Научный семинар «Исследования в области спинтроники и перспективы создания элементной базы на ее основе»

Научный семинар «Исследования в области спинтроники и перспективы создания элементной базы на ее основе»

02.07.2018
26 июня в ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН состоялся научный семинар «Исследования в области спинтроники и перспективы создания элементной базы на ее основе».
Семинар был организован Отделением нанотехнологий и информационных технологий Российской академии наук (ОНИТ РАН) совместно с Научным советом РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания» и консорциумом «Перспективные материалы и элементная база информационных и вычислительных систем».
В работе семинара приняли участие 48 представителей из 22 ведущих профильных организаций и предприятий.
Во вступительном слове член-корреспондент РАН С.А. Никитов подчеркнул важную роль спинтроники в преодолении фундаментальных проблем электроники и возможность реализации элементной базы на их основе.
В ходе семинара заслушаны 10 докладов:
1. Д. ф.-м. н. Ю.К. Фетисов (НОЦ «Магнитоэлектрические материалы и устройства» РТУ МИРЭА), академик РАН А.С. Сигов (РТУ МИРЭА) «Спинтроника: физические основы и устройства».
2. Академик РАН В.В. Устинов, к.ф.-м.н. М.А. Миляев (ИФМ УрО РАН) «Металлическая наноспинтроника и элементная база магнитной сенсорики».
3. Член-корреспондент РАН С.А. Никитов, к.ф.-м.н. А.В. Садовников (ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН, СГУ) «Стрейнтроника — новая область спинтроники и магноники».
4. К.ф-м.н. А.Ф. Зиновьева (ИФП СО РАН), к.ф.-м.н. А.В. Ненашев (ИФП СО РАН), к.ф.-м.н. Т.С. Зароднюк (ИДСТУ СО РАН), д.ф.-м.н. А.Ю. Горнов (ИДСТУ СО РАН), член-корреспондент РАН А.В. Двуреченский (ИФП СО РАН) «Квантовые логические операции на спиновых состояниях в непрерывном СВЧ-поле».
5. Д. ф.-м.н. А.А. Фраерман (ИФМ РАН) «Магнитные состояния и транспортные свойства ферромагнитных наноструктур: эффект туннельного магнитосопротивления и его применения».
6. Д. ф.-м.н. М.В. Логунов, член-корреспондент РАН С.А. Никитов (ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН) «Перспективы развития устройств записи и обработки информации на основе магнитных доменов и доменных границ».
7. Д. ф.-м.н. А.И. Морозов (МФТИ) «Магниторезистивная память с записью электрическим полем».
8. Д. ф.-м.н. В.В. Рязанов (ИФТТ РАН) «Гибридные джозефсоновские структуры для устройств сверхпроводниковой электроники и спинтроники».
9. Д. ф.-м.н. Л.С. Успенская (ИФТТ РАН) «Переключение спин-поляризованным током гибридных структур на базе пермаллоя».
10. К.ф.-м.н. В.И. Белотелов (Российский квантовый центр, МГУ), М.А. Кожаев (Российский квантовый центр), А.И. Чернов (Российский квантовый центр, ИОФАН), И.В. Савочкин (МГУ), д. ф.-м.н. А.К. Звездин (Российский квантовый центр, МГУ) «Возбуждение спиновых волн фемтосекундными оптическими импульсами».
Выступления докладчиков отразили уровень проводимых исследований в области спинтроники и перспективы создания элементной базы на ее основе в нашей стране, что позволит составить объективные и научно-обоснованные планы развития российской микроэлектроники на ближайшие годы.
Подводя итоги, член-корреспондент РАН С.А. Никитов отметил высокий научно-технический уровень докладов и выразил надежду на усиление сотрудничества между организациями и предприятиями в области развития спинтроники и создания элементной базы на ее основе.
Другие новости

20.09.2018
Игорь Леонидович, секция «Навигационно-связные СБИС и модули» существует в программе научной конференции «Микроэлектроника – ЭКБ и электронные модули» с момента основания форума «Микроэлектроника». Все это время Вы являетесь ее модератором. Расскажите, пожалуйста, как секция проходила в предыдущие годы, чему были посвящены доклады.

19.09.2018
14 сентября в Институте физики и химии МГУ им. Н.П. Огарёва в прошла лекция генерального директора АО «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники», академика РАН Г.Я. Красникова.  


17.09.2018
Уже в четвертый раз в г. Алушта пройдет Международный форум «Микроэлектроника»



10.09.2018
8 сентября АО «НИИМЭ» приняло участие в праздновании Дня города