25 и 26 ноября в НИИМЭ прошла секция «Микроэлектроника» 63-й всероссийской конференции МФТИ
27.11.2020
В период с 23 по 29 ноября ведущий технический вуз России – Московский физико-технический институт (МФТИ ГУ) при поддержке Министерства науки и высшего образования Российской Федерации провел 63-ю всероссийскую научную конференцию.
25 и 26 ноября в рамках конференции в НИИМЭ в онлайн-формате была проведена секция «Микроэлектроника». На ней было заслушано 32 тематических доклада студентов и аспирантов базовой кафедры НИИМЭ в МФТИ.
Работа секции велась по четырем направлениям: «Литография», «Приборы микроэлектроники», «Мемристоры и нейросети», «Технологии микроэлектроники». Всего на участие в конференции было подано 38 заявок, из которых программный комитет отобрал для обсуждения 32 доклада. 27 ноября состоялось подведение итогов.
Программный комитет в составе председателя секции, члена-корреспондента РАН, д.т.н., профессора Горнева Е.С., заместителя председателя: д.ф.-м.н., профессора Итальянцева А.Г., к.ф.-м.н. доцента Матюшкина И.В., к.ф.-м.н. Баранова Г.В., к.ф.-м.н. Резванова А.А., к.ф.-м.н. Теплова Г.С., Ганыкина Е.А., Миннуллина Р.Т., Зюзина С.С., Шарапова А.А. определил 7 докладчиков-победителей, которым 2 декабря будут вручены почетные памятные призы.
В этом году программный комитет впервые ввёл критерий «Научность». По этому критерию были поощрены трое докладчиков. За научную новизну, актуальность работ отмечены студентка 2 курса магистратуры Хрущева Ольга, с докладом «Влияние металлов на резонансную частоту и дальность считывания объемной радиочастотной метки», аспирант кафедры Евгений Шамин с докладом «Применение методов машинного обучения к задаче экстрадиции модельных параметров для серии последовательных переключений мемристора» и Андрей Орлов, второкурсник магистратуры с докладом «Вариация входных параметров в модели временного пробоя пористого диэлектрика».
Кроме того, программный комитет единодушно наградил 8 выступающих – студентов 4 курса магистратуры - поощрительными призами. Приступив к обучению на кафедре в сентябре, уже через два месяца каждый из них не только выбрал актуальную тему для исследовательской работы, но и подготовил блестящий доклад.
Работа секции в НИИМЭ позволила получить информацию от докладчиков о результатах их научной работы, а также стала площадкой для обучения студентов и аспирантов кафедры выступлению на открытых слушаниях, ведению научных дискуссий.
В заключительном слове председатель программного комитета, член-корреспондент РАН, д.т.н., профессор, заместитель руководителя базовой кафедры «Микро- и наноэлектроника» в МФТИ, Е.С. Горнев отметил: «Анализ тематики докладов и их содержания показали, что научно-исследовательская работа студентов и аспирантов кафедры микро- и наноэлектроники МФТИ ведется по актуальным на сегодняшний день направлениям, в том числе по технологии 28 нм и нацелена на решение фундаментальных проблем. Выбрано верное направление научной работы. Считаю, что необходимо внедрить практику проведения регулярных тематических встреч с привлечением специалистов из смежных областей науки, проводить мини-конференции для поддержания высокого уровня образования на кафедре».
Базовая кафедра «Микро- и наноэлектроника» была создана АО «НИИМЭ» на факультете физической и квантовой электроники МФТИ в октябре 2011 года. Сегодня это - учебный и научно-исследовательский центр по подготовке высококвалифицированных специалистов микроэлектронной индустрии, способных работать с самыми современными процессами научно-исследовательских работ, опытно- конструкторских разработок и производства. Кафедра располагает современной учебно-материальной базой и высоким научно-педагогическим потенциалом: ее возглавляет академик, член Президиума РАН Г.Я. Красников – в составе преподавательского состава кафедры 5 профессоров - докторов наук и 10 доцентов - кандидатов наук, а также ведущие специалисты НИИМЭ. Уровень подготовки специалистов отвечает высоким международным стандартам: выпускники кафедры становятся высококвалифицированными специалистами мировой полупроводниковой индустрии.
Базовая кафедра диктует очень высокие требования к обучающимся: все студенты выполняют научно-исследовательские работы в АО «НИИМЭ». Институт готовит в первую очередь ученых-исследователей, которые внесут значительный вклад в развитие отечественной микроэлектроники.
25 и 26 ноября в рамках конференции в НИИМЭ в онлайн-формате была проведена секция «Микроэлектроника». На ней было заслушано 32 тематических доклада студентов и аспирантов базовой кафедры НИИМЭ в МФТИ.
Работа секции велась по четырем направлениям: «Литография», «Приборы микроэлектроники», «Мемристоры и нейросети», «Технологии микроэлектроники». Всего на участие в конференции было подано 38 заявок, из которых программный комитет отобрал для обсуждения 32 доклада. 27 ноября состоялось подведение итогов.
Программный комитет в составе председателя секции, члена-корреспондента РАН, д.т.н., профессора Горнева Е.С., заместителя председателя: д.ф.-м.н., профессора Итальянцева А.Г., к.ф.-м.н. доцента Матюшкина И.В., к.ф.-м.н. Баранова Г.В., к.ф.-м.н. Резванова А.А., к.ф.-м.н. Теплова Г.С., Ганыкина Е.А., Миннуллина Р.Т., Зюзина С.С., Шарапова А.А. определил 7 докладчиков-победителей, которым 2 декабря будут вручены почетные памятные призы.
В этом году программный комитет впервые ввёл критерий «Научность». По этому критерию были поощрены трое докладчиков. За научную новизну, актуальность работ отмечены студентка 2 курса магистратуры Хрущева Ольга, с докладом «Влияние металлов на резонансную частоту и дальность считывания объемной радиочастотной метки», аспирант кафедры Евгений Шамин с докладом «Применение методов машинного обучения к задаче экстрадиции модельных параметров для серии последовательных переключений мемристора» и Андрей Орлов, второкурсник магистратуры с докладом «Вариация входных параметров в модели временного пробоя пористого диэлектрика».
Кроме того, программный комитет единодушно наградил 8 выступающих – студентов 4 курса магистратуры - поощрительными призами. Приступив к обучению на кафедре в сентябре, уже через два месяца каждый из них не только выбрал актуальную тему для исследовательской работы, но и подготовил блестящий доклад.
Работа секции в НИИМЭ позволила получить информацию от докладчиков о результатах их научной работы, а также стала площадкой для обучения студентов и аспирантов кафедры выступлению на открытых слушаниях, ведению научных дискуссий.
В заключительном слове председатель программного комитета, член-корреспондент РАН, д.т.н., профессор, заместитель руководителя базовой кафедры «Микро- и наноэлектроника» в МФТИ, Е.С. Горнев отметил: «Анализ тематики докладов и их содержания показали, что научно-исследовательская работа студентов и аспирантов кафедры микро- и наноэлектроники МФТИ ведется по актуальным на сегодняшний день направлениям, в том числе по технологии 28 нм и нацелена на решение фундаментальных проблем. Выбрано верное направление научной работы. Считаю, что необходимо внедрить практику проведения регулярных тематических встреч с привлечением специалистов из смежных областей науки, проводить мини-конференции для поддержания высокого уровня образования на кафедре».
Базовая кафедра «Микро- и наноэлектроника» была создана АО «НИИМЭ» на факультете физической и квантовой электроники МФТИ в октябре 2011 года. Сегодня это - учебный и научно-исследовательский центр по подготовке высококвалифицированных специалистов микроэлектронной индустрии, способных работать с самыми современными процессами научно-исследовательских работ, опытно- конструкторских разработок и производства. Кафедра располагает современной учебно-материальной базой и высоким научно-педагогическим потенциалом: ее возглавляет академик, член Президиума РАН Г.Я. Красников – в составе преподавательского состава кафедры 5 профессоров - докторов наук и 10 доцентов - кандидатов наук, а также ведущие специалисты НИИМЭ. Уровень подготовки специалистов отвечает высоким международным стандартам: выпускники кафедры становятся высококвалифицированными специалистами мировой полупроводниковой индустрии.
Базовая кафедра диктует очень высокие требования к обучающимся: все студенты выполняют научно-исследовательские работы в АО «НИИМЭ». Институт готовит в первую очередь ученых-исследователей, которые внесут значительный вклад в развитие отечественной микроэлектроники.