В НИИМЭ прошла секция юбилейной 65-й конференции МФТИ

4-5 апреля в АО «НИИМЭ» прошло заседание секции микроэлектроники Всероссийской научной конференции Московского физико-технического института (МФТИ), посвящённой 115-летию со дня рождения Льва Давидовича Ландау, легендарного преподавателя Физтеха, основателя и первого заведующего кафедрой теоретической физики.

С приветственным словом к участникам конференции обратился председатель программного комитета член-корреспондент РАН, д.т.н., проф. Горнев Евгений Сергеевич, отметив: «Кафедра микро- и наноэлектроники ФЭФМ проводит данное мероприятие ежегодно с 2015 года. Проводя мероприятие такого высокого уровня, НИИМЭ вносит значительный вклад в подготовку научных сотрудников, инженеров и технологов в области исследований, разработки и производства интегральных микросхем. Потребность в высококвалифицированных специалистах сейчас в разы превышает число выпускников соответствующих направлений, поэтому их подготовка становится как никогда актуальной для развития современной российской микроэлектроники».

В работе в секции заслушано 25 докладов от представителей АО «НИИМЭ», АО «Микрон», МФТИ, МИЭТ, МИСиС, ПАО «Институт электронных управляющих машин им. И.С.Брука»​. Тезисы представленных докладов войдут в сборник трудов конференции, индексируемый РИНЦ:

• Денисов Сергей Александрович (Нижегородский ГУ им. Лобачевского) — Легирование атомами галлия эпитаксиальных слоев Ge:Ga/Si(001) при выращивании их методом HW CVD
• Резник Александр Анатольевич (АО «НИИМЭ», МФТИ) — К вопросу о тонкоплёночном оксиде TiOx на границе раздела TiN/HfxZr1-xO2 сегнетоэлектрического конденсатора
• Баширов Антон Сергеевич (ПАО «Институт Электронных Управляющих Машин им. И.С. Брука») — Оценка влияния параметров схемы, питания и наводок на уровень шума и смещение нуля генератора сигналов сверхмалого напряжения
• Кривенцев Андрей Михайлович (АО «НИИМЭ», МФТИ) — Изучение особенностей проектирования тестовых структур для учета эффекта локального рассогласования у конденсаторов
• Кулиш Артем Максимович (АО «НИИМЭ», МФТИ) — Численное моделирование переноса носителей заряда в МОНОП-структурах
• Кордобовская Елена Андреевна (АО «НИИМЭ», МФТИ) — Сравнительный анализ схемотехнических решений коммутатора системной шины микроконтроллера для смарт-карт на базе процессора RISC-V
• Ватлин Евгений Дмитриевич (АО «НИИМЭ», МФТИ) — Методика подачи данных в импульсные нейроархитектуры
• Чернова Анна Сергеевна (АО «НИИМЭ», МФТИ) — Исследование и автоматизация процесса классификации по причинам отказа электронной компонентной базы методами машинного обучения
• Горбунова Александра Игоревна (НИУ «Московский институт электронной техники», ПАО «Микрон») — Разработка составной части цифрового двойника базовой технологии КМОП I/O-3,3В с проектными нормами 180 нм
• Беляев Алексей Олегович (НИТУ МИСИС, АО «НИИМЭ») — Формирование омического контакта к гетероструктуре AlGaN/GaN для силовых HEMT
• Султанаева Светлана Сергеевна (АО «НИИМЭ», МФТИ) — Моделирование интегрально-оптического датчика давления на основе кольцевых резонаторов
• Степанова Маргарита Глебовна (АО «НИИМЭ», МФТИ) — Исследование зависимости оптимальной формы компактной модели фоторезиста от конфигурации топологического слоя
• Московцев Андрей Федорович (АО «НИИМЭ», МФТИ) — Применение алгоритмов машинного обучения для детектирования SRAF-структур на РЭМ-изображениях
• Митрофанова Анастасия Евгеньевна (АО «НИИМЭ», МФТИ) — Исследование набега фазы в волноводных структурах с халькогенидными стёклами
• Мурзагалина Софья Маратовна (АО «НИИМЭ», МФТИ) — Исследование нелинейных оптических процессов в кремниевых щелевых волноводных структурах
• Крылов Александр Александрович (АО «НИИМЭ», МФТИ) — Исследование интегрированных оптических антенных систем лидаров, выпускаемых в технологии КНИ
• Бабичек Илья Викторович (АО «НИИМЭ», МФТИ) — Решение обратной задачи моделирования оптического (де)мультиплексора для получения требуемых спектральных характеристик
• Исламгулова Хатира Ильдаровна (АО «НИИМЭ», МФТИ) — Архитектура нейровычислительных блоков
• Цепкин Михаил Викторович (АО «НИИМЭ», МФТИ) — Расчёты диэлектрической проницаемости и оценка механических свойств оксида кремния с бензольными мостиковыми и терминальными метильными группами
• Пискун Иван Андреевич (НИУ «Московский институт электронной техники», ПАО «Микрон») — Исследование процессов деградации EEPROM-памяти в кМОП микросхемах
• Кириллова Анастасия Владимировна (НИУ «Московский институт электронной техники») — Особенности выбора компактной SPICE-модели транзисторной структуры по выбранной технологии и критерии её достоверности
• Мошаров Алексей Андреевич (АО «НИИМЭ», МФТИ) — Разработка дифференциального МШУ Х-диапазона частот на основе Si КМОП технологии
• Горчакова Мария Алексеевна (АО «НИИМЭ», МФТИ) — Метод тестирования проектов ПЛИС на основе тестового стенда
• Ларионов Михаил Юрьевич (МФТИ) — Метаматериал с повышенным эффективным значением диэлектрической проницаемости
• Лисовский Степан Владимирович (МФТИ) — Определение и контроль примесного состава технологических суспензий микроэлектроники методом ИСП-МС

По итогам работы секции будут определены победители, призёры, а также выдвинуты претенденты на участие в конкурсе научных работ, который проводится среди лучших докладов всех 18 секций направления электроники, фотоники и молекулярной физики. Лауреаты конкурса получат льготы при поступлении в магистратуру и аспирантуру МФТИ. Кроме того, авторам лучших докладов предложат опубликовать результаты в виде полных научных статей в журнале «Труды МФТИ», входящем в перечни ВАК и RSCI.