Фундаментальные исследования
НИИМЭ занимается фундаментальными и поисковыми исследованиями в области физики полупроводников, изучает новые физические принципы энергонезависимой памяти, создает модели наноэлектронных компонентов.
Технологии перспективных СБИС:
- Разработка технологии многолучевой электронной литографии для следующих поколений СБИС 45 нм, 28 нм, 14 нм и менее, позволяющей создание прямого изображения на пластине без изготовления комплектов масок;
- Разработка процессов переноса изображения через маску электронорезиста и интеграция их с традиционной технологией КМОП на базе оптической литографии для обеспечения производительности производства;
- Разработка базовой технологии формирования многоуровневой разводки для следующих поколений СБИС 45 нм, 28 нм, 14 нм и менее на базе медной металлизации и low-k диэлектрика;
- Разработка методов анализа состояний систем с металлическим затвором и подзатворным high-k диэлектриком, а также методов исследования механизмов захвата и удержания зарядов в системах нано-кристаллов кремния;
- Разработка моделей и технологии создания МДП систем с металлическим затвором и диэлектриком с высокой диэлектрической проницаемостью (HfO2).
Энергонезависимая память:
- Исследования и моделирование элементов энергонезависимой памяти на основе MONOS структур и FRAM MD на основе сегнетоэлектриков. Исследование недеструктивных методов считывания информации с ячеек FRAM. Исследование магнитной памяти;
- Системы композитных подзатворных диэлектриков;
- Исследование свойств границ разделов в системах композитных подзатворных диэлектриков с использованием материалов с высокой диэлектрической проницаемостью (напр. Si/SiO2(x)/HfO2/HfAlOx/Al).
Функциональная электроника:
- Исследования технологии МЭМС на основе гетероструктур кремний-сегнетоэлектрик для создания широкого спектра датчиков и акселерометров;
- Разработка технологий 3-D сборки для интеграции в виде «система-в-корпусе» (SiP);
- Разработка приборно-технологических моделей для базовых и перспективных технологий.
Форум «Микроэлектроника»
НИИМЭ выступает организатором российского форума «Микроэлектроника». Это ключевое событие года в мире электронных технологий. Он является площадкой для всестороннего обсуждения перспективных направлений развития отечественной микроэлектроники с участием представителей научного сообщества, государственных структур и бизнеса. Во время работы форума вырабатываются совместные решения, направленные на защиту национальных интересов и обеспечение технологического суверенитета.
Форум «Микроэлектроника» опирается на традиции Гурзуфской Всесоюзной школы микроэлектроники. В 2015 году по инициативе НИИМЭ и благодаря усилиям ведущих предприятий отрасли эти традиции были восстановлены. На первый форум собралось более 300 представителей микроэлектроники из 50 компаний России, стран ближнего зарубежья, Европы и Юго-Восточной Азии.
Популярность форума растет из года в год. Сегодня в Форуме участвует уже более трех тысяч представителей компаний и организаций отрасли. Он включает в себя пленарные заседания, научно-практические конференции в 13 секциях, две предконференции, Школу молодых ученых, насыщенную выставочную, деловую программу.
Во время форума «Микроэлектроника» обсуждаются актуальные проблемы, начиная от вопросов технологий производства микроэлектроники до специального технологического оборудования и чистых материалов, развития квантовых технологий, нейроморфных вычислений и искусственного интеллекта. Форум насыщен различными тематическими мероприятиями: круглыми столами, открытыми дискуссиями по проблемам развития и мерам поддержки, мастер-классами.
Форум проводится при поддержке Министерства промышленности и торговли, Министерства образования и науки. Его партнерами выступают фонды развития и крупнейшие российские технологические компании.
Цели Форума:
- Поиск новых возможностей, выдвижение новых идей и решений для развития микроэлектронных технологий, разработки специального технологического оборудования и создания сверхчистых материалов;
- Укрепление горизонтальных межотраслевых научно-практических и производственных связей посредством организации позитивного конструктивного взаимодействия и делового сотрудничества;
- Поддержка заинтересованности бизнеса в создании и продвижении инновационных микроэлектронных продуктов и решений;
- Содействие привлечению в отрасль инвестиций для реализации перспективных высокотехнологичных проектов в области микроэлектроники;
- Формирование у участников Форума понимания глобальных изменений в индустрии и ответственности за развитие отечественной микроэлектронной отрасли;
- Привлечение в отрасль талантливой молодежи для усиления научного потенциала российской микроэлектроники.
Подробнее о Форуме:
Школа молодых ученых
НИИМЭ выступает организатором «Школы молодых учёных» (ШМУ) –крупнейшей молодёжной площадки по микроэлектронике. Она предоставляет возможности студентам, аспирантам и молодым специалистам выступить с докладами, принять участие в мастер-классах и круглых столах, а состоявшимся учёным – сделать пленарный доклад, провести мастер-класс или круглый стол.
Председатель программного комитета ШМУ – академик РАН, д.т.н., профессор, почетный профессор Московского физико-технического института, заместитель руководителя приоритетного технологического направления по электронным технологиям АО «НИИМЭ», заместитель заведующего кафедрой микро- и наноэлектроники МФТИ Евгений Сергеевич Горнев.
Конференция ШМУ решает следующие задачи:
- Установление новых контактов между молодыми учёными и экспертами отрасли;
- Обсуждение важнейших научных задачи микроэлектроники и выявление подходов к решению актуальных проблем;
- Обмен новейшей научной информацией и сведениями о возможностях проведения исследований;
- Создание новых научных проектов и внутриотраслевых исследовательских коллективов;
- Помощь студентам, аспирантам и молодым выпускникам в развитии в науке;
- Пополнение рядов молодых учёных в области микроэлектроники
Конференции ежегодно проводятся в рамках Форума «Микроэлектроника» с приглашением ведущих специалистов и ученых российских вузов, и академических институтов.
В 2025 году в работе ШМУ приняли участие 386 человек. Они представляли 81 научную и образовательную организацию. Было заслушано 309 докладов по ключевым направлениям микроэлектроники: проектирование и моделирование интегральных микросхем, технологические процессы микроэлектроники, интегральная фотоника, СВЧ и силовые приборы, нейроморфные вычисления и искусственный интеллект, физика микро- и наноразмерных приборов, биомедицинская электроника, системное программное обеспечение и другие.
Научные направления:
- Моделирование структур, технологических процессов и устройств микроэлектроники;
- Школа НИИМЭ вычислительной литографии;
- Технологические процессы микроэлектроники;
- Интегральная фотоника;
- Нейроморфные вычисления и искусственный интеллект;
- RISC-V и системное программное обеспечение;
- СВЧ и силовые приборы микроэлектроники;
- Квантовые технологии;
- Физика микро- и наноразмерных приборов;
- Биомедицинская электроника;
- Проектирование интегральных микросхем, встраиваемых электронных систем и конечных устройств;
- Молодёжные лаборатории в области микроэлектроники.
Организаторы ШМУ:
- Научный совет ОНИТ РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания»;
- Консорциум «Перспективные материалы и элементная база информационных и вычислительных систем»;
- АО «НИИМЭ»;
- Московский физико-технический институт – национальный исследовательский университет (МФТИ).;
Подробности по ссылке:
Научный совет РАН «Квантовые технологии»
НИИМЭ принимает участие в координации фундаментальных исследований по квантовым технологиям, взаимодействуя с Российской академией наук, профильными министерствами и ведомствами.
Научный совет при президиуме РАН «Квантовые технологии» возглавляет научный руководитель АО «НИИМЭ», президент Российской академии наук, академик РАН Г. Я. Красников. Заместители председателя Научного совета: академик РАН А.А.Горбацевич, академик РАН В.Я. Панченко, академик РАН А.С. Холево.
Научный совет «Квантовые технологии» осуществляет анализ состояния и выбор приоритетов и направлений, определяет цели и задачи программ фундаментальных исследований по квантовым технологиям, проводит экспертизу «дорожных карт» и результатов фундаментальных исследований по квантовым технологиям и формирует рекомендации по их практическому использованию в различных областях науки и техники. Он участвует в подготовке научно-технических прогнозов развития основных направлений фундаментальных исследований по квантовым технологиям, а также предложений по организации наиболее актуальных с научной точки зрения программ, проектов и исследований для получения научных результатов мирового уровня в различных направлениях фундаментальных исследований по квантовым технологиям.
Научный совет ОНИТ РАН
НИИМЭ участвует в координации фундаментальных научных исследований в области нанотехнологий и информационных технологий.
Научный совет «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания» при Отделении нанотехнологий и информационных технологий (ОНИТ) РАН решает задачи по изучению, анализу достижений и прогнозу развития отечественной и мировой науки, определению приоритетных направлений ее развития в области элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для их создания. Так же Совет ведет научно-консультативное и экспертное обеспечение деятельности государственных органов и организаций, а также координирует научную и научно-техническую деятельность в области решения фундаментальных проблем элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания.
Научный совет «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания» при Отделении нанотехнологий и информационных технологий РАН возглавляет научный руководитель АО «НИИМЭ», президент Российской академии наук, академик РАН Г. Я. Красников.
Скачать материалы Совета (состав Совета, программы, презентации и протоколы заседаний)
Журнал «Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника»
Обращение главного редактора
Уважаемые читатели!
Рад сообщить вам, что начиная с 2014 года, мы возобновили выпуск научно-технического журнала «Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника». Теперь журнал выпускается в полноцветном варианте, что облегчает восприятие наглядного материала.
Издательство журнала «Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника» воссоздано решением Редакционного совета акционерного общества «Научно-исследовательского института молекулярной электроники».
Как и в предыдущие годы, журнал комплексно освещает современные достижения и проблемы микро- и наноэлектроники во всех сферах научной и производственной деятельности от технологии до экономики.
Миссия журнала состоит в оперативной публикации научных статей о новых, ранее не опубликованных значимых результатах научных исследований, а также фундаментальных и прикладных результатах их применения, наиболее полное отражение научно-исследовательской деятельности во всемирном научном информационном пространстве и популяризации науки в целом.
Также следует отметить, что в начале 2017 года журнал «Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника» вошёл в перечень ведущих рецензируемых научных журналов, включённых Высшей аттестационной комиссией России в список изданий, рекомендуемых для опубликования основных научных результатов диссертаций на соискание учёной степени кандидата и доктора наук, а это является своего рода гарантом качества научных статей, их актуальности и новизны.
Журнал открыт как для отечественных, так и для зарубежных авторов. Приглашаем учёных и специалистов, а также аспирантов и молодых сотрудников, специализирующихся в областях науки и производства, связанных с микроэлектроникой и наноэлектроникой, к сотрудничеству с журналом.
От имени редакции я благодарю всех Вас – наших авторов и читателей, партнеров и друзей за интерес к изданию, поддержку и сотрудничество. Желаю нам всем продуктивности и много хороших статей, а это невозможно без наших общих усилий.
С уважением,
главный редактор журнала,
доктор технических наук, академик РАН
Г.Я. Красников
О журнале
Уважаемые читатели!
Научно-технический журнал «Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника» зарегистрирован Федеральной службой по надзору в сфере связи и массовых коммуникаций в качестве средства массовой информации от 14.08.2013 года, регистрационное свидетельство: ПИ №ФС77-55092.
Журнал зарегистрирован в системе ISSN Международным центром ISSN в Париже под номером 2410-9932.
Журнал включен в базу данных Российского индекса научного цитирования (РИНЦ).
Журнал «Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника» издается на русском языке. Периодичность издания – ежеквартальная. Тираж – 500 экземпляров. На страницах журнала размещаются только авторские научные публикации.
Распространяется по подписке на территории Российской Федерации (Каталог Агентства «РОСПЕЧАТЬ», индекс 80408).
Журнал является рецензируемым изданием и рассчитан на широкий круг научной общественности (научные сотрудники, преподаватели, докторанты, аспиранты и соискатели, студенты) в России и СНГ, а также практических работников государственных учреждений и предпринимательских структур. Он придаёт большое значение подготовке квалифицированных кадров для нашей науки и промышленности. Журнал включен в базу данных Russian Science Citation Index (RSCI) на платформе Web of Science.
Учитывая сложившийся авторитет журнала, работу в нём высококвалифицированных специалистов Всероссийская аттестационная комиссия (ВАК) включила журнал «Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника» в число изданий, рекомендованных для публикации статей соискателей учёных степеней кандидата и доктора наук №3055 от 10.06.2024 г.
Публикуемые в журнале статьи содержат результаты фундаментальных научных исследований в следующих отраслях:
1.4.4. Физическая химия (химические науки),
2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств (технические науки), 2.3.5. Математическое и программное обеспечение вычислительных систем, комплексов и компьютерных сетей (физико-математические науки).
Также публикации журнала информируют о новейших достижениях в разработке изделий и технологий специалистами в следующих группах:
05.13.05 – Элементы и устройства вычислительной техники и систем управления (технические науки),
05.13.12 – Системы автоматизации проектирования (по отраслям) (технические науки),
05.27.06 – Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники (технические науки).
В качестве дополнительной информации в журнале печатаются тематические обзоры, обобщающие отечественный и зарубежный опыт, краткие сообщения о значимых научных мероприятиях АО «НИИМЭ», а также наиболее интересные с научной и практической точек зрения работы молодых ученых и специалистов.
Со всеми номерами журнала вы можете познакомиться, оформив подписку непосредственно в редакции журнала. Архив журнала доступен в Научной Электронной Библиотеке (НЭБ) - головном исполнителе проекта по созданию Российского индекса научного цитирования (РИНЦ), путем покупки прав пользования электронной версией журнала.
Подписка
Для удобства читателей и подписчиков мы постарались учесть несколько способов подписки, среди которых можно выбрать наиболее удобный для Вас:
1. Оформить подписку на печатные версии журналов в любом почтовом отделении по каталогу.
После осуществления платежа необходимо сообщить по электронной почте nvoronova@niime.ru.
Стоимость годовой подписки через почтовое отделение – 4969,36 руб. (стоимость одного номера – 1242,34 руб.).
Журнал зарегистрирован в системе ISSN Международным центром ISSN в Париже под номером 2410-9932.
2. Оформить подписку или приобрести отдельные выпуски непосредственно через редакцию.
Для этого необходимо заполнить бланк заказа (прил.1) и направить его в редакцию журнала по
электронной почте nvoronova@niime.ru или по адресу: 124460, г. Москва, Зеленоград, улица Академика Валиева,
дом 6, стр.1.
Для физических лиц возможна оплата по квитанции в любом отделении Сбербанка России (прил.2).
Для юридических лиц счёт-фактура и накладные выставляются только по факту оплаты.
Юридическим и физическим лицам необходимо отправить по электронной почте nvoronova@niime.ru отсканированную квитанцию или платежное поручение об оплате подписки.
Стоимость годовой подписки в редакции – 4800 руб. (стоимость одного номера – 1200 руб.).
Журналы будут направлены по почте на адрес плательщика или на иной адрес по доверенности плательщика. Редколлегия журнала предлагает всем предприятиям, организациям и компаниям, оформившим подписку на журнал, направлять в наш адрес материалы. Представляющие научный и практический интерес статьи будут опубликованы.
По всем вопросам подписки и приобретения номеров журнала обращайтесь в редакцию:
Публикации сотрудников
В НИИМЭ создана система поощрения сотрудников за выполнение научных задач, публикации в научных журналах и сборниках тезисов российских и международных конференций, результаты интеллектуальной деятельности, оформленные в виде патентов на изобретения или программного обеспечения, прошедшего процедуру государственной регистрации.
