Прошло совместное заседание Научных советов ОНИТ РАН по теме "Нейроморфные системы и энергонезависимая память - 2"
24 февраля состоялось второе и заключительное заседание по теме «Нейроморфные системы и энергонезависимая память – 2», организованное двумя Научными советами ОНИТ РАН – «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания» и «Фундаментальные проблемы наноструктур и нанотехнологий». Заседание прошло в смешанном формате – очно и онлайн. Провели заседание председатель Научного совета, академик-секретарь Отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН, академик РАН Г.Я. Красников и председатель Научного совета ОНИТ РАН «Фундаментальные проблемы наноструктур и нанотехнологий», академик РАН В.Я. Панченко.
Во вступительном слове при открытии заседания академик РАН Г.Я. Красников отметил существенную роль нейроморфных систем и энергонезависимой памяти в интересах развития информационно-вычислительных и управляющих систем на новых принципах. Академик РАН В.Я. Панченко указал на практическую значимость нейроморфных систем – возможность реализации на них нейросетевого подхода для эффективного решения уравнений, описывающих сложные неравновесные динамические системы.
В заседании приняли участие 18 из 59 членов Советов. 71 организация была представлена 118 учеными и специалистами, из которых 23 человек приняли участие в обсуждении.
В рамках Научного совета заслушали 9 докладов:
1. профессор РАН, д.ф.-м.н. Моргунов Роман Борисович (ИПХФ РАН). Наносеть никелевых нанопроводов как магнитный аналог нейросети.
2. д.т.н. Рисованый Владимир Дмитриевич (АО «Наука и инновации» (Госкорпорация «Росатом»)), онлайн Шумилин Сергей Сергеевич (АО «ПКК МИЛАНДР»), Дымов Дмитрий Валерьевич (АО «ИСС»). Энергонезависимая память со встроенными элементами питания со сроком службы 25 лет.
3. к.ф.-м.н., PhD Клименко Олег Александрович (Сколтех; ФИАН), Самсонова Алёна Сергеевна, к.ф.-м.н., PhD Юдин Дмитрий Игоревич, Егиян Самвел Рубенович (Сколтех), д.ф.-м.н. Бриллиантов Николай Васильевич (Сколтех; Университет Лестера (Великобритания)), к.ф.-м.н. Антонов Владимир Николаевич (Сколтех; Колледж Роял Холлоуэй Лондонского университета (Великобритания)). Изготовление и исследование матриц мемристоров в приложении к нейроморфным вычислениям.
4. к.ф.-м.н. Горшков Олег Николаевич, д.ф.-м.н. Филатов Дмитрий Олегович, к.ф.- м.н., PhD Коряжкина Мария Николаевна, Шенина Мария Евгеньевна, Антонов Иван Николаевич, к.ф.-м.н. Агудов Николай Викторович (НОЦ «Физика твердотельных наноструктур» ННГУ им. Н.И. Лобачевского), PhD Спаньоло Бернардо (Университет Палермо (Италия); НОЦ «Физика твердотельных наноструктур» ННГУ им. Н.И. Лобачевского). Влияние шумового сигнала на резистивные состояния мемристора на основе ZrO2(Y) в состоянии с низким сопротивлением и в области переключения в состояние с высоким сопротивлением.
5. к.т.н. Тарков Михаил Сергеевич, Леушин Алексей Николаевич (ИФП СО РАН), д.ф.-м.н. Попов Владимир Павлович (ИФП СО РАН; АО «НЗПП с ОКБ»), Тихоненко Федор Вячеславович (ИФП СО РАН). Модели двухзатворных сегнетоэлектрических КНИ транзисторов и кроссбар-архитектуры для нейросетевых интегральных схем.
6. к.ф.-м.н. Морозова Мария Александровна (МФТИ), член-корр. РАН Никитов Сергей Аполлонович (ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН). Физико-технологические принципы энергонезависимых элементов памяти на основе сегнетоэлектричества и спинтроники.
7. д.ф.-м.н. Алёшин Андрей Николаевич, Зенченко Николай Владимирович, к.т.н. Рубан Олег Альбертович (ИСВЧПЭ РАН). Различные механизмы реализации мемристорного эффекта.
8. к.ф.-м.н. Чуприк Анастасия Александровна (МФТИ). Сегнетоэлектрические мемристоры на основе сверхтонких пленок оксида гафния.
9. к.ф.-м.н. Андреева Наталья Владимировна, д.т.н. Рындин Евгений Адальбертович, д.т.н. Лучинин Виктор Викторович (СПбГЭТУ «ЛЭТИ»). Мемристивные гетерослоевые нанокомпозиции TiO2/Al2O3 с градиентной (многоуровневой) перестройкой резистивного состояния, как нейроморфный базис для мультибитовых систем с интегрированным гибридным интеллектом.
В заключительном слове академик РАН Г.Я. Красников поблагодарил авторов за высокий научный уровень докладов и выразил уверенность в интеграции усилий в части развития нейроморфных систем и энергонезависимой памяти для информационно-вычислительных и управляющих систем между организациями, представленными членами Совета, приглашенными учеными и специалистами.