Кафедра «Микро- и наноэлектроника»

Кафедра «Микро- и наноэлектроника» в МФТИ

Кафедра «Микро - и наноэлектроника» – учебный и научно-исследовательский центр по подготовке высококвалифицированных специалистов микроэлектронной индустрии, способных работать с самыми современными процессами научно-исследовательских работ, опытно- конструкторских разработок и производства. Кафедра создана на факультете физической и квантовой электроники «МФТИ» в октябре 2011 года. Центр располагает высоким научно- педагогическим потенциалом и современной учебно-материальной базой. Выпускники кафедры - высококвалифицированные специалисты полупроводниковой индустрии. Уровень подготовки специалистов отвечает высоким международным стандартам. Уровень подготовки специалистов отвечает высоким международным стандартам. На кафедре работают академик РАН, 5 профессоров - докторов наук и 10 доцентов - кандидатов наук, а также ведущие специалисты АО «НИИМЭ».

Направления исследований и разработок АО «НИИМЭ» на кафедре:

Исследование и разработка технологического процесса формирования изображений интегральных микросхем в резистивных и технологических слоях с минимальными наноразмерами (моделирование, создание и применение новых материалов, нового оборудования, новых процессов фотолитографии).
Исследование структурных и электрических свойств материалов на основе оксида гафния, выращенных методом атомно-слоевого осаждения, изучение возможностей и перспектив использования их наноразмерных слоев в элементах энергонезависимой памяти типа FRAM и ReRAM.
Исследование материалов для функциональных элементов и межсоединений устройств микро- и наноэлектроники.
Исследование и создание функциональных элементов современной и перспективной микро- и наноэлектроники - транзисторных структур, таких как транзисторные структуры с вертикальным каналом, FinFet транзисторы.
Исследование и разработка микро-электро-механических (МЭМС технология), микроэлектронных и других структур на основе активных материалов.
Исследование закономерностей технологических процессов радиофотоники для высокочастотных оптических АЦП.
Исследование трехмерных интегрированных структур для многофункциональных гибридных сборок.
Исследование и разработка автономных навигационных систем датчиков и преобразователей для БИНС бесплатформенных инерциальных навигационных систем.
Разработка широкополосных высокочувствительных молекулярно-электронных датчиков нового поколения для сейсмо- и гидроакустической разведки – высокоточные молекулярно-электронные сейсмодатчики на основе массовой планарной микроэлектронной технологии с качественно новыми выходными параметрами, способные составить серьезную конкуренцию существующим технологиям.
Разработка физико-технологических моделей процессов изготовления современных интегральных микросхем.
Исследование и разработка современных интегральных схем: аналого-цифровых преобразователей, схем памяти, программируемых логических интегральных схем, схем управления питанием.
Исследование и разработка сложнофункциональной компонентной базы для систем связи и радиолокации на основе активных фазированных антенных решеток (АФАР), а также для цифровых антенных решеток (ЦАР).
Исследование и разработка трехмерных гетероинтегрированных радиоэлектронных узлов на основе TSV-интерпозеров для построения модулей планарных АФАР (ЦАР).

Профессорско-преподавательский состав кафедры насчитывает 15 человек:

КРАСНИКОВ ГЕННАДИЙ ЯКОВЛЕВИЧ Заведующий кафедрами «Микро- и наноэлектроники» в МФТИ и «Субмикронная технология СБИС» в МИЭТ. Член Совета при Президенте РФ по науке и образованию, сопредседатель общественного Совета по инновационной деятельности и внедрению наукоемких технологий Государственной Думы РФ, член консультативного научного Совета Инновационного центра «Сколково», Совета руководителей EMEA Leadership Council – Глобального альянса производителей полупроводников (GSA), председатель научного Совета РАН «Физико-химические основы полупроводникового материаловедения», руководитель межведомственного Совета главных конструкторов РФ по ЭКБ. Основными направлениями научных исследований академика Г.Я. Красникова являются микро- и наноэлектроника: физика полупроводников, полупроводниковых приборов, технологии создания сверхбольших интегральных схем (СБИС) и проблемы обеспечения качества их промышленного производства. Г.Я. Красниковым созданы научные и технологические основы формирования полупроводниковых структур с управляемыми и стабильными электрофизическими параметрами, а также выявлены закономерности неравновесных процессов в переходных областях границ раздела систем кремний – диоксид кремния – металл на всем технологическом маршруте изготовления интегральных микросхем. Академик Красников - автор и соавтор 312 научных работ в отечественных и зарубежных рецензируемых изданиях, четырех научных монографий и более 40 авторских свидетельств и патентов. Главный редактор журналов «Интеллект и технологии» и «Электронная техника. Серия Микроэлектроника», член редколлегии журналов «Микроэлектроника», «Электроника. Наука. Технология. Бизнес», «Нано- и микросистемная техника». Награжден Орденом Почета, Орденом «За заслуги перед Отечеством» IV степени, Орденом Дружбы, а также является дважды лауреатом премии Правительства РФ в области науки и технологии.
ГОРНЕВ ЕВГЕНИЙ СЕРГЕЕВИЧ д.т.н., действительный член Академии инженерных наук им. А.М. Прохорова, заместитель заведующего и профессор кафедры «Микро- и наноэлектроника» МФТИ, заместитель руководителя приоритетного технологического направления (РПТН) – начальника управления РПТН АО «НИИМЭ». Специалист в области разработок и промышленной технологии производства интегральных микросхем, микросистемной техники и сегнетоэлектрических изделий электронной техники. Автор более 200 научных трудов, 35 изобретений и патентов. Лауреат Государственной премии СССР, премии Правительства РФ в области науки и техники, Всероссийского конкурса «Инженер года». Награжден орденом Дружбы народов, золотой медалью ВДНХ, медалью Международного смотра НТТМ, медалями им. А.М. Прохорова, им. М.В. Келдыша, им. С.П. Королева, им. А.А. Расплетина и др. Почетный работник электронной промышленности. Член диссертационного совета ИПТМ РАН. Член редколлегии журналов «Нано- и микросистемная техника» и «Электронная техника. Серия «Микроэлектроника».
БЫКОВ ВИКТОР АЛЕКСАНДРОВИЧ д.т.н., президент Нанотехнологического общества России, председатель Гильдии предприятий высоких технологий и инноваций Московской торгово-промышленной палаты, генеральный директор «Нанотехнология МДТ». Научные интересы В.А. Быкова определяются изучением молекулярно-упорядоченных структур. Результатом исследований стала разработка метода ориентации жидких кристаллов, применяемых в производстве ЖК индикаторов, создан новый класс материалов. Автор и соавтор более 160 научных трудов, в том числе 60 заявок на изобретения и патенты. Лауреат премии Правительства РФ в области науки и техники 2004 г. В 2011 году награжден медалью ЮНЕСКО «За вклад в развитие нанонауки и нанотехнологий».
БЕГИШЕВ АЛЕКСАНДР РУСТЕМОВИЧ преподаватель, ведущий инженер-технолог ОАО «НИИМЭ и Микрон» Свою научную деятельность посвятил изучению проблем исследования, измерения и метрологии в области производства микроэлектронных изделий. На базе проведенных исследований читает курс лекций, связанный с применением различных физических методов контроля в производстве микро- и наноэлектроники. Автор и соавтор около 40 научных статей, имеет 6 свидетельств на изобретения.
ЭННС ВИКТОР ИВАНОВИЧ к.т.н., доцент, заместитель генерального директора по новым продуктам ОАО «НИИМЭ и Микрон». Технический интерес В.И. Эннса связан с разработкой цифровых и аналоговых микросхем. Результатом исследований стала разработка ряда сложных микросхем, в том числе аналого-цифровых преобразователей с частотой преобразования до 200МГц и разрядностью до 14, а также схем управления питанием с рабочими частотами до 10МГц. Автор и соавтор 30 научных работ, более 10 авторских свидетельств
МАСЛОВСКИЙ ВЛАДИМИР МИХАЙЛОВИЧ д.ф.-м.н., профессор, академик академии технологических наук, член экспертного Совета по нанотехнологиям, главный научный сотрудник в НИИ физических проблем им.Лукина Ученый в области физики полупроводниковых структур, МДП-структур. Один из первых, кто обнаружил эффект долговременного изменения ансамбля дефектов под влиянием слабых магнитных полей. Результатом проводимых исследований стала теория функционирования тонкопленочных МДП-структур в условиях радиационных и полевых воздействий, а также выявлены процессы, происходящих в приборах на основе арсенида галлия. Автор и соавтор 170 научных работ, имеет 12 авторских свидетельств.
ЭННС ВСЕВОЛОД ВИКТОРОВИЧ к.т.н., Первый заместитель генерального директора компании «Дизайн Центр «Союз». Научные интересы В.В. Эннса лежат в области изучения методов построения современной субмикронной ЭКБ. Результатом исследований стала разработка целого ряда микросхем, не имеющих отечественных аналогов. Автор и соавтор более 20 научных трудов, в том числе 10 заявок на изобретения и патенты.
МАТЮШКИН ИГОРЬ ВАЛЕРЬЕВИЧ к.ф.-м.н., доцент кафедры «Проектирования и конструирования интегральных микросхем» МИЭТ, начальник лаборатории компьютерного моделирования отдела функциональной электроники ОАО «НИИМЭ И Микрон». Научные исследования И.В. Матюшкина связаны с моделированием технологических процессов и приборов наноэлектроники. Им развиваются клеточно-автоматные методы моделирования, а также ведутся исследования в области кремниево-кислородных систем. Наиболее важными результатами деятельности стала модель пограничного слоя при термическом окислении кремния и математическая модель ионной имплантации, впервые сформулированная на языке клеточных автоматов. Автор 2 книг, имеет более 30 публикаций, не считая тезисов докладов на конференциях.
ПЛОТНИКОВ ЮРИЙ ИВАНОВИЧ к.т.н., доцент, ведущий специалист ОАО «НИИМЭ и Микрон». Основными направлениями научных интересов являются оптико-физические измерения слоев и структур микро- и наноэлектроники. На кафедре «Микро и наноэлектроники» МФТИ преподает курсы лекций «Введение в физику полупроводниковых приборов», и «Элементная база микроэлектроники». В 2003 году удостоен премии Правительства РФ в области науки и технологии. Автор более 30 работ, имеет 8 патентов на изобретения.
БОКАРЕВ ВАЛЕРИЙ ПАВЛОВИЧ к.х.н., доцент, начальник отдела ОНТИиПЛР АО «НИИМЭ» Одним из направлений исследований в микро- и наноэлектронике В.П. Бокарева является изучение и расчеты физико-химических свойств поверхности кристаллических материалов. На базе исследования физических и химических свойств кристаллов Валерий Павлович и его команда сформулировали «Модель координационного плавления кристаллического вещества». Курсы лекций, которые читает В.П.Бокарев, посвящены поверхностным свойствам материалов микроэлектроники. В них рассказывается о разработанной модели, которая позволяет рассчитывать фундаментальные поверхностные свойства кристаллических материалов. Автор и соавтор более 140 научных работ, в том числе 18 патентов и двух учебно-методических пособий для студентов.
ИГНАТОВ ПАВЕЛ ВИКТОРОВИЧ преподаватель, главный конструктор элементной базы ОАО «НИИМЭ и Микрон» Основное направление научной деятельности П.В. Игнатова – разработка базового технологического процесса СБИС. Ведет курс лекций, посвященный физическим и химическим принципам технологических процессов микро- и наноэлектроники. Автор 6 научных публикаций, имеет 5 патентов на изобретения.
ИТАЛЬЯНЦЕВ АЛЕКСАНДР ГЕОРГИЕВИЧ д.ф.-м.н., профессор МФТИ, профессор МИЭТ, начальник отдела функциональной электроники ОАО «НИИМЭ И Микрон». Научная деятельность сосредоточена в области изучения физики полупроводников (дефектообразование в кристаллах), физики технологических процессов кремниевой электроники, а также радиофотоники и пьезоэлектроники. В 1985г был награжден медалью изобретателя. Ведет курс лекций, посвященный физическим эффектам в монокристаллическом кремнии. А.Г. Итальянцев – автор более 100 публикаций научных работ, имеет 10 заявок на изобретения.
РАКИТИН ВЛАДИМИР ВАСИЛЬЕВИЧ к.т.н., ведущий научный сотрудник ФГУП НИИФП. Научные интересы В.В. Ракитина затрагивают области исследования полупроводниковых приборов, интегральных схем, запоминающих устройств, фотоприемников, наноэлектроники, функциональной электроники, моделирования электронных приборов и устройств. Результатом проведенных работ является разработка новых приборов и интегральных схем, внедрение их в производство. Автор и соавтор более 160 научных трудов, в том числе 60 изобретений и патентов.
ПАНАСЕНКО ПЕТР ВАСИЛЬЕВИЧ Заместитель генерального директора по разработке СВЧ-устройств ОАО «НИИМЭ», д.т.н., профессор по специальности «Твердотельная электроника, микроэлектроника». Награжден орденом «Знак Почета», медалями, лауреат Премии Правительства РФ в области науки и техники.
СВИДЗИНСКИЙ КОНСТАНТИН КОНСТАНТИНОВИЧ к.ф.-м.н.

Студенты кафедры:

Успешно совмещают образовательный процесс в «МФТИ» с научно-практической деятельностью в АО «НИИМЭ». Все выпускники кафедры принимают участие в НИОКР, в том числе работах в рамках госзаказов, которые ведутся в подразделениях
Имеют возможность стажироваться (на основе партнерских программ стажировок) в ведущих мировых научно-исследовательских центрах и лабораториях микро- и наноэлектроники, таких как IMEC (Бельгия), CEA-Leti (Франция), Technische Universiteit Delft (Голландия), Ecole Speciale de Lausanne (Швейцария), Aselta (Франция), Leland Stanford Junior University (США), Mapper Lithography (Голландия).
Имеют возможность обмениваться знаниями и навыками на крупнейших международных отраслевых конференциях.
Уникальная образовательная программа, зарубежные стажировки, национальные и международные конференции и другие мероприятия для обмена опытом с ведущими учеными в области современной микроэлектроники позволяют молодым специалистам успешно интегрироваться в научно-исследовательские проекты на базе АО «НИИМЭ» еще в процессе обучения

Направления подготовки выпускников магистратуры и аспирантуры

Физика и технология наноэлектронных приборов (010943)
Физика и технология микроэлектроники (010940)