Научные публикации

Научные публикации

Ведущие научные сотрудники АО «НИИМЭ» имеют сотни публикаций в авторитетных научных журналах как в России так и за рубежом, включая издания, входящие в Перечень Высшей аттестационной комиссии Министерства образования и науки Российской Федерации, РИНЦ препринты РАН и другие.
«Индукционные токи утечки и механизм транспорта заряда в термическом оксиде кремния»
  • 2017 г.
  • Авторы: Д.Р. Измайлов, Гриценко В.А., Перевалов Т.В., Орлов О.М., Красников Г.Я.
  • Материалы ХIV Международной конференции «Физика диэлектриков» (Диэлектрики-2017), 29 мая-2 июня 2017г., Санкт-Петербург, том 1, с.66-68
«Исследование особенностей интеграции элементов энергонезависимой памяти FRAM с КМОП технологией»
  • 2017 г.
  • Авторы: О.М. Орлов, Д.Д. Воронов, Р.А. Измайлов, Г.Я. Красников
  • Журнал - «Микроэлектроника»,2017, том 46, №5, с. 380-385
«1Т-1С-ячейки и массивы сегнетоэлектрической памяти на основе оксида гафния»
  • 2017 г.
  • Авторы: Черникова А.Г., Красников Г.Я., Горнев Е.С., Козодаев М.Г., Маркеев А.М., Негров Д.В., Орлов О.М., Зенкевич А.В., Маркеев А.М.
  • Сборник тезисов и докладов 3-ей Международной научно-технической конференции «Микроэлектроника-2017», 02-07.10. 2017г.,Республика Крым, Алушта, Москва: ТЕХНОСФЕРА, 2017.- 496 с., стр. 170.
«Сравнение элементов флеш-памяти с использованием материалов на основе графена»
  • 2017 г.
  • И.В. Антонова, И.А. Котин, О.М. Орлов, С.Ф. Девятова
  • Журнал - Письма в ЖТФ, 2017г, том 43, вып.19, с.43-50
«Общая теория технологии и микроэлектроника: Часть 2. Вопросы метода и класификации»
  • 2017 г.
  • Авторы: Красников Г. Я., Горнев Е. С, Матюшкин И. В.
  • Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника», выпуск № 4, 2017г., с. 16-41
«Модель адаптивного нейрона и его аппаратная реализация на ПЛИС»
  • 2017 г.
  • Авторы: Матюшкин И. В., Соловьев Р. А.
  • Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника», выпуск № 3, 2017г., с. 53-61
«Электрохимические процессы в технологии формирования матричной структуры выводов микросборок»
  • 2017 г.
  • Авторы: Красников Г. Я., Горнев Е. С., Рощин В. М. Яковлев В. Б., Петухов И. Н.
  • Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника», выпуск № 3, 2017г., с. 22-27
«Физико-технологические особенности формирования системы Si–SiO2 с нанотонкими слоями диоксида кремния»
  • 2017 г.
  • Авторы: Зайцев Н. А., Красников Г. Я., Плотников Ю. И.
  • Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника», выпуск № 2, 2017г., с. 51-55
«Влияние расположения контактов к карманам в инверторе на возникновение тиристорного эффекта, вызванного воздействием тяжелых заряженных частиц»
  • 2017 г.
  • Автор: Панышев К. А.
  • Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника», выпуск № 2, 2017г., с. 11-18
«Особенности перераспределения атомов As в Si при ионной имплантации структур SiO2–Si»
  • 2017 г.
  • Авторы: Баранов Г. В., Итальянцев А. Г., Песков Ш.Г.
  • Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника», выпуск № 2, 2017г., с. 4-10
«Общая теория технологии и микроэлектроника: Часть 1. Уровни описания технологии»
  • 2017 г.
  • Авторы: Красников Г. Я., Горнев Е. С, Матюшкин И. В.
  • Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника», выпуск № 1, 2017г., с. 51-69
«Исследования возможностей отечественной технологии КМОП КНИ 180 нм для создания радиочастотных приемо-передающих БИС космического назначения»
  • 2017 г.
  • Авторы: Усачев Н.А., Елесин В.В., Назарова Г.Н., Сотсков Д.И., Никифоров А.Ю., Чуков Г.В., Метелкин И.О., Жидков Н.М., Дмитриев В.А., Селецкий А.В., Шелепин Н.А.
  • Журнал «Известия высших учебных заведений ЭЛЕКТРОНИКА» т.22 №6, 2017г. с. 546-558
«Конструктивно-технологические методы реализации транзисторов, ориентированных на высокое напряжение питания»
  • 2017 г.
  • Авторы: Красников Г.Я., Горнев Е.С., Игнатов П.В., Мизгинов Д.С.
  • Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника», выпуск № 4 , 2017г. с. 12-15
«Сравнительный анализ методов измерения количественных характеристик шероховатости наноразмерных структур»
  • 2017 г.
  • Авторы: Шарапов А.А., Баранов Г.В.
  • Сборник трудов 60-й Всероссийской научной конференции МФТИ-60, 20-26 ноября 2017г, стр. 254-255
«Исследование технологических параметров современных электронных резистов»
  • 2017 г.
  • Авторы: Красников Г.Я., Гущин О.П., Шишлянников А.В., Горнев Е.С., Орликовский Н.А., Татаринцев А.А.
  • Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника», выпуск № 3, 2017г., с.33-52
«Исследование сбоеустойчивости СОЗУ с функцией исправления одиночных сбоев при воздействии ТЗЧ»
  • 2017 г.
  • Авторы: Красников Г.Я., Лушников А.С., Мещанов В.Д., Рыбалко Е.С., Фомичева Н.Н., Шелепин Н.А.
  • Сборник тезисов и докладов 3-ей Международной научно-технической конференции «Микроэлектроника-2017», 02-07.10. 2017г.,Республика Крым, Алушта, Москва: ТЕХНОСФЕРА, 2017.- 496 с., стр.288-293
«Особенности разработки STD/IO библиотек на основе MCML схемотехники в базисе технологии КМОП 90 нм и оценки перспектив их применения при проектировании СБИС»
  • 2017 г.
  • Авторы: Ильин С.А., Кочанов С.К., Ласточкин О.В., Новиков А.А., Шипицин Д.С.
  • Сборник тезисов и докладов 3-ей Международной научно-технической конференции «Микроэлектроника-2017», 02-07.10. 2017г.,Республика Крым, Алушта, Москва: ТЕХНОСФЕРА, 2017.- 496 с., стр. 283-287.
«Конструкторско-технологическая платформа проектирования СБИС на базе отечественной технологии КНИ 90 нм».
  • 2017 г.
  • Авторы: Ильин С.А., Кочанов С.К., Ласточкин О.В., Надин А.С., Новиков А.А., Шипицин Д.С.
  • Сборник тезисов и докладов 3-ей Международной научно-технической конференции «Микроэлектроника-2017», 02-07.10. 2017г.,Республика Крым, Алушта, Москва: ТЕХНОСФЕРА, 2017.- 496 с., стр. 293-296.
«Формирование Si плавников FinFET минимальных размеров нелитографическим методом»
  • 2017 г.
  • Авторы: Четвериков В.А., Баранов Г.В., Итальянцев А.Г.
  • Сборник тезисов докладов конференции «Микроэлектроника-2017», 02-07.10. 2017г., Алушта, стр.180-181
«Интегрированные в структуры микроэлектроники волноводы на дискретных наноразмерных элементах»
  • 2017 г.
  • Авторы: Сапегин А.А., Барабаненков М.Ю., Итальянцев А.Г.
  • Сборник тезисов докладов конференции «Микроэлектроника-2017», Алушта, стр.217-221
«Разработка и особенности использования генератора случайных чисел в составе защищенных систем на кристалле»
  • 2017 г.
  • Авторы: Тимошин С.А., Нуйкин А.В., Ролдугина Ж.И.
  • Сборник тезисов докладов конференции «Микроэлектроника-2017», 02-07.10. 2017г., Алушта, стр.281-283
«Использование RFID технологии в экосистеме Интернета вещей»
  • 2017 г.
  • Авторы: Нуйкин А.В., Кравцов А.С.
  • Сборник тезисов докладов конференции «Микроэлектроника-2017», Алушта, 02-07.10. 2017г., Алушта, стр.279-281
«Метод формирования диэлектрической изоляции FinFET»
  • 2017 г.
  • Авторы: Нагнойный В.А., Баранов Г.В.
  • Сборник тезисов докладов конференции «Микроэлектроника-2017», Алушта Москва: ТЕХНОСФЕРА, 2017.- 496 с., стр. 212-214.
«Комлементарные методы усиления разрешения оптической литографии»
  • 2017 г.
  • Авторы: Красников Г.Я., Гущин О.П., Литаврин М.В., Горнев Е.С.
  • Сборник тезисов докладов конференции «Микроэлектроника-2017», Алушта, Москва: ТЕХНОСФЕРА, 2017.- 496 с., стр. 203-206
«Исследование проблем повторяемости и воспроизводимости характеристик ячейки резистивной памяти на основе оксида гафния»
  • 2017 г.
  • Авторы: Лебедев А.О., Иванов С.В., Воронов Д.Д., Орлов О.М.
  • Сборник тезисов докладов конференции «Микроэлектроника-2017», Алушта, Москва: ТЕХНОСФЕРА, 2017.- 496 с., стр. 191-193
«Разработка маршрута характеризации специализированных логических вентилей для повышения точности оценки быстодействия в реконфигурируемых ПЛИС»
  • 2017 г.
  • Автор: Ильин С.А.
  • Сборник тезисов и докладов 3-ей Международной научно-технической конференции «Микроэлектроника-2017», 02-07.10. 2017г.,Республика Крым, Алушта, Москва: ТЕХНОСФЕРА, 2017.- 496 с., стр. 315-319.
«Процессы атомно-слоевого осаждения для формирования слоев затворного HkMG-стека с минимальным топологическим размером 32 нм»
  • 2017 г.
  • Авторы: Руденко К.В., Мяконьких А.В., Рогожин А.Е., Гущин О.П., Гвоздев А.В.
  • Сборник тезисов докладов конференции «Микроэлектроника-2017», Алушта Москва: ТЕХНОСФЕРА, 2017.- 496 с., стр. 179-180.
«Моделирование тепловых процессов в СВЧ модулях с различными основаниями»
  • 2017 г.
  • Авторы: Панасенко П.В., Волосов А.В., Пяточкин М.Д.
  • Сборник тезисов докладов конференции «Микроэлектроника-2017», Алушта, Москва: ТЕХНОСФЕРА, 2017.- 496 с., стр. 384-387.
«Приемо-передающий модуль Х-диапазона на кремниевой коммутационной плате»
  • 2017 г.
  • Авторы: Бавижев М.Д., Волосов А.В., Котляров Е.Ю., Панасенко П.В.
  • Сборник тезисов докладов конференции «Микроэлектроника-2017», Алушта, Москва: ТЕХНОСФЕРА, 2017.- 496 с., стр. 414-415.
«Оценка надежности КНИ МОП-транзисторов с нормами 0,18 мкм при повышенных температурах»
  • 2017 г.
  • Авторы: Бенедиктов А.С., Лебедев С.В., Игнатов П.В.
  • Сборник тезисов докладов конференции «Микроэлектроника-2017», Алушта, 02-07.10. 2017г., стр. 221-223
«Автоматизация работы с дизайн центрами при заказе пластин на российской фаундри»
  • 2017 г.
  • Авторы: Панкратов А.Л., Иванов В.В., Рябинин А.Д.
  • Сборник тезисов докладов конференции «Микроэлектроника-2017», Алушта, Москва: ТЕХНОСФЕРА, 2017.- 496 с., стр. 296-298.
«Основы характеризации библиотечных элементов с использованием Synopsys SiliconSmart»
  • 2017 г.
  • Авторы: Ильин С.А., Коршунов А.В., Рыжова Д.И.
  • Учебное пособие для вузов издательство НИУ МИЭТ, 2017.-56с.: ил ISBN 978-5-7256-0814-4
«Эффект локального отсутствия силицида кобальта в КМОП технологии»
  • 2017 г.
  • Авторы: Арилин Р.А., Котекина С.Н.
«Влияние структуры и термоупругих характеристик компонентов на среднее напряжение в анодном оксиде алюминия с нитевидными порами, заполненными поливинилиденфторидом»
  • 2017 г.
  • Авторы: Красников Г.Я., Карташов Д.А., Бардушкин В.В., Шиляева Ю.И., Яковлев В.Б.
  • Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника», выпуск № 2, 2017г, с. 45-50
«Влияние времени моделирования на статистическое распределение выходных значений сигнала аппаратного генератора случайного числа»
  • 2017 г.
  • Авторы: Ролдугина Ж.И., Нуйкин А.В.
  • Сборник материалов МНТК «Микроэлектроника и информатика-2017»,сборник статей –М.: МИЭТ, 2017, с.170-176
«Особенности понятия "кратность воздухообмена" применительно к чистым помещениям производственного назначения»
  • 2017 г.
  • Автор: Маркин А. В.
  • Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника», выпуск № 1, 2017г, с. 70-78
«Частотное ограничение интегрального фазового модулятора на основе кремневого p-i-n диода в субнаносекундном импульсном режиме»
  • 2017 г.
  • Авторы: Макаров М.Э., Барабаненков М.Ю., Итальянцев А.Г.
«Методика разработки и применения ЕСО ячеек в общем маршруте проектирования СнК»
  • 2017 г.
  • Автор: Ильин С.А.
  • Сборник тезисов конференции «Микроэлектроника и информатика – 2017», Москва: ТЕХНОСФЕРА, 2017.- 496 с., стр. 67
«Методика разработки быстродействующих STD библиотек в базе КМОП технологии 90 нм на основе применения CML логики»
  • 2017 г.
  • Автор: Новиков А.А.
  • Сборник тезисов конференции «Микроэлектроника и информатика – 2017», Москва: ТЕХНОСФЕРА, 2017.- 496 с., стр. 80.
«DSA – комплементарный метод усиления разрешения иммерсионной литографии»
  • 2017 г.
  • Авторы: Красников Г.Я., Гущин О.П., Литаврин М.В., Горнев Е.С.
  • Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника», выпуск 1 (165) 2017г. c.4-17
«Анализ и сравнение современных решений в области высокоплотной энергонезависимой памяти»
  • 2017 г.
  • Автор: Измайлов Р.А.
  • Сборник тезисов 7-й Всероссийской конференции молодых ученых «Микро-, нанотехнологии и их применение имени Ю.В. Дубровского, 6-9 февраля 2017, стр. 13
«Новые подходы в интеграции Low-k диэлектриков»
  • 2017 г.
  • Авторы: Резванов А.А., Горнев Е.С., Бакланов М.Р.
  • Сборник тезисов 7-й Всероссийской конференции молодых ученых «Микро-, нанотехнологии и их применение имени Ю.В. Дубровского, 6-9 февраля 2017, стр.14
«Постлитографический метод уменьшения топологических размеров объемных Si структур»
  • 2017 г.
  • Авторы: Четвериков В.А., Итальянцев А.Г., Баранов Г.В.
  • Сборник тезисов 7-й Всероссийской конференции молодых ученых «Микро-, нанотехнологии и их применение имени Ю.В. Дубровского, 6-9 февраля 2017, стр. 12
«Повышение эффективности моделирования переходных процессов в КМОП-микросхемах с учетом одиночных радиационных эффектов»
  • 2017 г.
  • Авторы: В.С. Кононов, Н.А. Шелепин
  • Изв. вузов. Электроника. - 2017. - Т. 22. - № 4. - С. 361-368
«Перспективные направления дальнейшего развития отечественной микроэлектроники с учетом зарубежного опыта»
  • 2016 г.
  • Авторы: Авдонин Б.Н., Макушин М.В., Мартынов В.В., Орлов О.М., Стяжкин А.Н., Фомина А.В.
  • Журнал Радиопромышленность,2016, № 3 вып.1 с.131-142
«Флэш память основанная на мультиграфене»
  • 2016 г.
  • Авторы: Новиков Ю.Н., Гриценко В.А., Красников Г.Я., Орлов О.М.
  • Журнал «Микроэлектроника»-2016, т.45, №1, с.66-71
«Интеграция функциональных элементов энергонезависимой памяти топологии 1Т-1R»
  • 2016 г.
  • Авторы: Негров Д.В., Киртаев Р.В., Киселева И.В., Кондратюк Е.В., Маркеев А.М., Шадрин А.В., Зенкевич А.В., Орлов О.М., Горнев Е.С., Красников Г.Я.
  • Журнал «Микроэлектроника»-2016, т.45, №6, с.421-433
«Формирование электрической изоляции Tri-gate транзистора»
  • 2016 г.
  • Авторы: Нагнойный В.А., Баранов Г.В.
  • Сборник тезисов 59 конференции МФТИ
«Транспорт заряда в тонких слоях сигнетоэлектрического Hf 0,5Zr 0,5O2»
  • 2016 г.
  • Авторы: Орлов О.М., Исламов Д.Р., Черникова А.Г., Козодаев М.Г., Маркеев А.М., Перевалов Т.В., Гриценко В.А., Красников Г.Я.
  • Журнал –Микроэлектроника, 2016, том 45, №5 с.379-385
«Исследование характеристик и особенностей изготовления элементов энергонезависимой памяти FRAM, полученных с использованием процессов атомно-слоевого осаждения»
  • 2016 г.
  • Авторы: Орлов О.М., Маркеев А.М., Зенкевич А.В., Черникова А.Г., Спиридонов М.В., Измайлов Р.А., Горнев Е.С.
  • Журнал –Микроэлектроника, 2016, том 45, №4 с.1-9
«Применение клеточных автоматов для описания прохождения электрического тока в межсоединениях сверхбольших интегральных схем».
  • 2016 г.
  • Авторы: Заплетина М.А., Матюшкин И.В.
  • XVII Всероссийская конференция молодых учёных по математическому моделированию и информационным технологиям. Тезисы докладов. - Новосибирск. - 2016. - С.39.
«Численное исследование параметрических свойств решений некоторого уравнения типа Штурма–Лиувилля»
  • 2016 г.
  • Авторы: И. В. Матюшкин, Г. Я. Красников, Н. В. Черняев, Е. С. Горнев, Н. В. Евстратов.
  • Журнал -ТРУДЫ МФТИ. 2016. Том 8, № 4, c.71-92
«Вычислимость в клеточных автоматах»
  • 2016 г.
  • Авторы: Гаврилов С.В., Матюшкин И.В., Стемпковский А.Л.
«Перспективы развития современного рынка 3D энергонезависимой памяти»
  • 2016 г.
  • Автор: Измайлов Р.А.
  • Тезисы доклада 59 научной конференции МФТИ 21-26 ноября 2016г.
«Модель поляризации сегнетокерамики на основе представлений неоднородных сред».
  • 2016 г.
  • Авторы: Красников Г.Я., Бардушкин В.В., Румянцева., Е.Н., Яковлев В.Б.
  • Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника» № 4 (164), 2016г., стр.57-61
«Асинхронный клеточный автомат, моделирующий абстрактную бимолекулярную реакцию на сфере»
  • 2016 г.
  • Авторы: Горнев Е. С., Матюшкин И. В., Вильданов Р. Р., Коробов С. В
  • Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника» № 4 (164), 2016г., стр.38-56
«Моделирование процессов переноса массы и заряда в планарных электрохимических преобразователях».
  • 2016 г.
  • Авторы:Жевненко Д.А., Вергелес С. С., Криштоп Т. В., Терешонок Д. В., Горнев Е.С., Криштоп В. Г.
  • Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника» № 4 (164), 2016г., стр.31-37
«Анизотропия физико-химических свойств монокристаллических поверхностей»
  • 2016 г.
  • Авторы: Бокарев В.П., Красников Г.Я.
  • Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника» № 4 (164), 2016г., стр.25-30
«Разработка OPC модели для технологии уровня 65 нм
  • 2016 г.
  • Авторы: Колобов А.В., Иванов В.В., Кузовков А.В., Арилин Р.А.
  • Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника» № 4 (164), 2016г., стр.4-9
«Эффект радиационно-индуцированной защелки в 90 нм КМОП –технологии в зависимости от угла и места падения тяжелой заряженной частицы»
  • 2016 г.
  • Авторы: Панышев К.А., Ключников А.С.
  • Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника» № 3 (163), 2016г., стр.4-9
«Оптимизация процесса электронной литографии для периодических структур методом комбинированной модификации формы и дозы элементов структур»
  • 2016 г.
  • Авторы: Зайцев С.А., Кузнецова Е.В., Гущин О.П., Красников Г.Я., Горнев Е.С.
  • Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника» № 3 (163), 2016г., стр.53-57
«Размерные эффекты поляризации в тонких пленках легированного оксида гафния»
  • 2016 г.
  • Авторы: Итальянцев А.Г., Константинов В.С.
  • Тезисы доклада 59 научной конференции МФТИ 21-26 ноября 2016г.
«Твердофазный тримминг при формировании структур кремниевой микроэлектроники»
  • 2016 г.
  • Авторы: Четвериков В.А., Итальянцев А.Г., Баранов Г.В.
  • Тезисы доклада 59 научной конференции МФТИ 21-26 ноября 2016г.
«Физические и конструктивно-технологические особенности перспективных транзисторных структур в кремниевой микроэлектронике»
  • 2016 г.
  • Автор: Орлов О.М
  • XI Конференция и X Школа молодых ученых «КРЕМНИЙ-2016» 12-15 сентября 2016 г., Новосибирск, Тезисы докладов, стр.176
«Механизм транспорта электрически-индуцированных токов утечки и природа электронных ловушек в термическом оксиде кремния»
  • 2016 г.
  • Авторы: Исламов Д.Р., Гриценко В.А., Перевалов Т.В., Орлов О.М., Красников Г.Я.
  • XI Конференция и X Школа молодых ученых «КРЕМНИЙ-2016» 12-15 сентября 2016 г., Новосибирск, Тезисы докладов, стр.110
«Разработка энергонезависимой памяти FRAM на основе использования многокомпонентного оксида Hf0,5Zr0,5O2»
  • 2016 г.
  • Авторы: Орлов О.М., Красников Г.Я., Измайлов Р.А., Воронов Д.Д., Горнев Е.С.
  • XI Конференция и X Школа молодых ученых «КРЕМНИЙ-2016» 12-15 сентября 2016 г., Новосибирск, Тезисы докладов, стр.98
«Механизм транспорта токов утечки в пленках аморфных и сегнетоэлектрических пленках Hf 0,5Zr 0,5 O2»
  • 2016 г.
  • Авторы: Исламов Д.Р., Черникова А.Г., Козодаев М.Г., Маркеев А.М., Перевалов Т.В., Гриценко В.А., Орлов О.М., Красников Г.Я.
  • XI Конференция и X Школа молодых ученых «КРЕМНИЙ-2016» 12-15 сентября 2016 г., Новосибирск, Тезисы докладов, стр.54
«Национальные особенности импортозамещения электронной компонентной базы или проблемы унификации ЭКБ»
  • 2016 г.
  • Автор: Горнев Е.С.
  • Журнал «Эксперт+», 2016г, стр. 33-46
«Исследование уменьшения деградации Low-k диэлектрика путем селективного осаждения защитного полимера на стенки пор»
  • 2016 г.
  • Авторы: Резванов А, Чанг Л., Ж.-Ф. де Марнефф, Криштаб М., Хакер Н., Чанг Л., Бакланов М.Р.
  • Тезисы доклада 59 научной конференции МФТИ 21-26 ноября 2016г.
«Малогабаритный приемопередающий субмодуль х-диапазона»
  • 2016 г.
  • Авторы: Тишин А.С., Котляров Е.Ю.
  • Сборник материалов конференции «Минцевские чтения»
«Сверхвысокочастотные характеристики транзисторов, изготовленных по технологии кремний на изоляторе с длиной канала 180 нанометров»
  • 2016 г.
  • Авторы: Андреев Д.А., Копцев Д.А., Ковалева О.С.
  • Статья в научный журнал «Наноиндустрия» №7,2016г, стр.94
«Конструкция и моделирование работы транзистора GAA FET с монокристаллическим кремниевым каналом
  • 2016 г.
  • Авторы: Орлов С.Н., Горнев Е.С., Ключников А.С., Тимошенков В.П., Гущин О.П., Бобовников П.Г.
  • Тезисы доклада международной конференции «Микро- и наноэлектроника-2016» (ICMNE-2016), 3-7 октября 2016г., Звенигород, Моск.обл., стр. 176
«Конструктивно-технологические принципы создания СВЧ элементной базы нового поколения на основе объемных технологий современной кремниевой микроэлектроники»
  • 2016 г.
  • Авторы: Красников Г.Я., Панасенко П.В., Волосов А.В.,
  • Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника» № 3 (163), 2016г., стр.10-22
«Приемопередающий субмодуль Х-диапазона частот»
  • 2016 г.
  • Авторы: Красников Г.Я., Панасенко П.В., Волосов А.В., Котляров Е.Ю., Тишин А.С.
  • Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника» № 3 (163), 2016г., стр.23-29
«Использование ультрафиолетового излучения в технологии микро - и наноэлектроники»
  • 2016 г.
  • Авторы: Бокарев В.П., Красников Г.Я.
  • Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника» № 3 (163), 2016г., стр.58-62
«Концентрация напряжений и деформаций в анодном оксиде алюминия с нитевидными порами, заполненными поливинилиденфторидом»
  • 2016 г.
  • Авторы: Красников Г.Я., Бардушкин В.В., Силибин М.В., Шиляева Ю.И., Яковлев В.Б.
  • Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника» №2 (162), 2016г., стр. 46-55
«Проектирование и разработка элементов КМОП СБИС , предназначенных для функционирования в условиях воздействия космических ионизирующих излучений»
  • 2016 г.
  • Авторы: Селецкий А.В., Шелепин Н.А.
  • Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника» №2 (162), 2016г., стр. 39-45
«Исследование возможности создания памяти большой емкости с использованием ячейки памяти на основе сегнетоэлектрического переключения»
  • 2016 г.
  • Авторы: Измайлов Р.А., Воронов Д.Д., Орлов О.М.
  • Тезисы доклада на конференцию «Микроэлектроника-2016», Алушта, 26-30.09.2016г., стр.196-199
«Технологические особенности формирования и перспективные конструкторские решения 3D энергонезависимой памяти»
  • 2016 г.
  • Авторы: Измайлов Р.А., Воронов Д.Д., Орлов О.М.
  • Тезисы доклада на конференцию «Микроэлектроника-2016», Алушта, 26-30.09.2016г., стр.185-186
«Моделирование конструкций теплоотвода для 3D – сборки различных устройств микроэлектроники»
  • 2016 г.
  • Авторы: Баранов Г.В., Кульков Д.С., Макеев В.В.
  • Тезисы доклада на конференцию «Микроэлектроника-2016», Алушта, 26-30.09.2016г., стр.188-190
«Физические особенности использования Poly-Si затвора в Tri-gate транзисторе»
  • 2016 г.
  • Авторы: Баранов Г.В., Ключников А.С.
  • Тезисы доклада на конференцию «Микроэлектроника-2016», Алушта, 26-30.09.2016г., стр. 186-187
«Программный комплекс для автоматизации процесса подготовки управляющей информации для изготовления фотошаблонов»
  • 2016 г.
  • Авторы: Иванов В.В., Медведев К.А.
  • Тезисы доклада на конференцию «Микроэлектроника-2016», Алушта, 26-30.09.2016г., стр.292-294
«Библиотека КМОП СВЧ элементов и блоков»
  • 2016 г.
  • Авторы: Андреев Д.А., Атамась Д.А., Копцев Д.А., Ковалева О.С.
  • Тезисы доклада на конференцию «Микроэлектроника-2016», Алушта, 26-30.09.2016г., с. 408-411
«Библиотека кремниевых КМОП СВЧ элементов и сложно-функциональных блоков для построения приемо-передающих модулей».
  • 2016 г.
  • Автор: Андреев Д.А., Атамась Д.А., Копцев Д.А., Ковалева О.С.
  • Статья в журнал Наноиндустрия № 5 (67), 2016г., стр. 46-57
«Гетероинтегрированные многокристальные микромодули на основе кремния для СВЧ применений»
  • 2016 г.
  • Авторы: Красников Г.Я., Панасенко П.В., Волосов А.В.
  • Тезисы доклада на конференцию «Микроэлектроника-2016», Алушта, 26-30.09.2016г. с. 404-408
«Микроминиатюризация приемопередающих субмодулей см-диапазона»
  • 2016 г.
  • Авторы: Красников Г.Я., Панасенко П.В., Волосов А.В., Котляров Е.Ю., Тишин А.С.
  • Тезисы доклада на конференцию «Микроэлектроника-2016», Алушта, 26-30.09.2016г. с. 379-384
«Клеточно-автоматная модель воздействия О₂ плазмы на интегральные свойства SIOCH low-k диэлектрика»
  • 2016 г.
  • Авторы: Резванов А.А., Матюшкин И.В., Гущин О.П.
  • Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника», № 3 (163), Стр.63-78
«Клеточно-автоматная модель взаимодействия атомов кислорода с пористым low-k диэлектриком»
  • 2016 г.
  • Авторы: Резванов А.А., Матюшкин И.В., Гущин О.П.
  • Тезисы доклада на конференцию «ISC MNE-2016,Звенигород, Россия, 3-7 октября 2016г., стр.137
«Пассивация стенок пор low-k диэлектрика выбранными полимерами»
  • 2016 г.
  • Авторы: Резванов А., Чанг Л., Ватанабе М., Криштаб М., де Марнефф Ж.-Ф., Вердонк П., Армини С., Хакер Н., Бакланов М.Р., Гущин О.П.
  • Сборник Тезисов Международного форума «Микроэлектроника-2016», Алушта, 26-30.09.2016г. стр.200-203
«Проблемы возникающие при формировании многоуровневой медной металлизации СБИС и способы их решения»
  • 2016 г.
  • Авторы: Гвоздев В.А., Валеев А.С., Кузнецов П.И.
  • Тезисы доклада на конференцию «Микроэлектроника-2016», Алушта, 26-30.09.2016г., стр.157-158
«Формирования топологии в толстых полимерных пленках бензоциклобутена (ВСВ)»
  • 2016 г.
  • Авторы: Кузнецов П.И., Гущин О.П., Красников Г.Я., Рубинас О.Р., Горнев Е.С., Каширин П.А., Колобова Л.А., Руденко К.В., Мяконьких А.В., Есенкин К.С.
  • Тезисы доклада на конференцию «Микроэлектроника-2016», Алушта, 26-30.09.2016г., с.155
«Исследование особенностей функционирования МОП - транзисторов на основе структур КНИ и объемного кремния при температурах 125°С»
  • 2016 г.
  • Авторы: Бенедиктов А.С., Игнатов П.В.
  • Сборник Тезисов Международного форума «Микроэлектроника-2016», Алушта, 26-30.09.2016г. стр.203-204
«Методика разработки заказных буферов ввода-вывода на основе библиотек специализированных цифровых элементов»
  • 2016 г.
  • Авторы: Ильин С.А., Кочанов С.К., Ласточкин О.В., Новиков А.А.
  • Сборник Тезисов Международного форума «Микроэлектроника-2016», Алушта, 26-30.09.2016г. стр. 317-321
«Методика проектирования и верификации библиотек стандартных цифровых элементов и элементов ввода-вывода»
  • 2016 г.
  • Авторы: Ильин С.А., Кочанов С.К., Ласточкин О.В., Новиков А.А.
  • Сборник Тезисов Международного форума «Микроэлектроника-2016», Алушта, 26-30.09.2016г. стр. 312-316
«Смарт-карты на основе отечественных микросхем. Разработка, производство, применение»
  • 2016 г.
  • Автор: Шелепин Н.А.
  • Пленарный доклад на форуме «Микроэлектроника-2016», стр.18-22
«Физико-технологические особенности формирования сегнетоэлектрической пленки для ячейки запоминающих устройств»
  • 2016 г.
  • Авторы: Красников Г.Я., Зайцев Н.А., Бокарев В.П., Плотников Ю.И.,
  • Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника», №1 (161), стр. 42-46
«Проблема переосаждения кобальта при формировании спейсера»
  • 2016 г.
  • Авторы: Красников Г.Я., Кирюшина И.В., Егоров А.А., Ранчин С.О., Горнев Е.С.
  • Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника», №1 (161), стр. 36-41
«Разработка и внедрение кристаллов для смарт-карт на российском и международном рынках на основе решений АО «НИИМЭ»
  • 2016 г.
  • Авторы: Нуйкин А.В., Кравцов А.С.
  • Журнал «Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника», №1 (161), стр. 4-8
«Исследование и разработка элементов энергонезависимой памяти ReRAM, FRAM на основе использования процессов АLD»
  • 2016 г.
  • Авторы: Орлов О.М., Маркеев А.М., Зенкевич А.В., Измайлов Р.А., Воронов Д.Д., Егоров К.В., Черникова А.Г.
  • Тезисы доклада конференции: «Микроэлектроника-2015» Интегральные схемы и микроэлектронные модули – проектирование, производство и применение», 28 сентября – 3 октября 2015г., Крым, Алушта, стр.270-272