Главной движущей силой развития института являются его сотрудники. Наши ценности не были спущены сверху, а родились из открытого диалога внутри коллектива. К ним относятся командная работа, надежность, лидерство и развитие, инициатива и ответственность, системность мышления и инженерный подход к решению задач. В НИИМЭ важно быть не только профессионалом, но и частью команды. Мы приветствуем активных и увлеченных людей, способных вести команду за собой или стать частью команды.

Фундаментальные исследования

НИИМЭ занимается фундаментальными и поисковыми исследованиями в области физики полупроводников, изучает новые физические принципы энергонезависимой памяти, создает модели наноэлектронных компонентов.

Технологии перспективных СБИС:

  • Разработка технологии многолучевой электронной литографии для следующих поколений СБИС 45 нм, 28 нм, 14 нм и менее, позволяющей создание прямого изображения на пластине без изготовления комплектов масок;
  • Разработка процессов переноса изображения через маску электронорезиста и интеграция их с традиционной технологией КМОП на базе оптической литографии для обеспечения производительности производства;
  • Разработка базовой технологии формирования многоуровневой разводки для следующих поколений СБИС 45 нм, 28 нм, 14 нм и менее на базе медной металлизации и low-k диэлектрика;
  • Разработка методов анализа состояний систем с металлическим затвором и подзатворным high-k диэлектриком, а также методов исследования механизмов захвата и удержания зарядов в системах нано-кристаллов кремния;
  • Разработка моделей и технологии создания МДП систем с металлическим затвором и диэлектриком с высокой диэлектрической проницаемостью (HfO2).
ФХАЛ

Энергонезависимая память:

  • Исследования и моделирование элементов энергонезависимой памяти на основе MONOS структур и FRAM MD на основе сегнетоэлектриков. Исследование недеструктивных методов считывания информации с ячеек FRAM. Исследование магнитной памяти;
  • Системы композитных подзатворных диэлектриков;
  • Исследование свойств границ разделов в системах композитных подзатворных диэлектриков с использованием материалов с высокой диэлектрической проницаемостью (напр. Si/SiO2(x)/HfO2/HfAlOx/Al).

Функциональная электроника:

  • Исследования технологии МЭМС на основе гетероструктур кремний-сегнетоэлектрик для создания широкого спектра датчиков и акселерометров;
  • Разработка технологий 3-D сборки для интеграции в виде «система-в-корпусе» (SiP);
  • Разработка приборно-технологических моделей для базовых и перспективных технологий.
ФХАЛ

Форум «Микроэлектроника»

НИИМЭ выступает организатором российского форума «Микроэлектроника». Это ключевое событие года в мире электронных технологий. Он является площадкой для всестороннего обсуждения перспективных направлений развития отечественной микроэлектроники с участием представителей научного сообщества, государственных структур и бизнеса. Во время работы форума вырабатываются совместные решения, направленные на защиту национальных интересов и обеспечение технологического суверенитета.

Форум «Микроэлектроника» опирается на традиции Гурзуфской Всесоюзной школы микроэлектроники. В 2015 году по инициативе НИИМЭ и благодаря усилиям ведущих предприятий отрасли эти традиции были восстановлены. На первый форум собралось более 300 представителей микроэлектроники из 50 компаний России, стран ближнего зарубежья, Европы и Юго-Восточной Азии.

ФХАЛ

Популярность форума растет из года в год. Сегодня в Форуме участвует уже более трех тысяч представителей компаний и организаций отрасли. Он включает в себя пленарные заседания, научно-практические конференции в 13 секциях, две предконференции, Школу молодых ученых, насыщенную выставочную, деловую программу.

Во время форума «Микроэлектроника» обсуждаются актуальные проблемы, начиная от вопросов технологий производства микроэлектроники до специального технологического оборудования и чистых материалов, развития квантовых технологий, нейроморфных вычислений и искусственного интеллекта. Форум насыщен различными тематическими мероприятиями: круглыми столами, открытыми дискуссиями по проблемам развития и мерам поддержки, мастер-классами.

Форум проводится при поддержке Министерства промышленности и торговли, Министерства образования и науки. Его партнерами выступают фонды развития и крупнейшие российские технологические компании.

ФХАЛ

Цели Форума:

  • Поиск новых возможностей, выдвижение новых идей и решений для развития микроэлектронных технологий, разработки специального технологического оборудования и создания сверхчистых материалов;
  • Укрепление горизонтальных межотраслевых научно-практических и производственных связей посредством организации позитивного конструктивного взаимодействия и делового сотрудничества;
  • Поддержка заинтересованности бизнеса в создании и продвижении инновационных микроэлектронных продуктов и решений;
  • Содействие привлечению в отрасль инвестиций для реализации перспективных высокотехнологичных проектов в области микроэлектроники;
  • Формирование у участников Форума понимания глобальных изменений в индустрии и ответственности за развитие отечественной микроэлектронной отрасли;
  • Привлечение в отрасль талантливой молодежи для усиления научного потенциала российской микроэлектроники.

Подробнее о Форуме:

microelectronica.pro

ФХАЛ
Энергонезависимая память

Школа молодых ученых

НИИМЭ выступает организатором «Школы молодых учёных» (ШМУ) –крупнейшей молодёжной площадки по микроэлектронике. Она предоставляет возможности студентам, аспирантам и молодым специалистам выступить с докладами, принять участие в мастер-классах и круглых столах, а состоявшимся учёным – сделать пленарный доклад, провести мастер-класс или круглый стол.

Председатель программного комитета ШМУ – академик РАН, д.т.н., профессор, почетный профессор Московского физико-технического института, заместитель руководителя приоритетного технологического направления по электронным технологиям АО «НИИМЭ», заместитель заведующего кафедрой микро- и наноэлектроники МФТИ Евгений Сергеевич Горнев.

Конференция ШМУ решает следующие задачи:

  • Установление новых контактов между молодыми учёными и экспертами отрасли;
  • Обсуждение важнейших научных задачи микроэлектроники и выявление подходов к решению актуальных проблем;
  • Обмен новейшей научной информацией и сведениями о возможностях проведения исследований;
  • Создание новых научных проектов и внутриотраслевых исследовательских коллективов;
  • Помощь студентам, аспирантам и молодым выпускникам в развитии в науке;
  • Пополнение рядов молодых учёных в области микроэлектроники


Конференции ежегодно проводятся в рамках Форума «Микроэлектроника» с приглашением ведущих специалистов и ученых российских вузов, и академических институтов.

Энергонезависимая память
Энергонезависимая память

В 2025 году в работе ШМУ приняли участие 386 человек. Они представляли 81 научную и образовательную организацию. Было заслушано 309 докладов по ключевым направлениям микроэлектроники: проектирование и моделирование интегральных микросхем, технологические процессы микроэлектроники, интегральная фотоника, СВЧ и силовые приборы, нейроморфные вычисления и искусственный интеллект, физика микро- и наноразмерных приборов, биомедицинская электроника, системное программное обеспечение и другие.

Научные направления:

  • Моделирование структур, технологических процессов и устройств микроэлектроники;
  • Школа НИИМЭ вычислительной литографии;
  • Технологические процессы микроэлектроники;
  • Интегральная фотоника;
  • Нейроморфные вычисления и искусственный интеллект;
  • RISC-V и системное программное обеспечение;
  • СВЧ и силовые приборы микроэлектроники;
  • Квантовые технологии;
  • Физика микро- и наноразмерных приборов;
  • Биомедицинская электроника;
  • Проектирование интегральных микросхем, встраиваемых электронных систем и конечных устройств;
  • Молодёжные лаборатории в области микроэлектроники.
Энергонезависимая память

Организаторы ШМУ:

  • Научный совет ОНИТ РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания»;
  • Консорциум «Перспективные материалы и элементная база информационных и вычислительных систем»;
  • АО «НИИМЭ»;
  • Московский физико-технический институт – национальный исследовательский университет (МФТИ).;

Подробности по ссылке:

microelectronica.pro

Энергонезависимая память

Научный совет РАН «Квантовые технологии»

НИИМЭ принимает участие в координации фундаментальных исследований по квантовым технологиям, взаимодействуя с Российской академией наук, профильными министерствами и ведомствами.

Научный совет «Квантовые технологии» осуществляет анализ состояния и выбор приоритетов и направлений, определяет цели и задачи программ фундаментальных исследований по квантовым технологиям, проводит экспертизу «дорожных карт» и результатов фундаментальных исследований по квантовым технологиям и формирует рекомендации по их практическому использованию в различных областях науки и техники. Он участвует в подготовке научно-технических прогнозов развития основных направлений фундаментальных исследований по квантовым технологиям, а также предложений по организации наиболее актуальных с научной точки зрения программ, проектов и исследований для получения научных результатов мирового уровня в различных направлениях фундаментальных исследований по квантовым технологиям

Научный совет при президиуме РАН «Квантовые технологии» возглавляет научный руководитель АО «НИИМЭ», президент Российской академии наук, академик РАН Г. Я. Красников.

Скачать материалы Совета (состав Совета, программы, презентации и протоколы заседаний)

2025 год
2024 год
Научный семинар Научного совета РАН «Квантовые технологии» по теме «Квантовые вычисления» (13 декабря, здание президиума РАН на Ленинском, 14, конференц-зал)
2023 год
2022 год
Заседание Научного совета по теме «Квантовые материалы - 1» (23 июня 10:00, Москва, Ленинский пр-т, 32А, здание РАН, 3 этаж, Красный зал)
2021 год
Заседание Научного совета по теме «Квантовые вычисления» (18 февраля 10:00, здание РАН на Ленинском, 32А)
Заседание Научного совета по теме «Квантовые сенсоры» (1 апреля 10:00, здание РАН на Ленинском, 32А)
Заседание Научного совета по теме «Квантовые сенсоры - 2» (29 апреля 10:00, здание РАН на Ленинском, 32А)
Заседание Бюро Совета по теме «Обсуждение проекта решения заседания Президиума РАН 18.05.2021 г. по вопросу «О состоянии и перспективах развития квантовых технологий в Российской Федерации» (12 мая 2021г., АО "НИИМЭ" г. Москва, Зеленоград, ул. Академика Валиева, д.6, стр. 1)
Заседание Совета по теме «Экспертное обсуждение отчета о реализации дорожной карты «Квантовые вычисления» в 2020 г.» (4 августа 2021г., АО "НИИМЭ" г. Москва, Зеленоград, ул. Академика Валиева, д.6, стр. 1)
Заседание Научного совета по теме «Методы создания запутанных состояний» (23 декабря 10:00, здание Президиума РАН на Ленинском, 32А, Синий зал)
2020 год
Заседание Бюро Научного совета (6 июля 11:00, АО «НИИМЭ»)
Заседание Научного совета (24 сентября 10:00, здание Президиума РАН на Ленинском, 32А)
Энергонезависимая память

Научный совет ОНИТ РАН

НИИМЭ участвует в координации фундаментальных научных исследований в области нанотехнологий и информационных технологий.

Научный совет «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания» при Отделении нанотехнологий и информационных технологий (ОНИТ) РАН решает задачи по изучению, анализу достижений и прогнозу развития отечественной и мировой науки, определению приоритетных направлений ее развития в области элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для их создания. Так же Совет ведет научно-консультативное и экспертное обеспечение деятельности государственных органов и организаций, а также координирует научную и научно-техническую деятельность в области решения фундаментальных проблем элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания.

Научный совет «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания» при Отделении нанотехнологий и информационных технологий РАН возглавляет научный руководитель АО «НИИМЭ», президент Российской академии наук, академик РАН Г. Я. Красников.

Скачать материалы Совета (состав Совета, программы, презентации и протоколы заседаний)

2023 год
Заседание Научного Совета ОНИТ РАН по теме «Нейроморфные вычисления и элементная база для их реализации» (19 апреля, с 10:00, здание Президиума РАН, Синий зал)
2021 год
Заседание Научного совета по теме «Больше Мура и больше, чем Мур» (8 апреля 10:00, здание Президиума РАН, Синий зал)
Заседание Научного совета по теме «Состояние и перспективы развития электронного машиностроения» (ожидается в октябре)
2018 год
Заседание Научного совета (12.12.2018 г., АО «НИИМЭ»)

Журнал «Микроэлектроника»

Текст для раздела Журнал «Микроэлектроника». Текст для раздела Журнал «Микроэлектроника». Текст для раздела Журнал «Микроэлектроника».
Журнал «Микроэлектроника»

Обращение главного редактора

Уважаемые читатели!

Рад сообщить вам, что начиная с 2014 года, мы возобновили выпуск научно-технического журнала «Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника». Теперь журнал выпускается в полноцветном варианте, что облегчает восприятие наглядного материала.

Издательство журнала «Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника» воссоздано решением Редакционного совета акционерного общества «Научно-исследовательского института молекулярной электроники».

Как и в предыдущие годы, журнал комплексно освещает современные достижения и проблемы микро- и наноэлектроники во всех сферах научной и производственной деятельности от технологии до экономики.

Миссия журнала состоит в оперативной публикации научных статей о новых, ранее не опубликованных значимых результатах научных исследований, а также фундаментальных и прикладных результатах их применения, наиболее полное отражение научно-исследовательской деятельности во всемирном научном информационном пространстве и популяризации науки в целом.

ФХАЛ

Также следует отметить, что в начале 2017 года журнал «Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника» вошёл в перечень ведущих рецензируемых научных журналов, включённых Высшей аттестационной комиссией России в список изданий, рекомендуемых для опубликования основных научных результатов диссертаций на соискание учёной степени кандидата и доктора наук, а это является своего рода гарантом качества научных статей, их актуальности и новизны.

Журнал открыт как для отечественных, так и для зарубежных авторов. Приглашаем учёных и специалистов, а также аспирантов и молодых сотрудников, специализирующихся в областях науки и производства, связанных с микроэлектроникой и наноэлектроникой, к сотрудничеству с журналом.

От имени редакции я благодарю всех Вас – наших авторов и читателей, партнеров и друзей за интерес к изданию, поддержку и сотрудничество. Желаю нам всем продуктивности и много хороших статей, а это невозможно без наших общих усилий.

С уважением,
главный редактор журнала,
доктор технических наук, академик РАН


Г.Я. Красников

ФХАЛ
Журнал «Микроэлектроника»

О журнале

Уважаемые читатели!

Научно-технический журнал «Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника» зарегистрирован Федеральной службой по надзору в сфере связи и массовых коммуникаций в качестве средства массовой информации от 14.08.2013 года, регистрационное свидетельство: ПИ №ФС77-55092.

Журнал зарегистрирован в системе ISSN Международным центром ISSN в Париже под номером 2410-9932.

Журнал включен в базу данных Российского индекса научного цитирования (РИНЦ).

Журнал «Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника» издается на русском языке. Периодичность издания – ежеквартальная. Тираж – 500 экземпляров. На страницах журнала размещаются только авторские научные публикации.

ФХАЛ

Распространяется по подписке на территории Российской Федерации (Каталог Агентства «РОСПЕЧАТЬ», индекс 80408).

Журнал является рецензируемым изданием и рассчитан на широкий круг научной общественности (научные сотрудники, преподаватели, докторанты, аспиранты и соискатели, студенты) в России и СНГ, а также практических работников государственных учреждений и предпринимательских структур. Он придаёт большое значение подготовке квалифицированных кадров для нашей науки и промышленности. Журнал включен в базу данных Russian Science Citation Index (RSCI) на платформе Web of Science.

Учитывая сложившийся авторитет журнала, работу в нём высококвалифицированных специалистов Всероссийская аттестационная комиссия (ВАК) включила журнал «Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника» в число изданий, рекомендованных для публикации статей соискателей учёных степеней кандидата и доктора наук №3055 от 10.06.2024 г.

ФХАЛ

Публикуемые в журнале статьи содержат результаты фундаментальных научных исследований в следующих отраслях:

1.4.4. Физическая химия (химические науки),

2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств (технические науки), 2.3.5. Математическое и программное обеспечение вычислительных систем, комплексов и компьютерных сетей (физико-математические науки).

Также публикации журнала информируют о новейших достижениях в разработке изделий и технологий специалистами в следующих группах:

05.13.05 – Элементы и устройства вычислительной техники и систем управления (технические науки),

05.13.12 – Системы автоматизации проектирования (по отраслям) (технические науки),

05.27.06 – Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники (технические науки).

ФХАЛ

В качестве дополнительной информации в журнале печатаются тематические обзоры, обобщающие отечественный и зарубежный опыт, краткие сообщения о значимых научных мероприятиях АО «НИИМЭ», а также наиболее интересные с научной и практической точек зрения работы молодых ученых и специалистов.

В качестве дополнительной информации в журнале печатаются тематические обзоры, обобщающие отечественный и зарубежный опыт, краткие сообщения о значимых научных мероприятиях АО «НИИМЭ», а также наиболее интересные с научной и практической точек зрения работы молодых ученых и специалистов.

Со всеми номерами журнала вы можете познакомиться, оформив подписку непосредственно в редакции журнала. Архив журнала доступен в Научной Электронной Библиотеке (НЭБ) - головном исполнителе проекта по созданию Российского индекса научного цитирования (РИНЦ), путем покупки прав пользования электронной версией журнала.

ФХАЛ
Журнал «Микроэлектроника»

Подписка

Для удобства читателей и подписчиков мы постарались учесть несколько способов подписки, среди которых можно выбрать наиболее удобный для Вас:

1. Оформить подписку на печатные версии журналов в любом почтовом отделении по каталогу.
После осуществления платежа необходимо сообщить по электронной почте nvoronova@niime.ru.
Стоимость годовой подписки через почтовое отделение – 4969,36 руб. (стоимость одного номера – 1242,34 руб.).

Журнал зарегистрирован в системе ISSN Международным центром ISSN в Париже под номером 2410-9932.

2. Оформить подписку или приобрести отдельные выпуски непосредственно через редакцию.

Для этого необходимо заполнить бланк заказа (прил.1) и направить его в редакцию журнала по электронной почте nvoronova@niime.ru или по адресу: 124460, г. Москва, Зеленоград, улица Академика Валиева, дом 6, стр.1.  
Для физических лиц возможна оплата по квитанции в любом отделении Сбербанка России (прил.2). Для юридических лиц счёт-фактура и накладные выставляются только по факту оплаты. Юридическим и физическим лицам необходимо отправить по электронной почте nvoronova@niime.ru отсканированную квитанцию или платежное поручение об оплате подписки.
Стоимость годовой подписки в редакции – 4800 руб. (стоимость одного номера – 1200 руб.).

ФХАЛ

Журналы будут направлены по почте на адрес плательщика или на иной адрес по доверенности плательщика.
Редколлегия журнала предлагает всем предприятиям, организациям и компаниям, оформившим подписку на журнал, направлять в наш адрес материалы. Представляющие научный и практический интерес статьи будут опубликованы.

По всем вопросам подписки и приобретения номеров журнала обращайтесь в редакцию:

+74952297487

+nvoronova@niime.ru

ФХАЛ

Публикации сотрудников

Центр оценки квалификаций – первый в России специализированный центр в области микроэлектроники. Сегодня мы проводим независимую оценку специалистов по всем ключевым направлениям: от проектирования наноразмерных микросхем до управления производственными процессами.

В нашем арсенале 25 профессиональных стандартов и 77 квалификаций. Над оценкой работают 55 технических экспертов института. Ежегодно мы проводим около 100 экзаменов, включая специальную программу «Вход в профессию» для студентов и выпускников.

ФХАЛ