Научный семинар, посвященный созданию и применению гетероструктур, прошел 4 марта в ИРЭ им. В.А.Котельникова РАН

Научный семинар, посвященный созданию и применению гетероструктур, прошел 4 марта в ИРЭ им. В.А.Котельникова РАН

06.03.2020
4 марта в ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН состоялся семинар «Физико-технологические проблемы создания и применения гетероструктур для силовых, СВЧ- и полупроводниковых приборов и лазеров» Научного совета ОНИТ РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем
и материалов для ее создания».

Научный семинар был организован Отделением нанотехнологий и информационных технологий РАН, научным советом ОНИТ РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания», научно-производственным Консорциумом «Перспективные материалы и элементная база информационных и вычислительных систем» и АО «НИИМЭ».

Председательствовал академик РАН, член Научного совета, научный руководитель ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН Ю.В. Гуляев.

В своем вступительном слове при открытии научного семинара академик РАН, член Научного совета, научный руководитель ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН Ю.В. Гуляев отметил важность проведения исследований в области создания полупроводниковых гетероструктур и разнообразие применений приборов на основе гетероструктур. Он особо подчеркнул роль лауреата Нобелевской премии академика РАН Ж.И. Алфёрова, получившего эту премию за исследования в области гетероструктур и ставшего основоположником отечественной научной школы указанного направления.

В работе научного семинара приняли участие 49 представителей из 24 ведущих профильных организаций и предприятий: АО «НИИМЭ», АО «НПП «Пульсар», АО «Эпиэл», ВлГУ, ИПТМ РАН, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН, ИСВЧПЭ РАН, ИФП СО РАН, МГУ имени М.В. Ломоносова, МФТИ, НИТУ «МИСиС», НИУ МИЭТ, НИЦ «Курчатовский институт», НИЯУ МИФИ, НОЦ «Технологический центр» РТУ МИРЭА, НТЦ микроэлектроники РАН, НТЦ УП РАН, ООО «Коннектор Оптикс», Российского национального комитета Международного научного радиосоюза (РНК URSI), РТУ МИРЭА, Университет ИТМО, ФИАН, ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН, ФИЦ ИУ РАН.

Во время научного семинара было заслушано 8 докладов, в обсуждении которых приняли участие 19 человек.
Доклады отразили уровень проводимых исследований в области совершенствования гетероструктур для силовых, СВЧ- и полупроводниковых приборов и лазеров в нашей стране, что позволит составить объективные и научно-обоснованные планы развития российской микроэлектроники на ближайшие годы.

Участники семинара отметили важную роль развития перспективных отечественных подходов в области совершенствования гетероструктур для создания элементной базы, а также для обеспечения технологической независимости нашей страны.

Презентации к докладам доступны по ссылкам с разрешения их авторов:

1. член-корр. РАН Устинов Виктор Михайлович (НТЦ микроэлектроники РАН), к.ф.-м.н. Лундин Всеволод Владимирович (ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН), д.ф.-м.н. Цацульников Андрей Федорович (НТЦ микроэлектроники РАН). Широкозонные III-N гетероструктуры для СВЧ и силовых приборов - оборудование и технология.
2. член-корр. РАН Егоров Антон Юрьевич (ООО «Коннектор Оптикс», Университет ИТМО). Быстродействующие вертикально-излучающие лазеры диапазона 1550 нм.
3. к.ф.-м.н. Хабибуллин Рустам Анварович (ИСВЧПЭ РАН). Новые схемы генерации и материалы для терагерцовых квантово-каскадных лазеров: увеличение рабочих температур и частот, инженерия лазерного пучка и управление спектральными характеристиками.
4. член-корр. РАН Двуреченский Анатолий Васильевич, д.ф.-м.н. Якимов Андрей Иннокентьевич, к.ф.-м.н. Блошкин Алексей Александрович, к.ф.-м.н. Кириенко Виктор Владимирович, к.ф.-м.н. Зиновьева Айгуль Фанизовна, к.ф.-м.н. Зиновьев Владимир Анатольевич, к.ф.-м.н. Ненашев Алексей Владимирович (ИФП СО РАН). Коллективные эффекты в повышении квантовой эффективности поглощения и излучения света в гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками.
5. к.ф.-м.н. Климов Евгений Александрович, Галиев Ринат Радифович (ИСВЧПЭ РАН). Физико-технологические аспекты создания СВЧ приборов на полупроводниковых структурах A3B5: эпитаксия и субмикронная литография.
6. к.т.н. Егоркин Владимир Ильич (НИУ МИЭТ, ФИАН). Нормально-закрытые транзисторы на основе гетероструктур нитрида галлия для силовых приборов.
7. к.ф.-м.н. Занавескин Максим Леонидович (НИЦ «Курчатовский институт»). Разработка полного цикла технологий эпитаксии и кристального производства GaN-on-Si в НИЦ «Курчатовский институт».
8. к.т.н. Федотов Сергей Дмитриевич (АО «Эпиэл»). Формирование III-N гетероструктур на виртуальных подложках 3C-SiC/Si.

Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /home/niimeru/niime.ru/docs/local/templates/niime/footer.php:18) in /home/niimeru/niime.ru/docs/bitrix/modules/main/lib/httpresponse.php on line 225