Научный семинар «Проблемы моделирования» состоится в ФИЦ ИУ РАН

Научный семинар «Проблемы моделирования» состоится в ФИЦ ИУ РАН

02.03.2020

Отделение нанотехнологий и информационных технологий Российской академии наук, Научный совет РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания», Консорциум «Перспективные материалы и элементная база информационных и вычислительных систем», АО «НИИМЭ» приглашают вас выступить с докладом и принять участие в заседании Научного совета по теме «Проблемы моделирования элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания».

Заседание состоится в апреле (дата уточняется) в ФИЦ ИУ РАН по адресу: г. Москва, ул. Вавилова, 40, 3 этаж, конференц-зал.

В повестке дня – заслушивание докладов по теме «Проблемы моделирования элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания».

В настоящий момент программа заседания формируется, получено 10 заявок:

1) д.т.н. Зацаринный Александр Алексеевич (ФИЦ ИУ РАН). Актуальность проблем моделирования элементной компонентной базы для информационно-управляющих систем в условиях цифровой трансформации общества.

2) д.ф.-м.н. Абгарян Каринэ Карленовна (ФИЦ ИУ РАН). Проблемы моделирования многомасштабных систем.

3) к.ф.-м.н. Бажанов Дмитрий Игоревич (ФИЦ ИУ РАН). Тема уточняется.

4) д.ф.-м.н. Махвиладзе Тариэль Михайлович (ФТИАН им. К.А. Валиева РАН). Проблемы моделирования технологических процессов нано- и микроэлектроники.

5) к.ф.-м.н. Шабельникова Яна Леонидовна, д.ф.-м.н. Зайцев Сергей Иванович (ИПТМ РАН). Ионно-лучевая литография: моделирование взаимодействия ионов с органическими резистами.

6) д.ф.-м.н. Сарычев Михаил Евгеньевич (ФТИАН им. К.А. Валиева РАН). Моделирование отказов элементов металлизации микро- и наноэлектронных устройств под действием электромиграции.

7) д.т.н. Мальцев Петр Павлович, Зенченко Николай Владимирович (ИСВЧПЭ РАН). Проблемы моделирования тепловых процессов в монолитных интегральных схемах нитрида галлия на различных подложках.

8) д.т.н. Петросянц Константин Орестович (МИЭМ НИУ ВШЭ, ИППМ РАН). Тема уточняется.

9) д.т.н. Быков Виктор Александрович, к.т.н. Поляков Вячеслав Викторович, к.т.н. Леесмент Станислав Игоревич, к.ф.-м.н. Бобров Юрий Александрович (ООО «НТ-МДТ С.И.»). Зондовая микроскопия и спектроскопия: приборы и технологии анализа материалов, разработки НТ-МДТ Спектрум Инструментс.

10) к.ф.-м.н. Матюшкин Игорь Валерьевич (АО «НИИМЭ»). Клеточно-автоматные алгоритмы пермутации матриц.

Для выступления на заседании прошу сообщить ученому секретарю Научного совета Тельминову О.А. otelminov@niime.ru:

- сведения об авторах: полностью ФИО, членство в РАН / ученую степень, должность, место работы, телефон, эл. почту;

- ФИО докладчика и содокладчиков;

- название доклада.

Для участия в заседании прошу сообщить ученому секретарю Научного совета Тельминову О.А. otelminov@niime.ru:

- полностью ФИО, членство в РАН / ученую степень, должность, место работы, телефон, эл. почту;

- марку и госномер автомобиля (при необходимости парковки).

Для прохода потребуется паспорт.

Материалы Научного совета доступны здесь

Другие события

12.03.2020
Международная Конференция "Кремний-2020"  и "Школа молодых ученых" пройдут с 21 по 25 сентября в Гурзуфе

02.03.2020
Заседание Научного совета по теме «Проблемы моделирования элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания» пройдет в апреле в ФИЦ ИУ РАН

28.02.2020

В ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН пройдет научный семинар «Физико-технологические проблемы создания и применения гетероструктур для силовых, СВЧ- и полупроводниковых приборов и лазеров»




27.02.2020
VI Международный форум "Микроэлектроника-2020" пройдет с 28 сентября по 3 октября в Ялте