НИИМЭ отмечает 90 лет со дня рождения академика К.А. Валиева
15.01.2021
Сегодня исполняется 90 лет со дня рождения Камиля Ахметовича Валиева (1931 – 2010) – первого директора НИИ молекулярной электроники и завода «Микрон», советского и российского физика, профессора, доктора физико-математических наук, академика Академии наук СССР (1984) и Российской академии наук (1991), первого директора Физико-технологического института Академии наук (ФТИАН) СССР (1988-2005) и научного руководителя ФТИАН (2005-2010).
Академик К.А. Валиев – лауреат Ленинской премии (1974), Государственной премии РФ (2006), премии Правительства РФ (2000) за разработку и создание новой техники, Государственной премии Азербайджанской ССР (1976), премии РАН имени С.А. Лебедева за цикл работ «Научные и технологические основы элементной базы вычислительной техники» (1997), премии Министерства оборонной промышленности СССР (1997). В 1997 году в его лице впервые российскому учёному была присуждена очень престижная в мировом научном сообществе Международная премия имени Е.К. Завойского за совокупность фундаментальных теоретических работ в области электронного парамагнитного резонанса. Он также награжден орденами «За заслуги перед Отечеством» III и IV степени, Октябрьской Революции, двумя орденами Трудового Красного Знамени.
С именем К.А. Валиева связаны блестящие работы по теории и эксперименту в области магнитно-резонансной спектроскопии конденсированных сред, спектроскопии комбинационного и релеевского рассеяния и инфракрасного поглощения света в жидкостях, создание микроэлектронной промышленности в СССР, разработка физических основ микроэлектронной технологии и, наконец, развитие идеи квантовых компьютеров. Тематика фундаментальных и прикладных исследований, выбранная К.А. Валиевым, включала все методы литографии, плазменного микроструктурирования, диагностику структуры полупроводниковых микросхем, процессы деградации межсоединений микросхем. Он выдвинул идею построения систем сверхплотной постоянной памяти (с атомным разрешением) на основе систем зондовой микроскопии. А опыт исследований в области магнитно-резонансной спектроскопии позволил ему быстро завоевать научные позиции в области квантовых технологий.
Автор более 600 научных трудов, Камиль Ахметович Валиев был избран в самые авторитетные организации научного сообщества: В 1972 году он был избран членом-корреспондентом АН СССР по Отделению общей физики и астрономии, в 1984 году – действительным членом АН СССР, в 1987 году – членом Академии наук «третьего мира», в 1991 году – действительным членом академии наук Татарстана, одним из основателей которой он является. К.А. Валиев также – председатель президиума Научного центра РАН по фундаментальным проблемам вычислительной техники и систем управления (1988). С 1992 года он – заместитель академика-секретаря Отделения информатики, вычислительной техники и автоматизации РАН (с 2002 года Отделение информационных технологий и вычислительных систем РАН), с 1994 года – почетный член Международной академии информатизации, с 1995 года – председатель секции информационных технологий Совета по присуждению премий Правительства РФ в области науки и техники, с 1997 года – член Азиатско-Тихоокеанской академии новых материалов, с 1998 года – член Координационного совета по техническим наукам РАН, с 2003 по 2007 год – член президиума Всероссийской аттестационной комиссии (ВАК), с 2004 года – член Совета Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), с 2007 года – член Комиссии РАН по координации исследований в области нанотехнологий, член Совета по изданию трудов выдающихся ученых. Он также был главным редактором журнала «Микроэлектроника».
Талантливый физик-теоретик и педагог, выдающийся организатор науки Камиль Ахметович Валиев родился в деревне Верхний Шандер Таканышского (теперь Мамадышского) района Республики Татарстан). К.А.Валиев в 1949 году окончил среднюю школу и поступил на физико-математический факультет Казанского государственного университета (КГУ). Университет он закончил с отличием в 1954 году по специальности “Теоретическая физика” и поступил в аспирантуру к талантливому физику-теоретику, ученику академика И.Е.Тамма, профессору Семену Александровичу Альтшулеру. Первая научная работа К.А.Валиева была опубликована в Ученых Записках Казанского университета, в юбилейном сборнике студенческих работ, посвященном 150-летию Университета в 1955 г. В этой работе была вычислена энергия высокочастотного поля, поглощаемая помещенным в поле проводящим (металлическим) цилиндром.
После окончания в 1957 г. аспирантуры КГУ К.А. Валиев был направлен по распределению на преподавательскую работу в Казанский государственный педагогический институт (КГПИ). В 1958 году К.А. Валиев успешно защитил кандидатскую диссертацию, основным фундаментальным результатом которой явилось предсказание эффекта усиления сигнала ядерного магнитного резонанса (ЯМР) за счет присутствия в атоме электронного спина.
В 1958-59 г.г. С.А. Альтшулер и К.А.Валиев выполнили теоретические работы по электронной спин-решеточной релаксации для комплексообразующих ионов металлов в жидких растворах электролитов. В этих работах они предложили механизм релаксации, который стал впоследствии называтьcя в литературе механизмомом Альтшулера-Валиева.
В 1957-64 г.г. Камилем Ахметовичем вместе с учениками Е.Н. Ивановым, Р.М. Юльметьевым, М.М. Бильдановым была получена серия интересных результатов по физике жидкого состояния. Результаты исследований К.А. Валиева в этой области составили материал его докторской диссертации, успешно защищенной им в ноябре 1963 г. Полное ее содержание было опубликовано позже в монографии: К.А.Валиев «Исследование жидкого вещества спектроскопическими методами» Москва, Наука, 2005. За совокупность фундаментальных теоретических работ в области электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) К.А. Валиев в 1997 году был награжден престижной Международной Премией им. Е.К. Завойского.
В середине 1964 года К.А.Валиев был приглашен для работы в Научном Центре микроэлектроники в г. Зеленограде в качестве начальника сектора физических исследований. Научный Центр был задуман как комплекс научно-исследовательских институтов (НИИ) и заводов, каждый из которых решал свою задачу в рамках развития микроэлектронной промышленности в стране.
И уже в феврале 1965 года К.А.Валиев был назначен директором НИИМЭ (организован приказом ГКЭТ 9 марта 1964г.) и созданного при нем в 1967 г. опытного завода «Микрон».
Главной задачей, связанной с созданием микроэлектронной промышленности СССР, была разработка базового технологического маршрута изготовления кремниевых интегральных схем в условиях промышленного производства. Институт под руководством К.А. Валиева развернул широкий фронт научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ в области технологий создания интегральных микросхем массового применения: транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ), транзисторно-транзисторной логики с диодами Шоттки (ТТЛШ), сверхбыстродействующих биполярных токовых ключей, ИС полупроводниковой памяти, ИС на полевых транзисторах металл-окисел-полупроводник (МОП, КМОП), а также ИС управления магнитной памятью ЭВМ на сердечниках, ИС операционных усилителей, серий маломощных ИС для аппаратуры с автономным питанием (для спутников и другой перевозимой аппаратуры). В 1967 впервые в СССР досрочно созданы ИС (инверторы) и разработана технология производства ИС на основе МОП транзисторов, а в 1968 г. впервые в мире создана технология КМОП ИС. К.А. Валиев берет на себя задачу развития и изготовления наиболее популярных серий интегральных схем (ИС), составлявших элементную базу для самой сложной аппаратуры, разрабатывавшейся в СССР. Таких, как цифровые логические микросхемы ТТЛ и ЭСЛ-типа, служившие элементной базой для знаменитых на весь мир противоракетных систем С-300, для Единой системы ЭВМ «Ряд» стран Совета экономической взаимопомощи (СЭВ), серии промышленных ЭВМ СМ, а также КМОП-процессоров.
В НИИМЭ велись фундаментальные исследования в области физики и технологии ИС на арсениде галлия. В результате этих исследований были разработаны ИС на диодах Ганна и полевых транзисторах с затвором Шоттки на этом материале. Эти приборы относятся к классу сверхбыстродействующих благодаря высокой подвижности электронов проводимости в этом материале. По сути, институт создал резервные технологии для обеспечения тех уровней быстродействия радиоэлектронной аппаратуры, которые не обеспечивались кремниевыми ИС. Дополнительным преимуществом ИС на арсениде галлия является их более высокая радиационная стойкость и более широкий температурный диапазон работы.
В теоретической лаборатории НИИМЭ велись фундаментальные работы по теории пробоя в полупроводниках, высокотемпературной проводимости, экспериментальные и теоретические исследования мирового уровня явления фазового перехода металл-полупроводник в окислах ванадия. Для обобщения модели Л.В. Келдыша – Ю.В. Копаева в НИИМЭ разработана технология получения аморфных и монокристаллических плёнок двуокиси ванадия и исследованы их оптические и электрические свойства, дана теоретическая модель некоторых свойств фазовых переходов металл-полупроводник. Получены уникальные экспериментальные результаты по созданию оперативной голографической памяти большой ёмкости на основе плёнок двуокиси ванадия. Эти результаты давали возможность создания оптических сред со свойством памяти с перезаписью.
В этот период под руководством К.А. Валиева в НИИМЭ создана первая автоматизированная система проектирования интегральных схем, отмеченная Госпремией СССР в 1975 году.
К.А. Валиев также участвовал в создании всего комплекса технологического оборудования, в разработке производственных чистых помещений, в организации выпуска большого спектра сверхчистых материалов и т. д.
В середине 1970-х при активном участии Валиева были разработаны большие интегральные схемы микропроцессоров, а с 1976 года началось интенсивное использование микропроцессоров и других сложных ИС при создании наземных комплексов и бортовых устройств в ракетно-космических (ИСЗ серии «Космос» и ЗРК С-300), авиационных, военно-морских, в радиолокационных и радиоастрономических системах.
Объемы внедрения разработок НИИ МЭ на предприятиях отрасли не имели, не имеют и, наверное, никогда не будут иметь прецедента в отечественной истории.
За более чем 55-летнюю историю существования НИИМЭ с заводом «Микрон» создана обширная научная база микроэлектроники, разработано множество интегральных микросхем и технологий их производства и уникальная производственная база изготовления интегральных микросхем. В качестве примера достаточно привести такие уникальные разработки от первых интегральных микросхем до современных СБИС, создание базовых серий ТТЛ микросхем, послуживших элементной основой вычислительных и управляющих систем народно-хозяйственного оборонного значений, создание впервые в мире технологии КМОП ИС, создание в первые в мире приборов Ганна, управляемых диодом Шоттки – прообраза полевых транзисторов с диодом Шоттки, создание первой в стране САПР ИС на базе ЭВМ БЭСМ-6 и САПР на базе МВК «Эльбрус», фундаментальные исследования по созданию оперативной голографической памяти большой ёмкости и многие другие.
Производство микросхем, разработанных в НИИМЭ, было внедрено на предприятиях в Вильнюсе, Киеве, Фрязино, Львове, Павловском Посаде, Новгороде, Таллинне, Риге, Шяуляе, Херсоне, Запорожье, Саранске, Орле, Загорске (Сергиев Посад), Новосибирске (два завода), Александрове, Калуге, Нальчике.
Изделия НИИМЭ выпускались на “Ангстреме” и “Светлане”. В первую очередь, для их производства были созданы завод "Мион" в Минске (ныне - НПО "Интеграл"), "Мезон" в Кишиневе с филиалом в Бендерах, "Азон" в Баку, "Мион" в Тбилиси с филиалами, заводы в Ульяновске, Черновцах, Зеленодольске, Великих Березнах.
С использованием технологий, разработанных в НИИМЭ, работают заводы в Брянске, Томилино. Многие предприятия осваивали изделия и технологии НИИ МЭ для улучшения своих технико-экономических показателей.
На территории СССР не было ни одного предприятия микроэлектроники, которое бы не выпускало микросхем или не использовало технологии, разработанных в НИИМЭ.
К результатам работы К.А. Валиева в НИИМЭ следует отнести и то, что из стен института вышло более 40 докторов наук в том числе 10 членов РАН.
В 1977 г. К.А. Валиев переходит на должность заведующего сектором в Институт космических исследований АН СССР. Через год становится заведующим сектором микроэлектроники Физического института имени П.Н. Лебедева АН СССР, где создает лабораторию микроэлектроники. В 1982 году, после выделения из ФИАНа Института общей физики АН СССР (ИОФАН), его лаборатория была преобразована в отдел микроэлектроники ИОФАН, а в 1983 году он становится также заместителем директора института по научной работе.
Кроме того, в 1967 – 1981 годах Валиев стал основателем и первым заведующим кафедрой интегральных полупроводниковых схем Московского института электронной техники (МИЭТ).
Затем К.А. Валиев получает пост директора-организатора, а с 1986 года – директора Института микроэлектроники АН СССР. В 1988 году становится директором Физико-технологического института АН СССР (ныне РАН), только что созданного по решению Политбюро ЦК КПСС на базе отдела микроэлектроники ИОФАНа. Здесь он организует лабораторию квантовых компьютеров, – область научных исследований, которой занимался последние десять лет.
Как педагог К.А. Валиев с 2001 года заведовал кафедрой квантовой информатики Московского государственного университета имени М.В.Ломоносова. Вел семинары на кафедре физико-технологических проблем микроэлектроники на факультете физической и квантовой электроники Московского физико-технического института (МФТИ).
В 2020 году по инициативе Отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН, Президиум Российской академии наук учредил награду для ученых за выдающиеся заслуги в области микро- и наноэлектроники – золотую медаль имени академика К.А. Валиева. Первым годом присуждения Золотой медали имени К.А. Валиева объявлен 2021 год.
18 февраля 2020 года на заседании президиума правительства Москвы под председательством Сергея Собянина было принято решение поддержать инициативу генерального директора АО «НИИМЭ», академика РАН Г.Я. Красникова, префектуры Зеленограда, а также депутатов района Матушкино о переименовании 1-го Западного проезда в Зеленограде, где находится АО «НИИМЭ» и завод "Микрон", в улицу академика Валиева.
Академик К.А. Валиев – лауреат Ленинской премии (1974), Государственной премии РФ (2006), премии Правительства РФ (2000) за разработку и создание новой техники, Государственной премии Азербайджанской ССР (1976), премии РАН имени С.А. Лебедева за цикл работ «Научные и технологические основы элементной базы вычислительной техники» (1997), премии Министерства оборонной промышленности СССР (1997). В 1997 году в его лице впервые российскому учёному была присуждена очень престижная в мировом научном сообществе Международная премия имени Е.К. Завойского за совокупность фундаментальных теоретических работ в области электронного парамагнитного резонанса. Он также награжден орденами «За заслуги перед Отечеством» III и IV степени, Октябрьской Революции, двумя орденами Трудового Красного Знамени.
С именем К.А. Валиева связаны блестящие работы по теории и эксперименту в области магнитно-резонансной спектроскопии конденсированных сред, спектроскопии комбинационного и релеевского рассеяния и инфракрасного поглощения света в жидкостях, создание микроэлектронной промышленности в СССР, разработка физических основ микроэлектронной технологии и, наконец, развитие идеи квантовых компьютеров. Тематика фундаментальных и прикладных исследований, выбранная К.А. Валиевым, включала все методы литографии, плазменного микроструктурирования, диагностику структуры полупроводниковых микросхем, процессы деградации межсоединений микросхем. Он выдвинул идею построения систем сверхплотной постоянной памяти (с атомным разрешением) на основе систем зондовой микроскопии. А опыт исследований в области магнитно-резонансной спектроскопии позволил ему быстро завоевать научные позиции в области квантовых технологий.
Автор более 600 научных трудов, Камиль Ахметович Валиев был избран в самые авторитетные организации научного сообщества: В 1972 году он был избран членом-корреспондентом АН СССР по Отделению общей физики и астрономии, в 1984 году – действительным членом АН СССР, в 1987 году – членом Академии наук «третьего мира», в 1991 году – действительным членом академии наук Татарстана, одним из основателей которой он является. К.А. Валиев также – председатель президиума Научного центра РАН по фундаментальным проблемам вычислительной техники и систем управления (1988). С 1992 года он – заместитель академика-секретаря Отделения информатики, вычислительной техники и автоматизации РАН (с 2002 года Отделение информационных технологий и вычислительных систем РАН), с 1994 года – почетный член Международной академии информатизации, с 1995 года – председатель секции информационных технологий Совета по присуждению премий Правительства РФ в области науки и техники, с 1997 года – член Азиатско-Тихоокеанской академии новых материалов, с 1998 года – член Координационного совета по техническим наукам РАН, с 2003 по 2007 год – член президиума Всероссийской аттестационной комиссии (ВАК), с 2004 года – член Совета Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), с 2007 года – член Комиссии РАН по координации исследований в области нанотехнологий, член Совета по изданию трудов выдающихся ученых. Он также был главным редактором журнала «Микроэлектроника».
Талантливый физик-теоретик и педагог, выдающийся организатор науки Камиль Ахметович Валиев родился в деревне Верхний Шандер Таканышского (теперь Мамадышского) района Республики Татарстан). К.А.Валиев в 1949 году окончил среднюю школу и поступил на физико-математический факультет Казанского государственного университета (КГУ). Университет он закончил с отличием в 1954 году по специальности “Теоретическая физика” и поступил в аспирантуру к талантливому физику-теоретику, ученику академика И.Е.Тамма, профессору Семену Александровичу Альтшулеру. Первая научная работа К.А.Валиева была опубликована в Ученых Записках Казанского университета, в юбилейном сборнике студенческих работ, посвященном 150-летию Университета в 1955 г. В этой работе была вычислена энергия высокочастотного поля, поглощаемая помещенным в поле проводящим (металлическим) цилиндром.
После окончания в 1957 г. аспирантуры КГУ К.А. Валиев был направлен по распределению на преподавательскую работу в Казанский государственный педагогический институт (КГПИ). В 1958 году К.А. Валиев успешно защитил кандидатскую диссертацию, основным фундаментальным результатом которой явилось предсказание эффекта усиления сигнала ядерного магнитного резонанса (ЯМР) за счет присутствия в атоме электронного спина.
В 1958-59 г.г. С.А. Альтшулер и К.А.Валиев выполнили теоретические работы по электронной спин-решеточной релаксации для комплексообразующих ионов металлов в жидких растворах электролитов. В этих работах они предложили механизм релаксации, который стал впоследствии называтьcя в литературе механизмомом Альтшулера-Валиева.
В 1957-64 г.г. Камилем Ахметовичем вместе с учениками Е.Н. Ивановым, Р.М. Юльметьевым, М.М. Бильдановым была получена серия интересных результатов по физике жидкого состояния. Результаты исследований К.А. Валиева в этой области составили материал его докторской диссертации, успешно защищенной им в ноябре 1963 г. Полное ее содержание было опубликовано позже в монографии: К.А.Валиев «Исследование жидкого вещества спектроскопическими методами» Москва, Наука, 2005. За совокупность фундаментальных теоретических работ в области электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) К.А. Валиев в 1997 году был награжден престижной Международной Премией им. Е.К. Завойского.
В середине 1964 года К.А.Валиев был приглашен для работы в Научном Центре микроэлектроники в г. Зеленограде в качестве начальника сектора физических исследований. Научный Центр был задуман как комплекс научно-исследовательских институтов (НИИ) и заводов, каждый из которых решал свою задачу в рамках развития микроэлектронной промышленности в стране.
И уже в феврале 1965 года К.А.Валиев был назначен директором НИИМЭ (организован приказом ГКЭТ 9 марта 1964г.) и созданного при нем в 1967 г. опытного завода «Микрон».
Главной задачей, связанной с созданием микроэлектронной промышленности СССР, была разработка базового технологического маршрута изготовления кремниевых интегральных схем в условиях промышленного производства. Институт под руководством К.А. Валиева развернул широкий фронт научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ в области технологий создания интегральных микросхем массового применения: транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ), транзисторно-транзисторной логики с диодами Шоттки (ТТЛШ), сверхбыстродействующих биполярных токовых ключей, ИС полупроводниковой памяти, ИС на полевых транзисторах металл-окисел-полупроводник (МОП, КМОП), а также ИС управления магнитной памятью ЭВМ на сердечниках, ИС операционных усилителей, серий маломощных ИС для аппаратуры с автономным питанием (для спутников и другой перевозимой аппаратуры). В 1967 впервые в СССР досрочно созданы ИС (инверторы) и разработана технология производства ИС на основе МОП транзисторов, а в 1968 г. впервые в мире создана технология КМОП ИС. К.А. Валиев берет на себя задачу развития и изготовления наиболее популярных серий интегральных схем (ИС), составлявших элементную базу для самой сложной аппаратуры, разрабатывавшейся в СССР. Таких, как цифровые логические микросхемы ТТЛ и ЭСЛ-типа, служившие элементной базой для знаменитых на весь мир противоракетных систем С-300, для Единой системы ЭВМ «Ряд» стран Совета экономической взаимопомощи (СЭВ), серии промышленных ЭВМ СМ, а также КМОП-процессоров.
В НИИМЭ велись фундаментальные исследования в области физики и технологии ИС на арсениде галлия. В результате этих исследований были разработаны ИС на диодах Ганна и полевых транзисторах с затвором Шоттки на этом материале. Эти приборы относятся к классу сверхбыстродействующих благодаря высокой подвижности электронов проводимости в этом материале. По сути, институт создал резервные технологии для обеспечения тех уровней быстродействия радиоэлектронной аппаратуры, которые не обеспечивались кремниевыми ИС. Дополнительным преимуществом ИС на арсениде галлия является их более высокая радиационная стойкость и более широкий температурный диапазон работы.
В теоретической лаборатории НИИМЭ велись фундаментальные работы по теории пробоя в полупроводниках, высокотемпературной проводимости, экспериментальные и теоретические исследования мирового уровня явления фазового перехода металл-полупроводник в окислах ванадия. Для обобщения модели Л.В. Келдыша – Ю.В. Копаева в НИИМЭ разработана технология получения аморфных и монокристаллических плёнок двуокиси ванадия и исследованы их оптические и электрические свойства, дана теоретическая модель некоторых свойств фазовых переходов металл-полупроводник. Получены уникальные экспериментальные результаты по созданию оперативной голографической памяти большой ёмкости на основе плёнок двуокиси ванадия. Эти результаты давали возможность создания оптических сред со свойством памяти с перезаписью.
В этот период под руководством К.А. Валиева в НИИМЭ создана первая автоматизированная система проектирования интегральных схем, отмеченная Госпремией СССР в 1975 году.
К.А. Валиев также участвовал в создании всего комплекса технологического оборудования, в разработке производственных чистых помещений, в организации выпуска большого спектра сверхчистых материалов и т. д.
В середине 1970-х при активном участии Валиева были разработаны большие интегральные схемы микропроцессоров, а с 1976 года началось интенсивное использование микропроцессоров и других сложных ИС при создании наземных комплексов и бортовых устройств в ракетно-космических (ИСЗ серии «Космос» и ЗРК С-300), авиационных, военно-морских, в радиолокационных и радиоастрономических системах.
Объемы внедрения разработок НИИ МЭ на предприятиях отрасли не имели, не имеют и, наверное, никогда не будут иметь прецедента в отечественной истории.
За более чем 55-летнюю историю существования НИИМЭ с заводом «Микрон» создана обширная научная база микроэлектроники, разработано множество интегральных микросхем и технологий их производства и уникальная производственная база изготовления интегральных микросхем. В качестве примера достаточно привести такие уникальные разработки от первых интегральных микросхем до современных СБИС, создание базовых серий ТТЛ микросхем, послуживших элементной основой вычислительных и управляющих систем народно-хозяйственного оборонного значений, создание впервые в мире технологии КМОП ИС, создание в первые в мире приборов Ганна, управляемых диодом Шоттки – прообраза полевых транзисторов с диодом Шоттки, создание первой в стране САПР ИС на базе ЭВМ БЭСМ-6 и САПР на базе МВК «Эльбрус», фундаментальные исследования по созданию оперативной голографической памяти большой ёмкости и многие другие.
Производство микросхем, разработанных в НИИМЭ, было внедрено на предприятиях в Вильнюсе, Киеве, Фрязино, Львове, Павловском Посаде, Новгороде, Таллинне, Риге, Шяуляе, Херсоне, Запорожье, Саранске, Орле, Загорске (Сергиев Посад), Новосибирске (два завода), Александрове, Калуге, Нальчике.
Изделия НИИМЭ выпускались на “Ангстреме” и “Светлане”. В первую очередь, для их производства были созданы завод "Мион" в Минске (ныне - НПО "Интеграл"), "Мезон" в Кишиневе с филиалом в Бендерах, "Азон" в Баку, "Мион" в Тбилиси с филиалами, заводы в Ульяновске, Черновцах, Зеленодольске, Великих Березнах.
С использованием технологий, разработанных в НИИМЭ, работают заводы в Брянске, Томилино. Многие предприятия осваивали изделия и технологии НИИ МЭ для улучшения своих технико-экономических показателей.
На территории СССР не было ни одного предприятия микроэлектроники, которое бы не выпускало микросхем или не использовало технологии, разработанных в НИИМЭ.
К результатам работы К.А. Валиева в НИИМЭ следует отнести и то, что из стен института вышло более 40 докторов наук в том числе 10 членов РАН.
В 1977 г. К.А. Валиев переходит на должность заведующего сектором в Институт космических исследований АН СССР. Через год становится заведующим сектором микроэлектроники Физического института имени П.Н. Лебедева АН СССР, где создает лабораторию микроэлектроники. В 1982 году, после выделения из ФИАНа Института общей физики АН СССР (ИОФАН), его лаборатория была преобразована в отдел микроэлектроники ИОФАН, а в 1983 году он становится также заместителем директора института по научной работе.
Кроме того, в 1967 – 1981 годах Валиев стал основателем и первым заведующим кафедрой интегральных полупроводниковых схем Московского института электронной техники (МИЭТ).
Затем К.А. Валиев получает пост директора-организатора, а с 1986 года – директора Института микроэлектроники АН СССР. В 1988 году становится директором Физико-технологического института АН СССР (ныне РАН), только что созданного по решению Политбюро ЦК КПСС на базе отдела микроэлектроники ИОФАНа. Здесь он организует лабораторию квантовых компьютеров, – область научных исследований, которой занимался последние десять лет.
Как педагог К.А. Валиев с 2001 года заведовал кафедрой квантовой информатики Московского государственного университета имени М.В.Ломоносова. Вел семинары на кафедре физико-технологических проблем микроэлектроники на факультете физической и квантовой электроники Московского физико-технического института (МФТИ).
В 2020 году по инициативе Отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН, Президиум Российской академии наук учредил награду для ученых за выдающиеся заслуги в области микро- и наноэлектроники – золотую медаль имени академика К.А. Валиева. Первым годом присуждения Золотой медали имени К.А. Валиева объявлен 2021 год.
18 февраля 2020 года на заседании президиума правительства Москвы под председательством Сергея Собянина было принято решение поддержать инициативу генерального директора АО «НИИМЭ», академика РАН Г.Я. Красникова, префектуры Зеленограда, а также депутатов района Матушкино о переименовании 1-го Западного проезда в Зеленограде, где находится АО «НИИМЭ» и завод "Микрон", в улицу академика Валиева.