Базовые кафедры
Кафедра «Микро- и наноэлектроника»
в МФТИ
В век наукоемких технологий микроэлектроника является одним из самых динамично развивающихся и качественно меняющихся направлений науки и техники, оказывающих глубокое влияние на жизнь и развитие общества в целом. Микроэлектронная отрасль России способствует эффективному решению самых сложных экономических, научных, технических и технологических проблем, стоящих сегодня перед страной.
Кафедра «микро- и наноэлектроники» представляет собой учебный и научно-исследовательский центр по подготовке высококвалифицированных специалистов в области микроэлектроники, способных работать с самыми современными процессами.
Заведующий кафедрой: Красников Геннадий Яковлевич – президент Российской академии наук, академик РАН, д.т.н., проф., почётный профессор МФТИ, руководитель приоритетного технологического направления Российской Федерации по электронным технологиям.
Заместитель заведующего кафедрой – Горнев Евгений Сергеевич – академик РАН, д.т.н., проф., почетный профессор МФТИ, лауреат государственной премии СССР, кавалер ордена Дружбы народов, дважды лауреат премии Правительства РФ в области науки и техники.
Базовая кафедра осуществляет в соответствии с учебным планом проведение всех видов учебных занятий по закрепленным за ней учебным дисциплинам, организацию и проведение научных исследований и практик обучающихся, руководство проведением научно-исследовательских выпускных квалификационных работ, научно-квалификационных работ (диссертаций) и научных докладов по результатам подготовленных аспирантами и соискателями диссертаций, проведение текущего контроля успеваемости, проведение промежуточной и итоговой аттестации обучающихся.
Учебные курсы ведут 17 преподавателей, из них 2 академика РАН, 7 профессоров- докторов наук, 10 доцентов- кандидатов наук, а также 28 научных руководителей и10 консультантов – ведущих специалистов АО «НИИМЭ.
Основные направления подготовки на кафедре продолжают комплекс фундаментального образования Физтеха. Студенты кафедры успешно совмещают образовательный процесс в МФТИ с научно-практической деятельностью в АО «НИИМЭ». Все студенты и аспиранты кафедры принимают участие в НИОКР, в том числе работах в рамках госзаказов, которые ведутся в подразделениях АО «НИИМЭ».
При приеме на работу студенты 4 курса МФТИ назначаются на должность «техник», а студенты 5 и 6 курса переводятся на должность «младший научный сотрудник». В институте реализована система поощрения сотрудников, за решение научных задач в рамках текущих НИОКР, публикации в научных журналах и сборниках тезисов российских и международных конференций, а также за результаты интеллектуальной деятельности, оформленные в виде патентов на изобретения или программного обеспечения, прошедшего процедуру государственной регистрации. Студентам предоставляется компенсация на оплату жилья в Зеленограде или на аренду автотранспорта для поездок между кампусом МФТИ и Зеленоградом.
Направления исследований и разработок научных коллективов кафедры
Магистерская программа ориентирована на подготовку высококвалифицированных специалистов, способных работать с самыми современными процессами микроэлектроники в сфере организации и проведения теоретических и экспериментальных исследований полупроводниковых микро- и наноструктур, а также в сферах моделирования, разработки и применения микро- и наноэлектронных схем и технологических процессов их создания по самым современным направлениям микроэлектроники.
1. Перспективные технологические процессы микро- и наноэлектроники:
- Разработка технологий атомно-слоевого осаждения и атомно-слоевого травления на уровне суб-10-нм;
- Разработка технологии формирования системы металлизации для проектных норм 22 нм и менее;
- Разработка технологий самосовмещённого роста материалов на ограниченных участках поверхности для формирования трёхмерных структур при переходе к технологическим нормам ниже 14 нм;
- Разработка технологий на основе обеднённого КНИ (FD-SOI) для технологического маршрута уровня 28 нм;
- Разработка отечественных особо чистых материалов и химических реагентов для технологических процессов микроэлектроники, создание методик анализа твёрдых, жидких и газообразных веществ и стабильности технологических сред, обеспечивающих контроль чистоты на уровне ppt и ppq;
- Разработка фотолитографических материалов для взрывной литографии и для рентгеновской литографии.
2. Машинное обучение и анализ больших данных:
- Создание методов для прогнозирования отказов, выявления аномалий и оптимизации параметров технологических процессов;
- Создание базы данных по параметрам надёжности и инструментов интеграции результатов испытаний, моделирования и мониторинга для построения цифрового двойника технологических процессов микроэлектроники.
3. Вычислительная литография:
- Разработка алгоритмических и технологических методов повышения разрешения, включая коррекцию дизайна (OPC, SRAF), оптимизацию формы источника (SMO), применение дифракционных оптических элементов (ДОЭ) и кратной литографии (multipatterning);
- Исследование физикохимических процессов и построение процессных моделей фотолитографии для ускорения разработки новых фотолитографических материалов для уровня 90 нм и ниже.
4. СВЧ и силовая электроника:
- Создание силовых приборов на основе широкозонных полупроводников (SiC, GaN и др.) для изготовления перспективной высоковольтной (1000+ В) ЭКБ;
- Создание фотодетекторов УФ излучения (включая солнечно-слепой диапазон) на основе Ga2O3 и др. специализированной ЭКБ на основе сложных полупроводниковых соединений;
- Технология кремниевых TSV-интерпозеров с необходимыми средствами проектирования для систем в корпусе, в т.ч., многокристальных СВЧ модулей для миниатюризации приёмо-передающих модулей фазированных антенных решёток.
5. Интегральная фотоника:
- Исследование физических основ нанофотоники и наноплазмоники для определения подходов к уменьшению габаритов фотонных интегральных схем;
- Создание собственных программных реализаций расчётных алгоритмов из первых принципов, расширяющих функциональность стандартных сред моделирования и таким образом обеспечивающих возможность моделирования комплексных фотонных интегральных схем;
- Исследование и моделирование оптических квантовых чипов, операций и состояний для квантовых вычислений на фотонной платформе, включая разработку высокоточных моделей с учётом технологических неидеальностей, квантовых шумов и процессов декогеренции.
- Разработка малогабаритного фотонного газового сенсора водорода и других веществ на базе микрокольцевых резонаторов, обеспечивающего высокую чувствительность и селективность при низком энергопотреблении.
6. Энергонезависимая память:
- Создание устройств энергонезависимой памяти (FeRAM, ReRAM, SONOS/TANOS, MRAM), обладающих улучшенной стойкостью и большим ресурсом переключения
7. Сенсорика:
- Разработка интегральной сенсорной платформы на основе мультимодовых акустических волн (поверхностных, объёмных и волн Лэмба) для экспресс-диагностики жидких сред;
- Разработка пассивных и активных радиометок для идентификации объектов в системах мониторинга и Интернета вещей;
- Исследование и создание на основе метаматериалов адаптивных радиооптических систем, способных формировать и воспринимать пространственные электромагнитные поля для задач радиолокации, связи и позиционирования.
Выпускники кафедры
За всё время существования с 2011 г. кафедрой подготовлено более 200 специалистов в области микро- и наноэлектроники. Выпускники кафедры – высококвалифицированные специалисты полупроводниковой индустрии. Уровень подготовки специалистов отвечает высоким международным стандартам. Уникальная образовательная программа, национальные и международные конференции и другие мероприятия для обмена опытом с ведущими учеными в области современной микроэлектроники позволяют молодым специалистам успешно интегрироваться в научно-исследовательские проекты на базе АО «НИИМЭ» еще в процессе обучения. В 2025 г. диплом бакалавра получили 16 человек, диплом магистра восемь человек. Пять человек закончили аспирантуру и успешно защитили научные доклады.
Ежегодно студенты и аспиранты базовой кафедры микро- и наноэлектроники МФТИ представляют более 100 докладов на 20 научно-технических конференциях и публикуют порядка 30 статей в отечественных и зарубежных журналах, успешно участвуют в конкурсах технологических проектов:
Кафедрой оказывается значительная научно-методическая и материальная поддержка исследований студентов, магистрантов и аспирантов с целью получения ими степени кандидата наук. С момента создания кафедры в 2011 г. и первого приёма в аспирантуру в 2013 г. успешно защитили кандидатскую диссертацию 30 выпускников.
Кафедра «Субмикронная технология
СБИС» в МИЭТ
В 1998 году приказом ректора МИЭТ была создана базовая кафедра НИИМЭ «Субмикронная технология СБИС» как структурное учебно-научное подразделение факультета «Электроника и компьютерные технологии».
Кафедру возглавляет генеральный директор АО «НИИМЭ» Кравцов Александр Сергеевич, к.т.н., лауреат Премии Правительства Российской Федерации в области науки и техники 2015 г. и 2023 г.
Подготовка студентов на базовой кафедре НИИМЭ в МИЭТе предусматривает изучение факультативных специальных дисциплин, прохождение учебно-ознакомительной, производственной, преддипломной и научно-исследовательской практик и выполнение курсовых и дипломных проектов.
Тематика курсов обучения и организация практической подготовки студентов МИЭТ позволяют в определенной мере исключить разрыв между базовой вузовской подготовкой выпускников и комплексом знаний, необходимым специалистам современного производства.
Основные направления подготовки студентов, магистров и аспирантов кафедры:
- микроэлектроника и твердотельная электроника
- микросистемная техника
- системы автоматизированного проектирования
- нанотехнология в электронике
- микроэлектроника и полупроводниковые приборы
- электроника и микроэлектроника
- технология и проектирование интегральных микросхем
- микро- и наноэлектроника
- системы автоматизации проектирования
- твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
Целевой набор
Целевое образование обеспечивает студенту постепенную интеграцию в профессиональное сообщество, адаптацию в коллективе и к будущей специальности, ранний профессиональный опыт и гарантированное трудоустройство, дополнительным преимуществом является финансовая поддержка от предприятия на весь период обучения.
С каждым годом Минпромторг увеличивает квоты целевых мест в вузах для нашего предприятия. Растет конкурс среди абитуриентов, желающих построить карьеру в НИИМЭ. Такой интерес – результат усиления заинтересованности молодежи в раннем старте карьеры. Ежегодно НИИМЭ проводит более ста профориентационных и научно-просветительских мероприятий как в вузах, так и в самом институте.
Мы стремимся формировать научно-инженерное мышление уже в раннем возрасте, вовлекая любознательных школьников и студентов в исследовательскую деятельность. Для этого мы используем различные практики от проведения школьных техноквизов до конкурсов проектных работ учащихся под руководством молодых специалистов предприятия.
Практики и стажировки
Образовательный центр НИИМЭ – центр передачи знаний между поколениями ученых и специалистов. Институт предлагает уникальную возможность профессионального роста в таких ключевых направлениях как микроэлектроника, материаловедение, нанотехнологии, программирование.
Каждый практикант работает под руководством наставника и получает доступ к базе знаний компании. Руководители практики – специалисты с уникальными техническими компетенциями и опытом наставничества.
Студенты могут претендовать на практику, начиная со второго курса, а на стажировку – с третьего курса. Приветствуется наличие собственных проектов, разработок, призовые места в конкурсах проектов и на олимпиадах.
Ежегодно около 80 студентов проходят летнюю стажировку, а свыше ста - производственную практику. Привлечением студентов, стремящихся принять участие в развитии отечественной микроэлектроники, занимаются молодые специалисты, демонстрируя возможности профессионального успеха для молодежи. Это стало для нас главной задачей в работе с новым поколением специалистов.
Направления, по которым возможно прохождение стажировки и практики:
- Нанотехнологии: Электроника и наноэлектроника, Наноинженерия, Нанотехнологии и микросистемная техника, Наноматериалы;
- Технологии материалов: Материаловедение и технологии материалов;
- Программирование: Прикладная информатика, Информационные системы и технологии, Информатика и вычислительная техника, Прикладная математика и информатика, Программная инженерия, Математическое обеспечение и администрирование информационных систем, Прикладная информатика в экономике, Фундаментальная информатика и информационные технологии, Прикладная математика, Математика и компьютерные науки, Разработка программно-информационных систем, Математическое моделирование и вычислительная математика, Вычислительные машины, комплексы, системы и сети;
- Электроника и приборостроение: Приборостроение, Конструирование и технология электронных средств, Фотоника и оптоинформатика; Радиотехнические средства передачи, приема и обработки сигналов;
- Математика и физика: Физика, Радиофизика, Механика и математическое моделирование, Техническая физика, Прикладные математика и физика, Химия, физика и механика материалов, Фундаментальная физика, Фундаментальная и прикладная физика
На стажировку могут претендовать студенты 3 курса и старше. На практику приглашаются студенты профильных направлений подготовки 2 курса и старше. Приветствуется наличие собственных проектов, разработок, призовые места в конкурсах проектов и на олимпиадах.
Для подачи заявки необходимо отправить резюме на почту
Повышение квалификации
Учебный центр НИИМЭ
Мы готовим специалистов к профессиональному экзамену на основе профстандартов и требований законодательства, разрабатываем образовательные программы под заказ в партнёрстве с ведущими инженерными центрами на основе авторских материалов исследований инженеров и ученых, сопровождаем внедрение профессиональных стандартов в HR-процессы, проводим реализуем обязательное обучение по ГО и ЧС, пожарно-техническому минимуму и первой помощи, предлагаем технически ориентированую языковую подготовку с носителями английского и китайского языка, а также реализуем программы повышения квалификации для инженерно-технического и производственного персонала в сфере микро- и наноэлектроники.
Наши преподаватели - эксперты в области разработки и производства полупроводниковых изделий, авторы научных исследований и опытно-конструкторских работ по федеральным программам Минпромторга РФ, Минобрнауки РФ, ГК Роскосмос.
По окончании обучения выпускники получают официальный документ с занесением в государственный реестр о завершении курса (сертификат, удостоверение или диплом о профессиональной переподготовке в зависимости от количества академических часов).
Обучение реализуется в различных форматах: очно, очно-заочно, он-лайн, дистанционно в виде ЭУК. Значительная часть образовательных программ практикоориентирована и проводится в Зеленограде, на площадке Учебного Центра НИИМЭ в лабораториях и на экспериментальных участках. Все программы доступны в индивидуальном и корпоративном формате.
Образовательные программы
Наши курсы повышения квалификации созданы на основе профстандартов, учитывают требования законодательства к квалификации специалистов в наноиндустрии и отражают их в составе программы и итоговых экзаменах.
Подробнее об образовательных программах на странице
Сведения об образовательной организации
Акционерное общество «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники» (АО «НИИМЭ») основано 20 июля 2011 года. Лицензия на осуществление образовательной деятельности АО «НИИМЭ» получена 23 августа 2017 года. Является учредителем специализированного структурного образовательного подразделения.
Реализуются очная, заочная и с использованием дистанционных технологий формы обучения на русском языке. Нормативные сроки обучения составляют по программам повышения квалификации орт 16 до 250 часов и свыше 250 часов по программам профессиональной переподготовки.
Документы:
Устав, Лицензия на осуществление образовательной деятельности (с приложениями), Положение об учебном центре
Подробнее с перечнем программ обучения можно ознакомиться на сайте:
Руководители структурного подразделения «Учебный центр»:
Поликарпова Лилиана Владимировна,
заместитель генерального директора по организационному развитию и управлению персоналом
Контакты: +7 (495) 229-72-27, lpolikarpova@niime.ru
Садкова Наталья Владимировна,
директор по развитию профессионального образования
Контакты: +7 (495) 229-74-83, nsadkova@niime.ru
Место нахождения АО «НИИМЭ» и образовательного подразделения:
124460, Россия, Москва, Зеленоград, ул. Академика Валиева, 6/1.
Контактные телефоны: +7 (495) 229-72-99, +7 (495) 229-72-87.
Адреса электронной почты: niime@niime.ru, edu@niime.ru.
Адреса сайта: https://www.niime.ru/.
Центр оценки квалификации
Центр оценки квалификаций – первый в России специализированный центр в области микроэлектроники. Сегодня мы проводим независимую оценку специалистов по всем ключевым направлениям: от проектирования наноразмерных микросхем до управления производственными процессами.
В нашем арсенале 25 профессиональных стандартов и 77 квалификаций. Над оценкой работают 55 технических экспертов института. Ежегодно мы проводим около 100 экзаменов, включая специальную программу «Вход в профессию» для студентов и выпускников.