НИИ молекулярной электроники - 59 лет

НИИ молекулярной электроники - 59 лет

09.03.2023

9 марта 1964 года Председателем Государственного комитета Совета Министров СССР по электронной технике А.И. Шокиным был подписан приказ о создании НИИ молекулярной электроники. В январе 1965 года руководителем НИИМЭ назначен Камиль Ахметович Валиев, 34-летний доктор физико-математических наук, будущий академик РАН. С Камиля Ахметовича началась и развернулась научная деятельность предприятия. 1 февраля 1967 года приказом министра электронной промышленности при НИИМЭ был организован опытный завод «Микрон», который стал флагманом производства микросхем в СССР.

НИИМЭ с опытным заводом «Микрон» сыграли решающую роль в становлении отечественной микроэлектронной отрасти – они оказывали огромную помощь серийным заводам по производству интегральных схем, помогали во внедрении разработанных в НИИМЭ технологий и изделий. Это обеспечило создание производства более чем на 30 предприятиях СССР – практически во всех столицах союзных республик и в крупных научно-промышленных центрах страны.

НИИМЭ очень быстро стал общепризнанным головным предприятием электронной отрасли по разработке и производству твердотельных микросхем. Коллектив института взял на себя ответственность за развитие и создание производства массовых серий интегральных схем по всем известным на то время технологическим направлениям и в 1965–1975 годах ежегодно разрабатывал более 50 новых интегральных схем и столько же перепроектировал или улучшал из ранее выпущенных.

В НИИМЭ впервые в отрасли был разработан базовый планарно-эпитаксиальный технологический процесс и начат выпуск логических и линейных микросхем, созданы научные принципы формирования полупроводниковых структур А3В5 и разработана планарная технология арсенид-галлиевых микросхем, внедрены плазмохимические процессы в технологии изготовления интегральных схем, изготовлены первые отечественные цифровые и аналоговые микросхемы массового применения, микропроцессорные БИС ТТЛ с диодами Шоттки. Свыше 30 предприятий, создающих радиоэлектронную аппаратуру для специальной техники, являлись потребителями микросхем, созданных в НИИМЭ. Технологические комплексы изготовления сверхскоростных транзисторов и твердотельных приборов микроэлектроники, а также интегральных схем на их основе, были выполнены на уровне мировых достижений, что позволяло обеспечивать высокий авторитет отечественных научных исследований в области физики твердотельных наноструктур.

За время своей деятельности НИИМЭ выполнял важнейшие государственные задания в области создания и освоения в производстве передовой микроэлектронной продукции, нашедшей широкое применение в отечественной вычислительной технике, радиоэлектронных устройствах и системах связи. Разработанные в НИИМЭ микросхемы были основной элементной базой электронных вычислительных машин и вычислительных комплексов, работавших в разных отраслях народного хозяйства. Многие разработки использовались в системах межпланетных космических аппаратов, в бортовом оборудовании космических кораблей и средств выведения на орбиту.

За выдающиеся научные разработки в области проектирования интегральных схем и создания цифровых интегральных схем широкого применения многие сотрудники НИИМЭ были удостоены государственных премий, а за разработку элементной базы для Единой системы электронных вычислительных машин (ЕС ЭВМ) институт в 1984 году был отмечен государственной наградой - орденом Трудового Красного Знамени.

В НИИМЭ были созданы и развиты научные основы промышленной технологии производства сверхбольших интегральных схем (СБИС) с субмикронными размерами, построена и обоснована комплексная многоуровневая система, включающая в себя технологические процессы, оборудование, методы и средства моделирования проектирования, диагностики, контроля и условия производства конкурентоспособных отечественных СБИС, что особенно актуально для сохранения и развития достигнутых в свое время отечественных приоритетов в области микроэлектроники.

В 2000х годах учеными и инженерами НИИМЭ была сформирована научно - производственная база для проектирования СБИС высокой функциональной сложности с топологическими размерами 180–90-65 нм для обеспечения отечественной промышленности современными микроэлектронными компонентами.

В 2016 году генеральный директор НИИМЭ академик РАН Г.Я. Красников решением Президента Российской Федерации В.В. Путина был назначен руководителем приоритетного технологического направления по электронным технологиям РФ, а НИИ молекулярной электроники постановлением Правительства РФ было определено головным предприятием приоритетного технологического направления. В этом статусе НИИМЭ осуществляет координацию деятельности научных и производственных учреждений микроэлектронной отрасли РФ по разработке и применению отечественной элементной базы в электронных изделиях российского производства.

Разработанные в АО «НИИМЭ» интегральные микросхемы применяются в государственных электронных документах, транспортных и электронных смарт-картах, банковских картах платежной системы «МИР» и многих других изделиях, обеспечивая надежное хранение персональных данных, информационную безопасность граждан и технологическую независимость государства.

Сегодня в НИИМЭ, сохранившем уникальный кадровый и научно-образовательный потенциал, идет целенаправленная подготовка молодых специалистов и ученых, создаются новые образовательные программы, активно ведутся научно-исследовательские и опытно-конструкторские разработки мирового уровня.

Поздравляем коллектив НИИМЭ с Днем Рождения предприятия и желаем крепкого здоровья, благополучия и новых достижений в созидательном труде!