III Международная конференция «Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов» состоялась в октябре

III Международная конференция «Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов» состоялась в октябре

29.10.2021

25 и 26 октября прошла III Международная конференция «Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов» (МММЭК-2021). Конференция была организована ФИЦ ИУ РАН совместно с АО «НИИМЭ»,

факультетом вычислительной математики и кибернетики МГУ, Московским авиационным институтом (НИУ МАИ), Консорциумом «Перспективные материалы и элементная база информационных и вычислительных систем» и Научным советом РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для их создания» при поддержке Министерства науки и высшего образования Российской Федерации. Конференция проходила в онлайн формате.

На открытии конференции со вступительным словом к участникам конференции обратился директор ФИЦ ИУ РАН, академик РАН Евтушенко Юрий Гаврилович, который поблагодарил оргкомитет за организацию такого важного мероприятия в непростое время, рассказал о планах на предстоящие два дня конференции и пожелал всем успехов и плодотворной работы. 

Первый день конференции начался с пленарного заседания, где выступили чл.-корр. РАН Е.С. Горнев, к.т.н. О.А. Тельминов, д.ф.-м.н. К.К. Абгарян, д.т.н. А.А. Зацаринный и профессор Университета Авейро (Португалия) д-р. Н.А. Соболев.

Всего в ходе конференции было заслушано более 40 докладов в семи тематических секциях:

·         Современные проблемы создания исследовательской инфраструктуры для синтеза новых материалов с заданными свойствами, включая применение новых методов и средств анализа больших данных;

·         Проблемы развития материаловедения квантоворазмерных электронных гетероструктур;

·         Математическое моделирование в структурном материаловедении (многоуровневые, многомасштабные модели, имитационные модели и т.д.).

·         Моделирование размерных, радиационных, поверхностных и других дефектов в полупроводниковой наноэлектронике;

·         Моделирование работы многоуровневых элементов памяти для компьютеров следующего поколения;

·         Моделирование структур и свойств композиционных материалов с нанокристаллами, нанокластерами, наноаморфными включениями и т.д.

·         Проблемы обеспечения надежности ЭКБ микроэлектроники и систем на ее основе.

В конференции приняли участие девять сотрудников АО «НИИМЭ»: чл.-корр. РАН Е.С. Горнев, к.т.н. О.А. Тельминов, к.ф.-м.н. Г.С. Теплов, д.т.н. В.П. Бокарев, Е.С. Шамин, Е.А. Ганыкина, Е.Д. Тихонова, А.А. Орлов, А.А. Шарапов. 

Подводя итоги конференции, заместитель директора ФИЦ ИУ РАН, д.т.н. Александр Алексеевич Зацаринный отметил важность и научную ценность проделанной работы. Академик РАН Ю.Г. Евтушенко выразил уверенность, что проекты, представленные на МММЭК, внесут значимый вклад в развитие материаловедения и помогут в решении насущных проблем отрасли.