Научная сессия «Элементная база информационно-вычислительных и управляющих систем»

28 февраля научный совет РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания» под руководством генерального директора АО «НИИМЭ», академика РАН Г.Я. Красникова совместно с консорциумом «Перспективные материалы и элементная база информационных и вычислительных систем» провел в Вычислительном Центре РАН им. А.А. Дородницына научную сессию «Элементная база информационно-вычислительных и управляющих систем».

Более 60 научных сотрудников академических институтов, исследовательских центров и высших учебных заведений приняли участие в работе сессии, в том числе представители НИИМЭ, ОНИТ РАН, ФТИАН РАН, ФИЦ ИУ РАН, ИФП СО РАН, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН, ФИАН им. П.Н. Лебедева, ИОФ РАН, ИФТТ РАН, ИПТМ РАН, ИППМ РАН, ИФМ РАН, ФИРЭ РАН, ИСВЧПЭ РАН, НТЦ Уп РАН, СПбАУ РАН, ФИЦ ИУ РАН, ИГХ СО РАН, МФТИ, НИТУ «МИСиС», МГУ им. М.В. Ломоносова, НИУ «МИЭТ», Московского технологического института, НОЦ «Нанотехнологии» ЮФУ, НОЦ «Технологический центр» МИРЭА, МНИТИ, НПЦ ЭЛВИС, ФГУП «ЭЗАН»и др.

В работе сессии приняли участие также представители академического корпуса: президент Национального исследовательского университета «МИЭТ», академик РАН Ю.А. Чаплыгин, директор ИФП СО РАН, академик РАН А.В. Латышев, директор ФИЦ ИУ РАН, академик РАН И.А. Соколов; советник генерального директора АО «НИИМЭ», член-корреспондент РАН Б.Г. Грибов; главный научный сотрудник Института проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН, член-корреспондент РАН В.В. Аристов; директор Института радиотехники и электроники имени В.А. Котельникова РАН, член-корреспондент РАН С.А. Никитов; директор ФТИАН РАН, член-корреспондент РАН В.Ф. Лукичев; и.о. завсектором лаборатории «Квантовый дизайн молекулярных и твердотельных наноструктур» ФИАН, член-корреспондент РАН А.А. Горбацевич; заместитель директора ИФП СО РАН член-корреспондент РАН А.В. Двуреченский; главный научный сотрудник ИФМ РАН, член-корреспондент РАН Н.Н. Салащенко; заместитель академика-секретаря ОНИТ РАН, член-корреспондент РАН В.А. Шахнов; советник генерального директора ЗАО «МНИТИ», член-корреспондент РАН Ю.Б. Зубарев; завотделом проблем автоматизации проектирования ИППМ РАН, член-корреспондент РАН С.Г. Русаков; заведующий лабораторией нелинейных резонансных процессов и лазерной диагностики ИФП СО РАН, член-корреспондент РАН И.И. Рябцев; директор НОЦ «Нанотехнологии» ЮФУ, член-корреспондент РАН О.А. Агеев.

Открывая научную сессию, академик РАН И.А. Соколов и академик РАН Г.Я. Красников отметили большое значение элементной базы в научной, экономической и хозяйственной деятельности нашей страны – в частности, при решении проблем современных систем искусственного интеллекта, робототехники и цифровой экономики. В своем вступительном слове Г.Я. Красников также сообщил, что научный совет РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания» был образован на основе научных советов РАН: «Совета по элементной базе микро-, нано- электроники, квантовым компьютерам и материалам для микросистемной техники» и «Совета по физико-химическим основам полупроводникового материаловедения».

На научной сессии было заслушано 13 докладов:

1.                  Академик РАН Г.Я. Красников (АО «НИИМЭ») «Направления развития транзисторных структур в современной микроэлектронике».

2.                  Член-корреспондент РАН А.В. Двуреченский, кандидат физико-математических наук А.Ф. Зиновьева, кандидат физико-математических наук А.В. Ненашев (ИФП СО РАН) «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем на базе гетероструктур с квантовыми точками».

3.                  Член-корреспондент РАН С.А. Никитов, доктор физико-математических наук А.С. Дмитриев, доктор физико-математических наук С.В. Зайцев-Зотов, доктор физико-математических наук А.А. Синченко, доктор физико-математических наук В.П. Кошелец, доктор физико-математических наук М.В. Логунов (ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН) «Элементная база для перспективных информационно-вычислительных систем на базе новых материалов и физических принципов».

4.                  Академик РАН Г.Я. Красников (АО «НИИМЭ»), член-корреспондент РАН А.А. Горбацевич (ФИАН), Н.М. Шубин (МИЭТ), «Элементная база молекулярной электроники на квантовых эффектах».

5.                  Доктор физико-математических наук В.П. Попов, доктор физико-математических наук В.А. Гриценко, доктор физико-математических наук И.Е. Тысченко (ИФП СО РАН) «Элементная база многофункциональной электроники на основе ПДП, МДП и МДМ структур (FeFET, eRAM, RRAM, FRAM)».

6.                  Член-корреспондент РАН, доктор физико-математических наук В.Ф. Лукичев, доктор физико-математических наук К.В. Руденко (ФТИАН РАН) «Исследования в области технологии транзисторных структур с затвором HkMG и критическими размерами до 10 нм».

7.                  Академик РАН Г.Я. Красников, доктор технических наук Е.С. Горнев (АО «НИИМЭ»), кандидат физико-математических наук А.В. Зенкевич (МФТИ), «Альтернативные концепции резистивной и сегнетоэлектрической памяти: статус и перспективы».

8.                  Доктор технических наук Я.Я. Петричкович (АО «НПЦ ЭЛВИС») «Когнитивные процессоры. Новые вызовы».

9.                  Академик РАН Ю.А. Чаплыгин, доктор технических наук М.А. Королев, кандидат технических наук А.С. Ключников, Д.И. Ефимова (НИУ «МИЭТ») «Планарный КНИ беспереходной МОП-транзистор».

10.              Доктор физико-математических наук Д.В. Рощупкин (ИПТМ РАН), «Пьезо- и сегнетоэлектрические кристаллы: современное состояние и перспективы».

11.              Доктор физико-математических А.Д. Буравлев (СПбАУ РАН) «Молекулярно-пучковая эпитаксия полупроводниковых гетероструктур на кремнии».

12.              Академик РАН А.Л. Асеев, академик РАН А.В. Латышев, член-корреспондент РАН И.Г. Неизвестный, член-корреспондент РАН И.И. Рябцев, кандидат физико-математических наук И.И. Бетеров, кандидат физико-математических наук Д.Б. Третьяков, кандидат физико-математических наук В.М. Энтин, Е.А. Якшина (ИФП СО РАН) «Элементная база квантовой информатики с одиночными атомами и фотонами».

13.              Кандидат физико-математических наук С.В. Михайлович, кандидат технических наук А.Ю. Павлов (ИСВЧПЭ РАН) «Цифровое» травление барьерного слоя AlGaN/AlN/GaN HEMT в технологическом цикле изготовления нитрид галлиевых МИС высокой функциональной сложности».

Участники научной сессии отметили необходимость создания программы фундаментальных исследований по элементной базе, а также образовали рабочую группу для разработки проекта программы фундаментальных исследований.

Подводя итоги научной сессии, академик РАН Г.Я. Красников поблагодарил всех участников за содержательные выступления, отметил высокий научно-технический уровень доложенных результатов и выразил надежду дальнейшего развития сотрудничества между организациями и предприятиями в области разработки микроэлектронных технологий и создания отечественной элементной базы для вычислительных систем.

Презентации участников форума доступны для скачивания по ссылке