Продукты

 Комплект средств проектирования PDK для отечественной полупроводниковой технологии КМОП 180 нм 4 металла (CMOSF8_4M_5V)

Комплект средств проектирования, содержащий данные технологической среды проектирования, состоящий из библиотеки аналоговых примитивов, технологического файла, файлов физической верификации, целевого профиля паразитной RC экстракции, SPICE-моделей и других вспомогательных программ, скриптов, предоставляемых разработчику и необходимых для осуществления процесса проектирования и моделирования электрических схем, разработки и верификации топологии интегральных схем.

Поддерживаемые версии САПР:

Описание:

Функциональные характеристики

1.      Поддержка аппаратных средств с архитектурой процессора x86 или совместимой:

·        процессоры семейства x86-64 с тактовой частотой не менее 3.2 ГГц;

·        оперативная память не менее 16 Гб;

·        графический процессор не требуется;

·        объем дискового пространства не менее 500 Гб.

·        Операционная система (далее ОС):

o   Linux: CentOS 7.5, AstraLinux 1.7 SE или «Альт Рабочая станция».

o   python34, ksh:

2.      Библиотеки аналоговых примитивов:

·        Описание: Включает аналоговые приборы, пассивные компоненты и специальные элементы.

·        Функция: Обеспечивает базовые строительные блоки для проектирования ИС.

3.      Модели устройств:

·        Описание: SPICE-модели для транзисторов, диодов и других компонентов.

·        Функция: Позволяет выполнять точное моделирование и симуляцию электрических характеристик.

4.      Правила проектирования (DRC/LVS):

·        Описание: Набор правил для проверки топологии (Design Rule Checking) и соответствия схемы (Layout Versus Schematic).

·        Функция: Обеспечивает соответствие топологии технологическим ограничениям и корректность проектирования.

5.      Инструменты экстракции:

·        Описание: Средства для экстракции паразитных элементов.

·        Функция: Позволяет учитывать влияние паразитных эффектов на поведение схемы.

6.      Технологические файлы:

·        Описание: Информация о слоях, масках и процессах.

·        Функция: Обеспечивает данные для точного проектирования и производства.

7.      Документация:

·        Описание: Руководства и справочные материалы.

·        Функция: Обучает и поддерживает инженеров в использовании PDK.

8.      Поддержка автоматизации:

·        Описание: Скрипты и инструменты для автоматизации проектных процессов.

·        Функция: Ускоряет разработку и повышает её эффективность.

9.      Интерфейсы и совместимость:

·        Описание: Совместимость с различными EDA-инструментами.

·        Функция: Обеспечивает интеграцию PDK с популярными программными средствами для проектирования.

10.   Поддерживаемый технологический процесс:

• Щелевая изоляция (Shallow trench isolation-STI);
• КМОП процесс с двумя типами карманов и подложкой <100> P-типа с эпитаксией P+типа (толщина эпитаксиального слоя равна 6 мкм, удельное сопротивление подложки равно 10-13 Ом*см);
• Особенностями технологического процесса являются: присутствие салицида на PN-переходах и на поликремнии; наличие резисторов на основе активных областей; использование меж соединений с использованием N+ или Р+ поликремния; добавление технологических модулей (областей), предназначенных для интеграции высоковольтных(ВВ) транзисторов для работы ЭСППЗУ;
• Транзисторы типа Low Leakage (High Vt) с параметрами Tox= 3.5 нм, L = 0.18 мкм доступны для 1.8В приложений;
• Транзисторы типа High voltage (HV) с параметрами Tox= 20 нм, L = 0.8 мкм.

Ключевые особенности BE части:

·        Дополнительный вольфрамовый слой Local Interconnect Level (LIL) для локальных меж соединений (R = 320мОм/□);

·        Металл 1, 2, 3, 4: Al-Cuслои металлизации, шаг трассировки которых равен 0.64 мкм (R = 72 мОм/□);

·        Диэлектрик с низким коэффициентом диэлектрической проницаемости (Low K) используется как межслойный диэлектрик между металлами 1, 2, 3, 4.

Установка Комплекта средств проектирования для технологии КМОП 0.18 мкм 4 металла (CMOSF8_4M_5V)

Пошаговая инструкция:

1.     Установить PDK, распаковав файл архива «DB_PDK_cmosf8_4m_5v.tgz» из корневой директории на носителе из комплекта поставки

2.     Установить переменные окружения среды Unix

В случае использования командной оболочки C-shell (csh, tcsh):

% setenv DKCMOSF8M4 <полный путь к PDK>/PDK_v<версия>

% setenv CDS_Netlisting_Mode “Analog”

В случае использования командной оболочки Bash shell (bash):

% export DKCMOSF8M4=<полный путь к PDK>/PDK_v<версия>

% export CDS_Netlisting_Mode=“Analog”

3.     Создать директорию для нового проекта

% mkdir ~/new_project

4.     Скопировать в директорию проекта файлы

% cp $DKCMOSF8M4/cadence/display.drf ~/new_project

% cp $DKCMOSF8M4/env/.cdsinit ~/new_project

% cp $DKCMOSF8M4/env/.cdsenv ~/new_project

% cp $DKCMOSF8M4/env/.simrc ~/new_project

5.     Создать в директории проекта файл cds.lib, открыть его в текстовом редакторе и добавить строку:

INCLUDE ${DKCMOSF8M4}/cabence/cds.lib

Более подробная информация предоставляется в комплекте с поставкой.

Информация, необходимая для эксплуатации Комплекта средств проектирования для технологии КМОП 0.18 мкм 4 металла (CMOSF8_4M_5V)

1. Аппаратное обеспечение соответствует минимальным требованиям (раздел "Функциональные характеристики");
2. Установлена ОС соответствует требования к инсталлируемым версиям САПР, описанным в разделе "Поддерживаемые версии САПР". Более подробная информация содержится в документации к САПР;
3. Инсталлированы в ОС все необходимые версии САПР. Использование версий САПР не соответствующих рекомендованным, может влиять на результат работы средств проектирования PDK.
4. Более подробная информация указана в соответствующем разделе документации, которая входит в комплект средств проектирования PDK.

Порядок работы по созданию аналоговой ИС (упрощённый):

1. создать директорию будущего проекта ИС
2. создать библиотеку проекта
3. создать электрическую схему
4. создать символ элемента
5. создать схему тестовых воздействий 
6. провести моделирование электрической схемы
7. создать топологию проекта
8. провести физическую верификацию
9. выполнить моделирование схемы с учетом паразитных элементов
10. передать топологию на изготовление

Подробное описание приведено в Руководстве пользователя, которое входит в комплект поставки и дополнительно может быть предоставлено по запросу на адрес lib_support@niime.ru. 

Информация о стоимости Комплекта средств проектирования

Для получения информации по доступу и стоимости Комплекта средств проектирования для технологии КМОП 0.18мкм 4 металла (CMOSF8_4M_5V) необходимо направлять соответствующий запрос на адрес электронной почты: lib_support@niime.ru

Контактная информация по вопросам технической поддержки:

Адрес электронной почты: lib_support@niime.ru

Время работы: пн –пт с 09:00 до 17:00