Достижения
АО «НИИМЭ» - ведущий российский научно-исследовательский центр по проведению научно-технологических исследований в области микро-
и наноэлектроники, разработке и производству полупроводниковых изделий.
НИИ молекулярной электроники – головное предприятие приоритетного технологического направления «Электронные технологии» Российской Федерации. Мы ведем фундаментальные и прикладные научные исследования, разрабатываем и внедряем технологические процессы и оборудование, создаем средства проектирования и полупроводниковые изделия.
Миссия и ценности
Главными целями АО «НИИМЭ» являются создание и внедрение передовых базовых технологий (включая разработку материалов), проектирование на их основе перспективных сверхбольших интегральных микросхем и другой ЭКБ для удовлетворения потребностей отечественной промышленности и народного хозяйства в современной ЭКБ, а также достижения технологической независимости в критичных технических областях.
Команда и Надежность
Сотрудники – главная ценность НИИМЭ, стабильного, социально-ориентированного предприятия с традициями. В институте работают профессионалы высокого уровня, которые имеют гарантию занятости, стабильность и уверенность в завтрашнем дне.
Наука и Технологии
НИИМЭ – ведущая российская научная и инженерная школа в области микроэлектроники, достойно представляющая отечественные высокие технологии на мировом рынке и в научной среде.
Лидерство и Развитие
НИИМЭ стремится быть технологическим лидером в своей области, занимаясь фундаментальными и поисковыми исследованиями, развивая перспективные технологии, способные изменить мир.
История НИИМЭ
Награды
Награды и премии
Сотрудники НИИМЭ — лауреаты премий, высококвалифицированные специалисты
Государственная премия Российской Федерации
Красников Г.Я.
Ленинская премия
Валиев К.А.
Ковалёв Р.А.
Государственная премия СССР
Авдеев Е.В.
Баталов Б.В.
Горнев Е.С.
Грибов Б.Г.
Дубов Ю.Н.
Дьяков Ю.Н.
Еремеев М.П.
Журавлёв Ю.Д.
Казеннов Г.Г.
Контарёв В.Я.
Котко А.П.
Крамаренко О.Л.
Любимов Е.С.
Назарьян А.Р. (дважды)
Неклюдов В.А.
Попов В.И.
Плехов В.И.
Сафронов А.Я.
Стороженко Г.И.
Терентьев С.П.
Федоренко Ю.С.
Худяков К.И.
Щавлев Н.И.
Щемелинин В.М.
Щетинин Ю.И.
Премия Правительства Российской Федерации
Волк Ч.П.
Горнев Е.С. (дважды)
Игнатов П.В.
Кравцов А.С. (дважды)
Кравченко Л.Н.
Красников Г.Я. (трижды)
Лавренов А.Ю.
Мытник К.Я.
Озерин Ю.В.
Панасенко П.В.
Панасюк В.Н.
Плотников Ю.И.
Ранчин С.О.
Смирнов А.Н.
Сапельников А.Н.
Селецкий А.В.
Шелепин Н.А. (трижды)
Шелепов В.В.
Шипицын Д.С.
Щербаков Н.А.
Эннс В.И.
Премия Совета Министров СССР
Гончар В.К.
Евдокимов В.Л.
Литвак В.Н.
Просий А.Д.
Сулимин А.Д.
Фатькин А.А.
Хрусталев В.А.
Ячменев В.В.
Премия Ленинского комсомола
Беляков Ю.Н.
Винокуров Н.И.
Гусаков В.М.
Дракин К.А.
Дольников С.С.
Дягилев В.Н.
Лебедев В.В.
Луканов Н.М.
Матюхин Л.М.
Немудров В.Г.
Одиноков А.И.
Перервин В.Н.
Самойлов В.Б.
Самсонов Н.С.
Сидоренко В.С.
Новости
В Зеленограде стартовала Предконференция №2 Форума «Микроэлектроника 2026»
17-18 сентября в Зеленограде на базе НИУ МИЭТ проходит второе стартовое мероприятие 12-ой Научной конференции «ЭКБ и электронные модули» Рос…
НИИМЭ на конференции «Мосты»: как сообщества помогают развиваться компаниям
НИИМЭ (входит в Группу компаний «Элемент», MOEX:ELMT) принял участие во второй Всероссийской конференции «Мосты», посвященной развитию …
НИИМЭ выступит партнером ИнфоБЕРЕГ’2026
Форум соберет ключевые предприятия и организации отрасли
Эксперты НИИМЭ представят доклады на Предконференции №1 Форума «Микроэлектроника 2026»
7 сентября в Москве на базе консорциума НИЯУ МИФИ – ЭНПО СПЭЛС стартовала четырехдневная Предконференция №1 «Доверенные и экстремальные элек…
НИИМЭ представил свое видение подготовки кадров на Форуме СПО
С 21 по 26 августа на площадке Федерального технопарка профессионального образования в Калуге прошел финал чемпионата по профессиональному м…
Анонс заседания Научного Совета ОНИТ РАН
В среду 9 сентября 2026 г с 10:00 научный руководитель НИИМЭ, президент РАН академик РАН Г.Я. Красников и научный руководитель ФИЦ проблем х…
СМИ о нас
Спецвыпуск «РАН: крупным планом». Расчет в нанометрах
Когда технологический суверенитет становится вопросом национальной безопасности, развитие микроэлектроники превращается из научно-технической задачи в стратегический императив.
Спецвыпуск «РАН: крупным планом». Взлет разрешен
Люди старшего поколения наверняка помнят лозунг: «Коммунизм - это молодость мира, и его возводить молодым». Сегодня можно только грустно улыбнуться над этой фразой, но ведь мысль-то по сути верная.
НИИМЭ в каталоге "Москва промышленная"
В институте разработаны российские транспортные чипы, включая карту «Тройка», чипы для отечественных банковских карт, загранпаспортов и других идентификационных документов.
IoT в России: проблемы, решения, тенденции
Промышленный IoT сталкивается с уникальными вызовами, которые обусловлены как внутренними, так и внешними факторами: РЭБ, отсутствие отечественных комплектующих и т. д. Есть ли выход — выяснил IT-World.
Программа развития микроэлектроники до 2036
НИИ молекулярной электроники (входит в ГК «Элемент»), резидент ОЭЗ «Технополис Москва» представил комплексные аналитические программы, разработанные по поручению Минпромторга, в том числе по микроэлектронике, фотонике.
"Технополис Москва" тестирует фоторезист 90 нм
Заммэра Москвы по вопросам транспорта и промышленности Максим Ликсутов.: резидент ОЭЗ "Технополис Москва" тестирует российский фоторезист 90 нм.
Сертификаты и лицензии
Политика в области качества
Политика в области качества АО НИИМЭ
Сертификаты и лицензии
Система менеджмента качества
В АО «НИИМЭ» разработана и внедрена уникальная система менеджмента качества, определяющая интегрированные алгоритмы управления критическими процессами микроэлектроники уровня 180-90 нм., включая разработку и квалификацию базовых технологий, комплектов средств проектирования, а также проектирование сверхбольших интегральных схем и фотошаблонов на их основе.
Сертификация системы менеджмента качества на соответствие требованиям ISO 9001:2015, ГОСТ Р ИСО 9001-2015, ГОСТ РВ 0015-002-2020 проводится ведущими в отрасли независимыми органами по сертификации – АНО «Электронсертифика» и Bureau Veritas Certification (до 2022 г.). Алгоритмы управления критическими процессами микроэлектроники в составе СМК зарегистрированы в 2023 г. в Роспатенте (Свидетельство о регистрации №2023623872).
Сертификаты и лицензии
Физико-химическая аналитическая лаборатория
Физико-химическая аналитическая лаборатория отдела инфраструктуры нано и микроэлектронных производств - единственный в России, странах СНГ и Восточной Европы центр ультраследовых исследований и анализов сверхчистых жидких технологических сред.
Проводит измерения жидких сверхчистых материалов (химреактивов и деионизованной воды), используемых в технологических процессах производства микросхем с технологическими нормами до 90 нанометров на наличие примесей. Применяются методы масс-спектрометрии, ионной хроматографии по методикам измерений с диапазонами, находящимися на уровнях следовых концентраций примесей в единицах 10-10 % масс. (ppt), измерения массовых долей основного вещества в единицах % масс. с применением метода титриметрии и измерения воздушно-молекулярных взвесей в чистых производственных помещениях.
ФХАЛ аккредитована Национальной системой аккредитации (Росаккредитация). Уникальный номер записи об аккредитации в реестре аккредитованных лиц RA.RU 21ОЕ26
Контакты
Приёмная:
Канцелярия:
Email:
Адрес:
124460, Россия, Москва,
Зеленоград, улица Академика Валиева, 6/1
Зеленоград, улица Академика Валиева, 6/1
Проезд
Личный транспорт:
Зеленоград, улица Академика Валиева, д. 6/1
Зеленоград, улица Академика Валиева, д. 6/1
Общественный транспорт:
Из Москвы — от станции метро «Ховрино» автобус № Е41 до остановки «Автокомбинат».
Из Москвы — от станции метро «Ховрино» автобус № Е41 до остановки «Автокомбинат».
Из Москвы — с Ленинградского вокзала пригородной электричкой либо МЦД Д3
до станции «Зеленоград-Крюково». Далее на автобусе № 8, 9, 11, 15 или 23
до остановки «Автокомбинат».
