Прошло заседание Научного совета ОНИТ РАН по теме «Технологии микроэлектроники – 2»
21 апреля состоялось второе и заключительное заседание по теме «Технологии микроэлектроники – 2»
Заседание прошло в смешанном формате – очно и онлайн. Провел заседание председатель Научного совета, академик-секретарь Отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН, академик РАН Г.Я. Красников.
Во вступительном слове при открытии заседания председатель Совета, академик РАН Г.Я. Красников сообщил участникам Научного совета о том, что Минпромторг РФ в рамках направления «Микроэлектроника» в настоящее время формирует программу по финансированию создания отечественных чистых материалов, технологического и аналитического оборудования, развития новых технологий. Научный совет РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания», в свою очередь, создает площадку для обсуждения возможностей институтов и организаций по формированию горизонтальных цепочек от разработки до освоения в производстве компонентов и материалов для микроэлектронной отрасли, формирует предложения докладчиков для последующего предоставления их в Минпромторг России и Минобрнауки России.
В рамках Научного совета участники заслушали 12 докладов:
1. д.х.н. Кузнецова Нина Александровна, Малимоненко Николай Владимирович (ФГУП «ГНЦ «НИОПИК»), очно к.х.н. Малков Георгий Васильевич, к.х.н. Курбатов Владимир Геннадьевич (ИПХФ РАН), Варламов Денис Александрович (АО «НИИМЭ»). Особенности создания фоторезистов и антиотражающих покрытий для микроэлектроники современного уровня.
2. д.ф.-м.н. Зайцев Сергей Иванович, к.ф.-м.н. Свинцов Александр Александрович (ИПТМ РАН). Опыт ИПТМ РАН в разработке и создании установок и программного обеспечения нанолитографии.
3. к.ф.-м.н. Дюжев Николай Алексеевич (НИУ МИЭТ). Состояние дел по проекту НИР «Разработка установки безмасочной рентгеновской нанолитографии на основе МЭМС динамической маски для формирования наноструктур с размерами от 13 нм и ниже на базе синхротронного и/или плазменного источника», шифр «РентгенЛитограф».
4. к.т.н. Панин Виталий Вячеславович (АО НИИТМ), к.ф.-м.н. Резванов Аскар Анварович (АО «НИИМЭ»). Плазмо-стимулированное атомно-слоевое осаждение тонких диэлектрических пленок на установке «Изофаз ТМ 200-01».
5. д.т.н. Серегин Вячеслав Сергеевич, к.х.н. Пилавова Лариса Владимировна (АО «НПО «НИИТАЛ»). Современное состояние и перспективы развития отечественных технологий создания корпусов микро-, нано-, полупроводниковой и силовой электроники.
6. Нагаев Николай Александрович (АО «ЗПП»). Металлокерамические корпуса. Технологические возможности и проблемные вопросы отечественного производства.
7. Рубцов Юрий Васильевич (АО «ЦКБ «Дейтон»). Применение материалов на стадиях изготовления QFN корпусов для изделий микроэлектроники.
8. к.ф.-м.н. Чалый Виктор Петрович (АО «Светлана-Рост»). Технологические процессы для разработки и производства СВЧ ЭКБ в режиме «фаундри».
9. д.ф.-м.н. Кукушкин Сергей Арсеньевич (ИПМаш РАН). Механизм зарождения, кинетика роста и управляемый синтез полупроводниковых пленок IIIнитридов при гетероэпитаксии: технологические особенности роста пленок AlN, GaN и AlGaN на гибридных подложках SiC/Si.
10. к.ф.-м.н. Редьков Алексей Викторович (ИПМаш РАН). Технологические особенности управления ростом сплошных многокомпонентных полупроводниковых плёнок на примере нитрида галлия.
11. д.ф.-м.н. Якимов Евгений Борисович (ИПТМ РАН). Диагностика структур на основе GaN и Ga2O3 методами РЭМ.
12. д.ф.-м.н. Аракелян Сергей Мартиросович (ВлГУ). Квантово-размерные технологии получения новых композитных материалов с управляемыми функциональными характеристиками на основе топологических нанокластерных структур фрактального типа.
В заключительном слове академик РАН Г.Я. Красников поблагодарил авторов за высокий научный уровень докладов и выразил уверенность в интеграции усилий в части развития технологий микроэлектроники между организациями, представленными членами Совета, приглашенными учеными и специалистами.