Научный семинар «Фундаментальные проблемы энергонезависимой резистивной памяти для нейроморфных систем» прошел в ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
28.06.2019
19 июня Научный совет ОНИТ РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания» под руководством председателя Научного совета, академика РАН Г.Я. Красникова, а также заместителя председателя Научного совета, члена-корреспондента РАН В.Ф. Лукичева, провел научный семинар по теме «Фундаментальные проблемы энергонезависимой резистивной памяти для нейроморфных систем». Научный семинар состоялся в ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН.
Во вступительном слове при открытии научного семинара академик РАН, председатель Научного совета, руководитель приоритетного технологического направления по электронным технологиям, генеральный директор АО «НИИМЭ», академик-секретарь ОНИТ РАН Г.Я. Красников; заместитель председателя Научного совета, директор ФТИАН им. К.А. Валиева РАН, член-корреспондент РАН В.Ф. Лукичев и член-корреспондент РАН, член Научного совета, директор ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН С.А. Никитов подчеркнули важную роль поиска и реализации путей совершенствования энергонезависимой резистивной памяти при создании элементной базы для нейроморфных систем.
В работе научного семинара приняли участие 83 представителя из 25 ведущих профильных организаций и предприятий: АО «НИИМЭ», ФТИАН им. К.А. Валиева РАН, ИПТМ РАН, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН, ИСВЧПЭ РАН, ИФП СО РАН, ИФТТ РАН, МГТУ им. Н.Э. Баумана, МГУ им. М.В. Ломоносова, МФТИ и другие.
В ходе проведения научного семинара было сделано 9 докладов, в обсуждении которых приняло участие 17 человек:
1. д.т.н. Алексей Николаевич Белов, д.х.н. Лидия Михайловна Павлова, к.т.н. Антон Александрович Строганов (НИУ МИЭТ). Установление физико-химических механизмов резистивного переключения в полупроводниковых слоях для создания на их основе искусственных синаптических структур.
2. к.ф.-м.н. Андрей Михайлович Маркеев, Константин Викторович Егоров, Дмитрий Сергеевич Кузьмичев, Юрий Юрьевич Лебединский, Максим Юрьевич Жук, Дмитрий Владимирович Негров, к.ф.-м.н. Андрей Владимирович Зенкевич (МФТИ), академик РАН Геннадий Яковлевич Красников, д.т.н. Евгений Сергеевич Горнев, к.т.н. Олег Михайлович Орлов (АО «НИИМЭ»). Различные подходы к созданию оксидной резистивной памяти: филаментарные и нефиламентарные механизмы переключения.
3. к.ф.-м.н. Сергей Викторович Ковешников (ИПТМ РАН). Необходимость, возможности и перспективы развития энергонезависимой резистивной памяти: глубокое погружение.
4. д.ф.-м.н. Андрей Николаевич Алёшин (ИСВЧПЭ РАН). Влияние температурного воздействия на механизмы формирования токопроводящих каналов в мемристорных структурах.
5. д.ф.-м.н. Олег Алексеевич Новодворский (ИПЛИТ РАН – филиал ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН). Лазерный синтез мемристорных структур на основе оксидов переходных металлов V, Nb, Ta в кроссбар-геометрии и реализация основных аппаратных элементов нейроморфных систем нейристора и синаптора на их основе.
6. к.ф.-м.н. Вячеслав Александрович Демин (НИЦ «Курчатовский институт»), д.ф.-м.н. Александр Викторович Ситников (Воронежский государственный технический университет). Многоуровневый мемристивный элемент на базе наногранулированного магнитного композита со встроенной оксидной прослойкой: механизмы переключения, роль атомарной фазы в изолирующей матрице.
7. к.ф.-м.н. Мария Александровна Морозова (МФТИ). Физико-технологические основы энергонезависимых элементов памяти с совмещением в одном чипе многофункциональных устройств на принципах сегнетоэлектричества и спинтроники для нейроморфных систем.
8. к.т.н. Михаил Сергеевич Тарков, д.ф.-м.н. Владимир Павлович Попов, д.ф.-м.н. Ида Евгеньевна Тысченко (ИФП СО РАН). Построение нейросетевых синапсов на основе мемристоров и FeFET-транзисторов.
9. д.т.н. Евгений Сергеевич Горнев (АО «НИИМЭ»), Дмитрий Алексеевич Жевненко (МФТИ, АО «НИИМЭ»). Применение методов машинного обучения для создания высоконадежных мемристоров и нейроподобных систем на их основе.
Доклады отразили уровень проводимых исследований в области совершенствования энергонезависимой резистивной памяти для создания элементной базы нейроморфных систем в нашей стране, что позволит составить объективные и научно-обоснованные планы развития российской микроэлектроники на ближайшие годы.
Присутствующие отметили важную роль развития перспективных отечественных подходов в области совершенствования энергонезависимой резистивной памяти для создания элементной базы нейроморфных систем в развитии отечественных информационно-вычислительных и управляющих систем, а также для обеспечения технологической независимости нашей страны.
Научному совету было рекомендовано создание секции по исследованиям и созданию элементной базы нейроморфных систем, для чего учёному секретарю Тельминову О.А. подготовить предложения бюро Совета по составу данной секции. Кроме того, было предложено через один год заслушать доклады авторов, которые достигнут существенных результатов при выполнении доложенных и обсужденных на данном научном семинаре проектов.
Также было озвучено предложение принять участие в I Международной конференции «Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов», которая пройдет с 21 по 23 октября в ФИЦ ИУ РАН.
Доклады, сделанные на семинаре, рекомендованы к публикации в журнале «Микроэлектроника» и «Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника» под редакцией Г.Я. Красникова.
При подведении итогов заместитель председателя Научного совета, член-корреспондент РАН, директор ФТИАН им. К.А. Валиева РАН В.Ф. Лукичев отметил высокий научно-технический уровень доложенных результатов и выразил уверенность в усилении сотрудничества между организациями и предприятиями в области совершенствования энергонезависимой резистивной памяти для создания элементной базы нейроморфных систем.
Во вступительном слове при открытии научного семинара академик РАН, председатель Научного совета, руководитель приоритетного технологического направления по электронным технологиям, генеральный директор АО «НИИМЭ», академик-секретарь ОНИТ РАН Г.Я. Красников; заместитель председателя Научного совета, директор ФТИАН им. К.А. Валиева РАН, член-корреспондент РАН В.Ф. Лукичев и член-корреспондент РАН, член Научного совета, директор ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН С.А. Никитов подчеркнули важную роль поиска и реализации путей совершенствования энергонезависимой резистивной памяти при создании элементной базы для нейроморфных систем.
В работе научного семинара приняли участие 83 представителя из 25 ведущих профильных организаций и предприятий: АО «НИИМЭ», ФТИАН им. К.А. Валиева РАН, ИПТМ РАН, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН, ИСВЧПЭ РАН, ИФП СО РАН, ИФТТ РАН, МГТУ им. Н.Э. Баумана, МГУ им. М.В. Ломоносова, МФТИ и другие.
В ходе проведения научного семинара было сделано 9 докладов, в обсуждении которых приняло участие 17 человек:
1. д.т.н. Алексей Николаевич Белов, д.х.н. Лидия Михайловна Павлова, к.т.н. Антон Александрович Строганов (НИУ МИЭТ). Установление физико-химических механизмов резистивного переключения в полупроводниковых слоях для создания на их основе искусственных синаптических структур.
2. к.ф.-м.н. Андрей Михайлович Маркеев, Константин Викторович Егоров, Дмитрий Сергеевич Кузьмичев, Юрий Юрьевич Лебединский, Максим Юрьевич Жук, Дмитрий Владимирович Негров, к.ф.-м.н. Андрей Владимирович Зенкевич (МФТИ), академик РАН Геннадий Яковлевич Красников, д.т.н. Евгений Сергеевич Горнев, к.т.н. Олег Михайлович Орлов (АО «НИИМЭ»). Различные подходы к созданию оксидной резистивной памяти: филаментарные и нефиламентарные механизмы переключения.
3. к.ф.-м.н. Сергей Викторович Ковешников (ИПТМ РАН). Необходимость, возможности и перспективы развития энергонезависимой резистивной памяти: глубокое погружение.
4. д.ф.-м.н. Андрей Николаевич Алёшин (ИСВЧПЭ РАН). Влияние температурного воздействия на механизмы формирования токопроводящих каналов в мемристорных структурах.
5. д.ф.-м.н. Олег Алексеевич Новодворский (ИПЛИТ РАН – филиал ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН). Лазерный синтез мемристорных структур на основе оксидов переходных металлов V, Nb, Ta в кроссбар-геометрии и реализация основных аппаратных элементов нейроморфных систем нейристора и синаптора на их основе.
6. к.ф.-м.н. Вячеслав Александрович Демин (НИЦ «Курчатовский институт»), д.ф.-м.н. Александр Викторович Ситников (Воронежский государственный технический университет). Многоуровневый мемристивный элемент на базе наногранулированного магнитного композита со встроенной оксидной прослойкой: механизмы переключения, роль атомарной фазы в изолирующей матрице.
7. к.ф.-м.н. Мария Александровна Морозова (МФТИ). Физико-технологические основы энергонезависимых элементов памяти с совмещением в одном чипе многофункциональных устройств на принципах сегнетоэлектричества и спинтроники для нейроморфных систем.
8. к.т.н. Михаил Сергеевич Тарков, д.ф.-м.н. Владимир Павлович Попов, д.ф.-м.н. Ида Евгеньевна Тысченко (ИФП СО РАН). Построение нейросетевых синапсов на основе мемристоров и FeFET-транзисторов.
9. д.т.н. Евгений Сергеевич Горнев (АО «НИИМЭ»), Дмитрий Алексеевич Жевненко (МФТИ, АО «НИИМЭ»). Применение методов машинного обучения для создания высоконадежных мемристоров и нейроподобных систем на их основе.
Доклады отразили уровень проводимых исследований в области совершенствования энергонезависимой резистивной памяти для создания элементной базы нейроморфных систем в нашей стране, что позволит составить объективные и научно-обоснованные планы развития российской микроэлектроники на ближайшие годы.
Присутствующие отметили важную роль развития перспективных отечественных подходов в области совершенствования энергонезависимой резистивной памяти для создания элементной базы нейроморфных систем в развитии отечественных информационно-вычислительных и управляющих систем, а также для обеспечения технологической независимости нашей страны.
Научному совету было рекомендовано создание секции по исследованиям и созданию элементной базы нейроморфных систем, для чего учёному секретарю Тельминову О.А. подготовить предложения бюро Совета по составу данной секции. Кроме того, было предложено через один год заслушать доклады авторов, которые достигнут существенных результатов при выполнении доложенных и обсужденных на данном научном семинаре проектов.
Также было озвучено предложение принять участие в I Международной конференции «Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов», которая пройдет с 21 по 23 октября в ФИЦ ИУ РАН.
Доклады, сделанные на семинаре, рекомендованы к публикации в журнале «Микроэлектроника» и «Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника» под редакцией Г.Я. Красникова.
При подведении итогов заместитель председателя Научного совета, член-корреспондент РАН, директор ФТИАН им. К.А. Валиева РАН В.Ф. Лукичев отметил высокий научно-технический уровень доложенных результатов и выразил уверенность в усилении сотрудничества между организациями и предприятиями в области совершенствования энергонезависимой резистивной памяти для создания элементной базы нейроморфных систем.