7 лучших докладчиков секции «Микроэлектроника» всероссийской конференции МФТИ получили почетные памятные призы

7 лучших докладчиков секции «Микроэлектроника» всероссийской конференции МФТИ получили почетные памятные призы

28.11.2019
28 ноября в НИИМЭ состоялось торжественное вручение почетных памятных призов лучшим докладчикам секции «Микроэлектроника» 62 всероссийской конференции МФТИ. Секция «Микроэлектроника» проводилась 20 и 21 ноября в НИИМЭ, на ней было заслушано 24 тематических доклада студентов и аспирантов базовой кафедры «Микро- и наноэлектроника» в МФТИ, сотрудников НИИМЭ, студентов Национального исследовательского университета МИЭТ.

Жюри в составе председателя секции члена-корреспондента РАН, д.т.н., профессора Горнева Е.С., заместителя председателя д.ф.-м.н., профессора Итальянцева А.Г., к.ф.-м.н. Матюшкина И.В., к.т.н. Орлова О.М., к.т.н. Плотникова Ю.И., к.ф.-м.н. Захарова П.С., к.ф.-м.н. Баранова Г.В., к.ф.-м.н. Теплова Г.С., Иванова В.В., секретаря секции аспиранта МФТИ Четверикова В.А. определило победителей:

RD8B5747.jpg

• Шашкин В. С. с докладом «Конструктивные и технологические особенности интегрирующих акселерометров на основе электронных 3D гибридных сборок»,
• Скуратов И.Д. с докладом «Исследование процесса миниатюризации антенных элементов для малоразмерных АФАР методом электромагнитного моделирования»,
• Ромодин М.С. с докладом «Анализ механизма потерь СВЧ сигнала в HEMT на основе гетероструктуры AlGaN/GaN на кремнии»,
• Елисеева Д.А. с докладом «Выявление механизмов деградации подзатворных диэлектриков различной толщины на основе SiO2 в МОП-транзисторах»,
• Кузовкова А.В. с докладом «Проблемы вычислительной литографии»,
• Маснаваива Б.И. с докладом «Получение наночастиц германия и его сплавов GeSn, GeSi в импульсно-периодическом газовом разряде для оптических применений в инфракрасном диапазоне»,
• Тярин А.С. с докладом «Исследование и разработка параметризованных фильтров верхних и нижних частот с реконфигурируемой топологией для применения в составе сверхбольших интегральных схем».

Перед вручением призов докладчикам-победителям заместитель председателя жюри, д.ф.-м.н., профессор А.Г. Итальянцев выступил с приветственной речью: «Еще один этап в вашей жизни успешно пройден. Научное образование, научное понимание, вхождение в профессию, не только по вашим ощущениям, но и по ощущению внешнего научного мира к вам меняется скачками. И если вы добросовестно работали на конференциях, ваш научный багаж скачком повышается. Я всегда это чувствовал очень остро. Уверен, что и вы тоже.» В своей речи профессор Итальянцев дал несколько практических советов докладчикам по оформлению докладов и технике выступлений.

Базовая кафедра «Микро- и наноэлектроника» была создана АО «НИИМЭ» на факультете физической и квантовой электроники МФТИ в октябре 2011 года. Сегодня это - учебный и научно-исследовательский центр по подготовке высококвалифицированных специалистов микроэлектронной индустрии, способных работать с самыми современными процессами научно-исследовательских работ, опытно- конструкторских разработок и производства. Кафедра располагает современной учебно-материальной базой и высоким научно-педагогическим потенциалом: ее возглавляет академик, член Президиума РАН, академик-секретарь Отделения нанотехнологий и информационных технологий Г.Я. Красников – в составе преподавательского состава кафедры 5 профессоров - докторов наук и 10 доцентов - кандидатов наук, а также ведущие специалисты НИИМЭ. Уровень подготовки специалистов отвечает высоким международным стандартам: выпускники кафедры становятся высококвалифицированными специалистами мировой полупроводниковой индустрии.

Базовая кафедра диктует очень высокие требования к обучающимся: все студенты выполняют научно-исследовательские работы в АО «НИИМЭ». Институт готовит в первую очередь ученых-исследователей, которые внесут значительный вклад в развитие отечественной микроэлектроники.