Под руководством Г.Я. Красникова прошло совместное заседание научных советов РАН
31 мая в Российской академии наук очно и в формате видеоконференции состоялось совместное заседание Научного совета ОНИТ РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания» с Научным советом РАН по материалам и наноматериалам по теме: «Импортозамещение материалов для микроэлектроники».
Во вступительном слове Председатель Совета, президент РАН, генеральный директор АО «НИИМЭ» академик РАН Г.Я. Красников отметил существенную роль теоретической разработки и практической реализации импортозамещение материалов. Правительство уделяет особое внимание развитию микроэлектроники. Для технологической независимости страны в рамках программы развития электронной компонентной базы выделены до 2030 года достаточно большие ресурсы.
В стране реализуется полномасштабная программа по разработке особо чистых материалов, Российская академия наук берет на себя экспертизу стратегически значимых национальных проектов.
Было заслушано 13 докладов:
1.член-корр. РАН Горнев Евгений Сергеевич (АО «НИИМЭ»). Импортозамещение материалов для микроэлектроники: состояние и задачи.
2.член-корр. РАН Егоров Антон Юрьевич (ООО «Коннектор Оптикс», СПбАУ РАН им. Ж.И. Алферова), д.т.н. Панасенко Пётр Васильевич (АО «НИИМЭ»). Импортозамещение материалов и оборудования для производства приборов микро- и оптоэлектроники на основе соединений А3В5.
3.член-корр. РАН Рощупкин Дмитрий Валентинович, д.ф.-м.н. Зайцев Сергей Иванович, к.ф.-м.н. Князев Максим Александрович, к.ф.-м.н. Ильин Александр Иванович, к.х.н. Карандашев Василий Константинович (ИПТМ РАН), к.х.н. Малков Георгий Васильевич, к.х.н. Грачев Вячеслав Петрович (ФИЦ ПХФ и МХ РАН). Материалы для электронно-лучевой и ионно-лучевой литографии, современные методы диагностики материалов для микро- и наноэлектроники.
4.д.ф.-м.н. Кукушкин Сергей Арсеньевич, д.ф.-м.н. Осипов Андрей Викторович (ИПМаш РАН). Рост эпитаксиального карбида кремния на кремнии методом согласованного замещения атомов.
5.к.х.н. Викулова Евгения Сергеевна (ИНХ СО РАН). Высокочистые металлорганические соединения для осаждения материалов микроэлектроники: проблематика и перспективы.
6.д.т.н. Воротынцев Илья Владимирович (РХТУ им. Д.И. Менделеева). Национальная аналитическая сертификационная лаборатория. Проблемы и перспективы.
7.профессор РАН, д.ф.-м.н. Оганов Артем Ромаевич (Сколтех, НИТУ «МИСиС»). Предсказание новых материалов и необычных химических соединений.
8. к.х.н. Мочалов Леонид Александрович (ННГУ им. Н.И. Лобачевского). Современные технологии глубокой очистки и синтеза базовых материалов микроэлектроники и ИК-оптики. Состояние и перспективы.
9. к.х.н. Джонс Михаил Михайлович, к.х.н. Синенков Михаил Александрович, Пронина Анастасия Львовна, Продаевич Вероника Владимировна (ООО «Поликетон»). Разработка резиста для рентгеновской литографии.
10. к.х.н. Малков Георгий Васильевич, д.х.н. Бадамшина Эльмира Рашатовна (ФИЦ ПХФ и МХ РАН), д.х.н. Кузнецова Нина Александровна (АО «НИОПИК»), Варламов Денис Александрович (АО «НИИМЭ»), к.х.н. Джонс Михаил Михайлович (ООО «Поликетон»). Результаты работ по антиотражающему покрытию АОП 193, ФР-193 и ПАВ для безметалльного проявителя.
11. д.т.н. Конарев Александр Андреевич (АО «НИОПИК»), Варламов Денис Александрович (АО «НИИМЭ»). Разработка и освоение промышленной мембранной электрохимической технологии производства концентрата тетраметиламмония гидроксида.
12. академик РАН Бузник Вячеслав Михайлович (ИОНХ РАН), очно к.т.н. Больбасов Евгений Николаевич (Томский политехнический университет). Отечественные фильтровальные материалы и изделия из поливинилиденфторида и политетрафторэтилена, получаемые методами электроформованием и 3D-печати.
13. к.ф.-м.н. Волков Иван Александрович, к.т.н. Арсенов Павел Владимирович, к.т.н. Ефимов Алексей Анатольевич, очно член-корр. РАН Иванов Виктор Владимирович (МФТИ). Формирование функциональных микроструктур из металлических и полупроводниковых нанообъектов с применением методов печатной электроники.
В заключительном слове председатель Совета, академик РАН Г.Я. Красников отметил высокий научно-технический уровень доложенных результатов, выразил уверенность в усилении сотрудничества между организациями и предприятиями в области импортозамещения материалов для микроэлектроники.