Научный совет и научный семинар «Системы металлизации» прошли в МИРЭА
29.03.2019
27 марта НИИМЭ, Научный совет РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания» совместно с отделением нанотехнологий и информационных технологий РАН и Консорциумом «Перспективные материалы и элементная база информационных и вычислительных систем» под председательством заместителя председателя Научного совета член-корреспондента РАН, директора ФТИАН им. К.А. Валиева РАН В.Ф. Лукичева, провел в РТУ МИРЭА заседание и научный семинар по теме «Системы металлизации».
Во вступительном слове академик РАН, президент РТУ МИРЭА А.С. Сигов подчеркнул важнейшую роль систем металлизации в формировании современных многоуровневых структур интегральных схем, а также
упомянул прошедший в 2018 году конкурс РФФИ на лучшие научные проекты междисциплинарных фундаментальных исследований по теме «Фундаментальные проблемы многоуровневых систем металлизации ультрабольших интегральных схем». Многие работы, победившие в том конкурсе, получили развитие в докладах спикеров.
В работе семинара приняли участие более 60 ученых из 21-й профильной организации: ФТИАН им. К.А. Валиева РАН, ФИАН РАН, ИСВЧПЭ РАН, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН, ИФТТ РАН, ИОФ РАН, АО «НИИМЭ», РТУ МИРЭА, НИУ «МИЭТ», МФТИ, НИИЯФ МГУ, НИТУ «МИСиС» и других.
Были сделаны 7 докладов:
1. д.х.н. Михаил Родионович Бакланов (Северно-Китайский Технологический Университет (Пекин), РТУ МИРЭА), д.т.н. Константин Анатольевич Воротилов (НОЦ «Технологический центр», РТУ МИРЭА), академик РАН Александр Сергеевич Сигов (РТУ МИРЭА). Материалы для межсоединений в суб-10 нм технологиях
2. Академик РАН Геннадий Яковлевич Красников, д.т.н. Евгений Сергеевич Горнев, Аскар Анварович Резванов, Павел Игоревич Кузнецов, Владимир Александрович Гвоздев (АО «НИИМЭ»). Новые подходы формирования системы металлизации
3. д.ф.-м.н. Михаил Владимирович Логунов, член-корр. РАН Сергей Аполлонович Никитов (ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН). Магнитооптические пленки и пленочные наноструктуры для интегрально-оптических невзаимных устройств верхнего уровня УБИС
4. д.ф.-м.н. Ильдар Искандерович Амиров (ЯФ ФТИАН им. К.А. Валиева РАН). Влияние ионно-плазменной обработки на проводимость, микроструктуру и распыление тонких пленок кобальта
5. д.ф.-м.н. Аркадий Алексеевич Скворцов (Московский Политех). Тепловая деградация систем металлизации полупроводниковых приборов
6. к.ф.-м.н. Андрей Валерьевич Мяконьких, к.ф.-м.н. Александр Евгеньевич Рогожин, д.ф.-м.н. Константин Васильевич Руденко (ФТИАН им. К.А. Валиева РАН). Перспективные технологии для структур многоуровневой металлизации суб-10 нм УБИС: прецизионное плазмохимическое травление и плазмостимулированное атомно-слоевое осаждение
7. д.ф.-м.н. Александр Турсунович Рахимов (НИИЯФ МГУ), д.х.н. Михаил Родионович Бакланов (Северно-Китайский Технологический Университет (Пекин), РТУ МИРЭА), к.ф.-м.н. Сергей Михайлович Зырянов (НИИЯФ МГУ). Процессы взаимодействия плазмы с нанопористыми пленками с низкой диэлектрической проницаемостью
Участники заседания отметили важную роль развития перспективных отечественных подходов в области совершенствования систем металлизации для создания элементной базы отечественных информационно-вычислительных и управляющих систем, а также для обеспечения технологической независимости России.
При подведении итогов заместитель председателя Научного совета, член-корреспондент РАН, директор ФТИАН им. К.А. Валиева РАН В.Ф. Лукичев отметил высокий научно-технический уровень докладов и выразил уверенность в усилении сотрудничества между организациями и предприятиями в области совершенствования систем металлизации для создания элементной базы.
Во вступительном слове академик РАН, президент РТУ МИРЭА А.С. Сигов подчеркнул важнейшую роль систем металлизации в формировании современных многоуровневых структур интегральных схем, а также
упомянул прошедший в 2018 году конкурс РФФИ на лучшие научные проекты междисциплинарных фундаментальных исследований по теме «Фундаментальные проблемы многоуровневых систем металлизации ультрабольших интегральных схем». Многие работы, победившие в том конкурсе, получили развитие в докладах спикеров.
В работе семинара приняли участие более 60 ученых из 21-й профильной организации: ФТИАН им. К.А. Валиева РАН, ФИАН РАН, ИСВЧПЭ РАН, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН, ИФТТ РАН, ИОФ РАН, АО «НИИМЭ», РТУ МИРЭА, НИУ «МИЭТ», МФТИ, НИИЯФ МГУ, НИТУ «МИСиС» и других.
Были сделаны 7 докладов:
1. д.х.н. Михаил Родионович Бакланов (Северно-Китайский Технологический Университет (Пекин), РТУ МИРЭА), д.т.н. Константин Анатольевич Воротилов (НОЦ «Технологический центр», РТУ МИРЭА), академик РАН Александр Сергеевич Сигов (РТУ МИРЭА). Материалы для межсоединений в суб-10 нм технологиях
2. Академик РАН Геннадий Яковлевич Красников, д.т.н. Евгений Сергеевич Горнев, Аскар Анварович Резванов, Павел Игоревич Кузнецов, Владимир Александрович Гвоздев (АО «НИИМЭ»). Новые подходы формирования системы металлизации
3. д.ф.-м.н. Михаил Владимирович Логунов, член-корр. РАН Сергей Аполлонович Никитов (ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН). Магнитооптические пленки и пленочные наноструктуры для интегрально-оптических невзаимных устройств верхнего уровня УБИС
4. д.ф.-м.н. Ильдар Искандерович Амиров (ЯФ ФТИАН им. К.А. Валиева РАН). Влияние ионно-плазменной обработки на проводимость, микроструктуру и распыление тонких пленок кобальта
5. д.ф.-м.н. Аркадий Алексеевич Скворцов (Московский Политех). Тепловая деградация систем металлизации полупроводниковых приборов
6. к.ф.-м.н. Андрей Валерьевич Мяконьких, к.ф.-м.н. Александр Евгеньевич Рогожин, д.ф.-м.н. Константин Васильевич Руденко (ФТИАН им. К.А. Валиева РАН). Перспективные технологии для структур многоуровневой металлизации суб-10 нм УБИС: прецизионное плазмохимическое травление и плазмостимулированное атомно-слоевое осаждение
7. д.ф.-м.н. Александр Турсунович Рахимов (НИИЯФ МГУ), д.х.н. Михаил Родионович Бакланов (Северно-Китайский Технологический Университет (Пекин), РТУ МИРЭА), к.ф.-м.н. Сергей Михайлович Зырянов (НИИЯФ МГУ). Процессы взаимодействия плазмы с нанопористыми пленками с низкой диэлектрической проницаемостью
Участники заседания отметили важную роль развития перспективных отечественных подходов в области совершенствования систем металлизации для создания элементной базы отечественных информационно-вычислительных и управляющих систем, а также для обеспечения технологической независимости России.
При подведении итогов заместитель председателя Научного совета, член-корреспондент РАН, директор ФТИАН им. К.А. Валиева РАН В.Ф. Лукичев отметил высокий научно-технический уровень докладов и выразил уверенность в усилении сотрудничества между организациями и предприятиями в области совершенствования систем металлизации для создания элементной базы.