В НИИМЭ прошел научный семинар «Физика работы мемристора»
31.10.2019
30 октября в НИИМЭ состоялся научный семинар по теме «Физика работы мемристора». Мероприятие было организовано НИИМЭ, научным советом ОНИТ РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания» и научно-производственным Консорциумом «Перспективные материалы и элементная база информационных и вычислительных систем». Председательствовал член Научного совета, заместитель руководителя приоритетного направления по электронным технологиям АО «НИИМЭ», д.т.н. Е.С. Горнев.
В работе семинара приняли участие 57 представителей из ведущих профильных организаций и предприятий: АО «НИИМЭ», МФТИ, НИУ МИЭТ, ИПТМ РАН, ИФТТ РАН, МГУ им. М.В. Ломоносова, НИЦ «Курчатовский институт», ННГУ им. Н.И. Лобачевского, ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН, ФТИАН им. К.А. Валиева РАН.
Были заслушаны 7 докладов, в обсуждении которых приняли участие 17 сотрудников вышеперечисленных научных организаций.
Доклады отразили уровень проводимых исследований в области совершенствования энергонезависимой резистивной памяти для создания элементной базы нейроморфных систем в России, а участниками семинара была отмечена важная роль развития перспективных отечественных подходов к данной проблеме. Очевидно, итоги работы участников семинара позволят составить объективные и научно-обоснованные планы развития российской микроэлектроники на ближайшие годы, а также работать над обеспечением технологической независимости нашей страны.
По окончании мероприятия председатель научного семинара Е.С. Горнев отметил высокий научно-технический уровень доложенных результатов и выразил уверенность в усилении сотрудничества между организациями и предприятиями.
Подробное изучение физики процессов переключения в мемристорах позволяет обогатить экспериментальный опыт исследователей, на базе которого появляется возможность уточнить существующие методы описания динамических процессов и неравновесных состояний в рассматриваемых системах.
Семинары по физике мемристивных структур - нечастое явление в мировой практике; концепция привлечения теоретиков (ИФТТ РАН, ИПТМ РАН и др.) к решению технологических и технических проблем позволяет рассчитывать на подробное исследование перспектив применения структур в микроэлектронике.
В работе семинара приняли участие 57 представителей из ведущих профильных организаций и предприятий: АО «НИИМЭ», МФТИ, НИУ МИЭТ, ИПТМ РАН, ИФТТ РАН, МГУ им. М.В. Ломоносова, НИЦ «Курчатовский институт», ННГУ им. Н.И. Лобачевского, ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН, ФТИАН им. К.А. Валиева РАН.
Были заслушаны 7 докладов, в обсуждении которых приняли участие 17 сотрудников вышеперечисленных научных организаций.
Доклады отразили уровень проводимых исследований в области совершенствования энергонезависимой резистивной памяти для создания элементной базы нейроморфных систем в России, а участниками семинара была отмечена важная роль развития перспективных отечественных подходов к данной проблеме. Очевидно, итоги работы участников семинара позволят составить объективные и научно-обоснованные планы развития российской микроэлектроники на ближайшие годы, а также работать над обеспечением технологической независимости нашей страны.
По окончании мероприятия председатель научного семинара Е.С. Горнев отметил высокий научно-технический уровень доложенных результатов и выразил уверенность в усилении сотрудничества между организациями и предприятиями.
Подробное изучение физики процессов переключения в мемристорах позволяет обогатить экспериментальный опыт исследователей, на базе которого появляется возможность уточнить существующие методы описания динамических процессов и неравновесных состояний в рассматриваемых системах.
Семинары по физике мемристивных структур - нечастое явление в мировой практике; концепция привлечения теоретиков (ИФТТ РАН, ИПТМ РАН и др.) к решению технологических и технических проблем позволяет рассчитывать на подробное исследование перспектив применения структур в микроэлектронике.