Консорциум с институтами РАН

Консорциум «Перспективные материалы и элемент-ная база информационных и вычислительных систем

В 2015 году на базе института АО «НИИ молекулярной электроники», а также институтов РАН был создан консорциум для решения актуальных задач современной и перспективной микроэлектроники.
Из числа академических институтов в качестве действующих членов консорциума вошли:

  • Институт проблем технологии и особочистых материалов (ИПТМ РАН),
  • Физико-технологический институт академии наук (ФТИАН РАН),
  • Институт СВЧ полупроводниковой электроники (ИСВЧПЭ РАН),
  • Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН),
  • Институт радиотехники и электроники им. Котельникова РАН (ИРЭ РАН),
  • Федеральный исследовательский центр «Информатика и Управление» РАН (ФИЦ ИУ РАН),
  • Институт физики твердого тела РАН (ИФТТ РАН),
  • «Экспериментальный завод научного приборостроения со Специальным конструкторским бюро» РАН (ФГУП ЭЗАН),
  • Научно-исследовательский институт точного машиностроения (НИИТМ),
  • Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» (МИЭТ). 

Отличительная особенность консорциума – сплав научного и производственного потенциала ведущих организаций отрасли и академии наук, синергия которого направлена на актуализацию многолетнего научного задела институтов РАН в интересах постановки на производство изделий микроэлектроники, определяющих уровень высокотехнологичного сектора экономики РФ.
В марте 2016 была разработана стартовая Программа работы консорциума, включающая восемь направлений в областях: низкоразмерных транзисторных структур и структур энергонезависимой памяти в составе СБИС кремниевой и гетероинтегрированной электроники; повышения радиационной стойкой ЭКБ; элементной базы радиофотоники и плазмоники; преобразователей физических и химических воздействий; сосредоточенных и распределенных сенсорных структур для создания «умных обшивок».

Задачи консорциума:

•Формирование единого научно–практического подхода создания перспективной элементной базы информационных и вычислительных систем.
•Совершенствование имеющихся и разработка новых технологических процессов для создания перспективного поколения информационных и вычислительных систем, в том числе на новых принципах и применении новых материалов.
•Объединение ориентированных научных исследований в области нано- и микроэлектроники, СВЧ полупроводниковой электроники, микро- и наносистемной техники, опто- и акустоэлектроники, фотоники и материаловедения.
•Участие в образовательной, сертификационной и лицензионной деятельности в целях борьбы с дефицитом высокопрофессиональных кадров.

АО «НИИМЭ» ведет совместные работы по исследованиям и разработке технологий со следующими Институтами Российской Академии Наук:

  • Физико-технологический институт академии наук (ФТИАН РАН);
  • Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов (ИПТМ РАН);
  • Санкт-Петербургский Академический Университет РАН – Научно-образовательный Центр нанотехнологий Российской академии наук (СПб АУ НОЦНТ РАН, Академический университет);
  • Институт СВЧ полупроводниковой электроники РАН;
  • НИИ системных исследований РАН (НИИСИ РАН);
  • Институт радиотехники и электроники им. Котельникова РАН (ИРЭ РАН) с Саратовским филиалом;
  • Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород);
  • Институт физики полупроводников СО РАН;
  • Институт физики твердого тела РАН (ИФТТ РАН);
  • Институт неорганической химии им. А.В. Николаева РАН;
  • Институт общей и неорганической химии имени Н.С. Курнакова РАН;
  • Институт проблем передачи информации им. А.А. Харкевича РАН;
  • Федеральный исследовательский центр «Информатика и Управление» РАН (ФИЦ ИУ РАН).


Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /home/niimeru/niime.ru/docs/local/templates/niime/footer.php:18) in /home/niimeru/niime.ru/docs/bitrix/modules/main/lib/httpresponse.php on line 225