Консорциум «Перспективные материалы и элемент-ная база информационных и вычислительных систем
В 2015 году на базе института АО «НИИ молекулярной электроники», а также институтов РАН был создан консорциум для решения актуальных задач современной и перспективной микроэлектроники.Из числа академических институтов в качестве действующих членов консорциума вошли:
- Институт проблем технологии и особочистых материалов (ИПТМ РАН),
- Физико-технологический институт академии наук (ФТИАН РАН),
- Институт СВЧ полупроводниковой электроники (ИСВЧПЭ РАН),
- Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН),
- Институт радиотехники и электроники им. Котельникова РАН (ИРЭ РАН),
- Федеральный исследовательский центр «Информатика и Управление» РАН (ФИЦ ИУ РАН),
- Институт физики твердого тела РАН (ИФТТ РАН),
- «Экспериментальный завод научного приборостроения со Специальным конструкторским бюро» РАН (ФГУП ЭЗАН),
- Научно-исследовательский институт точного машиностроения (НИИТМ),
- Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» (МИЭТ).
Отличительная особенность консорциума – сплав научного и производственного потенциала ведущих организаций отрасли и академии наук, синергия которого направлена на актуализацию многолетнего научного задела институтов РАН в интересах постановки на производство изделий микроэлектроники, определяющих уровень высокотехнологичного сектора экономики РФ.
В марте 2016 была разработана стартовая Программа работы консорциума, включающая восемь направлений в областях: низкоразмерных транзисторных структур и структур энергонезависимой памяти в составе СБИС кремниевой и гетероинтегрированной электроники; повышения радиационной стойкой ЭКБ; элементной базы радиофотоники и плазмоники; преобразователей физических и химических воздействий; сосредоточенных и распределенных сенсорных структур для создания «умных обшивок».
Задачи консорциума:
•Формирование единого научно–практического подхода создания перспективной элементной базы информационных и вычислительных систем.•Совершенствование имеющихся и разработка новых технологических процессов для создания перспективного поколения информационных и вычислительных систем, в том числе на новых принципах и применении новых материалов.
•Объединение ориентированных научных исследований в области нано- и микроэлектроники, СВЧ полупроводниковой электроники, микро- и наносистемной техники, опто- и акустоэлектроники, фотоники и материаловедения.
•Участие в образовательной, сертификационной и лицензионной деятельности в целях борьбы с дефицитом высокопрофессиональных кадров.
АО «НИИМЭ» ведет совместные работы по исследованиям и разработке технологий со следующими Институтами Российской Академии Наук:
- Физико-технологический институт академии наук (ФТИАН РАН);
- Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов (ИПТМ РАН);
- Санкт-Петербургский Академический Университет РАН – Научно-образовательный Центр нанотехнологий Российской академии наук (СПб АУ НОЦНТ РАН, Академический университет);
- Институт СВЧ полупроводниковой электроники РАН;
- НИИ системных исследований РАН (НИИСИ РАН);
- Институт радиотехники и электроники им. Котельникова РАН (ИРЭ РАН) с Саратовским филиалом;
- Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород);
- Институт физики полупроводников СО РАН;
- Институт физики твердого тела РАН (ИФТТ РАН);
- Институт неорганической химии им. А.В. Николаева РАН;
- Институт общей и неорганической химии имени Н.С. Курнакова РАН;
- Институт проблем передачи информации им. А.А. Харкевича РАН;
- Федеральный исследовательский центр «Информатика и Управление» РАН (ФИЦ ИУ РАН).