НС ОНИТ РАН одобрил план исследований в области электронных технологий
13.02.2025
12 февраля в Российской академии наук очно и в формате видеоконференции состоялось заседание Научного совета ОНИТ РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания» по теме «План ФПНИ в области электронных технологий. НТЦ прикладной оптоэлектроники ФИАН».
Председатель Совета, президент РАН, руководитель приоритетного технологического направления «Электронные технологии», академик РАН Г.Я. Красников отметил значимость синхронизации проведения фундаментальных и поисковых научных исследований с государственной политикой в области развития электронной и радиоэлектронной промышленности.
В заседании приняли участие 33 из 51 члена Бюро и членов Научного совета ОНИТ РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания», а также приглашенные ученые и специалисты – всего 77 человек из 55 организаций и их подразделений. В обсуждении повестки дня участвовало 14 человек.
С докладами о Плане фундаментальных и поисковых научных исследований в области электронных технологий выступили:
• Казаков Юрий Евгеньевич (Минобрнауки России);
• чл.-корр. РАН Горнев Евгений Сергеевич (советник президента РАН);
• проф. РАН, д.ф.-м.н. Кузнецова Ирен Евгеньевна (ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН);
• к.ф.-м.н. Заблоцкий Алексей Васильевич (Фонд перспективных исследований).
По теме «Создание НТЦ прикладной оптоэлектроники ФИАН» выступили:
• чл.-корр. РАН Колачевский Николай Николаевич (ФИАН, РКЦ);
• д.ф.-м.н. Итальянцев Александр Георгиевич (АО «НИИМЭ»).
По результатам заседания Совет одобрил представленный план ФПНИ в области электронных технологий на период до 2030 года, выработал рекомендации президиуму РАН, Минобрнауки России, дал поручение членам Совета, поддержал создание Научно-технологического центра прикладной оптоэлектроники в ФИАН с учетом полученных в ходе заседания Совета замечаний.
Председатель Совета, президент РАН, руководитель приоритетного технологического направления «Электронные технологии», академик РАН Г.Я. Красников отметил значимость синхронизации проведения фундаментальных и поисковых научных исследований с государственной политикой в области развития электронной и радиоэлектронной промышленности.
В заседании приняли участие 33 из 51 члена Бюро и членов Научного совета ОНИТ РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания», а также приглашенные ученые и специалисты – всего 77 человек из 55 организаций и их подразделений. В обсуждении повестки дня участвовало 14 человек.
С докладами о Плане фундаментальных и поисковых научных исследований в области электронных технологий выступили:
• Казаков Юрий Евгеньевич (Минобрнауки России);
• чл.-корр. РАН Горнев Евгений Сергеевич (советник президента РАН);
• проф. РАН, д.ф.-м.н. Кузнецова Ирен Евгеньевна (ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН);
• к.ф.-м.н. Заблоцкий Алексей Васильевич (Фонд перспективных исследований).
По теме «Создание НТЦ прикладной оптоэлектроники ФИАН» выступили:
• чл.-корр. РАН Колачевский Николай Николаевич (ФИАН, РКЦ);
• д.ф.-м.н. Итальянцев Александр Георгиевич (АО «НИИМЭ»).
По результатам заседания Совет одобрил представленный план ФПНИ в области электронных технологий на период до 2030 года, выработал рекомендации президиуму РАН, Минобрнауки России, дал поручение членам Совета, поддержал создание Научно-технологического центра прикладной оптоэлектроники в ФИАН с учетом полученных в ходе заседания Совета замечаний.