В НИИМЭ прошло награждение победителей 65-й конференции МФТИ

10 апреля в НИИМЭ состоялась церемония награждения победителей 65-й всероссийской научной конференции МФТИ, секции «Микроэлектроника». 

Во вступительном слове заместитель председателя секции «Микроэлектроника» д.ф.-м.н. профессор Александр Георгиевич Итальянцев отметил: «Для вас участие в конференции это большой шаг в карьере. Уровень знаний и квалификации возрастает скачками именно в эти моменты. По общему мнению программного комитета, конференция прошла успешно. Были заслушаны достойные доклады по технологическим, модельным, физическим направлениям, в области классической полупроводниковой микроэлектроники и в области радиофотоники». Александр Георгиевич поблагодарил участников за отличную работу и пожелал дальнейших успехов в научной и профессиональной деятельности.

Церемонию награждения провел председатель программного комитета член-корреспондент РАН, д.т.н., проф. Горнев Евгений Сергеевич.

Во время конференции было заслушано 25 докладов, из которых члены жюри выбрали 3 лучших:

1 место - Денисов Сергей Александрович, Нижегородский ГУ им. Лобачевского

Доклад: «Легирование атомами галлия эпитаксиальных слоев Ge:Ga/Si(001) при выращивании их методом HW CVD»

2 место - Чернова Анна Сергеевна, АО «НИИМЭ», МФТИ
Доклад: «Исследование и автоматизация процесса классификации по причинам отказа электронной компонентной базы методами машинного обучения»

3 место - Бабичек Илья Викторович, АО «НИИМЭ», МФТИ
Доклад: «Решение обратной задачи моделирования оптического (де)мультиплексора для получения требуемых спектральных характеристик»

Отдельно отмечены поощрительными призами:

• Степанова Маргарита Глебовна, АО «НИИМЭ», МФТИ — «Исследование зависимости оптимальной формы компактной модели фоторезиста от конфигурации топологического слоя»
• Резник Александр Анатольевич, АО «НИИМЭ», МФТИ — «К вопросу о тонкоплёночном оксиде TiOx на границе раздела TiN/HfxZr1-xO2 сегнетоэлектрического конденсатора»

Также выдвинуты претенденты на участие в конкурсе научных работ, проводящемся среди лучших докладов всех 18 секций направления электроники, фотоники и молекулярной физики:

• Чернова Анна Сергеевна, техник АО «НИИМЭ», 4 курс бакалавриата МФТИ
• Степанова Маргарита Глебовна, техник АО «НИИМЭ», 4 курс бакалавриата МФТИ
• Резник Александр Анатольевич, н.с. АО «НИИМЭ», 2 курс магистратуры МФТИ
• Кордобовская Елена Андреевна, инж.-констр. 3 кат. АО «НИИМЭ», 2 курс магистратуры МФТИ

Лауреаты конкурса получат льготы при поступлении в магистратуру и аспирантуру МФТИ.