Патенты

Институт является патентообладателем 240 действующих патентов и свидетельств.

Патент 1

Патент 2

Патент 3

Патент 4

Патент 5

Патент 6

Патент 7

Патент 8

Патент 9

Патент 10

Список патентов


Год

2026

  • № 2855235 Способ получения диарилйодониевых солей
  • № 2026612712 Программа индикации областей промежуточных вычислений аппаратной релизации алгоритма шифрования AES
  • № 2025620720 Комплект средств проектирования PDK для отечественной полупроводниковой технологии КМОП 090 нм 7 металлов (hcmos10_lp_7m_2.5v) в формате OpenAccess
  • № 2025623159 Комплект библиотек элементов ввода-вывода (IOLIB_120_F8 / IOLIB_140_F8 pad limited) и (IOLIB_CL / IOLIB_CL_80 core limited) с напряжением питания 1.8 / 3.3 / 5.0 В в базисе отечественной полупроводниковой технологии КМОП180нм, 4 металла (CMOSF8_4M) в формате OpenAccess
  • № 2025623171 Комплект блоков памяти одно- и двухпортового ОЗУ / ПЗУ различных конфигураций с напряжением питания 1.2 В в базисе отечественной полупроводниковой технологии КМОП 90 нм (HCMOS10LP)
  • № 2025623172 Комплект библиотек стандартных цифровых элементов ядра (CORELIB8DHS / CORELIB8DLL / LPLIB8DLL) и библиотеки специализированных ячеек (CORELIB_LS608) в базисе отечественной полупроводниковой технологии КМОП 180 нм, 4 металла в формате OpenAccess
  • № 2025623173 Комплект библиотек стандартных цифровых элементов ядра, библиотек для построения дерева тактового сигнала, библиотеки элементов преобразования уровня сигналов и библиотеки служебных ячеек
  • № 2025623178 Комплект библиотек элементов ввода-вывода с напряжением питания 1.8В, с напряжением питания 2.5В, библиотеки программируемого элемента ввода-вывода с напряжением питания 1.8В и библиотеки ячейки типа «BUMP»
  • № 2025623179 Комплект библиотек элементов ввода-вывода (IOLIB_50/IOLIB_80/IOLIB_CL) с напряжением питания 3.3 В в базисе отечественной полупроводниковой технологии КМОП 180 нм, 6 металлов (HCMOS8D) в формате Open Access
  • № 2025623194 Комплект библиотек служебных ячеек ввода-вывода (IO90LPHVT_ANA_50A_7M2T / IO90LPHVT_BASIC_50A_7M2T / IO90LPHVT_ESDKIT_50A / IO90LPHVT_FILLERCUT_50A_7M2T / IO90LPHVT_STEP_FILLER_ANATODIG_50A_7M2T)
  • № 2025623238 Комплект блоков памяти однопортового ОЗУ/ПЗУ различных конфигураций с напряжением питания 1,8 В в базисе отечественной полупроводниковой технологии КМОП 180 нм (HCMOS8D)
  • № 2025623317 Комплект библиотек стандартных цифровых элементов ядра (CORELIB8DHS/ CORELIB8DLL/ LPLIB8DLL/ CORG180HS) и библиотек для постррения дерева тактового сигнала (CLOCKLEB8DHS/CLOCKLIB8DLL) в базисе технологии КМОП
  • № 2025623318 Комплект блоков памяти однопортового ОЗУ/ПЗУ различных конфигураций с напряжением питания 1,8 В в базисе отечественной полупроводниковой технологии КМОП 180 нм, 4 металла
  • № 2839771 Способ прямого кондуктометрического определения концентрации гидроксида тетраметиламмония в концентрированном водном растворе
  • № 2848412 Способ экспериментального определения Дебаевской длины экранирования и концентрации электронов в полупроводниковых структурах
  • № 2025669678 Программа реализации алгоритмов проектирования фотошаблонов и подготовки управляющей информации для изготовления фотошаблонов с проектными нормами 250-65 нм
  • № 2025630358 Блок однократно программируемого ПЗУ 128 бит (техпроцесс HCMOS8D_6M_5V)
  • № 2024630024 Библиотека элементов ввода-вывода GPIO с расширенной функциональностью (GPIOLIB_80_H8) в базисе отечественной полупроводниковой технологии КМОП 180 нм (HCMO8D) в составе специализированной интегральной схемы
  • № 2024616464 Программа адаптивной миостимуляции с нейросетевым алгоритмом управления
  • № 2024618722 _Программа "PROG_1661" реализующая возможность программирования серии микросхем энергонезависимой памяти 1661РРxхx (1661РР1У, 1661РР1АУ, 1661РР2У, 1661РР045, 1661РР055, 1661РР035, 1661РР035А, 1661РР065, 1661РР074)
  • № 2024621662 _База данных реализации системы требований по передаче, послойной проверке, идентификации, хранению и проведению DRC-контроля топологий для обеспечения возможности проектирования фотошаблонов с использованием базовых технологий
  • № 2024661879 Программа автоматизации этапов логического синтеза, размещения элементов и трассировки межсоединений микросхем на базе ПЛИС X-CAD
  • № 2024630090 Блок генератора частоты с ФАПЧ
  • № 2024662730 Программа автоматизации этапов логического синтеза, размещения элементов и трассировки межсоединений микросхем на базе ПЛИС X-CAD (для ОС Linux)
  • № 2024622576 База данных реализации системы требований по разработке управляющей информации при изготовлении фотошаблонов для производства кристаллов микросхем по базовым технологиям 250-65 нм.
  • № 2024622669 Библиотека стандартных цифровых элементов ядра с повышенной стойкостью к СВВФ c напряжением питания 3.3 В (core9t) в базисе отечественной полупроводниковой технологии КМОП КНИ 250 нм (LibMikron_SOI_250_4M)
  • № 2024622670 Комплект средств проектирования PDK для отечественной полупроводниковой технологии КМОП 180 нм 6 металлов (HCMOS8D)
  • № 2024630101 Библиотека элементов ввода-вывода GPIO с расширенной функциональностью (GPIOLIB_140_F8) в базисе отечественной полупроводниковой технологии КМОП 180 нм (CMOSF8_4M) в составе специализированной интегральной схемы
  • № 2024622719 Библиотека элементов ввода-вывода с повышенной стойкостью к СВВФ c напряжением питания 3.3 В (io150u6m) в базисе отечественной полупроводниковой технологии КМОП КНИ 250 нм (LibMikron_SOI_250_6M)
  • № 2024622773 Библиотека элементов ввода-вывода с повышенной стойкостью к СВВФ c напряжением питания 3.3 В (io150u4m) в базисе отечественной полупроводниковой технологии КМОП КНИ 250 нм (LibMikron_SOI_250_4M)
  • № 2024622752 Комплект блоков памяти ОЗУ/ПЗУ различных конфигураций с повышенной стойкостью к СВВФ c напряжением питания 3.3 В в базисе отечественной полупроводниковой технологии КМОП КНИ 250 нм (LibMikron_SOI_250_4M)
  • № 2024622758 Комплект средств проектирования PDK для отечественной полупроводниковой технологии КМОП КНИ 90 нм 7 металлов (soi_090_7m)
  • № 2024622757 Комплект средств проектирования PDK для отечественной полупроводниковой технологии КМОП 180 нм 4 металла (CMOSF8_4M_5V)
  • № 2024622768 Комплект средств проектирования PDK для отечественной полупроводниковой технологии КМОП КНИ 250 нм 6 металлов (LibMikron_SOI_025_6M)
  • № 2024622770 Комплект средств проектирования PDK для отечественной полупроводниковой технологии КМОП КНИ 250 нм 4 металла (LibMikron_SOI_025_4M)
  • № 2024622823 Комплект средств проектирования PDK для отечественной полупроводниковой технологии КМОП КНИ 180 нм 6 металлов (LibMikron_SOI_018_6M)
  • № 2024666130 RTL-модель сложно-функционального блока контроллера CAN интерфейса с поддержкой режима CANFD для применения в микроконтроллерных/микропроцессорных системах с системной шиной AMBA AXI3 AXI4 AXI4-lite с разрядностью шин адрес и данных 32 бита
  • № 2024623045 Комплект средств проектирования PDK для отечественной полупроводниковой технологии КМОП 180 нм 7 металлов (HCMOS8D_6M_5V_H_HKM_DIS)
  • № 2024623132 Библиотека элементов ввода-вывода с повышенной стойкостью к СВВФ c напряжением питания 3.3 В (mksoi018io150u6m3v3g) в базисе отечественной полупроводниковой технологии КМОП КНИ 180 нм (LibMikron_SOI_180_6M)
  • № 2024623160 Библиотека элементов ввода-вывода с повышенной стойкостью к СВВФ c напряжением питания 5.0 В (mksoi018io150u6m5v0g) в базисе отечественной полупроводниковой технологии КМОП КНИ 180 нм (LibMikron_SOI_180_6M)
  • № 2024623211 Библиотека элементов ввода-вывода с повышенной стойкостью к СВВФ c напряжением питания 1.8 В (mksoi018io150u6m1v8g) в базисе отечественной полупроводниковой технологии КМОП КНИ 180 нм (LibMikron_SOI_180_6M)
  • № 2024623255 Библиотека стандартных цифровых элементов ядра с повышенной стойкостью к СВВФ c напряжением питания 1.8 В (mksoi018std9t1v8) в базисе отечественной полупроводниковой технологии КМОП КНИ 180 нм
  • № 2024623276 Библиотека элементов преобразования уровня сигнала между доменами питания 1.8 / 3.3 В и 1.8 / 5.0 В (mksoi018lvsh) с повышенной стойкостью к СВВФ в базисе отечественной полупроводниковой технологии КМОП КНИ 180 нм
  • № 2024623281 Комплект блоков памяти одно- и двухпортового ОЗУ / ПЗУ различных конфигураций с повышенной стойкостью к СВВФ c напряжением питания 1.8 В в базисе отечественной полупроводниковой технологии КМОП КНИ 180 нм (LibMikron_SOI_180_6M)
  • № 2024623432 Библиотека элементов ввода-вывода с повышенной стойкостью к СВВФ c напряжением питания 3.3 В (mksoi090io3v3) в базисе отечественной полупроводниковой технологии КМОП КНИ 90 нм (LibMikron_SOI_090_7M)
  • № 2024623467 Комплект блоков памяти одно- и двухпортового ОЗУ / ПЗУ различных конфигураций с повышенной стойкостью к СВВФ c напряжением питания 1.2 В в базисе отечественной полупроводниковой технологии КМОП КНИ 90 нм (LibMikron_SOI_090_7M)
  • № 2024623470 Библиотека стандартных цифровых элементов ядра с повышенной стойкостью к СВВФ c напряжением питания 1.2 В в базисе транзисторов А-типа (mksoi090std1v2a) в базисе отечественной полупроводниковой технологии КМОП КНИ 90 нм
  • № 2024623473 Библиотека стандартных цифровых элементов ядра с повышенной стойкостью к СВВФ c напряжением питания 1.2 В в базисе транзисторов h1-типа (mksoi090std1v2h1) в базисе отечественной полупроводниковой технологии КМОП КНИ 90 нм
  • № 2024630166 Идентификационная контактная метка NE36 (технология CMOSF8_4M_5V)
  • № 2024681074 Инструмент подбора оптимального литографического стека с целью минимизации эффекта стоячих волн
  • № 2024630171 Интегральная микросхема NE421 - однокристальный микроконтроллер для электронных карт
  • № 2024630177 Интегральная микросхема MIK51SM144D – микросхема с функционалом SIM/eSIM и элементом безопасности
  • № 2024684130 Программа реализации алгоритмов входного контроля топологий кристаллов СБИС для обеспечения возможности проектирования фотошаблонов с использованием базовых технологий 250-65 нм
  • № 2024683972 Brook 1.00R
  • № 2813858 Способ повышения эффективности многоострийных автоэмисионных катодов
  • № 2024611320 SDK Lem
  • № 2024614103 Программа для автоматизированной генерации комплекта высокоуровневых, технологически независимых предствалений специализированной тестовой структуры и файла входных воздействий для валидации библиотек стандартных цифровых элементов в кремнии
  • № 2023622556 Библиотека стандартных цифровых элементов ядра с повышенной стойкостью к СВВФ с напряжением питания 3.3 В (mksoi018std9t3v3) в базисе отечественной полупроводниковой технологии КМОП КНИ 180 нм (LibMikron_SOI_018_6M)
  • № 2023622557 Библиотека стандартных цифровых элементов ядра высокой плотности с повышенной стойкостью к СВВФ с охранными кольцами в слоях первого металла и диффузии для Р- и N- канальных транзисторов с контактами к шинами земли питания в слое второго металла (mkcmos090rhbdstdhdmc) в базисе отечественной полупроводниковой технологии КМОП 90 нм (HCMOS10_LP-7M_2.5V)
  • № 2023622558 Библиотека стандартных цифровых элементов ядра высокой плотности с повышенной стойкостью к СВВФ с охранными кольцами в слоях первого металла и диффузии для Р- и N- канальных транзисторов с контактами к шинами земли питания в слое второго металла (mkcmos090rhbdstdhdm1) в базисе отечественной полупроводниковой технологии КМОП 90 нм (HCMOS10_LP-7M_2.5V)
  • № 2023622584 Библиотека стандартных цифровых элементов ядра с повышенной стойкостью к СВВФ с напряжением питания 5.0 В (mksoi018std9t5v0)в базисе отечественной полупроводниковой технологии КМОП КНИ 180 нм (LibMikron_SOI_018_6M)
  • № 2023622585 Библиотека элементов ввода-вывода с напряжением питания 5.0 В (mkhcmos8dio5v0) в базисе отечественной полупроводниковой технологии КМОП 180 нм (HCMOS8D)
  • № 2023622604 Библиотека стандартных цифровых элементов ядра высокой плотности с повышенной стойкостью к СВВФ c оъранными кольцами в слоях первого металла и диффузии для N-канальных транзисторов (mkcmos090rhbdstdhdn) в базисе отечественной полупроводниковой технологии КМОП 90 нм (HCMOS10_LP-7M_2.5V)
  • № 2023622605 Библиотека элементов ввода-вывода с повышенной стойкостью к СВВФ с охранными кольцами в высоковольтной и низковольтной части в слоях первого металла и диффузии с напряжением 3.3 В (mkcmos090rhbdio3v3) в базисе отечественной полупроводниковой технологии КМОП 90 нм (HCMOS10 LP 7M 2.5V)
  • № 2023623872 База данных документов системы менеджмента качества АО "НИИМЭ", определяющих интегрированные алгоритмы управления критическими процессами микроэлектроники, включая разработку и квалификацию базовых технологий, комплектов средств проектирования, а также проектирование сверхбольших интегральных схем и фотошаблонов на их основе" (шифр "СМК для базовых технологий")
  • № 2808770 Способ повышения плотности полевых токов и крутизны автоэмиссионных ВАХ
  • № 2810624 Контактное устройство для тестирования бескорпусной интегральной микросхемы с гибкими проволочными выводыми в таре-спутнике
  • № 219013 Гетероструктура псведоморфного полевого транзистора с высокой подвижностью электронов
  • № 218020 Мемристорный элемент на основе КМОП-технологии
  • № 216173 Тестовое устройство для выявления эффектов изменения электрофизических параметров в слоях СБИС
  • № 2023630034 Источник опорного напряжения 1.2 В
  • № 2023630035 Физический уровень USB 12 МБит/сек
  • № 2023630036 Регулятор напряжения с понижающим преобразованием до 1.8 В
  • № 2023630037 10-ти разрядный АЦП последовательного приближения
  • № 2023630038 Блок ФАПЧ 48 МГц
  • № 2023630067 Кристалл полупроводниковый РКВТ.431432.069
  • № 2023630077 Источник опорного напряжения 1.24 В (техпроцесс HCMOS8D_6M_3.3V)
  • № 2023630085 Библиотека стандартных цифровых элементов ядра с повышенной стойкостью к СВВФ с напряжением питания 3.3 В в базисе отечественной полупроводниковой технологии КМОП КНИ 180 нм в составе специализированной интегральной схемы
  • № 2023630086 Библиотека стандартных ввода-вывода с повышенной стойкостью к СВВФ с охранными кольцами в высоковольтной и низковольтной части в слоях первого металла и диффузии с напряжением питания 3.3 В в базисе отечественной полупроводниковой технологии КМОП 90 нм в составе специализированной интегральной схемы
  • № 2023630087 Библиотека стандартных цифровых элементов ядра высокой плотности с повышенной стойкостью к СВВФ с охранными кольцами в слоях первого металла и диффузии для Р- и N- канальных транзисторов в базисе отечественной полупроводниковой технологии КМОП 90 нм в составе специализированной интегральной схемы
  • № 2023630088 Библиотека стандартных цифровых элементов ядра высокой плотности с повышенной стойкостью к СВВФ с охранными кольцами в слое диффузии для Р- и N- канальных транзисторов с контактами к шинами земли и питания в слое второго металла в базисе отечественной полупроводниковой технологии КМОП 90 нм в составе специализированной интегральной схемы
  • № 2023630089 Библиотека стандартных цифровых элементов ядра высокой плотности с повышенной стойкостью к СВВФ с охранными кольцами в слоях первого металла и диффузии для N- канальных транзисторов в базисе отечественной полупроводниковой технологии КМОП 90 нм в составе специализированной интегральной схемы
  • № 2023630090 Библиотека элементов ввода-вывода с напряжением питания 5.0 В в базисе отечественной полупроводниковой технологии КМОП 180 нм в составе специализированной интегральной схемы
  • № 2023630093 Генератор опорного напряжения 1.24В - датчик температуры
  • № 2023630096 RC-генератор 6 МГц
  • № 2023630097 Библиотека стандартных цифровых элементов ядра с напряжением питания 5.0 В с повышенной стойкостью к СВВФ с напряжением питания 5.0 В в базисе отечественной полупроводниковой технологии КМОП КНИ 180 нм в составе специализированной интегральной схемы
  • № 2023630102 Блок бинаризации с глобальным порогом видеосигнала
  • № 2023630103 Блок гамма-коррекции видеосигнала
  • № 2023630104 Четырёхцветная пиксельная ячейка матрицы изображения.
  • № 2023630105 Блок инвертирования видеосигнала
  • № 2023630106 Блок цветокоррекции видеосигнала.
  • № 2023630107 Блок монохромной визуализации видеосигнала
  • № 2023630108 Блок псевдоцветной визуализации видеосигнала
  • № 2023630114 Стабилизатор напряжения LDO 1.8 В 200мА (техпроцесс HCMOS8D_6M_5V).
  • № 2023630271 Блок электрически однократно программируемого ПЗУ 64х39 бит (техпроцесс HCMOS10_LP_7M_2.5V)
  • № 2022661112 Модуль шифрования и отправки информации для изготолвения фотошаблонов
  • № 2022662644 Программа расчета угловых спектров отражения и прохождения одномерной дифракционной решетки или стопки решеток с произвольным профилем сечения на многослойной подложке методом матрчного уравнения Риккати
  • № 2022668189 Нейросетевой управляющий модуль, анализирующий мышечную и двигательную активность руки
  • № 2022684886 Инструмент подготовки плана измерений тестовых структур для калибровки модели фоторезиста
  • № 2022630001 Радиационно-стойкая микросхема энергонезависимой Flash памяти специального назначения ёмкостью 16 Мбит 1661РР074
  • № 2022630002 Радиационно-стойкая микросхема энергонезависимой Flash памяти специального назначения ёмкостью 2 Мбит 1661РР065
  • № 2022630078 Мемристорный элемент с биполярным типом резистивного переключения на базе КНИ КМОП-технологии 180 нм (HCMOS8D)
  • № 2022630079 Мемристорный элемент с биполярным типом резистивного переключения на базе КНИ КМОП-технологии 180 нм (КНИ180)
  • № 2022630119 Блок электрически однократного программируемого ПЗУ 64 кбит (техпроцесс HCMOS8D_6M_3.3V)
  • № 2022630163 Ячейка однократно программируемого ПЗУ высокой плотности (HCMOS8D)
  • № 2022630164 Ячейка однократно программируемого ПЗУ высокой плотности (КНИ180)
  • № 2022630200 Микросхема управления зарядом литий-ионных и литий-полимерных батарей 1299ЕУ015
  • № 2022665708 Компилятор блоков памяти двухпортового ОЗУ с повышенной стойкостью к СВВФ в базисе отечественной полупрводниковой технологии КМОП 90 нм
  • № 2022665735 Компилятор радиационно стойких блоков памяти ПЗУ в базисе отечественной полупрводниковой технологии КМОП КНИ 180 нм
  • № 2022665841 Компилятор радиационно стойких блоков памяти двухпортового ОЗУ в базисе отечественной полупрводниковой технологии КМОП КНИ 90 нм
  • № 2022665843 Компилятор радиационно стойких блоков памяти двухпортового ОЗУ в базисе отечественной полупрводниковой технологии КМОП КНИ 180 нм
  • № 2022665842 Компилятор радиационно стойких блоков памяти однопортового ОЗУ в отечественной полупрводниковой технологии КМОП КНИ 180 нм
  • № 2021620466 База данных результатов контроля топологии кристаллов интегральных схем на соответствие требованиям правил проектирования для базовых технологий ("Интеграция-1")
  • № 2784314 Антиотражающее покрытие
  • № 2021610059 Криптографический сервис ПАК Звезда вер. 1.0.
  • № 2021611726 Программа для ЭВМ_Операционная система Trust 3.30I для элементов безопасности
  • № 2021613142 Криптографически защищенный протокол для бесконтакнтых транспортных карт
  • № 2021669010 Инструмент для настройки параметров рецепта коррекции эффектов оптической близости OPCR Optimizer
  • № 2021630027 NE51IOT - интегральная микросхема элемента безопасности для применения в составе IoT устройств
  • № 2021630037 Блок синтезатора частоты FSRH
  • № 2021630043 5562ВВ025 сериалайзер-десериалайзер
  • № 2021630071 Интегральная микросхема MIK51SC72D - однокристальный микроконтроллер с поддержкой криптографических алгоритмов, контактного и безконтактного интерфейсов
  • № 2021630098 Интегральная микросхема 1938ВМ014 - четырехядерный криптографический микропроцессор
  • № 2021630100 Базовый матричный кристалл 5540ТН028
  • № 2021630117 Интегральная микросхема 5547ВС028 - коммутационная матрица сопряжения с интерфейсом Ethernet 10/100/1000 Мбит/с
  • № 2021630116 Топология микросхемы типа система на кристалле, состоящей из ядер процессора и ПЛИС не менее 800 тыс. системных вентилей микросхемы типо система на кристалле, состоящей из ядер процессора и ПЛИС емкостью не менее 800 тыс. системных вентилей
  • № 2021630118 Интегральная микросхема 5547ВС018 - коммутационная матрица интерфейса Ethernet 10 Гбит/с
  • № 2021630119 Интегральная микросхема 5547ВС034 - четырехканальный преобразователь физического уровня интерфейса Ethernet 10/100/1000 Мбит/с
  • № 2021630196 Ячейка электрически стираемого программируемого ПЗУ (ЭСППЗУ) с одним уровнем поликремния (техпроцесс HCMOS8D_6M_3.3V)
  • № 2021630200 Ячейка электрически стираемого программируемого ПЗУ (ЭСППЗУ) с одним уровнем поликремния (техпроцесс HCMOS10_FL_7M_3.3V)
  • № 2020666374 Сопроцессор симметричной криптографии для алгоритма
  • № 2020666373 Операционная система для смарт-карт Just 2.00 с виртуальной машиной JavaCard
  • № 2020666372 Сопроцессор симметричной криптографии для алгоритмов DES, AES
  • № 2020663814 Инструмент оценки неровностей краёв наноструктур по их снимкам, полученным с помощью растрового электронного микроскопа (LER&LWR Calculator)
  • № 2020662561 64-х разрядное процессорное ядро NE64RV для встроенных применений
  • № 2020662560 Арифметический сопроцессор поддержки шифрования RSA и шифрования на эллиптических кривых
  • № 2020662559 Программа для ЭВМ 8-ми разрядное процессорное ядро MIK51 для встроенных применений
  • № 2020630006 Ячейка электрически однократно программируемого ПЗУ (техпроцесс HCMOS8D)
  • № 2020630007 Ячейка электрически однократно программируемого ПЗУ (техпроцесс HCMOS8D)
  • № 2020630036 Микросхема 1495СА065 четырехканального радиационно-стойкого компаратора напряжения с напряжением питания до 36 В
  • № 2020630037 Микросхема 1495СА035 быстродействующего двухканального радиационного-стойкого компаратора напряжения с напряжением питания до 36 В
  • № 2020630038 Топология СБИС программируемого мастер-коммутатора 3-го уровня с программируемой приоритизацией маршрутов, аппаратным СФ-блоком сетевого транспортного протокола взаимодействия боровой аппаратуры КА по сети SpaceWire, аппаратным СФ-блоком RMAP-target (ECSS-SST-50-52C) буферизацией информационных портов
  • № 2020630044 Микросхема 1495СА055 быстродействующего четырехканального радиационно-стойкого компаратора напряжения с напряжением питания до 36 В
  • № 2020630045 Микросхема 1495СА045 двухканального радиационно-стойкого компаратора напряжения с напряжением питания до 36 В
  • № 2020630048 Топология СБИС контроллера сетевого информационно-управляющего интерфейса с аппаратным дублированным СФ-блоком контроллера интерфейса SpaceWire (ECSS-SST-50-12C), аппаратным СФ-блоком сетевого транспортного протокола взаимодействия боровой аппаратуры КА по сети SpaceWire и аппаратным СФ-блоком RMAP-target
  • № 2020630049 Микросхема 1495СА015 быстродействующего одноканального радиационно-стойкого компаратора напряжения с напряжением питания до 36 В
  • № 2020630050 Микросхема 1495СА025 одноканального радиационно-стойкого компаратора напряжения с напряжением питания до 36 В
  • № 2020630083 Ячейка электрически однократно программируемого ПЗУ (техпроцесс CMOSF8)
  • № 2020630084 Блок электрически однократно программируемого ПЗУ 512 бит
  • № 2020630085 Блок энергонезависимой памяти ЭСППЗУ 8 Кбайт
  • № 2020630109 Микросхема универсального микроконтроллера для транспортных применений NE501CD
  • № 2020630110 NE51JC144D - интегральная микросхема универсального микроконтроллера с виртуальной машиной JavaCard
  • № 2020630120 Радиационно-стойкая микросхема 16-ти разрядного преобразователя последовательного кода в параллельный 5548НР09Н4
  • № 2020630206 Универсальная микросхема для электронных идентификационных документов MIK51AB72R4
  • № 2020630214 Блок электрически однократно программируемого ПЗУ 256 бит
  • № 2698741 Способ изготовления вертикального низковольтного ограничителя напряжения
  • № 189024 Компаратор двоичных чисел
  • № 192191 Источник опорного напряжения с широким диапазоном возможных значений
  • № 194455 Компаратор двоичных чисел
  • № 2019611669 Программа для ЭВМ_Программа формирования топологического слоя программирования и тестов функционального контроля интегральных микросхем масочных постоянных ЗУ серии 1662: РЕ1Т, РЕ2Т, РЕ3У, РЕ4У, РЕ5Т, РЕ6У, РЕ7У
  • № 2019611930 Операционная система Trust 3.10B с интегрированным платежным приложением МИР для платежных смарт-карт
  • № 2019617250 Инструмент генерации и анализа схем размещения изделий в кадре фотошаблона
  • № 2019665698 Инструмент определения и реализации правил расстановки Rule-based SRAF
  • № 2019667727 Инструмент расчёта окон процесса фотолиторафии на основе модели резиста с постоянным порогом CTPWizard
  • № 2019630121 Блок электрически однократно программируемого ПЗУ 32 бита
  • № 2019630122 Топология базовой макро ячейки памяти ОЗУ, предназначенной для выполнения функций электронной схемы в составе интегральной схемы, разработанная по полупроводниковой технологии КНИ 90 нм на основе схемотехники DICE, в базисе транзисторов а-типа и h1-типа с напряжением питания 1.2 В
  • № 2019630125 Радиационно-стойкая отказоустойчивая СБИС контроллера информационно - управляющего интерфейса со встроенными аппаратными СФ-блоками декодера пакетных телекоманд, формирователя пакетной телеметрии и помехоустойчивого кодирования
  • № 2019630206 Физический датчик случайных чисел
  • № 2019630256 Сверхбыстродействующий двухканальный стробируемый компаратор напряжения с р-ЭСЛ выходами
  • № 2673243 Источник опорного напряжения
  • № 2707580 Способ количественного определения хлоридов в концентрате тетраметиламмония гидроксида
  • № 2698574 Способ изготовления полупроводниковой структуры, выступающей из монолитного кремниевого тела
  • № 181942 Источник тока, стабилизированный в широком диапазоне напряжения питания
  • № 2018663785 Программа для ЭВМ_Операционная система для электронных документов Trust 3.00D
  • № 730861 АО НИИМЭ
  • № 2018630027 Блок памяти ЭСППЗУ 64 Кбайт
  • № 2018630028 Блок памяти ЭСППЗУ 144 Кбайт
  • № 2018630029 Интегральная микросхема MIK51AB144D – однокристальный микроконтроллер для персональной электронной карты военнослужащего
  • № 2018630030 Блок памяти ЭСППЗУ 1 Кбайт
  • № 2018630031 Блок памяти ЭСППЗУ 640 бит
  • № 2018630032 Блок памяти ЭСППЗУ 128 Кбайт
  • № 2018630088 Топология базовой ячейки памяти ОЗУ первого типа, разработанная по полупроводниковой технологии КНИ 90 нм на основе транзисторов а-типа и h-типа с напряжением питания 1.2 В.
  • № 2018630089 Топология базовой ячейки памяти ОЗУ второго типа, разработанная по полупроводниковой технологии КНИ 90 нм на основе транзисторов а-типа и h-типа с напряжением питания 1.2 В.
  • № 2018630121 Топология базовой ячейки памяти ПЗУ второго типа, разработанная по полупроводниковой технологии КНИ 90 нм с напряжением питания 1.2 В
  • № 2018630122 Топология базовой ячейки памяти ПЗУ первого типа, разработанная по полупроводниковой технологии КНИ 90 нм с напряжением питания 1.2 В
  • № 2670248 Способ формирования локальной захороненной диэлектрической области изоляции активной части транзисторов с трехмерной структурой затвора (FinFET)
  • № 174504 Схема защиты от разрядов статического электричества для интегральных микросхем структуры метал-окисел-полупроводник с двумя равнозначными выводами
  • № 172597 Источник опорного напряжения и эталонного тока
  • № 178895 Зондовое устройство для контроля электрических параметров кристаллов микроэлектронных приборов на пластине
  • № 2017615198 Операционная система для смарт-карт Vita 1.00.
  • № 2017615907 Операционная система для персональной электронной карты военнослужащего Trust 2.33M.
  • № 2017616313 Операционная система для смарт-карт Just 1.10 с виртуальной машиной JavaCard.
  • № 2017617400 Интегрированная среда разработки апплетов для смарт-карт на языке программирования JavaCard – Jedi 1.00.
  • № 2017630060 Топология интегральных микросхем интерфейсных элементов ввода-вывода, разработанных на базе полупроводниковой технологии КНИ 250 нм с четырмя слоями метализации, напряжением питания 3.3 В и толерантных к входному сигналу с амплитудой до 5.0 В
  • № 2017630065 Массив ячеек FRAM 1 Мбит
  • № 2017630100 Радиочастотная микросхема для водительского удостоверения и свидетельства о регистрации транспортного средства
  • № 2017630104 Блок энергонезависимой памяти ЭСППЗУ 16 Кбайт
  • № 2017630105 Блок энергонезависимой памяти ЭСППЗУ 32 Кбайта
  • № 2017630107 Интегральная микросхема MIK640M3D - однокристальный микроконтроллер для электронных билетов
  • № 2017630111 Интегральная микросхема MIK51ВС16D – однокристальный микроконтроллер для банковских приложений
  • № 2017630112 Интегральная микросхема MIK213ND – однокристальный микроконтроллер, совместимый с NFC FORUM TYPE 2 TAG
  • № 2017630113 Интегральная микросхема MIK1КМСМ – однокристальный микроконтроллер с поддержкой шифрования
  • № 2017630114 Интегральная микросхема MIK1312ЕD – однокристальный микроконтроллер для электронных билетов с расширенным набором функций
  • № 2017630151 Интегральная микросхема 1487УД2У, Р – двуканальный операционный усилитель прецизионный
  • № 2017630152 Интегральная микросхема 1487УД1У, Р – операционный усилитель прецизионный
  • № 2017630153 Интегральная микросхема MIK216ND - однокристальный микроконтроллер, совместимый с NFC FORUM TYPE 2 TAG
  • № 2017630154 Интегральная микросхема MIK1К5PTAC – однокристальный микроконтроллер для электронных билетов с поддержкой шифрования
  • № 2017630155 Интегральная микросхема MIK215ND - однокристальный микроконтроллер, совместимый с NFC FORUM TYPE 2 TAG
  • № 2017630158 Интегральная микросхема MIK51 AD144D – универсальный однокристальный микроконтроллер с энергонезависимой памятью 144 КБайт
  • № 2017630159 Топология ячейки энергонезависимой электрически стираемой перепрограммируемой памяти
  • № 2654522 Способ повышения плотности тока и деградационной стойкости автоэмиссионных катодов на кремниевых пластинах
  • № 2649622 Ячейка сегнетоэлектрической памяти
  • № 2643938 Способ изготовления высокотемпературных КМОП КНИ интегральных схем
  • № 163444 Информационный триггер с энергонезависимо сохраняемой электрически перепрограммируемой установкой начальных состояний
  • № 166245 Конструкция биполярных транзисторов, используемых в стабилизированных по ширине запрещенной зоны источниках тока или напряжения для формирования разности напряжений база-эмиттер при разной плотности тока
  • № 2016618931 Операционная система для смарт-карт Trust 2.09S.
  • № 2016630128 Интегральная микросхема SPDT_Chip - переключатель сигналов
  • № 2016630140 Блок энергонезависимой памяти ЭСППЗУ 4 Кбайта
  • № 2611098 Способ формирования системы многоуровневой металлизации на основе вольфрама для высокотемпературных интегральных микросхем
  • № 2609591 Способ изготовления сегнетоэлектрического конденсатора
  • № 2602421 Способ определения температуры пористого слоя по изменениям показателя преломления при адсорбции
  • № 2584146 Корпус мобильных приемо-передающих устройств
  • № 2519826 Тестовый объект для калибровки микроскопов в микрометровом и нанометровом диапазонах
  • № 2523064 Способ формирования многоуровневых медных межсоединений интегральных микросхем с использованием вольфрамовой жесткой маски
  • № 2546710 Способ изготовления кристаллов с теплоотводящими элементами для вертикальной трехмерной (through-silicon vias) сборки многокристальных сверхбольших интегральных схем
  • № 2548523 Способ изготовления многоуровневой медной металлизации с ультра низким значением диэлектрической постоянной внутриуровневой изоляции
  • № 2510631 Электролит и способ осаждения меди на тонкий проводящий подслой на поверхности кремниевых пластин
  • № 2459313 Способ изготовления многоуровневой металлизации интегральных микросхем с пористым диэлектрическим слоем в зазорах между проводниками
  • № 2476917 Способ изготовления штампа для наноимпринт литографии
  • № 2420827 Способ изготовления медной многоуровневой металлизации СБИС
  • № 2447196 Способ химико-динамической полировки
  • № 2436188 Способ изготовления многоуровневых межсоединений интегральных микросхем с воздушными зазорами
  • № 2439618 Прецизионный детектирующий узел ионизирующего излучения
  • № 2450385 Состав газовой смеси для формирования нитрид танталового металлического затвора методом плазмохимического травления
  • № 2412504 Способ изготовления структуры кремний на изоляторе
  • № 2391738 Структура и способ изготовления полевых эмиссионных элементов с углеродными нанотрубками, используемыми в качестве катодов