В НИИМЭ прошел научный семинар «Топологически нетривиальные материалы: двумерные и трёхмерные топологические изоляторы»
09.04.2018
4 апреля отделение нанотехнологий и информационных технологий РАН, научный совет «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания» РАН под руководством академика РАН Г.Я. Красникова совместно с консорциумом «Перспективные материалы и элементная база информационных и вычислительных систем» провели в АО «НИИМЭ» научный семинар «Топологически нетривиальные материалы: двумерные и трёхмерные топологические изоляторы».
Более 50 научных сотрудников академических институтов, исследовательских центров и высших учебных заведений приняли участие в работе сессии, в том числе представители НИИМЭ, ИПТМ РАН, ФТИАН РАН, ФИАН им. П.Н. Лебедева, ИФТТ РАН, ИСВЧПЭ РАН, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН, ИПТМ РАН, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, ИФП СО РАН, ИЯФ СО РАН, ФГУП «НИИФП им. Ф.В. Лукина», МФТИ, НИУ «МИЭТ», Московского технологического института, НИТУ «МИСиС», ООО «Интерфейс», ООО «НТ-МДТ СИ».
В работе сессии приняли участие представители академического корпуса: заведующий кафедрой вакуумной электроники МФТИ академик РАН А.С. Бугаев, главный научный сотрудник Института проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН, член-корреспондент РАН В.В. Аристов; директор ФТИАН РАН, член-корреспондент РАН В.Ф. Лукичев; и.о. завсектором лаборатории «Квантовый дизайн молекулярных и твердотельных наноструктур» ФИАН, член-корреспондент РАН А.А. Горбацевич, директор Института радиотехники и электроники имени В.А. Котельникова РАН, член-корреспондент РАН С.А. Никитов; научный руководитель ИФТТ РАН, член-корреспондент РАН В.В. Кведер.
Открывая работу семинара, в своем вступительном слове академик РАН Г.Я. Красников определил целью семинара определить текущее состояние и перспективы развития отечественных топологических изоляторов, а также рассмотреть возможность формирования предложений по финансированию наиболее значимых результатов, полученных участниками.
В рамках научного семинара было заслушано 7 докладов:
• «Двумерные и трехмерные топологические изоляторы на основе HgTe» (доктор физико-математических наук С.А. Тарасенко, ФТИ им. А.В. Иоффе).
• «Поверхностные состояния дираковских и вейлевских фермионов» (доктор физико-математических наук В.А. Волков, кандидат физико-математических наук В.В. Еналдиев, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН).
• «Топологические изоляторы на основе HgTe» (доктор физико-математических наук Зе Дон Квон, ИФП СО РАН).
• «Исследование топологических поверхностных состояний при помощи сверхпроводящих контактов» (доктор физико-математических наук Э.В. Девятов (ИФТТ РАН).
• «Электронная и спиновая структура топологических изоляторов и графеноподобных систем» (доктор физико-математических наук О.Е. Терещенко, ИФП СО РАН; доктор геолого-минералогических наук К.А. Кох, ИГМ СО РАН; В.А. Голяшов, ИФП СО РАН; доктор физико-математических наук А.М. Шикин, СПбГУ).
• «СТМ/СТС поверхностных состояний топологических изоляторов» (кандидат физико-математических наук С.И. Божко, ИФТТ РАН).
• «Некоторые особенности электрон-электронного взаимодействия в графеноподобных системах» (кандидат физико-математических наук И.С. Терехов, ИЯФ СО РАН).
При подведении итогов научного семинара член-корреспондент РАН В.В. Аристов отметил высокий научно-технический уровень доложенных результатов и выразил надежду на усиление сотрудничества между организациями и предприятиями в области развития отечественных топологических изоляторов. Участникам семинара было рекомендовано представить материалы докладов для публикации статей в журнале «Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника».
Презентации участников семинара доступны для скачивания по ссылке
Более 50 научных сотрудников академических институтов, исследовательских центров и высших учебных заведений приняли участие в работе сессии, в том числе представители НИИМЭ, ИПТМ РАН, ФТИАН РАН, ФИАН им. П.Н. Лебедева, ИФТТ РАН, ИСВЧПЭ РАН, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН, ИПТМ РАН, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, ИФП СО РАН, ИЯФ СО РАН, ФГУП «НИИФП им. Ф.В. Лукина», МФТИ, НИУ «МИЭТ», Московского технологического института, НИТУ «МИСиС», ООО «Интерфейс», ООО «НТ-МДТ СИ».
В работе сессии приняли участие представители академического корпуса: заведующий кафедрой вакуумной электроники МФТИ академик РАН А.С. Бугаев, главный научный сотрудник Института проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН, член-корреспондент РАН В.В. Аристов; директор ФТИАН РАН, член-корреспондент РАН В.Ф. Лукичев; и.о. завсектором лаборатории «Квантовый дизайн молекулярных и твердотельных наноструктур» ФИАН, член-корреспондент РАН А.А. Горбацевич, директор Института радиотехники и электроники имени В.А. Котельникова РАН, член-корреспондент РАН С.А. Никитов; научный руководитель ИФТТ РАН, член-корреспондент РАН В.В. Кведер.
Открывая работу семинара, в своем вступительном слове академик РАН Г.Я. Красников определил целью семинара определить текущее состояние и перспективы развития отечественных топологических изоляторов, а также рассмотреть возможность формирования предложений по финансированию наиболее значимых результатов, полученных участниками.
В рамках научного семинара было заслушано 7 докладов:
• «Двумерные и трехмерные топологические изоляторы на основе HgTe» (доктор физико-математических наук С.А. Тарасенко, ФТИ им. А.В. Иоффе).
• «Поверхностные состояния дираковских и вейлевских фермионов» (доктор физико-математических наук В.А. Волков, кандидат физико-математических наук В.В. Еналдиев, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН).
• «Топологические изоляторы на основе HgTe» (доктор физико-математических наук Зе Дон Квон, ИФП СО РАН).
• «Исследование топологических поверхностных состояний при помощи сверхпроводящих контактов» (доктор физико-математических наук Э.В. Девятов (ИФТТ РАН).
• «Электронная и спиновая структура топологических изоляторов и графеноподобных систем» (доктор физико-математических наук О.Е. Терещенко, ИФП СО РАН; доктор геолого-минералогических наук К.А. Кох, ИГМ СО РАН; В.А. Голяшов, ИФП СО РАН; доктор физико-математических наук А.М. Шикин, СПбГУ).
• «СТМ/СТС поверхностных состояний топологических изоляторов» (кандидат физико-математических наук С.И. Божко, ИФТТ РАН).
• «Некоторые особенности электрон-электронного взаимодействия в графеноподобных системах» (кандидат физико-математических наук И.С. Терехов, ИЯФ СО РАН).
При подведении итогов научного семинара член-корреспондент РАН В.В. Аристов отметил высокий научно-технический уровень доложенных результатов и выразил надежду на усиление сотрудничества между организациями и предприятиями в области развития отечественных топологических изоляторов. Участникам семинара было рекомендовано представить материалы докладов для публикации статей в журнале «Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника».
Презентации участников семинара доступны для скачивания по ссылке