Подведены итоги 68 й Всероссийской научной конференции МФТИ
НИИМЭ отметил достижения молодых ученых в области микроэлектроники
05.05.2026
← Вернуться
Подведены итоги 67-ой научной конференции МФТИ
В НИИМЭ (входит в ГК «Элемент», резидент ОЭЗ «Технополис «Москва») состоялась церемония награждения победителей 67-ой Всероссийской научной конференции МФТИ секции «Микроэлектроника», которая в этом году побила рекорд по количеству заслушанных докладов. На секции выступили студенты, аспиранты и представители НИИМЭ, МФТИ, МГУ имени М.В. Ломоносова, ННГУ имени Н.И. Лобачевского, Сколковского института науки и технологий, Ульяновского государственного университета, Микрона и НПК «Технологический центр», представив актуальные исследования в области современных технологий полупроводниковой отрасли.
Секция микроэлектроники конференции МФТИ, организованная базовой кафедрой микро- и наноэлектроники Физтех-школы электроники, фотоники и молекулярной физики МФТИ, посвящена современным направлениям исследований в полупроводниковой отрасли и фотонике, теоретическим и экспериментальным исследованиям в микро- и наноэлектронике, а также моделированию, разработке и применению технологий интегральной микроэлектроники.
В этом году было заслушано 50 докладов, что в 1,5 раза больше, чем в предыдущем. Впервые в рамках секции прошла сессия докладов по интегральной фотонике.
Председатель программного комитета член-корреспондент РАН, д.т.н., проф., зам. зав. кафедрой Евгений Сергеевич Горнев отметил, что доклады отличались глубиной проработки и актуальностью, участники продемонстрировали высокий уровень подготовки и стремление к практическому применению результатов. Обсуждаемые темы охватывали широкий спектр современных задач микро- и наноэлектроники, а конструктивная дискуссия способствовала обмену идеями и формированию новых научных направлений.
По итогам работы секции признаны:
Лучший докладчик из числа аспирантов - Горохов Сергей (аспирантура 4 год). Доклад - «Термодинамические свойства гексагональной и кубической фаз рутения в квазигармоническом приближении».
1-ое место конференции и лучший студенческий доклад – Беляев Алексей (магистратура 2 курс). Доклад - «Исследование лавинного пробоя силового вертикального МДП транзистора щелевого типа на основе GaN».
2-ое место - Оксаниченко Фёдор (магистратура 1 курс).
Доклад - «Исследование влияния начального состава газовой смеси на параметры индуктивно-связанной плазмы HBr/Cl2/Ar».
3-е место и лучший доклад сессии «Интегральная фотоника» – Князев Андрей (магистратура 1 курс). Доклад - «Численное моделирование решётки ввода-вывода излучения для фотонных интегральных схем на КНИ-платформе».
В числе номинантов к участию в конкурсе научных работ отмечены:
• Беляев Алексей, (магистратура 2 курс), «Исследование лавинного пробоя силового вертикального МДП транзистора щелевого типа на основе GaN».
• Курьянов Антон (магистратура 2 курс), «Моделирование селектора ReRAM на основе MIM диода».
• Пискун Иван (магистратура 2 курс), «Разработка термостойкой малогабаритной RFID-метки УВЧ-диапазона для маркировки металлических объектов».
• Шмаков Владимир (бакалавриат 4 курс), «Построение модели для предсказания характеристик филаментарного мемристора с использованием глубокого обучения и компактной модели».
• Алямовская Анна (бакалавриат 4 курс), «Решение задачи предсказания углов суставов бионического протеза кисти при повышении числа каналов входных ЭМГ-данных».
• Захаров Юрий Алексеевич (бакалавриат 4 курс), «О влиянии управляющих параметров реактивно-ионного травления на пространственную однородность плазмы в реакторе».
Секция микроэлектроники конференции МФТИ, организованная базовой кафедрой микро- и наноэлектроники Физтех-школы электроники, фотоники и молекулярной физики МФТИ, посвящена современным направлениям исследований в полупроводниковой отрасли и фотонике, теоретическим и экспериментальным исследованиям в микро- и наноэлектронике, а также моделированию, разработке и применению технологий интегральной микроэлектроники.
В этом году было заслушано 50 докладов, что в 1,5 раза больше, чем в предыдущем. Впервые в рамках секции прошла сессия докладов по интегральной фотонике.
Председатель программного комитета член-корреспондент РАН, д.т.н., проф., зам. зав. кафедрой Евгений Сергеевич Горнев отметил, что доклады отличались глубиной проработки и актуальностью, участники продемонстрировали высокий уровень подготовки и стремление к практическому применению результатов. Обсуждаемые темы охватывали широкий спектр современных задач микро- и наноэлектроники, а конструктивная дискуссия способствовала обмену идеями и формированию новых научных направлений.
По итогам работы секции признаны:
Лучший докладчик из числа аспирантов - Горохов Сергей (аспирантура 4 год). Доклад - «Термодинамические свойства гексагональной и кубической фаз рутения в квазигармоническом приближении».
1-ое место конференции и лучший студенческий доклад – Беляев Алексей (магистратура 2 курс). Доклад - «Исследование лавинного пробоя силового вертикального МДП транзистора щелевого типа на основе GaN».
2-ое место - Оксаниченко Фёдор (магистратура 1 курс).
Доклад - «Исследование влияния начального состава газовой смеси на параметры индуктивно-связанной плазмы HBr/Cl2/Ar».
3-е место и лучший доклад сессии «Интегральная фотоника» – Князев Андрей (магистратура 1 курс). Доклад - «Численное моделирование решётки ввода-вывода излучения для фотонных интегральных схем на КНИ-платформе».
В числе номинантов к участию в конкурсе научных работ отмечены:
• Беляев Алексей, (магистратура 2 курс), «Исследование лавинного пробоя силового вертикального МДП транзистора щелевого типа на основе GaN».
• Курьянов Антон (магистратура 2 курс), «Моделирование селектора ReRAM на основе MIM диода».
• Пискун Иван (магистратура 2 курс), «Разработка термостойкой малогабаритной RFID-метки УВЧ-диапазона для маркировки металлических объектов».
• Шмаков Владимир (бакалавриат 4 курс), «Построение модели для предсказания характеристик филаментарного мемристора с использованием глубокого обучения и компактной модели».
• Алямовская Анна (бакалавриат 4 курс), «Решение задачи предсказания углов суставов бионического протеза кисти при повышении числа каналов входных ЭМГ-данных».
• Захаров Юрий Алексеевич (бакалавриат 4 курс), «О влиянии управляющих параметров реактивно-ионного травления на пространственную однородность плазмы в реакторе».
