и применение», 28 сентября – 3 октября 2015г., Крым, Алушта, стр.270-272

«Кристаллическая структура и адгезионные свойства материалов»

2016 г.
Автор: Бокарев В.П.
Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника» №2 (162), 2016г., стр. 56-59

«Обзор инструментов проектирования топологии аналоговых интегральных схем»

2016 г.
Авторы: Ролдугина Ж.И., Нуйкин А.В.
Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника» № 3 (163), 2016г., стр. 30-40

«Изучение влияния шага плазменного травления на шероховатость стенок канала Fin FET в схеме гетероинтеграции»

2016 г.
Авторы: Баранов Г.В., Миленин А.П., Бакланов М.Р.
Журнал; Микроэлектроника,2016, том 45, № 3, стр.197-202

«Разработка СВЧ фазовращателя на основе технологии КНИ 0,18 мкм»

2016 г.
Авторы: Ефимов А.Г., Копцев Д.А., Кузнецова О.С.
Сборник научных трудов: VII Всероссийской НТК «Проблемы разработки перспективных микро-и наноэлектронных систем-2016» (МЭС-2016), часть-3, стр.33-37

«Интегральный цифровой 6-битный аттенюатор для диапазона 8-12 ГГц»

2016 г.
Авторы: Андреев Д.А., Копцев Д.А.
Сборник научных трудов: VII Всероссийской НТК «Проблемы разработки перспективных микро-и наноэлектронных систем-2016» (МЭС-2016)

«Исследование влияния разброса технологических параметров СБИС на стойкость к эффектам накопленной дозы радиации с помощью средств приборно-технологического моделирования»

2016 г.
Авторы: Селецкий А.В., Шелепин Н.А., Смолин А.А., Уланова А.В.
Сборник научных трудов: VII Всероссийской НТК «Проблемы разработки перспективных микро-и наноэлектронных систем-2016» (МЭС-2016), стр. 178-183

«Исследование и разработка процессов формирования топологии в толстых полимерных пленках бензоциклобутена (ВСВ)»

2016 г.
Авторы: Красников Г.Я., Гущин О.П., Кузнецов П.И., Есенкин К.С., Рубинас О.Р., Горнев Е.С., Каширин П.А., Колобова Л.А., Руденко К.В., Мяконьких А.В.
Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника» №2 (162), 2016г., стр. 29-38

«Методы повышения стойкости к сбоям счетного триггера»

2016 г.
Авторы: Темирбулатов М.С., Эннс В.И., Бобровский Д.В.
Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника» №2 (162), 2016г., стр. 77-81

«Методика автоматизированной генерации и анализа базовых конструктивов для проектирования блоков динамической и статической защиты интегральных схем от ЭСР»

2016 г.
Авторы: Ильин С.А., Кочанов С.К., Ласточкин О.В., Новиков А.А.
Сборник трудов Часть III, – VII Всероссийской НТК «Проблемы разработки перспективных микро-и наноэлектронных систем» (МЭС -2016) стр. 100-105

«Эффект обратимого переключения электрической проводимости в тонких пленках нестехиометрического оксида кремния»

2016 г.
Автор: Захаров П.С.
Тезисы доклада конференции – («Кремний-2016»), стр.105

«Моделирование состояний полного и частичного обеднения высокотемпературных транзисторов на структурах кремний на изоляторе»

2016 г.
Авторы: Бенедиктов А.С., Игнатов П.В.
Журнал – «Наноиндустрия» №7 (69) 2016г., стр.102-109

«Характеристики переключения электрической проводимости в тонких пленках нестехиометрического оксида кремния»

2016 г.
Автор: Захаров П.С.
Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника» № 2 (162), 2016г., стр. 60-64

«Проектирование цифровых схем на основе БМК с использованием стандартных элементов»

2016 г.
Авторы: Нидеккер Л.Г., Шмигельский В.Н., Эннс В.И.
Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника», №1 (161), 2016г., стр. 23-25

«Моделирование состояний обеднения радиационно-стойких КНИ МОП-транзисторов»

2016 г.
Авторы: Бенедиктов А.С., Игнатов П.В.
Сборник докладов на конференции РФФТ ХХVI Международной конференции «Радиационная физика

«Разрушение канала проводимости в элементах резистивной памяти на основе тонких пленок нестехиометрического оксида кремния»

2016 г.
Автор: Захаров П.С.
Журнал – «Инженерная физика» № 7, 2016, стр.53-56

«Компьютерное моделирование и экспериментальные исследования функционирования КНИ МОП-транзисторов при высоких температурах»

2016 г.
Авторы: Бенедиктов А.С., Игнатов П.В.
Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника», выпуск 1 (161) 2016г., Москва, стр.47-52 (перенос доклада с конференции в 2015г.)

«Тримминг фоторезиста как технология усиления разрешения оптической литографии»

2016 г.
Авторы: Бурякова Т.Л., Гущин О.П., Горнев Е.С., Данила А.В., Поляков А.Н.

«Особенности работы МОП-транзисторов на основе кремниевых структур при высоких температурах»

2016 г.
Авторы: Бенедиктов А.С., Горнев Е.С., Потупчик А.Г., Михайлов А.А., Смирнов А.Н.
Журнал «Наноиндустрия» » № 8, 2016 Стр.96-103

«Конструктивно-технологические решения элементной базы кремниевой высокотемпературной микроэлектроники»

2016 г.
Авторы: Бенедиктов А.С., Горнев Е.С., Игнатов П.В.
Журнал «Наноиндустрия» № 6, 2016 (68) стр. 86-94

Исследование работы МОП-транзисторов на структурах КНИ с проектными нормами 0,5 мкм в диапазоне t от 0 до 250 °С t

2015 г.
Авторы: Бенедиктов А.С., Игнатов П.В.
Тезисы доклада на Международной научной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых «Ломоносов -2015», 13-17 апреля 2015г, с.57

Виды обучения сотрудников компании:

Индивидуальные программы обучения для «узко-профильных специалистов» и ТОП менеджмента
Вебинары и видео-конференции проведение лекции в режиме видео-чата, с предоставлением в режиме on-line всех необходимых учебных материалов. Возможность провести дискуссии, ответить на вопросы обучающихся.
Электронные курсы самостоятельное изучение предоставляемых учебных материалов. Выполнение заданий, тестирование по завершению обучения, оценка. Преподаватель оценивает результат обучения.
Семинары, лекции, программы повышения квалификации, курсы изучения иностранного языка в специально оборудованных классах, с предоставлением необходимых учебных материалов.

Задачи базовой кафедры

микроэлектроника и твердотельная электроника
комплексное взаимодействие «МИЭТ» и АО «НИИМЭ» в образовательной, научной и практической инновационной деятельности
реализация программы подготовки кадров в интересах АО «НИИМЭ»
привлечение к учебному процессу высококвалифицированных сотрудников АО «НИИМЭ»
проведение на предприятии практик студентов и дипломного проектирования всех ступеней подготовки
целевая подготовка специалистов в интересах АО «НИИМЭ»
повышение квалификации сотрудников АО «НИИМЭ»
участие в разработке учебных планов и рабочих программ учебных дисциплин по направлениям работы базовой кафедры с привлечением высококвалифицированных сотрудников АО «НИИМЭ»
корректировка учебных планов в соответствии с потребностями АО «НИИМЭ»
участие в работе учебно-методических советов по профильным для кафедры направлениям подготовки
проведение агитационной работы в АО «НИИМЭ» с целью формирования контингента студентов факультета «Колледж электроники и информатики».

Направления подготовки студентов, магистров и аспирантов

микроэлектроника и твердотельная электроника
микросистемная техника
системы автоматизированного проектирования
нанотехнология в электронике
микроэлектроника и полупроводниковые приборы
электроника и микроэлектроника
технология и проектирование интегральных микросхем
микро- и наноэлектроника
системы автоматизации проектирования
твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах

Направления деятельности

реализация программы подготовки кадров в интересах АО «НИИМЭ»
участие в разработке учебных планов и рабочих программ учебных дисциплин по направлениям работы базовой кафедры с привлечением высококвалифицированных сотрудников АО «НИИМЭ»
участие в работе учебно-методических советов по профильным для кафедры направлениям подготовки
подготовка студентов, магистров и аспирантов по 9 направлениям подготовки
организация учебно-ознакомительной, производственной, преддипломной практик студентов «МИЭТ»
повышение квалификации, подготовка и переподготовка специалистов АО «НИИМЭ»

Руководство кафедры

Заведующий кафедрой

Красников Г.Я.

Красников Геннадий Яковлевич – президент Российской академии наук, академик РАН, д.т.н., проф., почётный профессор МФТИ, руководитель приоритетного технологического направления Российской Федерации по электронным технологиям, генеральный директор АО «НИИМЭ». Учёный в области физики полупроводников, полупроводниковых приборов, технологии создания сверхбольших интегральных схем и проблем обеспечения качества их промышленного производства.

Г.Я. Красников cоздал научные и технологические основы формирования полупроводниковых структур с управляемыми и стабильными электрофизическими параметрами, а также выявил закономерности неравновесных процессов в переходных областях границ раздела систем «кремний — диоксид кремния — металл» на всём технологическом маршруте изготовления интегральных микросхем. Автор и соавтор более 400 научных работ в российских и зарубежных рецензируемых изданиях, 4 научных монографий и более 40 авторских свидетельств и патентов.

Г.Я. Красников – лауреат государственной премии РФ в области науки и технологии, 3 премий Правительства РФ в области науки и техники. Награжден орденом «За заслуги перед Отечеством» III степени, орденом Александра Невского, орденом Почёта, орденом Дружбы, орденом Славы III степени республики Мордовия, медалью ЮНЕСКО «За вклад в развитие нанонауки и нанотехнологий». Отмечен личными благодарностями президента РФ, председателя Правительства РФ, руководителей федеральных органов исполнительной власти, губернаторов ряда регионов РФ.

Заместитель заведующего кафедрой

Горнев

Горнев Евгений Сергеевич – член-корреспондент РАН, д.т.н., проф., почетный профессор МФТИ, лауреат государственной премии СССР, кавалер ордена Дружбы народов, дважды лауреат премии Правительства РФ в области науки и техники. Ведущий специалист в области микро- и наноэлектроники, в частности, метрологического обеспечения измерений длины в микро- и нанометровом диапазонах.

Горнев Е.С. обобщил, научно обосновал и разработал технические решения для создания современного микроэлектронного производства, на основе чего создал модель промышленной субмикронной технологии как системы и систему управления микроэлектронным производством; разработал решения многовариантной технологии КМОП, биполярных и БиКМОП на базе универсального маршрута; создал систему управления на основе мониторинга техпроцесса, контроля дефектности и методов статистического регулирования; создал методы контроля линейных размеров элементов СБИС микро- и нанометрового диапазонов и универсальную линейную меру мирового уровня; создал более 40 различных вариантов технологий, разработал и одновременно постановил на производство более 50 типов микросхем, модернизировал более 100 типов, организовал производство 87 серий микросхем, в т.ч., в Польше; разработал промышленную технологию сегнетоэлектрических плёнок для изделий пьезотехники, акустоэлектроники, совместимых с технологиями микро- и наноэлектроники и МЭМС. Автор и соавтор более 300 научных работ, в т.ч., одной монографии и 3 учебных пособий, 42 авторских свидетельств и патентов.

+7 (495) 229-55-70

egornev@niime.ru

Секретарь кафедры
Беляев Алексей Юрьевич

тел.: 8(495) 229-70-94
E-mail: albelyaev@niime.ru

Обучающиеся и выпускники кафедры

За всё время существования с 2011 г. кафедрой подготовлено более 170 специалистов в области микро- и наноэлектроники. Выпускники кафедры – высококвалифицированные специалисты полупроводниковой индустрии. Уровень подготовки специалистов отвечает высоким международным стандартам. Уникальная образовательная программа, национальные и международные конференции и другие мероприятия для обмена опытом с ведущими учеными в области современной микроэлектроники позволяют молодым специалистам успешно интегрироваться в научно-исследовательские проекты на базе АО «НИИМЭ» еще в процессе обучения.

Кафедрой оказывается значительная научно-методическая и материальная поддержка исследований студентов, магистрантов и аспирантов с целью получения ими степени кандидата физико-математических наук. С момента первого приёма в аспирантуру в 2013 г. успешно защитили кандидатскую диссертацию 9 выпускников. После защиты выпускники получают возможность возглавить собственное исследовательское подразделение в компании.

Обучение почти 40 студентов бакалавриата, магистратуры и аспирантуры кафедры ведут 16 преподавателей, из них 5 профессоров – докторов наук, 8 доцентов – кандидатов наук. Кроме того, в штат кафедры входит 14 научных руководителей и 9 консультантов – сотрудников АО «НИИМЭ».

Научные исследования

Магистерская программа ориентирована на подготовку высококвалифицированных специалистов, способных работать с самыми современными процессами микроэлектроники в сфере организации и проведения теоретических и экспериментальных исследований полупроводниковых микро- и наноструктур, а также в сферах моделирования, разработки и применения микро- и наноэлектронных схем и технологических процессов их создания по самым современным направлениям микроэлектроники.

Работа технолога в чистой комнате

Работа технолога в чистой комнате

Основные направления исследований и разработок:

Приборы электроники улучшенной стойкости
Функциональная фотоника: память, преобразователи и др.
Цифровой двойник микроэлектронного производства
Аппаратная реализация нейросетей
Неровность структур наноэлектроники и фотоники
Резисты – материалы для фотолитографии
Энергонезависимая память ReRAM
Нейросети для проектирования схемотехнических решений
Моделирование компонентной базы на основе машинного обучения
Радиочастотные метки специального назначения
Оптическая коррекция топологии фотошаблонов

Учебный процесс

Направления подготовки студентов

Бакалавриат	03.03.01 Прикладные математика и физика
Магистратура	03.04.01 Прикладные математика и физика 11.04.04 Электроника и наноэлектроника
Аспирантура	2.2 Электроника, фотоника, приборостроение и связь

Учебные курсы кафедры

Основные направления подготовки на кафедре микро- и наноэлектроники продолжают комплекс фундаментального образования Физтеха

4 курс 10 семестровых дисциплин, среди них:	5 курс 15 семестровых дисциплин, среди них:	6 курс 4 семестровые дисциплины, среди них:
Физика полупроводниковых приборов	Физика процессов в монокристаллическом кремнии	Фотонные интегральные схемы
Моделирование физических систем на Python	Моделирование наносистем, клеточные автоматы	Квантово-химическое моделирование в Quantum Espresso
Метрологический анализ производственных процессов	Технологические процессы формирования интегральных структур	Современные проблемы микро- и наноэлектроники
Цифровая и аналоговая схемотехника с практикой на демонстрационной плате	Нанооптика и искусственные метаматериалы

Поддержка обучающихся на кафедре

При приеме на работу студентов 4 курса МФТИ назначаются на должность «техник» с окладом от 28 750 руб. Студенты 5 и 6 курса переводятся на должность «младший научный сотрудник» в подразделения научно-исследовательского института. Стартовые условия оплаты труда магистров 5 и 6 курса составляют 40 000 руб. При переходе в аспирантуру сотрудники получают повышение должности до позиции «научный сотрудник» с зарплатой 60 000 руб. на 1-2 годах обучения и 100 000 руб. на 3-4 годах обучения.

В компании реализована система поощрения сотрудников, за решение научных задач в рамках текущих НИОКР, публикации в научных журналах и сборниках тезисов российских и международных конференций, а также за результаты интеллектуальной деятельности, оформленные в виде патентов на изобретения или программного обеспечения, прошедшего процедуру государственной регистрации. Студентам предоставляется компенсация на оплату жилья в Зеленограде или на аренду автотранспорта для поездок между кампусом МФТИ и Зеленоградом.

Публикации

Публикационная активность

За 11 лет работы кафедры студенты и аспиранты кафедры представили более 700 докладов на конференциях и выпустили более 500 публикаций в международных и российских журналах. Ежегодно студенты и аспиранты базовой кафедры микро- и наноэлектроники МФТИ представляют более 100 докладов на 20 научно-технических конференциях и публикуют порядка 30 статей в отечественных и зарубежных журналах, успешно участвуют в конкурсах технологических проектов:

Photonics North, IEEE
Nanophotonics and Micro/Nano Optics International Conference, Париж
International Conference on Materials Engineering and Nano Sciences, Таиланд
International School and Conference on Photonics, Сербия
New Trends in Nonequilibrium Stochastic Multistable Systems and Memristors, Италия
International Conference on Solid State Devices and Materials, Tokyo
International Conference on Micro- & Nanoelectornics, ФТИАН им. Валиева
International School and Conference “Saint Petersburg OPEN”, СПбАУ им. Алфёрова
Micromachines (Q2)
Journal of Vacuum Science & Technology A (Q2)
Physica Status Solidi (B): Basic Research (Q3)
ACS Applied Electronic Materials (Q1)
Journal of Physics: Conference Series (Q3)
Всероссийский научный форум «Наука будущего – наука молодых»
Международный конкурс научно-технических проектов INRADEL, АО «ЦНИИ Электроника», Минпромторг РФ
Российско-китайский конкурс индустриальных инноваций
Конкурс бизнес-идей, научно-технических разработок и научно-исследовательских проектов Комитета по науке и высшей школе Санкт-Петербурга

Мероприятия

Мероприятия базовой кафедры

1) Конференция МФТИ: секция микро- и наноэлектроники

Организуется базовой кафедрой ежегодно с 2015 г.

Заслушивается более 30 докладов студентов и аспирантов базовой кафедры ФЭФМ МФТИ, а также выступают участники из НИУ МИЭТ, РТУ МИРЭА, НИТУ МИСИС и др.

2) Школа молодых учёных «Микроэлектроника»

Организуется каждый год с 2019 г. отделением нанотехнологий и информационных технологий РАН, Научным советом ОНИТ РАН, консорциумом ««Перспективные материалы и элементная база информационных и вычислительных систем» и базовой кафедрой микро- и наноэлектроники.

С 2019 г. в ежегодной Школе молодых учёных приняли участие более 500 студентов, магистрантов, аспирантов, молодых учёных и лидеров научных направлений.

Образование

Направления подготовки студентов

Учебные курсы кафедры

Поддержка обучающихся на кафедре

Публикационная активность

Мероприятия базовой кафедры