ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ И ПОИСКОВЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ
Основные задачи:
• Разработки в области физики полупроводников;• Новые физические принципы энергонезависимой памяти;
• Модели наноэлектронных компонентов и эффектов радиационных воздействий.
Направления работ:
Технологии перспективных СБИС
• Разработка технологии многолучевой электронной литографии для следующих поколений СБИС 45нм, 28нм, 14нм и менее, позволяющей создание прямого изображения на пластине без изготовления комплектов масок.• Разработка процессов переноса изображения через маску электронорезиста и интеграция их с традиционной технологией КМОП на базе оптической литографии для обеспечения производительности производства.
• Разработка базовой технологии формирования многоуровневой разводки для следующих поколений СБИС 45нм, 28нм, 14 нм и менее на базе медной металлизации и low-k диэлектрика.
• Разработка методов анализа состояний систем с металлическим затвором и подзатворным high-k диэлектриком, а также методов исследования механизмов захвата и удержания зарядов в системах нано-кристаллов кремния.
• Разработка моделей и технологии создания МДП систем с металлическим затвором и диэлектриком с высокой диэлектрической проницаемостью (HfO2).
Энергонезависимая память
• Исследования и моделирование элементов энергонезависимой памяти на основе MONOS структур и FRAM MD на основе сегнетоэлектриков. Исследование недеструктивных методов считывания информации с ячеек FRAM. Исследование магнитной памяти.Системы композитных подзатворных диэлектриков
• Исследование свойств границ разделов в системах композитных подзатворных диэлектриков с использованием материалов с высокой диэлектрической проницаемостью (напр. Si/SiO2(x)/HfO2/HfAlOx/Al).
Функциональная электроника
• Исследования технологии МЭМС на основе гетероструктур кремний-сегнетоэлектрик для создания широкого спектра датчиков и акселерометров.• Разработка технологий 3-D сборки для интеграции в виде «система-в-корпусе» (SiP).
• Разработка приборно-технологических моделей для базовых и перспективных технологий