Кафедра «Микро- и наноэлектроника» в МФТИ

Кафедра «Микро- и наноэлектроника» в МФТИ

Кафедра «Микро- и наноэлектроника» – учебный и научно-исследовательский центр по подготовке высококвалифицированных специалистов микроэлектронной индустрии, способных работать с самыми современными процессами научно-исследовательских работ, опытно- конструкторских разработок и производства. Кафедра создана на факультете физической и квантовой электроники «МФТИ» в октябре 2011 года. Центр располагает высоким научно- педагогическим потенциалом и современной учебно-материальной базой. Выпускники кафедры - высококвалифицированные специалисты полупроводниковой индустрии. Уровень подготовки специалистов отвечает высоким международным стандартам. На кафедре работают 1 академик РАН, 1 член-корреспондент РАН, 7 профессоров - докторов наук и 7 доцентов - кандидатов наук, а также ведущие специалисты базовой организации.
Направления исследований и разработок АО «НИИМЭ» на кафедре:
  • Исследование и разработка технологического процесса формирования изображений интегральных микросхем в резистивных и технологических слоях с минимальными наноразмерами (моделирование, создание и применение новых материалов, нового оборудования, новых процессов фотолитографии).
  • Исследование структурных и электрических свойств материалов на основе оксида гафния, выращенных методом атомно-слоевого осаждения, изучение возможностей и перспектив использования их наноразмерных слоев в элементах энергонезависимой памяти типа FRAM и ReRAM.
  • Исследование материалов для функциональных элементов и межсоединений устройств микро- и наноэлектроники.
  • Исследование и создание функциональных элементов современной и перспективной микро- и наноэлектроники - транзисторных структур, таких как транзисторные структуры с вертикальным каналом, FinFet транзисторы.
  • Исследование и разработка микро-электро-механических (МЭМС технология), микроэлектронных и других структур на основе активных материалов.
  • Исследование закономерностей технологических процессов радиофотоники для высокочастотных оптических АЦП.
  • Исследование трехмерных интегрированных структур для многофункциональных гибридных сборок.
  • Исследование и разработка автономных навигационных систем датчиков и преобразователей для БИНС бесплатформенных инерциальных навигационных систем.
  • Разработка широкополосных высокочувствительных молекулярно-электронных датчиков нового поколения для сейсмо- и гидроакустической разведки – высокоточные молекулярно-электронные сейсмодатчики на основе массовой планарной микроэлектронной технологии с качественно новыми выходными параметрами, способные составить серьезную конкуренцию существующим технологиям.
  • Разработка физико-технологических моделей процессов изготовления современных интегральных микросхем.
  • Исследование и разработка современных интегральных схем: аналого-цифровых преобразователей, схем памяти, программируемых логических интегральных схем, схем управления питанием.
  • Исследование и разработка сложнофункциональной компонентной базы для систем связи и радиолокации на основе активных фазированных антенных решеток (АФАР), а также для цифровых антенных решеток (ЦАР).
  • Исследование и разработка трехмерных гетероинтегрированных радиоэлектронных узлов на основе TSV-интерпозеров для построения модулей планарных АФАР (ЦАР).
Профессорско-преподавательский состав кафедры насчитывает 15 человек:
  • КРАСНИКОВ ГЕННАДИЙ ЯКОВЛЕВИЧ Заведующий кафедрами «Микро- и наноэлектроники» в МФТИ и «Субмикронная технология СБИС» в МИЭТ. Член Совета при Президенте РФ по науке и образованию, сопредседатель общественного Совета по инновационной деятельности и внедрению наукоемких технологий Государственной Думы РФ, член консультативного научного Совета Инновационного центра «Сколково», Совета руководителей EMEA Leadership Council – Глобального альянса производителей полупроводников (GSA), председатель научного Совета РАН «Физико-химические основы полупроводникового материаловедения», руководитель межведомственного Совета главных конструкторов РФ по ЭКБ. Основными направлениями научных исследований академика Г.Я. Красникова являются микро- и наноэлектроника: физика полупроводников, полупроводниковых приборов, технологии создания сверхбольших интегральных схем (СБИС) и проблемы обеспечения качества их промышленного производства. Г.Я. Красниковым созданы научные и технологические основы формирования полупроводниковых структур с управляемыми и стабильными электрофизическими параметрами, а также выявлены закономерности неравновесных процессов в переходных областях границ раздела систем кремний – диоксид кремния – металл на всем технологическом маршруте изготовления интегральных микросхем. Академик Красников - автор и соавтор 312 научных работ в отечественных и зарубежных рецензируемых изданиях, четырех научных монографий и более 40 авторских свидетельств и патентов. Главный редактор журналов «Интеллект и технологии» и «Электронная техника. Серия Микроэлектроника», член редколлегии журналов «Микроэлектроника», «Электроника. Наука. Технология. Бизнес», «Нано- и микросистемная техника». Награжден Орденом Почета, Орденом «За заслуги перед Отечеством» IV степени, Орденом Дружбы, а также является дважды лауреатом премии Правительства РФ в области науки и технологии.
  • ГОРНЕВ ЕВГЕНИЙ СЕРГЕЕВИЧ д.т.н., действительный член Академии инженерных наук им. А.М. Прохорова, заместитель заведующего и профессор кафедры «Микро- и наноэлектроника» МФТИ, заместитель руководителя приоритетного технологического направления (РПТН) – начальника управления РПТН АО «НИИМЭ». Специалист в области разработок и промышленной технологии производства интегральных микросхем, микросистемной техники и сегнетоэлектрических изделий электронной техники. Автор более 200 научных трудов, 35 изобретений и патентов. Лауреат Государственной премии СССР, премии Правительства РФ в области науки и техники, Всероссийского конкурса «Инженер года». Награжден орденом Дружбы народов, золотой медалью ВДНХ, медалью Международного смотра НТТМ, медалями им. А.М. Прохорова, им. М.В. Келдыша, им. С.П. Королева, им. А.А. Расплетина и др. Почетный работник электронной промышленности. Член диссертационного совета ИПТМ РАН. Член редколлегии журналов «Нано- и микросистемная техника» и «Электронная техника. Серия «Микроэлектроника».
  • БЫКОВ ВИКТОР АЛЕКСАНДРОВИЧ д.т.н., президент Нанотехнологического общества России, председатель Гильдии предприятий высоких технологий и инноваций Московской торгово-промышленной палаты, генеральный директор «Нанотехнология МДТ». Научные интересы В.А. Быкова определяются изучением молекулярно-упорядоченных структур. Результатом исследований стала разработка метода ориентации жидких кристаллов, применяемых в производстве ЖК индикаторов, создан новый класс материалов. Автор и соавтор более 160 научных трудов, в том числе 60 заявок на изобретения и патенты. Лауреат премии Правительства РФ в области науки и техники 2004 г. В 2011 году награжден медалью ЮНЕСКО «За вклад в развитие нанонауки и нанотехнологий».
  • БЕГИШЕВ АЛЕКСАНДР РУСТЕМОВИЧ преподаватель, ведущий инженер-технолог ОАО «НИИМЭ и Микрон» Свою научную деятельность посвятил изучению проблем исследования, измерения и метрологии в области производства микроэлектронных изделий. На базе проведенных исследований читает курс лекций, связанный с применением различных физических методов контроля в производстве микро- и наноэлектроники. Автор и соавтор около 40 научных статей, имеет 6 свидетельств на изобретения.
  • ЭННС ВИКТОР ИВАНОВИЧ к.т.н., доцент, заместитель генерального директора по новым продуктам ОАО «НИИМЭ и Микрон». Технический интерес В.И. Эннса связан с разработкой цифровых и аналоговых микросхем. Результатом исследований стала разработка ряда сложных микросхем, в том числе аналого-цифровых преобразователей с частотой преобразования до 200МГц и разрядностью до 14, а также схем управления питанием с рабочими частотами до 10МГц. Автор и соавтор 30 научных работ, более 10 авторских свидетельств
  • МАСЛОВСКИЙ ВЛАДИМИР МИХАЙЛОВИЧ д.ф.-м.н., профессор, академик академии технологических наук, член экспертного Совета по нанотехнологиям, главный научный сотрудник в НИИ физических проблем им.Лукина Ученый в области физики полупроводниковых структур, МДП-структур. Один из первых, кто обнаружил эффект долговременного изменения ансамбля дефектов под влиянием слабых магнитных полей. Результатом проводимых исследований стала теория функционирования тонкопленочных МДП-структур в условиях радиационных и полевых воздействий, а также выявлены процессы, происходящих в приборах на основе арсенида галлия. Автор и соавтор 170 научных работ, имеет 12 авторских свидетельств.
  • ЭННС ВСЕВОЛОД ВИКТОРОВИЧ к.т.н., Первый заместитель генерального директора компании «Дизайн Центр «Союз». Научные интересы В.В. Эннса лежат в области изучения методов построения современной субмикронной ЭКБ. Результатом исследований стала разработка целого ряда микросхем, не имеющих отечественных аналогов. Автор и соавтор более 20 научных трудов, в том числе 10 заявок на изобретения и патенты.
  • МАТЮШКИН ИГОРЬ ВАЛЕРЬЕВИЧ к.ф.-м.н., доцент кафедры «Проектирования и конструирования интегральных микросхем» МИЭТ, начальник лаборатории компьютерного моделирования отдела функциональной электроники ОАО «НИИМЭ И Микрон». Научные исследования И.В. Матюшкина связаны с моделированием технологических процессов и приборов наноэлектроники. Им развиваются клеточно-автоматные методы моделирования, а также ведутся исследования в области кремниево-кислородных систем. Наиболее важными результатами деятельности стала модель пограничного слоя при термическом окислении кремния и математическая модель ионной имплантации, впервые сформулированная на языке клеточных автоматов. Автор 2 книг, имеет более 30 публикаций, не считая тезисов докладов на конференциях.
  • ПЛОТНИКОВ ЮРИЙ ИВАНОВИЧ к.т.н., доцент, ведущий специалист ОАО «НИИМЭ и Микрон». Основными направлениями научных интересов являются оптико-физические измерения слоев и структур микро- и наноэлектроники. На кафедре «Микро и наноэлектроники» МФТИ преподает курсы лекций «Введение в физику полупроводниковых приборов», и «Элементная база микроэлектроники». В 2003 году удостоен премии Правительства РФ в области науки и технологии. Автор более 30 работ, имеет 8 патентов на изобретения.
  • БОКАРЕВ ВАЛЕРИЙ ПАВЛОВИЧ к.х.н., доцент, начальник отдела ОНТИиПЛР АО «НИИМЭ» Одним из направлений исследований в микро- и наноэлектронике В.П. Бокарева является изучение и расчеты физико-химических свойств поверхности кристаллических материалов. На базе исследования физических и химических свойств кристаллов Валерий Павлович и его команда сформулировали «Модель координационного плавления кристаллического вещества». Курсы лекций, которые читает В.П.Бокарев, посвящены поверхностным свойствам материалов микроэлектроники. В них рассказывается о разработанной модели, которая позволяет рассчитывать фундаментальные поверхностные свойства кристаллических материалов. Автор и соавтор более 140 научных работ, в том числе 18 патентов и двух учебно-методических пособий для студентов.
  • ИГНАТОВ ПАВЕЛ ВИКТОРОВИЧ преподаватель, главный конструктор элементной базы ОАО «НИИМЭ и Микрон» Основное направление научной деятельности П.В. Игнатова – разработка базового технологического процесса СБИС. Ведет курс лекций, посвященный физическим и химическим принципам технологических процессов микро- и наноэлектроники. Автор 6 научных публикаций, имеет 5 патентов на изобретения.
  • ИТАЛЬЯНЦЕВ АЛЕКСАНДР ГЕОРГИЕВИЧ д.ф.-м.н., профессор МФТИ, профессор МИЭТ, начальник отдела функциональной электроники ОАО «НИИМЭ И Микрон». Научная деятельность сосредоточена в области изучения физики полупроводников (дефектообразование в кристаллах), физики технологических процессов кремниевой электроники, а также радиофотоники и пьезоэлектроники. В 1985г был награжден медалью изобретателя. Ведет курс лекций, посвященный физическим эффектам в монокристаллическом кремнии. А.Г. Итальянцев – автор более 100 публикаций научных работ, имеет 10 заявок на изобретения.
  • РАКИТИН ВЛАДИМИР ВАСИЛЬЕВИЧ к.т.н., ведущий научный сотрудник ФГУП НИИФП. Научные интересы В.В. Ракитина затрагивают области исследования полупроводниковых приборов, интегральных схем, запоминающих устройств, фотоприемников, наноэлектроники, функциональной электроники, моделирования электронных приборов и устройств. Результатом проведенных работ является разработка новых приборов и интегральных схем, внедрение их в производство. Автор и соавтор более 160 научных трудов, в том числе 60 изобретений и патентов.
  • ПАНАСЕНКО ПЕТР ВАСИЛЬЕВИЧ Заместитель генерального директора по разработке СВЧ-устройств ОАО «НИИМЭ», д.т.н., профессор по специальности «Твердотельная электроника, микроэлектроника». Награжден орденом «Знак Почета», медалями, лауреат Премии Правительства РФ в области науки и техники.
  • СВИДЗИНСКИЙ КОНСТАНТИН КОНСТАНТИНОВИЧ к.ф.-м.н.
Студенты кафедры:
  • Успешно совмещают образовательный процесс в «МФТИ» с научно-практической деятельностью в АО «НИИМЭ». Все выпускники кафедры принимают участие в НИОКР, в том числе работах в рамках госзаказов, которые ведутся в подразделениях
  • Имеют возможность стажироваться (на основе партнерских программ стажировок) в ведущих мировых научно-исследовательских центрах и лабораториях микро- и наноэлектроники, таких как IMEC (Бельгия), CEA-Leti (Франция), Technische Universiteit Delft (Голландия), Ecole Speciale de Lausanne (Швейцария), Aselta (Франция), Leland Stanford Junior University (США), Mapper Lithography (Голландия).
  • Имеют возможность обмениваться знаниями и навыками на крупнейших международных отраслевых конференциях.
  • Уникальная образовательная программа, зарубежные стажировки, национальные и международные конференции и другие мероприятия для обмена опытом с ведущими учеными в области современной микроэлектроники позволяют молодым специалистам успешно интегрироваться в научно-исследовательские проекты на базе АО «НИИМЭ» еще в процессе обучения
Направления подготовки выпускников магистратуры и аспирантуры
  • Физика и технология наноэлектронных приборов (010943)
  • Физика и технология микроэлектроники (010940)